JPH0251529B2 - - Google Patents
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- JPH0251529B2 JPH0251529B2 JP24037085A JP24037085A JPH0251529B2 JP H0251529 B2 JPH0251529 B2 JP H0251529B2 JP 24037085 A JP24037085 A JP 24037085A JP 24037085 A JP24037085 A JP 24037085A JP H0251529 B2 JPH0251529 B2 JP H0251529B2
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Landscapes
- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
- Liquid Crystal Substances (AREA)
Description
〔産業上の利用分野〕
本発明は電気光学的表示材料として有用なトラ
ン誘導体の新規ネマチツク液晶化合物に関する。 〔従来の技術〕 液晶表示セルの代表的なものにエム・シヤツト
（Ｍ・Schadt）等〔APPLIFD PHYSICS
LETTERS18、127〜128（1971）〕によつて提案
された電界効果型セル（フイールド・エフエク
ト・モード・セル）又はジー・エイチ・ハイルマ
イマー（Ｇ・Ｈ Heilmeier）等
〔PROCEEDING OF THE I.E.E.E.561162〜
1171（1968）〕によつて提案された動的光散型セル
（ダイミツク・スキヤツタリング・モード・セル）
又はジー・エイチ・ハイルマイヤー（Ｇ・Ｈ
Heilmeier）等〔APPLIED PHYSICS
LETTERS13、91（1968）〕あるいはデイー・エ
ル・ホワイト（Ｄ Ｌ White）等〔JOURNAL
OF APPLIED PHYSICS45、4718（1974）〕によ
つて提案されたゲスト・ホスト型セルなどがあ
る。 これらの液晶表示セルの中で現在主流をなすも
のは、電界効果型セルの一種のTN型セルであ
る。このTN型セルにおいては、G.Bauerによつ
てMOl.Cryst.Lig.Cryst.6345（1981）に報告され
ているように、セル外観を損う原因となるセル表
面での干渉縞の発生を防止すために、セルに充填
される液晶材料の屈折率の異方性（Δn）とセル
の厚さ(d)μｍの積を或る特定の値に設定する必要
がある。実用的に使用される液晶表示セルでは、
Δn・ｄの値が0.5、1.0、1.6又は2.2のいずれかに
設定されている。このようにΔn・ｄの値が一定
値に設定されるから、Δnの値の大きな液晶材料
を使用すれば、ｄの値を小ならしめることができ
る。ｄの値が小となれば、応答時間（γ）は、よ
く知られたταd2の関係式に従つて小となる。従
つて、Δnの値の大きな液晶材料は、応答速度が
速く、而も干渉縞のない液晶表示セルを製作する
のに極めて重要な材料である。一方、実用可能な
液晶材料の多くは、通常、室温付近にネマチツク
相を有する化合物と室温より高い温度領域にネマ
チツク相を有する化合物から成る数種又はそれ以
上の成分を混合することによつて調製される。現
在実用的に使用される上記の如き混合液晶の多く
は、少なくとも−30℃〜＋65℃の全温度範囲に亘
つてネマチツク相を有することが要求されている
が液晶表示セルの応用製品の多様化に伴ない、ネ
マチツク液晶温度範囲を更に高温側に拡張した液
晶材料が要望されており、このため、最近では特
にネマチツク相一等方性液体相（Ｎ−Ｉ）転移温
度の高いネマチツク液晶化合物が必要とされてい
る。 〔発明が解決しようとする問題点〕 従つて、本発明が解決しようとする問題点は
は、大きなΔnと高いＮ−Ｉ転移温度を有する新
規ネマチツク液晶化合物を提供することにある。 〔問題点を解決するための手段〕 本発明は、上記問題点を解決するために、 一般式 （式中、Ｒは炭素原子数１〜９の直鎖状アルキル
基を表わし、Ｘは炭素原子数１〜９の直鎖状アル
キル基、炭素原子数１〜９の直鎖状アルコキシル
基又はハロゲン原子を表わし、
ン誘導体の新規ネマチツク液晶化合物に関する。 〔従来の技術〕 液晶表示セルの代表的なものにエム・シヤツト
（Ｍ・Schadt）等〔APPLIFD PHYSICS
LETTERS18、127〜128（1971）〕によつて提案
された電界効果型セル（フイールド・エフエク
ト・モード・セル）又はジー・エイチ・ハイルマ
イマー（Ｇ・Ｈ Heilmeier）等
〔PROCEEDING OF THE I.E.E.E.561162〜
1171（1968）〕によつて提案された動的光散型セル
（ダイミツク・スキヤツタリング・モード・セル）
又はジー・エイチ・ハイルマイヤー（Ｇ・Ｈ
Heilmeier）等〔APPLIED PHYSICS
LETTERS13、91（1968）〕あるいはデイー・エ
ル・ホワイト（Ｄ Ｌ White）等〔JOURNAL
OF APPLIED PHYSICS45、4718（1974）〕によ
つて提案されたゲスト・ホスト型セルなどがあ
る。 これらの液晶表示セルの中で現在主流をなすも
のは、電界効果型セルの一種のTN型セルであ
る。このTN型セルにおいては、G.Bauerによつ
てMOl.Cryst.Lig.Cryst.6345（1981）に報告され
ているように、セル外観を損う原因となるセル表
面での干渉縞の発生を防止すために、セルに充填
される液晶材料の屈折率の異方性（Δn）とセル
の厚さ(d)μｍの積を或る特定の値に設定する必要
がある。実用的に使用される液晶表示セルでは、
Δn・ｄの値が0.5、1.0、1.6又は2.2のいずれかに
設定されている。このようにΔn・ｄの値が一定
値に設定されるから、Δnの値の大きな液晶材料
を使用すれば、ｄの値を小ならしめることができ
る。ｄの値が小となれば、応答時間（γ）は、よ
く知られたταd2の関係式に従つて小となる。従
つて、Δnの値の大きな液晶材料は、応答速度が
速く、而も干渉縞のない液晶表示セルを製作する
のに極めて重要な材料である。一方、実用可能な
液晶材料の多くは、通常、室温付近にネマチツク
相を有する化合物と室温より高い温度領域にネマ
チツク相を有する化合物から成る数種又はそれ以
上の成分を混合することによつて調製される。現
在実用的に使用される上記の如き混合液晶の多く
は、少なくとも−30℃〜＋65℃の全温度範囲に亘
つてネマチツク相を有することが要求されている
が液晶表示セルの応用製品の多様化に伴ない、ネ
マチツク液晶温度範囲を更に高温側に拡張した液
晶材料が要望されており、このため、最近では特
にネマチツク相一等方性液体相（Ｎ−Ｉ）転移温
度の高いネマチツク液晶化合物が必要とされてい
る。 〔発明が解決しようとする問題点〕 従つて、本発明が解決しようとする問題点は
は、大きなΔnと高いＮ−Ｉ転移温度を有する新
規ネマチツク液晶化合物を提供することにある。 〔問題点を解決するための手段〕 本発明は、上記問題点を解決するために、 一般式 （式中、Ｒは炭素原子数１〜９の直鎖状アルキル
基を表わし、Ｘは炭素原子数１〜９の直鎖状アル
キル基、炭素原子数１〜９の直鎖状アルコキシル
基又はハロゲン原子を表わし、
【式】は
すべてトランス（エカトリアル−エカトリアル）
配置である。） で表わされる化合物を提供する。 本発明に係る式（）の化合物は次に述べる方
法に従つて製造することができる。下記式（）、
（）、及び（）におけるＲ及びＸはそれぞれ式
（）におけるＲ及びＸと同じ意味をもつ。 第１段階−式（）の化合物に、酢酸、水、及
び四塩化炭素の混合溶媒中で、よう素と過よう素
酸・２水和物を反応させて式（）の化合物を製
造する。 第２段階−第１段階で製造された式（）の化
合物に、ジエチルアミン、ジエチルエーテル及び
Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミドの混合溶媒中で、
ジクロロ−ビス（トリフエニルホスフイン）パラ
ジウム（）とよう化第１銅を触媒として、式
（）の化合物を反応させて、本発明に係る式
（）の化合物を製造する。 斯くして製造される式（）の化合物の代表的
なものの転移温度を第１表に掲げる。
配置である。） で表わされる化合物を提供する。 本発明に係る式（）の化合物は次に述べる方
法に従つて製造することができる。下記式（）、
（）、及び（）におけるＲ及びＸはそれぞれ式
（）におけるＲ及びＸと同じ意味をもつ。 第１段階−式（）の化合物に、酢酸、水、及
び四塩化炭素の混合溶媒中で、よう素と過よう素
酸・２水和物を反応させて式（）の化合物を製
造する。 第２段階−第１段階で製造された式（）の化
合物に、ジエチルアミン、ジエチルエーテル及び
Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミドの混合溶媒中で、
ジクロロ−ビス（トリフエニルホスフイン）パラ
ジウム（）とよう化第１銅を触媒として、式
（）の化合物を反応させて、本発明に係る式
（）の化合物を製造する。 斯くして製造される式（）の化合物の代表的
なものの転移温度を第１表に掲げる。
【表】
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 一般式 （式中、Ｒは炭素原子数１〜９の直鎖状アルキル
基を表わし、Ｘは炭素原子数１〜９の直鎖状アル
キル基、炭素原子数１〜９の直鎖状アルコキシル
基又はハロゲン原子を表わし、【式】は すべてトランス（エカトリアル−エカトリアル）
配置である。） で表わされる化合物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24037085A JPS62103031A (ja) | 1985-10-29 | 1985-10-29 | トラン系ネマチツク液晶化合物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24037085A JPS62103031A (ja) | 1985-10-29 | 1985-10-29 | トラン系ネマチツク液晶化合物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62103031A JPS62103031A (ja) | 1987-05-13 |
| JPH0251529B2 true JPH0251529B2 (ja) | 1990-11-07 |
Family
ID=17058479
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24037085A Granted JPS62103031A (ja) | 1985-10-29 | 1985-10-29 | トラン系ネマチツク液晶化合物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62103031A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6327442A (ja) * | 1986-07-17 | 1988-02-05 | Dainippon Ink & Chem Inc | メチルトラン系ネマチツク液晶化合物 |
| JPS63310838A (ja) * | 1987-06-13 | 1988-12-19 | Chisso Corp | トラン型新規液晶化合物 |
-
1985
- 1985-10-29 JP JP24037085A patent/JPS62103031A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62103031A (ja) | 1987-05-13 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |