JPH0249558Y2 - - Google Patents

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JPH0249558Y2
JPH0249558Y2 JP1986043758U JP4375886U JPH0249558Y2 JP H0249558 Y2 JPH0249558 Y2 JP H0249558Y2 JP 1986043758 U JP1986043758 U JP 1986043758U JP 4375886 U JP4375886 U JP 4375886U JP H0249558 Y2 JPH0249558 Y2 JP H0249558Y2
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automatic
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    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01MTESTING STATIC OR DYNAMIC BALANCE OF MACHINES OR STRUCTURES; TESTING OF STRUCTURES OR APPARATUS, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • G01M11/00Testing of optical apparatus; Testing structures by optical methods not otherwise provided for
    • G01M11/02Testing optical properties
    • G01M11/0228Testing optical properties by measuring refractive power

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  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Testing Of Optical Devices Or Fibers (AREA)

Description

【考案の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本考案は、例えば眼鏡レンズやコンタクトレンズ
の屈折特性、すなわち球面度数、円柱度数、円柱
軸角度、プリズム度数等を自動的に測定する自動
レンズメーターに関する。
(従来の技術) 自動レンズメーターの従来例の1つとして、本
出願人が先に出願した特開昭57−29923号公報に
開示された装置がある。
その従来例は第6図に示すように光源10から
の光を平行光束として、光路内に挿置された被検
レンズLに、投射するためのコリメータレンズ1
1と、被検レンズLからの光束を選択透過するマ
スクパターン12aを有するマスク手段12と、
マスクパターン12aを透過した光束を受光する
ための例えばエリアCCDからなる二次型の光検
出手段13とから構成されている。そして光検出
手段13は被検レンズLの焦点Fより前方に配置
されいわゆる非結像型式の構成を有する。
この構成により光検出手段で受光された投影パ
ターン形状および/または位置とマスクパターン
のそれとの変化・変形から被検レンズLの屈折特
性を測定するものである。
(考案が解決しようとする課題) 上述の非結像形式の自動レンズメーターにおい
ては第7図に示すように、光検出手段13の受光
面上での投影パターンのシヤープネスをある程度
確保するためマスク手段12のマスクパターン1
2aのパターン幅Dを小さくしなければならな
い。このため被検レンズLの屈折特性を測定する
ために利用される有効光束fの幅dは小さなもの
となる。それゆえ、光検出手段13への投影光量
が少なくなるため、光検出手段に高感度素子を利
用するか、光源に高輝度発光光源を利用しなけれ
ばならず、それら部品が高価なものを必要として
いた。
また、被検レンズLにゴミやホコリあるいは水
滴等の外乱要因Pが付着していたり、マスクパタ
ーンにそれが付着していると、測定有効光束fが
ケラれて光検出手段13上に投影されない状態が
生じたり、又、第7図に示すように、測定有効光
束fの一部fa(斜線を施した部分)のみがマスク
パターン12aを通過して、光検出手段13上に
投影されても、その光束faは外乱要因Pによる回
折等の影響により周辺部f′aが乱されて、光検出
手段13による投影パターンの検出精度が低下し
たりするという欠点があつた。
本考案は上記従来の自動レンズメーターの欠点
に鑑みてなされたので、その第1の目的は測定有
効光束を大きく取れる自動レンズメーターを堤供
することにある。
その第2の目的は、ゴミ、ホコリ、水滴等の外
乱要因に強い自動レンズメーターを堤供すること
にある。
(課題を解決するための手段) この目的を達成するため、本考案は、光源から
光を平行光束として被検光学系に投射するための
コリメータレンズーと、前記被検光学系からの光
束を選択透過するためのマスクパターンを有する
マスク手段と、該マスクパターンの透過光束を受
光するために前記被検光系の非結像位置に配置さ
れた光検手段とから成る自動レンズメーターにお
いて、前記光源と前記検出手段とを光学的に略共
役とするために、前記マスクパターンの形状に沿
つてその軸線を有し且つ前記マスクパターンに近
接して配置された少なくとも一つのレンズを有す
る自動レンズメーターとしたことを特徴とするも
のである。
(作用) 上記構成により、マスクパターンを構成する線
状パターンの開口幅を広げても、このパターン開
口を通過する光束をレンズにより集光し、光検出
手段上に投影できるため測定有効光束幅を大きく
でき、外乱要因にも強くなる。
(実施例) 第1実施例 本考案の自動レンズメーターは第1図に示すよ
うに、発光ダイオードからなる光源10と、この
光源10からの光束を平行光束とするためのコリ
メータレンズ11と、後述するマスクパターン1
2aを有するマスク手段であるマスク板12と、
このマスク板12の後方に測定可能被検レンズL
の最短焦点距離より短い位置に配置された、例え
ばエリアCCDからなる光検出器13とを有し、
さらに、マスク板12のマスクパターン12aの
前方または後方に近接して円柱レンズ20が配置
された構成となつている。被検レンズLは、コリ
メータレンズ11とマスク板12との間の光路内
の定位置に図示を省略する公知の構成を有するレ
ンズ受で挿置される。
第2図にマスクパターン12aの第1の例を示
す。マスク板12は透明ガラス基板12d上に図
中斜線を施した円環状の開口部を残こし残余の無
斜線部は遮光部12bとなるように例えばアルミ
真空蒸着で従来のレンズメーターに比して広い幅
D′(D′>D)の円環部12aが形成される。
マスクパターン12aの後方すなわち基板12
dの裏面には、マスクパターンの中央円全周12
cに沿う軸線を有する円環状の円柱レンズ20が
光学素子として接着されている。円柱レンズ20
は第1図に示すように光源10と光検出器13と
を光学的に共役にしている。このため被検レンズ
Lが光路内に挿置されていない場合には、光源1
0から射出されてコリメータレンズ11で平行光
束とされた光束のうち、マスクパターン12aを
通過可能な測定有効光束fは、破線で示した如く
円柱レンズ20の作用により光検出器13の受光
面13a上に円形パターンとして集光結像され
る。
被検レンズLが光路内に挿置されると、第1図
に実線で示すように被検レンズの屈折特性に応じ
て偏向された光束fは、円柱レンズ20により光
検出器13の受光面13a外に結像点Qをもつよ
うな収束光束となつて受光面13aに投影され
る。
本考案によれば、第3図に示すように、マスク
パターンの線幅D′を従来に比して広く形成して
も、円柱レンズ20により光検出器13の受光面
13a上への光量fは集光投影された幅φ′の投影
光束として投影される。このため、円柱レンズ2
0のない従来例では幅φ(φ>φ′)で投影され、
単位面積あたり、すなわちエリアCCD13の単位
受光素子への投影光量が小さくなつていたのが、
本考案では単位受光素子への投影光量を増大でき
る。このことは逆にマスクパターン12aのパタ
ーンD′を十分広くでき、測定有効光束を広くで
きることとなる。そして光検出器13も従来に比
して低感度、低価格のものが利用可能である。あ
るいは光源10の発光光量を少なくできる。
また、被検レンズLやマスク板12にゴミやホ
コリ、水滴等の外乱要因Pが付着していても円柱
レンズ20で収束させ光検出器13上に投影させ
るため、投影パターンのシヤープネスの低減は従
来の装置に比して少なくできる。
被検レンズLが乱視レンズの場合光検出器13
上への投影パターンは、楕円形となる。この楕円
形パターンの形状、位置を解析することにより被
検レンズLの屈折特性をもとめることができる。
この屈折特性の求め方は前述の先願特開昭57−
29923号公報に詳しく開示したのでそれを参照さ
れたい。
第2実施例 第4図は本考案の自動レンズメーターのマスク
パターンの第2の実施例を示すものである。本実
施例ではマスクパターンは3本の直線開口31,
32,33で形成され、各々の中心線34,3
5,36は3つの仮想交点37,38,39をも
つように構成されている。
一方、光学素子には、三本の直線開口31,3
2,33の中心線34,35,36の各々に対応
して沿う軸線を有する三本の直線状の円柱レンズ
21,22,23が用いられている。本実施例の
マスクパターンを利用すると光検出器13Aには
3本の直線状の投影パターンが投影され、その投
影パターンの直線方程式を求め3つの仮想交点の
座標をもとめることにより、マスクパターンの交
点距離12と2つの直線パターンの交角θ
の、光検出器13への投影後の支点距離と交角の
変化量から、被検レンズLの屈折特性を求めるこ
とができる。この算出方法の詳細は前記第1実施
例の場合と同様に特開昭57−29923号公報に詳述
されている。
第3実施例 第5図は、マスク板12の第3の実施例を示す
ものである。本実施例のマスクパターンは、4本
の直線パターン41,42,43,44の中心線
45,46,47,48が4つの仮想交点49,
50,51,52をもつように構成されている。
そして、光学素子としての円柱レンズには、各々
の中心線47ないし48に沿う軸線をもつように
配設された4つの直線状の円柱レンズ24,2
5,26,27が用いられている。
この例では光検出器13上への投影直線パター
ンからその直線方程式に基づいて仮想交点座標を
求める。この投影パターンの交点座標とマスクパ
ターンの交点座標との変化から被検レンズLの屈
折特性が求められる。その算出方法は本出願人の
先願である特開昭57−199933号公報に詳述されて
いるのでそれを参照されたい。
以上説明した各実施例とも光検出器はエリア
CCDに代表される二次元ポジシヨンセンサーを
例示したが本考案はこれに限られず、前述の特開
昭57−199933号公報で述べたように一次元リニア
ポジヨンセンサーを回転したり複数本交差させる
等してもよいことはいうまでもない。
[考案の効果] 本考案によれば、従来の自動レンズメーターに
比してその測定有効光束を広くできるため、低輝
度光源や低感度の光検出器が利用できるため、コ
ストを低くできる。また、ゴミ、ホコリ、水滴等
の外乱因子がレンズやマスク板に付着しても測定
精度の低下をあまりまねかないという利点を有す
る。
【図面の簡単な説明】
第1図は本願に係る自動レンズメーターの光学
配置を示す縦正中断面図、第2図はそのマスク板
の構成の第1の実施例を示す断面図、第3図は本
考案の作用を示すための光路図、第4図はマスク
板の第2実施例を示す平面図、第5図はマスク板
の第3実施例を示す平面図、第6図は従来の自動
レンズメーターの構成を示す光路配置図、第7図
は従来の自動レンズメーターの作用を示す光路図
である。 10……光源、11……コリメータレンズ、1
2……マスク板、12a,31〜33,41〜4
4……マスクパターン、13……光検出器(光検
出手段)、20,21〜23,24〜26……円
柱レンズ(光学素子)、L……被検レンズ。

Claims (1)

  1. 【実用新案登録請求の範囲】 (1) 光源から光を平行光束として被検光学系に投
    射するためのコリメータレンズーと、前記被検
    光学系からの光束を選択透過するためのマスク
    パターンを有するマスク手段と、該マスクパタ
    ーンの透過光束を受光するために前記被検光系
    の非結像位置に配置された光検手段とから成る
    自動レンズメーターにおいて、 前記光源と前記検出手段とを光学的に略共役
    とするために、前記マスクパターンの形状に沿
    つてその軸線を有し且つ前記マスクパターンに
    近接して配置された少なくとも一つのレンズを
    有することを特徴とする自動レンズメーター。 (2) 前記マスクパターンは少なくとも3本で少な
    くとも三点の仮想的交点を有する直線パターン
    から構成され、前記レンズは前記直線パターン
    の各々の長手方向に沿う軸線を有する少なくと
    も三つの円柱レンズであることを特徴とする第
    1項記載の自動レンズメーター。 (3) 前記マスクパターンは円環状に構成され、前
    記レンズは前記円環の円周にそつて軸を有する
    円柱レンズであることを特徴とする実用新案登
    請求の範囲第1項記載の自動レンズメーター。 (4) 前記光検手段は二次元型ポジツシヨンセンサ
    ーであることを特徴とする第1項ないし第3項
    記載の自動レンズメーター。
JP1986043758U 1986-03-25 1986-03-25 Expired JPH0249558Y2 (ja)

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US07/029,728 US4828385A (en) 1986-03-25 1987-03-24 Autolensmeter

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JPS62155350U JPS62155350U (ja) 1987-10-02
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JPS62155350U (ja) 1987-10-02

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