JPH0251253B2 - - Google Patents
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- JPH0251253B2 JPH0251253B2 JP59110158A JP11015884A JPH0251253B2 JP H0251253 B2 JPH0251253 B2 JP H0251253B2 JP 59110158 A JP59110158 A JP 59110158A JP 11015884 A JP11015884 A JP 11015884A JP H0251253 B2 JPH0251253 B2 JP H0251253B2
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- differential
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/58—Structural electrical arrangements for semiconductor devices not otherwise provided for, e.g. in combination with batteries
- H01L23/585—Structural electrical arrangements for semiconductor devices not otherwise provided for, e.g. in combination with batteries comprising conductive layers or plates or strips or rods or rings
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
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- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
（技術分野）
本発明は半導体集積回路に関し、特に差動増巾
回路を使つた半導体集積回路のパターン構成法に
関するものである。
回路を使つた半導体集積回路のパターン構成法に
関するものである。
（従来技術）
半導体集積回路は、大規模化が進むにつれて、
パターンの微細化、多層化及び回路のダイナミツ
ク化が進み、差動増巾回路が使用されることが多
い。第１図ａ，ｂは従来のMOS型集積回路の一
例の平面図及びＡ〜A′面断面図を示す。第１図
ａ，ｂにおいて、Ｄ，は差動信号を形成する金
属配線層、１，２は信号線を形成する金属配線
層、３はグランド又は電源を形成する金属配線
層、４はＮ型拡散層、５は金属配線層３とＮ型拡
散層４とのコンタクト、６はトランジスタのゲー
トや層間絶縁膜を形成するシリコンの酸化膜、７
はパシベーシヨンと呼ばれる保護膜で通常はシリ
コンの酸化膜、窒化膜、リンガラス等が使われ
る。８はシリコン基板である。
パターンの微細化、多層化及び回路のダイナミツ
ク化が進み、差動増巾回路が使用されることが多
い。第１図ａ，ｂは従来のMOS型集積回路の一
例の平面図及びＡ〜A′面断面図を示す。第１図
ａ，ｂにおいて、Ｄ，は差動信号を形成する金
属配線層、１，２は信号線を形成する金属配線
層、３はグランド又は電源を形成する金属配線
層、４はＮ型拡散層、５は金属配線層３とＮ型拡
散層４とのコンタクト、６はトランジスタのゲー
トや層間絶縁膜を形成するシリコンの酸化膜、７
はパシベーシヨンと呼ばれる保護膜で通常はシリ
コンの酸化膜、窒化膜、リンガラス等が使われ
る。８はシリコン基板である。
また第２図は差動増巾回路の一例の回路図を示
す。第２図において、Ｐは増巾器のプリチヤージ
信号線、Ｓは差動増巾回路の駆動信号線、Ｄ，
は差動増巾回路の入出力信号である差動信号線、
VDDは電源電圧である。
す。第２図において、Ｐは増巾器のプリチヤージ
信号線、Ｓは差動増巾回路の駆動信号線、Ｄ，
は差動増巾回路の入出力信号である差動信号線、
VDDは電源電圧である。
こうした半導体集積回路は、大規模化が進むに
つれて、パターンの微細化が行なわれるが、各層
の厚さ方向の変化は、金属配線層のエレクトロマ
イグレーシヨン等の信頼性確保のためにほとんど
変化しない。従つて、電気力線の影響で隣接配線
間の容量が増大する。例えば、256Kメモリー程
度のパターンでは、パシベーシヨンが１〜2μｍ、
金属配線層の幅が３〜4μｍ、その間隔が2μｍ、
厚さが1μｍ、金属配線層と基板との距離が1μｍ
くらいであり、隣接配線間容量は、全配線容量の
約20％位になる。従つて、隣接する配線で一方の
信号線の電位が変化すると他方の信号線に雑音を
生じる。この雑音は、例えば、差動信号線の一方
に生じると差動増巾回路の誤動作を引き起こす場
合がある。こうした問題の対策として、通常はグ
ランド電位に印加された層を上、下に形成したし
やへいが考えられるが、半導体集積回路では、多
層化は不利となる。
つれて、パターンの微細化が行なわれるが、各層
の厚さ方向の変化は、金属配線層のエレクトロマ
イグレーシヨン等の信頼性確保のためにほとんど
変化しない。従つて、電気力線の影響で隣接配線
間の容量が増大する。例えば、256Kメモリー程
度のパターンでは、パシベーシヨンが１〜2μｍ、
金属配線層の幅が３〜4μｍ、その間隔が2μｍ、
厚さが1μｍ、金属配線層と基板との距離が1μｍ
くらいであり、隣接配線間容量は、全配線容量の
約20％位になる。従つて、隣接する配線で一方の
信号線の電位が変化すると他方の信号線に雑音を
生じる。この雑音は、例えば、差動信号線の一方
に生じると差動増巾回路の誤動作を引き起こす場
合がある。こうした問題の対策として、通常はグ
ランド電位に印加された層を上、下に形成したし
やへいが考えられるが、半導体集積回路では、多
層化は不利となる。
（発明の目的）
本発明の目的は、前記した欠点を除去し、微細
パターンにおける差動信号線の雑音を減少させる
パターン構成法を適用した半導体集積回路を提供
するにある。
パターンにおける差動信号線の雑音を減少させる
パターン構成法を適用した半導体集積回路を提供
するにある。
（発明の構成）
本発明の半導体集積回路は、差動増巾回路を含
む半導体集積回路において、差動信号線の２本の
配線を平行に隣接して形成し、その外側に定電位
に印加された２本の配線を配置することにより構
成される。
む半導体集積回路において、差動信号線の２本の
配線を平行に隣接して形成し、その外側に定電位
に印加された２本の配線を配置することにより構
成される。
（実施例）
以下、本発明の実施例について、図面を参照し
て説明する。
て説明する。
第３図ａ，ｂは本発明の一実施例の要部平面図
及びＢ−B′面の断面図である。第３図ａ，ｂに
示すように本実施例では、シリコン基板８上に形
成されたシリコン酸化膜６上には、差動信号線を
形成する２本の金属配線層Ｄ，が平行に隣接し
て形成され、その配線の外側には金属配線層３が
形成され、この２本の配線には定電位が印加され
る。そしてその外側に信号線を形成する金属配線
層１，２が配置され構成されている。なお７はパ
ツシベーシヨンである。
及びＢ−B′面の断面図である。第３図ａ，ｂに
示すように本実施例では、シリコン基板８上に形
成されたシリコン酸化膜６上には、差動信号線を
形成する２本の金属配線層Ｄ，が平行に隣接し
て形成され、その配線の外側には金属配線層３が
形成され、この２本の配線には定電位が印加され
る。そしてその外側に信号線を形成する金属配線
層１，２が配置され構成されている。なお７はパ
ツシベーシヨンである。
この実施例において、仮に信号線１又は２の電
位を急激に変化させた場合、その内側にある金属
配線層３は定電位に保持されているため外側の配
線からの雑音をしやへい雑音を生じない。従つて
その内側の差動信号線Ｄ，には雑音を生じるこ
とはない。従つて、差動信号値は変らない。
位を急激に変化させた場合、その内側にある金属
配線層３は定電位に保持されているため外側の配
線からの雑音をしやへい雑音を生じない。従つて
その内側の差動信号線Ｄ，には雑音を生じるこ
とはない。従つて、差動信号値は変らない。
本実施例によれば、定電位に印加された２本の
金属配線層３は、しやへいのために配置するだけ
でなく、通常の定電圧源としても使用できる。
金属配線層３は、しやへいのために配置するだけ
でなく、通常の定電圧源としても使用できる。
また、定電位に印加された２本の金属配線層
は、同電位にする必要がないため、一方をグラン
ド電位、他方を電源電圧としても使用できる。
は、同電位にする必要がないため、一方をグラン
ド電位、他方を電源電圧としても使用できる。
（発明の効果）
以上説明したように、本発明によれば、差動増
幅回路を含む半導体集積回路において、微細パタ
ーンでも差動信号線の雑音の発生を抑え、回路を
安定動作させることができる。
幅回路を含む半導体集積回路において、微細パタ
ーンでも差動信号線の雑音の発生を抑え、回路を
安定動作させることができる。
第１図ａ，ｂは、従来のMOS集積回路を示す
要部平面図及びそのＡ−A′面断面図、第２図は
従来の差動増巾器の一例の回路図、第３図ａ，ｂ
は、本発明の一実施例の要部平面図及びそのＢ−
B′面断面図である。 Ｄ，……差動信号を形成する金属配線層、
１，２……信号線を形成する金属配線層、３……
定電位に印加された金属配線層、４……Ｎ型拡散
層、５……Ｎ型拡散層と金属配線層とのコンタク
ト、６……シリコン酸化膜、７……パシベーシヨ
ン、８……シリコン基板、VDD……電源電圧、Ｐ
……プリチヤージ信号。
要部平面図及びそのＡ−A′面断面図、第２図は
従来の差動増巾器の一例の回路図、第３図ａ，ｂ
は、本発明の一実施例の要部平面図及びそのＢ−
B′面断面図である。 Ｄ，……差動信号を形成する金属配線層、
１，２……信号線を形成する金属配線層、３……
定電位に印加された金属配線層、４……Ｎ型拡散
層、５……Ｎ型拡散層と金属配線層とのコンタク
ト、６……シリコン酸化膜、７……パシベーシヨ
ン、８……シリコン基板、VDD……電源電圧、Ｐ
……プリチヤージ信号。
Claims (1)
- １ 差動増巾回路を含む半導体集積回路におい
て、差動信号線の２本の配線を平行に隣接して形
成し、その外側に定電位に印加された２本の配線
を配置することを特徴とする半導体集積回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59110158A JPS60254654A (ja) | 1984-05-30 | 1984-05-30 | 半導体集積回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59110158A JPS60254654A (ja) | 1984-05-30 | 1984-05-30 | 半導体集積回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60254654A JPS60254654A (ja) | 1985-12-16 |
| JPH0251253B2 true JPH0251253B2 (ja) | 1990-11-06 |
Family
ID=14528517
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59110158A Granted JPS60254654A (ja) | 1984-05-30 | 1984-05-30 | 半導体集積回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60254654A (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07105445B2 (ja) * | 1988-08-15 | 1995-11-13 | 株式会社東芝 | 集積回路の配線構造 |
| US5317185A (en) * | 1990-11-06 | 1994-05-31 | Motorola, Inc. | Semiconductor device having structures to reduce stress notching effects in conductive lines and method for making the same |
| KR940008132B1 (ko) * | 1991-11-28 | 1994-09-03 | 삼성전자 주식회사 | 신호선간의 잡음을 억제하는 메모리 소자 |
| US8378930B2 (en) | 2004-05-28 | 2013-02-19 | Sony Corporation | Pixel circuit and display device having symmetric pixel circuits and shared voltage lines |
| WO2023162814A1 (ja) * | 2022-02-28 | 2023-08-31 | ローム株式会社 | 増幅器、増幅回路、および電流検出装置 |
-
1984
- 1984-05-30 JP JP59110158A patent/JPS60254654A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS60254654A (ja) | 1985-12-16 |
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