JPH0248671A - 電子写真用感光体 - Google Patents
電子写真用感光体Info
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- JPH0248671A JPH0248671A JP63200884A JP20088488A JPH0248671A JP H0248671 A JPH0248671 A JP H0248671A JP 63200884 A JP63200884 A JP 63200884A JP 20088488 A JP20088488 A JP 20088488A JP H0248671 A JPH0248671 A JP H0248671A
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-
- G—PHYSICS
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- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
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- G03G5/082—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic and not being incorporated in a bonding material, e.g. vacuum deposited
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、導電性基体上にアモルファスセレン系材料か
らなる感光層を有し、反転現像方式が適用される電子写
真用感光体に関する。
らなる感光層を有し、反転現像方式が適用される電子写
真用感光体に関する。
電子写真感光体（以下感光体と称する）は、アルミニウ
ム合金等の導電性基体上に光導電性材料などからなる感
光層が形成されたものである。このような感光体がプリ
ンタに使用される場合、多くは帯電に正コロナ放電、転
写に負コロナ放電を用いた反転現像方式が適用されてい
る。この方式は、まず暗所における正コロナ放電により
感光層は正に帯電し、その表面に画像に対応してレーザ
光を照射（露光）することにより、照射部分の電位が減
衰して明部電位となり、他方照射しない部分は正帯電を
保持し暗部電位となって電気的な像、すなわち静電潜像
が形成される。次いで、現像部において正に帯電したト
ナーを電位の低い明部電位部分に付着させ、紙の裏側か
ら負コロナ放電をかけ、トナーを紙に転写し、熱的また
は化学的に定着させる。一方、感光体の転写しきれずに
感光層表面に残留したトナーは、クリーニング工程にお
いてファーブラシ、ブレードにより除去され、残留した
電荷は光または交流除電によって除去され次のサイクル
に移る。
ム合金等の導電性基体上に光導電性材料などからなる感
光層が形成されたものである。このような感光体がプリ
ンタに使用される場合、多くは帯電に正コロナ放電、転
写に負コロナ放電を用いた反転現像方式が適用されてい
る。この方式は、まず暗所における正コロナ放電により
感光層は正に帯電し、その表面に画像に対応してレーザ
光を照射（露光）することにより、照射部分の電位が減
衰して明部電位となり、他方照射しない部分は正帯電を
保持し暗部電位となって電気的な像、すなわち静電潜像
が形成される。次いで、現像部において正に帯電したト
ナーを電位の低い明部電位部分に付着させ、紙の裏側か
ら負コロナ放電をかけ、トナーを紙に転写し、熱的また
は化学的に定着させる。一方、感光体の転写しきれずに
感光層表面に残留したトナーは、クリーニング工程にお
いてファーブラシ、ブレードにより除去され、残留した
電荷は光または交流除電によって除去され次のサイクル
に移る。
連続紙の切れ目あるいはカント紙用紙間では、転写の際
に負コロナ放電に感光体が直接さらされ、負帯電が生じ
る。これが大きい場合、次のサイクルでの正帯電位がの
りにくくなり、明部電位・暗部電位が低下する結果、用
紙間と用紙に覆われた部分との間に印字濃度差を生じ、
印字品質に悪影響を与える。
に負コロナ放電に感光体が直接さらされ、負帯電が生じ
る。これが大きい場合、次のサイクルでの正帯電位がの
りにくくなり、明部電位・暗部電位が低下する結果、用
紙間と用紙に覆われた部分との間に印字濃度差を生じ、
印字品質に悪影響を与える。
この転写時の負コロナ放電で用紙間に生じた負帯電は、
アモルファスセレン系材料を用いた感光層の場合、電子
の移動度が低いため減衰しにくい。
アモルファスセレン系材料を用いた感光層の場合、電子
の移動度が低いため減衰しにくい。
このことから、負帯電を減衰させるメカニズムは、基板
から正孔が注入され、電場の作用によって表面に移動し
、表面の負電荷を打消すものと考えられる。
から正孔が注入され、電場の作用によって表面に移動し
、表面の負電荷を打消すものと考えられる。
感光体が単一感光層を存するか、あるいは機能分離型で
感光層が基板側の電荷輸送層 （以下ＣＴＬと記す）と
その上の電荷発生層 （以下ＣＧＬと記す）よりなると
き、負帯電特性を悪くしている要因として次の二つが考
えられる。
感光層が基板側の電荷輸送層 （以下ＣＴＬと記す）と
その上の電荷発生層 （以下ＣＧＬと記す）よりなると
き、負帯電特性を悪くしている要因として次の二つが考
えられる。
（１）基板と感光層あるいはＣＴＬの界面に主に絶縁性
酸化皮膜が存在することによる正孔注入の低下（２）
ＣＴ Ｌでの正孔移動度の低さ本発明の課題は、上記（
２）の問題を解決してＣＴしての正孔移動度を高くし、
負帯電特性に対して良好な特性を有する電子写真用感光
体を提供することにある。
酸化皮膜が存在することによる正孔注入の低下（２）
ＣＴ Ｌでの正孔移動度の低さ本発明の課題は、上記（
２）の問題を解決してＣＴしての正孔移動度を高くし、
負帯電特性に対して良好な特性を有する電子写真用感光
体を提供することにある。
上記の課題の解決のために、本発明の電子写真用感光体
は、ＣＴＬがセレン合金ニＷＯｚＪＯｓ＋Ｍｎ０ａ。
は、ＣＴＬがセレン合金ニＷＯｚＪＯｓ＋Ｍｎ０ａ。
１１ｓＰＯ３，ＨｔＳＯｓおよびｔ（ＡｓＯ，のうちの
いずれかの化合物を１０重量ｐｐｓないし５重量％添加
した材料よりなるもの、Ｓｎ、Ｃｏ、Ｐｂ、Ｆｅ、Ｃｕ
、Ｈｇ、ＡｇおよびＣｅのうちのいずれかの元素を１０
原子ｐｐｍないし５原子％添加した材料よりなるもの、
もしくは１０〜２５００重量ｐｐ−のハロゲン元素を添
加した材料よりなるものとする。
いずれかの化合物を１０重量ｐｐｓないし５重量％添加
した材料よりなるもの、Ｓｎ、Ｃｏ、Ｐｂ、Ｆｅ、Ｃｕ
、Ｈｇ、ＡｇおよびＣｅのうちのいずれかの元素を１０
原子ｐｐｍないし５原子％添加した材料よりなるもの、
もしくは１０〜２５００重量ｐｐ−のハロゲン元素を添
加した材料よりなるものとする。
セレン合金よりなるＣＴＬに正孔の移動度を高める効果
のある一〇ｔ＋ＷＬ＋ＭｎＬ＋ ＨｓＰＯｓ＋ＨｉＳＯ
ｓおよびＨＡｓＯｔのうちのいずれかを分子ドープする
ことにより、同様に正孔の移動度を高める効果のあるＳ
ｎ、Ｃｏ＋Ｐｂ＋Ｔｏ＋Ｃｕ＋Ｈｇ＋ＡｇおよびＣｅの
各金属元素のうちのいずれかを添加することにより、あ
るいは同様に正札の移動度を高める効果のあるハロゲン
元素を添加することにより、負帯電をすみやかに減衰さ
せ、用紙間と用紙部分とで濃度差を生じない、印字品質
の良好な感光体が得られる。
のある一〇ｔ＋ＷＬ＋ＭｎＬ＋ ＨｓＰＯｓ＋ＨｉＳＯ
ｓおよびＨＡｓＯｔのうちのいずれかを分子ドープする
ことにより、同様に正孔の移動度を高める効果のあるＳ
ｎ、Ｃｏ＋Ｐｂ＋Ｔｏ＋Ｃｕ＋Ｈｇ＋ＡｇおよびＣｅの
各金属元素のうちのいずれかを添加することにより、あ
るいは同様に正札の移動度を高める効果のあるハロゲン
元素を添加することにより、負帯電をすみやかに減衰さ
せ、用紙間と用紙部分とで濃度差を生じない、印字品質
の良好な感光体が得られる。
第１図（ａ）、（ト））は、本発明の各実施例の機能分
離型感光体の断面構造を概念的に示し、第１図（ａｌで
は導電性基体上に電荷を輸送するためのＣＴＬ２が設け
られ、その上に光照射により正札・電子対を発生するＣ
ＧＬ３が積層されている。さらに、耐環境性、耐印刷性
を増すためのオーバコート層（以下ＯＣＬと記す）４で
表面を被覆したものである。第１図（ｂｌではこの０Ｃ
Ｌ４が設けられていない。
離型感光体の断面構造を概念的に示し、第１図（ａｌで
は導電性基体上に電荷を輸送するためのＣＴＬ２が設け
られ、その上に光照射により正札・電子対を発生するＣ
ＧＬ３が積層されている。さらに、耐環境性、耐印刷性
を増すためのオーバコート層（以下ＯＣＬと記す）４で
表面を被覆したものである。第１図（ｂｌではこの０Ｃ
Ｌ４が設けられていない。
本発明の一実施例として、高真空薄着装置内に基体とし
て直径２４２ｍ、長さ４６０鶴のアルミニウム円筒を装
着し、Ａｓｌ原子％、残りＳｅのＳｅ−＾Ｓ合金母材に
予め讐０．を種々の配合比で加えた蒸着原料を蒸発源に
収容し、抵抗加熱により蒸発させるか、電子ビームで蒸
発させて基体上に６’Ｏｔｎｓの厚さのＣＴＬ２を形成
する。これにつづいてフラッシュ蒸着、共蒸着あるいは
抵抗加熱蒸発源を用いての１着によりＴｅ３０原子％の
５ｓ−Ｔｅ合金よりなる厚さ０．５ ｓのＣＧ Ｌ ３
、ＡｓｚＳｅｓよりなる厚さ１−の０ＣＬ４を順次積
層する。第２図は、こうして作成した第１図１６＋に示
す構造の感光体の負帯電値のＣＴＬ中の一〇！添加濃度
依存性を調べた結果である。負コロナ帯電は、基体のみ
の場合の流れ込み電流が３００μＡにある条件で行い、
６０ｒｐｍの回転数で感光体を回転させて帯電器より７
０”の角度に来た時に負帯電値を測定を行った。第３図
は、ＯＣＬを設けない第１図Ｃｂ）の構造で上記の実施
例と同様に形成したＣＴＬＯ上にＣＧＬをＡｓ１Ｓｅ、
により２ｎの厚さで形成した感光体に対し、第２図
と同様の条件で測定した負帯電値のＣＴｌｌ０．添加濃
度依存性である。
て直径２４２ｍ、長さ４６０鶴のアルミニウム円筒を装
着し、Ａｓｌ原子％、残りＳｅのＳｅ−＾Ｓ合金母材に
予め讐０．を種々の配合比で加えた蒸着原料を蒸発源に
収容し、抵抗加熱により蒸発させるか、電子ビームで蒸
発させて基体上に６’Ｏｔｎｓの厚さのＣＴＬ２を形成
する。これにつづいてフラッシュ蒸着、共蒸着あるいは
抵抗加熱蒸発源を用いての１着によりＴｅ３０原子％の
５ｓ−Ｔｅ合金よりなる厚さ０．５ ｓのＣＧ Ｌ ３
、ＡｓｚＳｅｓよりなる厚さ１−の０ＣＬ４を順次積
層する。第２図は、こうして作成した第１図１６＋に示
す構造の感光体の負帯電値のＣＴＬ中の一〇！添加濃度
依存性を調べた結果である。負コロナ帯電は、基体のみ
の場合の流れ込み電流が３００μＡにある条件で行い、
６０ｒｐｍの回転数で感光体を回転させて帯電器より７
０”の角度に来た時に負帯電値を測定を行った。第３図
は、ＯＣＬを設けない第１図Ｃｂ）の構造で上記の実施
例と同様に形成したＣＴＬＯ上にＣＧＬをＡｓ１Ｓｅ、
により２ｎの厚さで形成した感光体に対し、第２図
と同様の条件で測定した負帯電値のＣＴｌｌ０．添加濃
度依存性である。
第２図、第３図かられかるように、賀０８添加濃度１０
重量ｐｐ−以上で負帯電値が急激に下がりはじめ、数千
型１ ｐｐｍで飽和傾向を示し１重量％でははとんど飽
和している。この結果は、ＣＴＬの母材の５ｅ−Ａｓ合
金の組成をＡｓＯ，０１％から５％の範囲で変えても同
様であった。また−０２の代わりに一〇、。
重量ｐｐ−以上で負帯電値が急激に下がりはじめ、数千
型１ ｐｐｍで飽和傾向を示し１重量％でははとんど飽
和している。この結果は、ＣＴＬの母材の５ｅ−Ａｓ合
金の組成をＡｓＯ，０１％から５％の範囲で変えても同
様であった。また−０２の代わりに一〇、。
Ｍ ｎ Ｏａ ＋ Ｈｓ Ｐ Ｏ１＋ Ｈ！ Ｓ ０２
およびＨＡｓＯｔのうちのいずれかを１０重量ｐｐｍな
いし５重量％の範囲で分子ドープしても同様な結果が得
られた。
およびＨＡｓＯｔのうちのいずれかを１０重量ｐｐｍな
いし５重量％の範囲で分子ドープしても同様な結果が得
られた。
さらに、ＣＴＬの母材として、へｓ０．０１〜５原子％
を含むＳｓ −Ａｓ合金にハロゲン、好ましくはりまた
はＩを１０〜２５００１１１ｐｐ霧添加した材料、Ａｓ
１５〜４５原子％を含む５ｅ−Ａｓ合金、さらにその合
金にハロゲン１０〜２５００重量ｐｐｍを添加した材料
また純ＳｅｔいしＴｅ１Ｏ原子％までを含むＳｓ −Ｔ
ｅ合金、さらにその合金にハロゲン１０〜２５００重量
ｐｐｍを添加した材料に対し、ＷＯｔ１０ｓ＋Ｍｎ０１
．Ｈ３ＰＯｓ＋ＨＩＳＯｓおよびＨＡｓ（ｈのうちのい
ずれかを１０重量ｐｐ−ないし５重量％の範囲で分子ド
ープしても同様な結果が得られた。
を含むＳｓ −Ａｓ合金にハロゲン、好ましくはりまた
はＩを１０〜２５００１１１ｐｐ霧添加した材料、Ａｓ
１５〜４５原子％を含む５ｅ−Ａｓ合金、さらにその合
金にハロゲン１０〜２５００重量ｐｐｍを添加した材料
また純ＳｅｔいしＴｅ１Ｏ原子％までを含むＳｓ −Ｔ
ｅ合金、さらにその合金にハロゲン１０〜２５００重量
ｐｐｍを添加した材料に対し、ＷＯｔ１０ｓ＋Ｍｎ０１
．Ｈ３ＰＯｓ＋ＨＩＳＯｓおよびＨＡｓ（ｈのうちのい
ずれかを１０重量ｐｐ−ないし５重量％の範囲で分子ド
ープしても同様な結果が得られた。
第４図、第５図はＣＴＬとしてＡｓ２Ｓｅ２に種々の配
合比でＳｎをドープした材料を用いて６０−の厚さに蒸
着し、第４図の場合はＣＧＬとして０．５μの厚さにＴ
ｅ３０原子％を含むＳｅ −Ｔｅ合金、ＯＣＩ、として
１ｉｎａの厚さにＡｓ１Ｓｅ、も蒸着した第１図ｆａ）
に示す構造の感光体、第５図の場合はＣＴＬＯ上に２−
の厚さの＾５ｘｓｅｓからなるＣＧＬを形成した第１図
〜）に示す構造の感光体における負帯電値のＣＴＬ中５
ｎｆｊｌＪ度依存性を示す。これらの図から、Ｓｎ添加
濃度１０原子ｐｐｍ以上で負帯電値が急激に下がりはじ
め、数千原子ｐｐ−で飽和傾向を示し、■原子％ではほ
とんど飽和している。この結果は、ＣＴ Ｌの母材のＡ
ｓｇＳｅｓの代わりに、へｓ１１度を１５〜４５原子％
の範囲で変えた材料を用いても同様に得られた。
合比でＳｎをドープした材料を用いて６０−の厚さに蒸
着し、第４図の場合はＣＧＬとして０．５μの厚さにＴ
ｅ３０原子％を含むＳｅ −Ｔｅ合金、ＯＣＩ、として
１ｉｎａの厚さにＡｓ１Ｓｅ、も蒸着した第１図ｆａ）
に示す構造の感光体、第５図の場合はＣＴＬＯ上に２−
の厚さの＾５ｘｓｅｓからなるＣＧＬを形成した第１図
〜）に示す構造の感光体における負帯電値のＣＴＬ中５
ｎｆｊｌＪ度依存性を示す。これらの図から、Ｓｎ添加
濃度１０原子ｐｐｍ以上で負帯電値が急激に下がりはじ
め、数千原子ｐｐ−で飽和傾向を示し、■原子％ではほ
とんど飽和している。この結果は、ＣＴ Ｌの母材のＡ
ｓｇＳｅｓの代わりに、へｓ１１度を１５〜４５原子％
の範囲で変えた材料を用いても同様に得られた。
またＳｎの代わりにＰｂ、Ｆｅ、Ｃｕ、ＨｇおよびＣｅ
のうちのいずれかを１０原子＋１１ＩＩＮないし５原子
％の範囲でど−ぶしても同様な結果が得られた。
のうちのいずれかを１０原子＋１１ＩＩＮないし５原子
％の範囲でど−ぶしても同様な結果が得られた。
さらに、ＣＴＬの母材として、Ａ３１５〜４５原子％を
含む５ｅ−Ａｓ合金にハロゲン、好ましくはαまたは夏
を１０〜２５００重量ｐｐ−を添加した材料、ＡｓＯ，
０１〜５原子％を含む５ｅ−Ａｓ合金、さらにその合金
にハロゲン１０〜２５００重量ｐｐ−を添加した材料、
また純ＳｅないしＴｅ１Ｏ原子までを含むＳｅ −Ｔｅ
合金、さらにその合金にハロゲン１０〜２５００重量ｐ
ｐ−を添加した材料に対し、Ｓｎ＋ Ｐｂｔ Ｐｅ＋
Ｃｕ＋ ＨｇおよびＣｅのうちのいずれかを１０原子ｐ
ｐ−〜５原子％の範囲でドープしても同様の結果が得ら
れた。
含む５ｅ−Ａｓ合金にハロゲン、好ましくはαまたは夏
を１０〜２５００重量ｐｐ−を添加した材料、ＡｓＯ，
０１〜５原子％を含む５ｅ−Ａｓ合金、さらにその合金
にハロゲン１０〜２５００重量ｐｐ−を添加した材料、
また純ＳｅないしＴｅ１Ｏ原子までを含むＳｅ −Ｔｅ
合金、さらにその合金にハロゲン１０〜２５００重量ｐ
ｐ−を添加した材料に対し、Ｓｎ＋ Ｐｂｔ Ｐｅ＋
Ｃｕ＋ ＨｇおよびＣｅのうちのいずれかを１０原子ｐ
ｐ−〜５原子％の範囲でドープしても同様の結果が得ら
れた。
第６図、第７図はＣＴＬとしてＴｅ５原子％を含むＳｅ
−Ｔｅ合金に種々の配合比でよう素（１）をドープし
た材料を用いて６０ｆｍの厚さに蒸着し、第６図の場合
はＣＧＬとして０．５−の厚さにＴｅ３０原子％を含む
Ｓｅ−Ｔｅ合金、ＯＣＬとして１μの厚さにＡｓ５ｅｓ
ｓを蒸着して第１図（Ｊｌ）に示す構造の感光体、第７
図の場合はＣＴＬＯ上に２ｎの厚さのＡｓ１Ｓｅ。
−Ｔｅ合金に種々の配合比でよう素（１）をドープし
た材料を用いて６０ｆｍの厚さに蒸着し、第６図の場合
はＣＧＬとして０．５−の厚さにＴｅ３０原子％を含む
Ｓｅ−Ｔｅ合金、ＯＣＬとして１μの厚さにＡｓ５ｅｓ
ｓを蒸着して第１図（Ｊｌ）に示す構造の感光体、第７
図の場合はＣＴＬＯ上に２ｎの厚さのＡｓ１Ｓｅ。
からなるＣＧＬを形成した第１図（１））に示す構造の
感光体における帯電値のＣＴＬ中■中度濃度依存性す、
これらの図から、■添加濃度が１０重量ｐｐｍ以上で負
帯電値が急激に下がりはじめ、１０００重量ｐｐｗｒで
飽和傾向を示し、２０００重量ｐｐ−ではほとんど飽和
している。この結果は、ＣＴＬの母材のＴｅ５原子％の
Ｓｅ −Ｔｅ合金の代わりに、純ＳｅないしＴｅ１０原
子％までの範囲でＴｅ濃度を変えた材料を用いても同様
に得られた。また■の代わりにαを用いても同様な結果
が得られ、他のハロゲン元素を１０〜２５００重量ｐｐ
ｍの範囲で添加しても負帯電値の減少効果が得られた。
感光体における帯電値のＣＴＬ中■中度濃度依存性す、
これらの図から、■添加濃度が１０重量ｐｐｍ以上で負
帯電値が急激に下がりはじめ、１０００重量ｐｐｗｒで
飽和傾向を示し、２０００重量ｐｐ−ではほとんど飽和
している。この結果は、ＣＴＬの母材のＴｅ５原子％の
Ｓｅ −Ｔｅ合金の代わりに、純ＳｅないしＴｅ１０原
子％までの範囲でＴｅ濃度を変えた材料を用いても同様
に得られた。また■の代わりにαを用いても同様な結果
が得られ、他のハロゲン元素を１０〜２５００重量ｐｐ
ｍの範囲で添加しても負帯電値の減少効果が得られた。
さらに、ＣＴＬΦ母材としてへｓｏ、０１〜５原子％を
含む５ｅ−Ａｓ合金、あるいはＡｓ１５〜４５原子％を
含むＳｅ −Ａｓ合金に対し、Ｉ、（Ｊあるいはその他
のハロゲンを１０〜２５００重ｉｔ ｐｐｓの範囲で添
加しても同様の結果が得られた。
含む５ｅ−Ａｓ合金、あるいはＡｓ１５〜４５原子％を
含むＳｅ −Ａｓ合金に対し、Ｉ、（Ｊあるいはその他
のハロゲンを１０〜２５００重ｉｔ ｐｐｓの範囲で添
加しても同様の結果が得られた。
本発明によれば、Ｓｅ合金からなるＣＴＬに正孔の移動
度を高める不純物を添加することにより、基体から注入
された正孔の感光層表面への移動を促進し、負帯電をす
みやかに減衰させ、同一のプロセスで２０％以下にまで
抑えることができ、紙間濃度差が小さく、均一濃度の良
好な画像を形成する電子写真用感光体が得られた。
度を高める不純物を添加することにより、基体から注入
された正孔の感光層表面への移動を促進し、負帯電をす
みやかに減衰させ、同一のプロセスで２０％以下にまで
抑えることができ、紙間濃度差が小さく、均一濃度の良
好な画像を形成する電子写真用感光体が得られた。
第１図（ａｌ、（ｂｌは本発明の実施例の感光体の構造
を概念的に示す断面図、第２図は５ｅ−Ｔｅ合金のＣＴ
ＬにＷＯ２を添加した場合のＯＣＬを有する実施例の感
光体における負帯電値とＷへ添加濃度の関係線図、第３
図は同様のＣＴＬを用いＯＣＬを設けない実施例の感光
体における負帯電値とＷＯ，添加濃度の関係線図、第４
図はＡｓ１Ｓｅ、のＣＴＬにＳλを添加した場合のＯＣ
Ｌを有する実施例の感光体における、第５図は同様のＣ
ＴＬを用いＯＣＬを設けない実施例の感光体における、
第６図はＴｅ５原子％を含むＳｅ −Ｔｅ合金のＣＴＬ
に■を添加した場合のＯＣＬを有する実施例の感光体に
おける、第７図は同様のＣＴＬを用いＯＣＬを設けない
実施例の感光体における負帯を値ヤキ噛加濃度の関係を
それぞれ示す線図である。 １：導電性基体、２ ： ＣＴＬ、、３ ： ＣＧＬ。 （Ｖ） 第２図 第３図 第１ 第４１ 第５刃
を概念的に示す断面図、第２図は５ｅ−Ｔｅ合金のＣＴ
ＬにＷＯ２を添加した場合のＯＣＬを有する実施例の感
光体における負帯電値とＷへ添加濃度の関係線図、第３
図は同様のＣＴＬを用いＯＣＬを設けない実施例の感光
体における負帯電値とＷＯ，添加濃度の関係線図、第４
図はＡｓ１Ｓｅ、のＣＴＬにＳλを添加した場合のＯＣ
Ｌを有する実施例の感光体における、第５図は同様のＣ
ＴＬを用いＯＣＬを設けない実施例の感光体における、
第６図はＴｅ５原子％を含むＳｅ −Ｔｅ合金のＣＴＬ
に■を添加した場合のＯＣＬを有する実施例の感光体に
おける、第７図は同様のＣＴＬを用いＯＣＬを設けない
実施例の感光体における負帯を値ヤキ噛加濃度の関係を
それぞれ示す線図である。 １：導電性基体、２ ： ＣＴＬ、、３ ： ＣＧＬ。 （Ｖ） 第２図 第３図 第１ 第４１ 第５刃
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １）電荷輸送層が、二酸化タングステン（ＷＯ＿２）、
三酸化タングステン（ＷＯ＿３）、四酸化マンガン（Ｍ
ｎＯ＿４）、亜りん酸（Ｈ＿３ＰＯ＿３）、亜硫酸（Ｈ
＿２ＳＯ＿３）および無水亜ひ酸（ＨＡｓＯ＿２）のう
ちのいずれかの化合物を１０重量ｐｐｍないし５重量％
添加した材料よりなることを特徴とする電子写真用感光
体。 ２）電荷輸送層が、すず、コバルト、鉛、鉄、銅、水銀
、銀およびセリウムのうちのいずれかの元素を１０原子
ｐｐｍないし５原子％添加した材料よりなることを特徴
とする電子写真用感光体。 ３）電荷輸送層が１０〜２５００重量ｐｐｍのハロゲン
元素を添加した材料よりなることを特徴とする電子写真
用感光体。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63200884A JPH0248671A (ja) | 1988-08-11 | 1988-08-11 | 電子写真用感光体 |
| DE3923201A DE3923201C2 (de) | 1988-08-11 | 1989-07-13 | Elektrofotografisches Aufzeichnungsmaterial |
| US07/391,475 US5085959A (en) | 1988-08-11 | 1989-08-09 | Se or se alloy electrophotographic photoreceptor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63200884A JPH0248671A (ja) | 1988-08-11 | 1988-08-11 | 電子写真用感光体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0248671A true JPH0248671A (ja) | 1990-02-19 |
Family
ID=16431844
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63200884A Pending JPH0248671A (ja) | 1988-08-11 | 1988-08-11 | 電子写真用感光体 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5085959A (ja) |
| JP (1) | JPH0248671A (ja) |
| DE (1) | DE3923201C2 (ja) |
Family Cites Families (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3393070A (en) * | 1965-03-01 | 1968-07-16 | Xerox Corp | Xerographic plate with electric field regulating layer |
| US3639120A (en) * | 1966-06-16 | 1972-02-01 | Xerox Corp | Two-layered photoconductive element containing a halogen-doped storage layer and a selenium alloy control layer |
| DE2305407C3 (de) * | 1973-02-03 | 1978-04-06 | Standard Elektrik Lorenz Ag, 7000 Stuttgart | Elektroradiografisches Aufzeichnungsmaterial |
| DE2437268C3 (de) * | 1974-08-02 | 1981-07-23 | Licentia Patent-Verwaltungs-Gmbh, 6000 Frankfurt | Elektrophotographisches Aufzeichnungsmaterial |
| JPS56149046A (en) * | 1980-04-22 | 1981-11-18 | Ricoh Co Ltd | Electrophotographic receptor |
| US4296191A (en) * | 1980-06-16 | 1981-10-20 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Two-layered photoreceptor containing a selenium-tellurium layer and an arsenic-selenium over layer |
| JPS5745551A (en) * | 1980-09-02 | 1982-03-15 | Ricoh Co Ltd | Photoreceptor for electrophotography |
| JPS6042095A (ja) * | 1983-08-19 | 1985-03-06 | Hitachi Ltd | 情報の記録用部材およびその製造方法 |
| JPS6084545A (ja) * | 1983-10-17 | 1985-05-13 | Fuji Electric Co Ltd | 電子写真用セレン感光体 |
| JPS60252357A (ja) * | 1984-05-29 | 1985-12-13 | Nippon Mining Co Ltd | 電子写真感光体用セレン，セレン感光膜及びそれらの製造法 |
| US4554230A (en) * | 1984-06-11 | 1985-11-19 | Xerox Corporation | Electrophotographic imaging member with interface layer |
| JPS61163345A (ja) * | 1985-01-16 | 1986-07-24 | Canon Inc | 電子写真感光体 |
| JPS6348558A (ja) * | 1986-08-19 | 1988-03-01 | Fuji Electric Co Ltd | 電子写真用感光体 |
| DE3732512A1 (de) * | 1987-09-26 | 1989-04-06 | Agfa Gevaert Ag | Farbfotografisches aufzeichnungsmaterial |
| DE3925483A1 (de) * | 1988-08-05 | 1990-02-08 | Fuji Electric Co Ltd | Elektrofotografisches aufzeichnungsmaterial |
-
1988
- 1988-08-11 JP JP63200884A patent/JPH0248671A/ja active Pending
-
1989
- 1989-07-13 DE DE3923201A patent/DE3923201C2/de not_active Expired - Fee Related
- 1989-08-09 US US07/391,475 patent/US5085959A/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE3923201A1 (de) | 1990-02-15 |
| US5085959A (en) | 1992-02-04 |
| DE3923201C2 (de) | 1997-07-10 |
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