JPH0248671A - 電子写真用感光体 - Google Patents
電子写真用感光体Info
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- JPH0248671A JPH0248671A JP63200884A JP20088488A JPH0248671A JP H0248671 A JPH0248671 A JP H0248671A JP 63200884 A JP63200884 A JP 63200884A JP 20088488 A JP20088488 A JP 20088488A JP H0248671 A JPH0248671 A JP H0248671A
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Classifications
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- G—PHYSICS
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- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
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- G03G5/082—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic and not being incorporated in a bonding material, e.g. vacuum deposited
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、導電性基体上にアモルファスセレン系材料か
らなる感光層を有し、反転現像方式が適用される電子写
真用感光体に関する。
らなる感光層を有し、反転現像方式が適用される電子写
真用感光体に関する。
電子写真感光体(以下感光体と称する)は、アルミニウ
ム合金等の導電性基体上に光導電性材料などからなる感
光層が形成されたものである。このような感光体がプリ
ンタに使用される場合、多くは帯電に正コロナ放電、転
写に負コロナ放電を用いた反転現像方式が適用されてい
る。この方式は、まず暗所における正コロナ放電により
感光層は正に帯電し、その表面に画像に対応してレーザ
光を照射(露光)することにより、照射部分の電位が減
衰して明部電位となり、他方照射しない部分は正帯電を
保持し暗部電位となって電気的な像、すなわち静電潜像
が形成される。次いで、現像部において正に帯電したト
ナーを電位の低い明部電位部分に付着させ、紙の裏側か
ら負コロナ放電をかけ、トナーを紙に転写し、熱的また
は化学的に定着させる。一方、感光体の転写しきれずに
感光層表面に残留したトナーは、クリーニング工程にお
いてファーブラシ、ブレードにより除去され、残留した
電荷は光または交流除電によって除去され次のサイクル
に移る。
ム合金等の導電性基体上に光導電性材料などからなる感
光層が形成されたものである。このような感光体がプリ
ンタに使用される場合、多くは帯電に正コロナ放電、転
写に負コロナ放電を用いた反転現像方式が適用されてい
る。この方式は、まず暗所における正コロナ放電により
感光層は正に帯電し、その表面に画像に対応してレーザ
光を照射(露光)することにより、照射部分の電位が減
衰して明部電位となり、他方照射しない部分は正帯電を
保持し暗部電位となって電気的な像、すなわち静電潜像
が形成される。次いで、現像部において正に帯電したト
ナーを電位の低い明部電位部分に付着させ、紙の裏側か
ら負コロナ放電をかけ、トナーを紙に転写し、熱的また
は化学的に定着させる。一方、感光体の転写しきれずに
感光層表面に残留したトナーは、クリーニング工程にお
いてファーブラシ、ブレードにより除去され、残留した
電荷は光または交流除電によって除去され次のサイクル
に移る。
連続紙の切れ目あるいはカント紙用紙間では、転写の際
に負コロナ放電に感光体が直接さらされ、負帯電が生じ
る。これが大きい場合、次のサイクルでの正帯電位がの
りにくくなり、明部電位・暗部電位が低下する結果、用
紙間と用紙に覆われた部分との間に印字濃度差を生じ、
印字品質に悪影響を与える。
に負コロナ放電に感光体が直接さらされ、負帯電が生じ
る。これが大きい場合、次のサイクルでの正帯電位がの
りにくくなり、明部電位・暗部電位が低下する結果、用
紙間と用紙に覆われた部分との間に印字濃度差を生じ、
印字品質に悪影響を与える。
この転写時の負コロナ放電で用紙間に生じた負帯電は、
アモルファスセレン系材料を用いた感光層の場合、電子
の移動度が低いため減衰しにくい。
アモルファスセレン系材料を用いた感光層の場合、電子
の移動度が低いため減衰しにくい。
このことから、負帯電を減衰させるメカニズムは、基板
から正孔が注入され、電場の作用によって表面に移動し
、表面の負電荷を打消すものと考えられる。
から正孔が注入され、電場の作用によって表面に移動し
、表面の負電荷を打消すものと考えられる。
感光体が単一感光層を存するか、あるいは機能分離型で
感光層が基板側の電荷輸送層 (以下CTLと記す)と
その上の電荷発生層 (以下CGLと記す)よりなると
き、負帯電特性を悪くしている要因として次の二つが考
えられる。
感光層が基板側の電荷輸送層 (以下CTLと記す)と
その上の電荷発生層 (以下CGLと記す)よりなると
き、負帯電特性を悪くしている要因として次の二つが考
えられる。
(1)基板と感光層あるいはCTLの界面に主に絶縁性
酸化皮膜が存在することによる正孔注入の低下(2)
CT Lでの正孔移動度の低さ本発明の課題は、上記(
2)の問題を解決してCTしての正孔移動度を高くし、
負帯電特性に対して良好な特性を有する電子写真用感光
体を提供することにある。
酸化皮膜が存在することによる正孔注入の低下(2)
CT Lでの正孔移動度の低さ本発明の課題は、上記(
2)の問題を解決してCTしての正孔移動度を高くし、
負帯電特性に対して良好な特性を有する電子写真用感光
体を提供することにある。
上記の課題の解決のために、本発明の電子写真用感光体
は、CTLがセレン合金ニWOzJOs+Mn0a。
は、CTLがセレン合金ニWOzJOs+Mn0a。
11sPO3,HtSOsおよびt(AsO,のうちの
いずれかの化合物を10重量ppsないし5重量%添加
した材料よりなるもの、Sn、Co、Pb、Fe、Cu
、Hg、AgおよびCeのうちのいずれかの元素を10
原子ppmないし5原子%添加した材料よりなるもの、
もしくは10〜2500重量pp−のハロゲン元素を添
加した材料よりなるものとする。
いずれかの化合物を10重量ppsないし5重量%添加
した材料よりなるもの、Sn、Co、Pb、Fe、Cu
、Hg、AgおよびCeのうちのいずれかの元素を10
原子ppmないし5原子%添加した材料よりなるもの、
もしくは10〜2500重量pp−のハロゲン元素を添
加した材料よりなるものとする。
セレン合金よりなるCTLに正孔の移動度を高める効果
のある一〇t+WL+MnL+ HsPOs+HiSO
sおよびHAsOtのうちのいずれかを分子ドープする
ことにより、同様に正孔の移動度を高める効果のあるS
n、Co+Pb+To+Cu+Hg+AgおよびCeの
各金属元素のうちのいずれかを添加することにより、あ
るいは同様に正札の移動度を高める効果のあるハロゲン
元素を添加することにより、負帯電をすみやかに減衰さ
せ、用紙間と用紙部分とで濃度差を生じない、印字品質
の良好な感光体が得られる。
のある一〇t+WL+MnL+ HsPOs+HiSO
sおよびHAsOtのうちのいずれかを分子ドープする
ことにより、同様に正孔の移動度を高める効果のあるS
n、Co+Pb+To+Cu+Hg+AgおよびCeの
各金属元素のうちのいずれかを添加することにより、あ
るいは同様に正札の移動度を高める効果のあるハロゲン
元素を添加することにより、負帯電をすみやかに減衰さ
せ、用紙間と用紙部分とで濃度差を生じない、印字品質
の良好な感光体が得られる。
第1図(a)、(ト))は、本発明の各実施例の機能分
離型感光体の断面構造を概念的に示し、第1図(alで
は導電性基体上に電荷を輸送するためのCTL2が設け
られ、その上に光照射により正札・電子対を発生するC
GL3が積層されている。さらに、耐環境性、耐印刷性
を増すためのオーバコート層(以下OCLと記す)4で
表面を被覆したものである。第1図(blではこの0C
L4が設けられていない。
離型感光体の断面構造を概念的に示し、第1図(alで
は導電性基体上に電荷を輸送するためのCTL2が設け
られ、その上に光照射により正札・電子対を発生するC
GL3が積層されている。さらに、耐環境性、耐印刷性
を増すためのオーバコート層(以下OCLと記す)4で
表面を被覆したものである。第1図(blではこの0C
L4が設けられていない。
本発明の一実施例として、高真空薄着装置内に基体とし
て直径242m、長さ460鶴のアルミニウム円筒を装
着し、Asl原子%、残りSeのSe−^S合金母材に
予め讐0.を種々の配合比で加えた蒸着原料を蒸発源に
収容し、抵抗加熱により蒸発させるか、電子ビームで蒸
発させて基体上に6’Otnsの厚さのCTL2を形成
する。これにつづいてフラッシュ蒸着、共蒸着あるいは
抵抗加熱蒸発源を用いての1着によりTe30原子%の
5s−Te合金よりなる厚さ0.5 sのCG L 3
、AszSesよりなる厚さ1−の0CL4を順次積
層する。第2図は、こうして作成した第1図16+に示
す構造の感光体の負帯電値のCTL中の一〇!添加濃度
依存性を調べた結果である。負コロナ帯電は、基体のみ
の場合の流れ込み電流が300μAにある条件で行い、
60rpmの回転数で感光体を回転させて帯電器より7
0”の角度に来た時に負帯電値を測定を行った。第3図
は、OCLを設けない第1図Cb)の構造で上記の実施
例と同様に形成したCTLO上にCGLをAs1Se、
により2nの厚さで形成した感光体に対し、第2図
と同様の条件で測定した負帯電値のCTll0.添加濃
度依存性である。
て直径242m、長さ460鶴のアルミニウム円筒を装
着し、Asl原子%、残りSeのSe−^S合金母材に
予め讐0.を種々の配合比で加えた蒸着原料を蒸発源に
収容し、抵抗加熱により蒸発させるか、電子ビームで蒸
発させて基体上に6’Otnsの厚さのCTL2を形成
する。これにつづいてフラッシュ蒸着、共蒸着あるいは
抵抗加熱蒸発源を用いての1着によりTe30原子%の
5s−Te合金よりなる厚さ0.5 sのCG L 3
、AszSesよりなる厚さ1−の0CL4を順次積
層する。第2図は、こうして作成した第1図16+に示
す構造の感光体の負帯電値のCTL中の一〇!添加濃度
依存性を調べた結果である。負コロナ帯電は、基体のみ
の場合の流れ込み電流が300μAにある条件で行い、
60rpmの回転数で感光体を回転させて帯電器より7
0”の角度に来た時に負帯電値を測定を行った。第3図
は、OCLを設けない第1図Cb)の構造で上記の実施
例と同様に形成したCTLO上にCGLをAs1Se、
により2nの厚さで形成した感光体に対し、第2図
と同様の条件で測定した負帯電値のCTll0.添加濃
度依存性である。
第2図、第3図かられかるように、賀08添加濃度10
重量pp−以上で負帯電値が急激に下がりはじめ、数千
型1 ppmで飽和傾向を示し1重量%でははとんど飽
和している。この結果は、CTLの母材の5e−As合
金の組成をAsO,01%から5%の範囲で変えても同
様であった。また−02の代わりに一〇、。
重量pp−以上で負帯電値が急激に下がりはじめ、数千
型1 ppmで飽和傾向を示し1重量%でははとんど飽
和している。この結果は、CTLの母材の5e−As合
金の組成をAsO,01%から5%の範囲で変えても同
様であった。また−02の代わりに一〇、。
M n Oa + Hs P O1+ H! S 02
およびHAsOtのうちのいずれかを10重量ppmな
いし5重量%の範囲で分子ドープしても同様な結果が得
られた。
およびHAsOtのうちのいずれかを10重量ppmな
いし5重量%の範囲で分子ドープしても同様な結果が得
られた。
さらに、CTLの母材として、へs0.01〜5原子%
を含むSs −As合金にハロゲン、好ましくはりまた
はIを10〜2500111pp霧添加した材料、As
15〜45原子%を含む5e−As合金、さらにその合
金にハロゲン10〜2500重量ppmを添加した材料
また純SetいしTe1O原子%までを含むSs −T
e合金、さらにその合金にハロゲン10〜2500重量
ppmを添加した材料に対し、WOt10s+Mn01
.H3POs+HISOsおよびHAs(hのうちのい
ずれかを10重量pp−ないし5重量%の範囲で分子ド
ープしても同様な結果が得られた。
を含むSs −As合金にハロゲン、好ましくはりまた
はIを10〜2500111pp霧添加した材料、As
15〜45原子%を含む5e−As合金、さらにその合
金にハロゲン10〜2500重量ppmを添加した材料
また純SetいしTe1O原子%までを含むSs −T
e合金、さらにその合金にハロゲン10〜2500重量
ppmを添加した材料に対し、WOt10s+Mn01
.H3POs+HISOsおよびHAs(hのうちのい
ずれかを10重量pp−ないし5重量%の範囲で分子ド
ープしても同様な結果が得られた。
第4図、第5図はCTLとしてAs2Se2に種々の配
合比でSnをドープした材料を用いて60−の厚さに蒸
着し、第4図の場合はCGLとして0.5μの厚さにT
e30原子%を含むSe −Te合金、OCI、として
1inaの厚さにAs1Se、も蒸着した第1図fa)
に示す構造の感光体、第5図の場合はCTLO上に2−
の厚さの^5xsesからなるCGLを形成した第1図
〜)に示す構造の感光体における負帯電値のCTL中5
nfjlJ度依存性を示す。これらの図から、Sn添加
濃度10原子ppm以上で負帯電値が急激に下がりはじ
め、数千原子pp−で飽和傾向を示し、■原子%ではほ
とんど飽和している。この結果は、CT Lの母材のA
sgSesの代わりに、へs11度を15〜45原子%
の範囲で変えた材料を用いても同様に得られた。
合比でSnをドープした材料を用いて60−の厚さに蒸
着し、第4図の場合はCGLとして0.5μの厚さにT
e30原子%を含むSe −Te合金、OCI、として
1inaの厚さにAs1Se、も蒸着した第1図fa)
に示す構造の感光体、第5図の場合はCTLO上に2−
の厚さの^5xsesからなるCGLを形成した第1図
〜)に示す構造の感光体における負帯電値のCTL中5
nfjlJ度依存性を示す。これらの図から、Sn添加
濃度10原子ppm以上で負帯電値が急激に下がりはじ
め、数千原子pp−で飽和傾向を示し、■原子%ではほ
とんど飽和している。この結果は、CT Lの母材のA
sgSesの代わりに、へs11度を15〜45原子%
の範囲で変えた材料を用いても同様に得られた。
またSnの代わりにPb、Fe、Cu、HgおよびCe
のうちのいずれかを10原子+11IINないし5原子
%の範囲でど−ぶしても同様な結果が得られた。
のうちのいずれかを10原子+11IINないし5原子
%の範囲でど−ぶしても同様な結果が得られた。
さらに、CTLの母材として、A315〜45原子%を
含む5e−As合金にハロゲン、好ましくはαまたは夏
を10〜2500重量pp−を添加した材料、AsO,
01〜5原子%を含む5e−As合金、さらにその合金
にハロゲン10〜2500重量pp−を添加した材料、
また純SeないしTe1O原子までを含むSe −Te
合金、さらにその合金にハロゲン10〜2500重量p
p−を添加した材料に対し、Sn+ Pbt Pe+
Cu+ HgおよびCeのうちのいずれかを10原子p
p−〜5原子%の範囲でドープしても同様の結果が得ら
れた。
含む5e−As合金にハロゲン、好ましくはαまたは夏
を10〜2500重量pp−を添加した材料、AsO,
01〜5原子%を含む5e−As合金、さらにその合金
にハロゲン10〜2500重量pp−を添加した材料、
また純SeないしTe1O原子までを含むSe −Te
合金、さらにその合金にハロゲン10〜2500重量p
p−を添加した材料に対し、Sn+ Pbt Pe+
Cu+ HgおよびCeのうちのいずれかを10原子p
p−〜5原子%の範囲でドープしても同様の結果が得ら
れた。
第6図、第7図はCTLとしてTe5原子%を含むSe
−Te合金に種々の配合比でよう素(1)をドープし
た材料を用いて60fmの厚さに蒸着し、第6図の場合
はCGLとして0.5−の厚さにTe30原子%を含む
Se−Te合金、OCLとして1μの厚さにAs5es
sを蒸着して第1図(Jl)に示す構造の感光体、第7
図の場合はCTLO上に2nの厚さのAs1Se。
−Te合金に種々の配合比でよう素(1)をドープし
た材料を用いて60fmの厚さに蒸着し、第6図の場合
はCGLとして0.5−の厚さにTe30原子%を含む
Se−Te合金、OCLとして1μの厚さにAs5es
sを蒸着して第1図(Jl)に示す構造の感光体、第7
図の場合はCTLO上に2nの厚さのAs1Se。
からなるCGLを形成した第1図(1))に示す構造の
感光体における帯電値のCTL中■中度濃度依存性す、
これらの図から、■添加濃度が10重量ppm以上で負
帯電値が急激に下がりはじめ、1000重量ppwrで
飽和傾向を示し、2000重量pp−ではほとんど飽和
している。この結果は、CTLの母材のTe5原子%の
Se −Te合金の代わりに、純SeないしTe10原
子%までの範囲でTe濃度を変えた材料を用いても同様
に得られた。また■の代わりにαを用いても同様な結果
が得られ、他のハロゲン元素を10〜2500重量pp
mの範囲で添加しても負帯電値の減少効果が得られた。
感光体における帯電値のCTL中■中度濃度依存性す、
これらの図から、■添加濃度が10重量ppm以上で負
帯電値が急激に下がりはじめ、1000重量ppwrで
飽和傾向を示し、2000重量pp−ではほとんど飽和
している。この結果は、CTLの母材のTe5原子%の
Se −Te合金の代わりに、純SeないしTe10原
子%までの範囲でTe濃度を変えた材料を用いても同様
に得られた。また■の代わりにαを用いても同様な結果
が得られ、他のハロゲン元素を10〜2500重量pp
mの範囲で添加しても負帯電値の減少効果が得られた。
さらに、CTLΦ母材としてへso、01〜5原子%を
含む5e−As合金、あるいはAs15〜45原子%を
含むSe −As合金に対し、I、(Jあるいはその他
のハロゲンを10〜2500重it ppsの範囲で添
加しても同様の結果が得られた。
含む5e−As合金、あるいはAs15〜45原子%を
含むSe −As合金に対し、I、(Jあるいはその他
のハロゲンを10〜2500重it ppsの範囲で添
加しても同様の結果が得られた。
本発明によれば、Se合金からなるCTLに正孔の移動
度を高める不純物を添加することにより、基体から注入
された正孔の感光層表面への移動を促進し、負帯電をす
みやかに減衰させ、同一のプロセスで20%以下にまで
抑えることができ、紙間濃度差が小さく、均一濃度の良
好な画像を形成する電子写真用感光体が得られた。
度を高める不純物を添加することにより、基体から注入
された正孔の感光層表面への移動を促進し、負帯電をす
みやかに減衰させ、同一のプロセスで20%以下にまで
抑えることができ、紙間濃度差が小さく、均一濃度の良
好な画像を形成する電子写真用感光体が得られた。
第1図(al、(blは本発明の実施例の感光体の構造
を概念的に示す断面図、第2図は5e−Te合金のCT
LにWO2を添加した場合のOCLを有する実施例の感
光体における負帯電値とWへ添加濃度の関係線図、第3
図は同様のCTLを用いOCLを設けない実施例の感光
体における負帯電値とWO,添加濃度の関係線図、第4
図はAs1Se、のCTLにSλを添加した場合のOC
Lを有する実施例の感光体における、第5図は同様のC
TLを用いOCLを設けない実施例の感光体における、
第6図はTe5原子%を含むSe −Te合金のCTL
に■を添加した場合のOCLを有する実施例の感光体に
おける、第7図は同様のCTLを用いOCLを設けない
実施例の感光体における負帯を値ヤキ噛加濃度の関係を
それぞれ示す線図である。 1:導電性基体、2 : CTL、、3 : CGL。 (V) 第2図 第3図 第1 第41 第5刃
を概念的に示す断面図、第2図は5e−Te合金のCT
LにWO2を添加した場合のOCLを有する実施例の感
光体における負帯電値とWへ添加濃度の関係線図、第3
図は同様のCTLを用いOCLを設けない実施例の感光
体における負帯電値とWO,添加濃度の関係線図、第4
図はAs1Se、のCTLにSλを添加した場合のOC
Lを有する実施例の感光体における、第5図は同様のC
TLを用いOCLを設けない実施例の感光体における、
第6図はTe5原子%を含むSe −Te合金のCTL
に■を添加した場合のOCLを有する実施例の感光体に
おける、第7図は同様のCTLを用いOCLを設けない
実施例の感光体における負帯を値ヤキ噛加濃度の関係を
それぞれ示す線図である。 1:導電性基体、2 : CTL、、3 : CGL。 (V) 第2図 第3図 第1 第41 第5刃
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1)電荷輸送層が、二酸化タングステン(WO_2)、
三酸化タングステン(WO_3)、四酸化マンガン(M
nO_4)、亜りん酸(H_3PO_3)、亜硫酸(H
_2SO_3)および無水亜ひ酸(HAsO_2)のう
ちのいずれかの化合物を10重量ppmないし5重量%
添加した材料よりなることを特徴とする電子写真用感光
体。 2)電荷輸送層が、すず、コバルト、鉛、鉄、銅、水銀
、銀およびセリウムのうちのいずれかの元素を10原子
ppmないし5原子%添加した材料よりなることを特徴
とする電子写真用感光体。 3)電荷輸送層が10〜2500重量ppmのハロゲン
元素を添加した材料よりなることを特徴とする電子写真
用感光体。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63200884A JPH0248671A (ja) | 1988-08-11 | 1988-08-11 | 電子写真用感光体 |
DE3923201A DE3923201C2 (de) | 1988-08-11 | 1989-07-13 | Elektrofotografisches Aufzeichnungsmaterial |
US07/391,475 US5085959A (en) | 1988-08-11 | 1989-08-09 | Se or se alloy electrophotographic photoreceptor |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63200884A JPH0248671A (ja) | 1988-08-11 | 1988-08-11 | 電子写真用感光体 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0248671A true JPH0248671A (ja) | 1990-02-19 |
Family
ID=16431844
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP63200884A Pending JPH0248671A (ja) | 1988-08-11 | 1988-08-11 | 電子写真用感光体 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5085959A (ja) |
JP (1) | JPH0248671A (ja) |
DE (1) | DE3923201C2 (ja) |
Family Cites Families (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3393070A (en) * | 1965-03-01 | 1968-07-16 | Xerox Corp | Xerographic plate with electric field regulating layer |
US3639120A (en) * | 1966-06-16 | 1972-02-01 | Xerox Corp | Two-layered photoconductive element containing a halogen-doped storage layer and a selenium alloy control layer |
DE2305407C3 (de) * | 1973-02-03 | 1978-04-06 | Standard Elektrik Lorenz Ag, 7000 Stuttgart | Elektroradiografisches Aufzeichnungsmaterial |
DE2437268C3 (de) * | 1974-08-02 | 1981-07-23 | Licentia Patent-Verwaltungs-Gmbh, 6000 Frankfurt | Elektrophotographisches Aufzeichnungsmaterial |
JPS56149046A (en) * | 1980-04-22 | 1981-11-18 | Ricoh Co Ltd | Electrophotographic receptor |
US4296191A (en) * | 1980-06-16 | 1981-10-20 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Two-layered photoreceptor containing a selenium-tellurium layer and an arsenic-selenium over layer |
JPS5745551A (en) * | 1980-09-02 | 1982-03-15 | Ricoh Co Ltd | Photoreceptor for electrophotography |
JPS6042095A (ja) * | 1983-08-19 | 1985-03-06 | Hitachi Ltd | 情報の記録用部材およびその製造方法 |
JPS6084545A (ja) * | 1983-10-17 | 1985-05-13 | Fuji Electric Co Ltd | 電子写真用セレン感光体 |
JPS60252357A (ja) * | 1984-05-29 | 1985-12-13 | Nippon Mining Co Ltd | 電子写真感光体用セレン,セレン感光膜及びそれらの製造法 |
US4554230A (en) * | 1984-06-11 | 1985-11-19 | Xerox Corporation | Electrophotographic imaging member with interface layer |
JPS61163345A (ja) * | 1985-01-16 | 1986-07-24 | Canon Inc | 電子写真感光体 |
JPS6348558A (ja) * | 1986-08-19 | 1988-03-01 | Fuji Electric Co Ltd | 電子写真用感光体 |
DE3732512A1 (de) * | 1987-09-26 | 1989-04-06 | Agfa Gevaert Ag | Farbfotografisches aufzeichnungsmaterial |
DE3925483A1 (de) * | 1988-08-05 | 1990-02-08 | Fuji Electric Co Ltd | Elektrofotografisches aufzeichnungsmaterial |
-
1988
- 1988-08-11 JP JP63200884A patent/JPH0248671A/ja active Pending
-
1989
- 1989-07-13 DE DE3923201A patent/DE3923201C2/de not_active Expired - Fee Related
- 1989-08-09 US US07/391,475 patent/US5085959A/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE3923201A1 (de) | 1990-02-15 |
US5085959A (en) | 1992-02-04 |
DE3923201C2 (de) | 1997-07-10 |
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