JPS60208757A - 電子写真感光体 - Google Patents
電子写真感光体Info
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- JPS60208757A JPS60208757A JP59064780A JP6478084A JPS60208757A JP S60208757 A JPS60208757 A JP S60208757A JP 59064780 A JP59064780 A JP 59064780A JP 6478084 A JP6478084 A JP 6478084A JP S60208757 A JPS60208757 A JP S60208757A
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- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/06—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being organic
- G03G5/07—Polymeric photoconductive materials
- G03G5/071—Polymeric photoconductive materials obtained by reactions only involving carbon-to-carbon unsaturated bonds
- G03G5/072—Polymeric photoconductive materials obtained by reactions only involving carbon-to-carbon unsaturated bonds comprising pending monoamine groups
- G03G5/073—Polymeric photoconductive materials obtained by reactions only involving carbon-to-carbon unsaturated bonds comprising pending monoamine groups comprising pending carbazole groups
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- G—PHYSICS
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- G03G5/02—Charge-receiving layers
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- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
技術分野
本発明は、電子写真感光体に関するもので、より詳細に
は感光体のメモリー効果を利用して静電像の反復形成を
行うための電子写真感光体に関する。
は感光体のメモリー効果を利用して静電像の反復形成を
行うための電子写真感光体に関する。
従来技術
従来、原稿の多数枚複製には、印刷技術の他に、操作の
手軽さ等の見地から、電子写真法による多数枚複写技術
が採用されるに至っている。
手軽さ等の見地から、電子写真法による多数枚複写技術
が採用されるに至っている。
この多数枚複写電子写真法の代表的なものとして、光メ
モリー効果を有する光導電性感光層を画像露光した後、
帯電、現像、転写及びクリーニングの諸工程を反復する
所謂リテンション型静電印刷法が知られている。この方
法は、感光層の露光部では光メモリー効果により導電性
となり、この部分に電荷がのりにくくなるという原理を
使用するものであるが、公知の感光体は、所望の光メモ
リー効果を与えるための感度が低く、感光体を大出力の
光源を用いて画像露光しなければならないという不便さ
がある。
モリー効果を有する光導電性感光層を画像露光した後、
帯電、現像、転写及びクリーニングの諸工程を反復する
所謂リテンション型静電印刷法が知られている。この方
法は、感光層の露光部では光メモリー効果により導電性
となり、この部分に電荷がのりにくくなるという原理を
使用するものであるが、公知の感光体は、所望の光メモ
リー効果を与えるための感度が低く、感光体を大出力の
光源を用いて画像露光しなければならないという不便さ
がある。
最近に至って、光メモリー効果を利用する感光体の開発
も行われており、例えば弁上教授等によってポリ−Ｎ−
ビニルカルバゾール、２．４．７−ドリニトロフルオレ
ノン（ＴＮＦ）及びロイコ色素の混合溶液をアルミニウ
ム電極上に塗布した感光体、或いは上記混合溶液塗布層
の上に、ＰＶＫとＴＮＦとの組成物の層を設けた複層感
光体を使用し、これを−旧画像露光することにより、感
光体上にメモリー像（露光部の電荷受容性の低下）を形
成し、帯電−現像−転写のプロセスを繰り返すことで、
多数枚の複写物を得る研究が行われている（日本写真学
会誌第４４巻２号第１０４乃至１１７頁（１９８１）参
照）。これらの感光体におけるメモリー形成は、ＴＮＦ
とロイコ色素の作る電荷移動錯体の光吸枚後の化学反応
に起因するものと言われている。
も行われており、例えば弁上教授等によってポリ−Ｎ−
ビニルカルバゾール、２．４．７−ドリニトロフルオレ
ノン（ＴＮＦ）及びロイコ色素の混合溶液をアルミニウ
ム電極上に塗布した感光体、或いは上記混合溶液塗布層
の上に、ＰＶＫとＴＮＦとの組成物の層を設けた複層感
光体を使用し、これを−旧画像露光することにより、感
光体上にメモリー像（露光部の電荷受容性の低下）を形
成し、帯電−現像−転写のプロセスを繰り返すことで、
多数枚の複写物を得る研究が行われている（日本写真学
会誌第４４巻２号第１０４乃至１１７頁（１９８１）参
照）。これらの感光体におけるメモリー形成は、ＴＮＦ
とロイコ色素の作る電荷移動錯体の光吸枚後の化学反応
に起因するものと言われている。
発明の構成
本発明によれば、光化学反応とは全く異なる原理でメモ
リー像の形成が行われ、しかもメモリー像及びその後の
帯電による電荷像の形成が効率良く行われる電子写真感
光体が提供される。
リー像の形成が行われ、しかもメモリー像及びその後の
帯電による電荷像の形成が効率良く行われる電子写真感
光体が提供される。
本発明によれば更に、新規な複層構成を有する電子写真
複層感光体が提供される。
複層感光体が提供される。
即ち、本発明は、導電性基質、該導電性基質上に形成さ
れた銅−テトラシアノキノジメタン錯体を含むスイッチ
ング素子層及びポリビニルカルバゾール又はその同族体
とテトラニトロフルオレノンとの電荷移動錯体を含む表
面層から成ることを特徴とする電子写真感光体に関する
。
れた銅−テトラシアノキノジメタン錯体を含むスイッチ
ング素子層及びポリビニルカルバゾール又はその同族体
とテトラニトロフルオレノンとの電荷移動錯体を含む表
面層から成ることを特徴とする電子写真感光体に関する
。
本発明を添付図面を参照しつつ以下に詳細に説明する。
この感光体の断面構造を示す第１図において、導電性基
質１の上にはスイッチング素子層２が設けられ、この層
２の上に更に電荷発生輸送層乃至は電荷受容層３が設け
られる。図示していないが、導電性基質１とスイッチン
グ素子層２との間には、所望に応じ電荷注入バリヤ一層
或いは接着力を増強させるためのアンダ一層等が設けら
れていてもよい。
質１の上にはスイッチング素子層２が設けられ、この層
２の上に更に電荷発生輸送層乃至は電荷受容層３が設け
られる。図示していないが、導電性基質１とスイッチン
グ素子層２との間には、所望に応じ電荷注入バリヤ一層
或いは接着力を増強させるためのアンダ一層等が設けら
れていてもよい。
本発明によれば、このスイッチング素子Ｎ２として、銅
−テトラシアノキノジメタン錯体を含有するものを使用
する。この銅−テトラシアノキノジメタン錯体（Ｃｕ−
ＴＣＮＱ）は、高電場で高電導状態となり且つこの高電
導状態が維持されるスイッチング機能を備えている。更
に、本発明によれば、電荷発生輸送層乃至は電荷受容Ｎ
３として、ポリビニルカルバゾール（ＰＶＫ）、又はそ
の同族体とテトラニトロフルオレノン（ＴｅＮＦ）との
電荷移動錯体を使用する。
−テトラシアノキノジメタン錯体を含有するものを使用
する。この銅−テトラシアノキノジメタン錯体（Ｃｕ−
ＴＣＮＱ）は、高電場で高電導状態となり且つこの高電
導状態が維持されるスイッチング機能を備えている。更
に、本発明によれば、電荷発生輸送層乃至は電荷受容Ｎ
３として、ポリビニルカルバゾール（ＰＶＫ）、又はそ
の同族体とテトラニトロフルオレノン（ＴｅＮＦ）との
電荷移動錯体を使用する。
本発明の感光体のメモリー像の形成原理及び静電像の形
成原理を第２−Ａ乃至２−Ｄ図に基づき以下に説明する
。
成原理を第２−Ａ乃至２−Ｄ図に基づき以下に説明する
。
まず、第２−Ａ図の帯電画像露光工程において、感光体
４の表面を、コロナチャージャ５により一定極性の電荷
に帯電させ、次いで光源６によりこの表面を画像露光さ
せる。図の具体例では、電荷受容層３の表面は正電荷に
帯電され、導電性基質ｌには負電荷が誘起される。
４の表面を、コロナチャージャ５により一定極性の電荷
に帯電させ、次いで光源６によりこの表面を画像露光さ
せる。図の具体例では、電荷受容層３の表面は正電荷に
帯電され、導電性基質ｌには負電荷が誘起される。
メモリー像形成の第１段階を示す第１−Ｂ図において、
暗部りでは表面電荷はそのままであるが、明部りでは電
荷受容層３中に電荷（キャリヤ）が発生し、生じたホー
ル（＋）が積層界面、即ちスイッチング素子層２との界
面迄移動してそこに蓄積され、その結果として明部りで
は、スイッチング素子層２に高電場が印加されることに
なる。
暗部りでは表面電荷はそのままであるが、明部りでは電
荷受容層３中に電荷（キャリヤ）が発生し、生じたホー
ル（＋）が積層界面、即ちスイッチング素子層２との界
面迄移動してそこに蓄積され、その結果として明部りで
は、スイッチング素子層２に高電場が印加されることに
なる。
メモリー像形成の第２段階を示す第２−０図印加される
高電場により高電導状態（ＯＮＳＴＡＴＥ） 、即ち低
抵抗状態に誘起される。
高電場により高電導状態（ＯＮＳＴＡＴＥ） 、即ち低
抵抗状態に誘起される。
スイッチング素子層２の暗部りでは、高抵抗状態（ＯＦ
Ｆ ５ＴＡＴＥ）のまま残り、スイッチング素子Ｎ２に
は、上述した状態が継続して維持され、その結果として
、明部りでは導電性基質１からの電子の注入が容易な状
態となる。
Ｆ ５ＴＡＴＥ）のまま残り、スイッチング素子Ｎ２に
は、上述した状態が継続して維持され、その結果として
、明部りでは導電性基質１からの電子の注入が容易な状
態となる。
静電像形成工程を示す第２−Ｄ図において、一度露光が
行われた部分りでは、その後の正帯電に対して注入が容
易となった電子（−）が高導電状態のスイッチングＮ２
を介して電荷受容Ｎ３に注入され、該層３を通って表面
に到達し、表面の正電荷（＋）を消去することにより、
電荷像の形成が行われる。図示していないが、この電荷
像を、それ自体公知の方法により、トナーで現像し、形
成されるトナー像を紙等に転写することにより、複写物
乃至印刷物を得ることができる。かくして、第２−Ａ乃
至２−Ｃ図に示す１回のメモリー像形成の後に、第２−
Ｄ図に示す所望回数の帯電工程を行うことにより、所望
枚数の複写が可能となる。
行われた部分りでは、その後の正帯電に対して注入が容
易となった電子（−）が高導電状態のスイッチングＮ２
を介して電荷受容Ｎ３に注入され、該層３を通って表面
に到達し、表面の正電荷（＋）を消去することにより、
電荷像の形成が行われる。図示していないが、この電荷
像を、それ自体公知の方法により、トナーで現像し、形
成されるトナー像を紙等に転写することにより、複写物
乃至印刷物を得ることができる。かくして、第２−Ａ乃
至２−Ｃ図に示す１回のメモリー像形成の後に、第２−
Ｄ図に示す所望回数の帯電工程を行うことにより、所望
枚数の複写が可能となる。
本発明では、上述した説明から明らかな通り、光は電荷
発注輸送層乃至は電荷受容層３の電荷発生、換言すれば
、スイッチング素子層２への高電場印加の目的にのみ使
用されるという特徴がある。即ち、従来の複層感光体で
は、電荷輸送層或いは電荷受容層を介してメモリー形成
層をも露光し、該メモリー形成層中に光化学変化を起こ
させる必要があったのに対して、本発明では、電荷発生
輸送層乃至は電荷受容層中に電荷（キャリヤ）を発生さ
せることのみが要求されるものであるから、従来法に比
して著しく少ない露光量でメモリー像の形成が可能とな
るという利点が達成されるものである。
発注輸送層乃至は電荷受容層３の電荷発生、換言すれば
、スイッチング素子層２への高電場印加の目的にのみ使
用されるという特徴がある。即ち、従来の複層感光体で
は、電荷輸送層或いは電荷受容層を介してメモリー形成
層をも露光し、該メモリー形成層中に光化学変化を起こ
させる必要があったのに対して、本発明では、電荷発生
輸送層乃至は電荷受容層中に電荷（キャリヤ）を発生さ
せることのみが要求されるものであるから、従来法に比
して著しく少ない露光量でメモリー像の形成が可能とな
るという利点が達成されるものである。
第３図は、本発明に使用するスイッチング素子１ｉｉ
（Ｃｕ−ＴＣＮＱ）について、印加電圧と電流との関係
を示したものであり、曲線ｌは未処理のスイッチング素
子層についての電圧と電流との関係、曲線２は高電圧印
加後のスイッチング素子層について同様の関係を調べた
ものである。曲線１から、このスイッチング素子層は傾
斜のゆるやかな高抵抗状態Ａと傾斜の極めて大きい低抵
抗状態Ｂとが存在すること、及び曲線２から一旦高電導
状態（ＯＮ ５ＴＡＴＥ）となったスイッチング素子層
では、高抵抗状他人が殆ど消失していることが明らかで
ある。
（Ｃｕ−ＴＣＮＱ）について、印加電圧と電流との関係
を示したものであり、曲線ｌは未処理のスイッチング素
子層についての電圧と電流との関係、曲線２は高電圧印
加後のスイッチング素子層について同様の関係を調べた
ものである。曲線１から、このスイッチング素子層は傾
斜のゆるやかな高抵抗状態Ａと傾斜の極めて大きい低抵
抗状態Ｂとが存在すること、及び曲線２から一旦高電導
状態（ＯＮ ５ＴＡＴＥ）となったスイッチング素子層
では、高抵抗状他人が殆ど消失していることが明らかで
ある。
テトラシアノキノジメタン（Ｔ ＣＮ Ｑ）は、を有す
る、化合物であり、その銅錯塩が高抵抗状態と高導電状
態のスイッチング機能を示すのは、下記式 で表されるように、左辺の低電導性のシンプル塩が、闇
値以上の電圧印加で部分的に中性分子を生成し、所εＷ
高電導性のコンプレックス塩ができるための電導度変化
に起因すると理解されている。
る、化合物であり、その銅錯塩が高抵抗状態と高導電状
態のスイッチング機能を示すのは、下記式 で表されるように、左辺の低電導性のシンプル塩が、闇
値以上の電圧印加で部分的に中性分子を生成し、所εＷ
高電導性のコンプレックス塩ができるための電導度変化
に起因すると理解されている。
本発明に用いるＣｕ−ＴＣＮＱ錯体は、同種の他の錯体
に比して、本発明の目的にとって幾つかの利点を有して
いる。例えばＣｕ−ＴＣＮＱ錯体は銀塩に比して安定性
と再現性に優れている。更に、このＣｕ−ＴＣＮＱ錯体
は、スイッング機能とメモリー機能（保持性）との両方
を兼ね備えているという点でも、他の錯体に比して優れ
ている。
に比して、本発明の目的にとって幾つかの利点を有して
いる。例えばＣｕ−ＴＣＮＱ錯体は銀塩に比して安定性
と再現性に優れている。更に、このＣｕ−ＴＣＮＱ錯体
は、スイッング機能とメモリー機能（保持性）との両方
を兼ね備えているという点でも、他の錯体に比して優れ
ている。
Ｃｕ−ＴＣＮＱ錯体は、蒸着等の手段で導電性基質上に
結晶薄膜の形で直接形成させることもできるし、或いは
微結晶のものを樹脂バインダー中に分散させて導電性基
質上に設けることもできる。製造の容易さの点では、微
結晶錯体を樹脂バインダー中に分散させて用いるのがよ
い。
結晶薄膜の形で直接形成させることもできるし、或いは
微結晶のものを樹脂バインダー中に分散させて導電性基
質上に設けることもできる。製造の容易さの点では、微
結晶錯体を樹脂バインダー中に分散させて用いるのがよ
い。
樹脂バインダーとしては、電気絶縁性の樹ＪＪＩＶ、例
えばポリエステル樹脂、アクリル樹脂、スチレン樹脂、
ポリカーボネート樹脂、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合
体、フェノキシ樹脂、アルキド樹脂等が使用される。微
結晶錯体と樹脂バインダーとは、１：４乃至４：１の重
量比、特に２：３乃至３：２の重量比で用いるのがよい
。
えばポリエステル樹脂、アクリル樹脂、スチレン樹脂、
ポリカーボネート樹脂、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合
体、フェノキシ樹脂、アルキド樹脂等が使用される。微
結晶錯体と樹脂バインダーとは、１：４乃至４：１の重
量比、特に２：３乃至３：２の重量比で用いるのがよい
。
皐４図は、スイッング素子層における錯体含有量を変化
させた場合における、スイッチング機能の電場閾値（Ｖ
／ ｃｍ ）並びに高抵抗状態及び高電導状態におけ
るスイッチング素子層の体積抵抗を示す。これらの結果
から、上記範囲では安定な機能が達成されることが理解
されよう。
させた場合における、スイッチング機能の電場閾値（Ｖ
／ ｃｍ ）並びに高抵抗状態及び高電導状態におけ
るスイッチング素子層の体積抵抗を示す。これらの結果
から、上記範囲では安定な機能が達成されることが理解
されよう。
前述したバインダーを、適当な溶媒、例えばテトラヒド
ロフラン、クロロホルム、ジオキサン、ジメチンアセト
アミド、ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド
等の溶媒に溶解し、微結晶錯体を分散させ、導電性基質
上に塗布し、乾燥してスイッチング素子層を形成させる
。
ロフラン、クロロホルム、ジオキサン、ジメチンアセト
アミド、ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド
等の溶媒に溶解し、微結晶錯体を分散させ、導電性基質
上に塗布し、乾燥してスイッチング素子層を形成させる
。
本発明に用いる電荷発生輸送層乃至電荷受容層は、光照
射により電荷（キャリヤ：ホール）を発生し、界面へこ
れを移送すると共に、スイッチング素子から注入される
電荷（電子）を表面迄移送するものでなければならない
。
射により電荷（キャリヤ：ホール）を発生し、界面へこ
れを移送すると共に、スイッチング素子から注入される
電荷（電子）を表面迄移送するものでなければならない
。
本発明で用いるＰＶＫ−ＴｅＮＦ電荷移動錯体は、上述
した特性に特に優れている。即ち、従来正孔輸送物質や
電子輸送物質としては多種多様の物質が知られており、
またその錯体にも種々の組合せがあるが、スイッチング
素子層からの電子注入バリヤーが約０．４ ｅ Ｖであ
り、最も代表的なＰＶＫ−ＴＮＦ錯体のそれよりも約０
、２５ ｅ Ｖ低い値であり、電子の注入が容易に行わ
れるという利点がある。
した特性に特に優れている。即ち、従来正孔輸送物質や
電子輸送物質としては多種多様の物質が知られており、
またその錯体にも種々の組合せがあるが、スイッチング
素子層からの電子注入バリヤーが約０．４ ｅ Ｖであ
り、最も代表的なＰＶＫ−ＴＮＦ錯体のそれよりも約０
、２５ ｅ Ｖ低い値であり、電子の注入が容易に行わ
れるという利点がある。
本発明において、ポリビニルカルバゾール（ＰＶＫ、単
量体単位基準）とテトラニトロフルオレノン（ＴｅＮＦ
）とは、１：０．４乃至１：１、特にｉ：ｏ、ｓ乃至１
：０．７のモル比で用いるのがよい。
量体単位基準）とテトラニトロフルオレノン（ＴｅＮＦ
）とは、１：０．４乃至１：１、特にｉ：ｏ、ｓ乃至１
：０．７のモル比で用いるのがよい。
第５図は、ＴｅＮＦ ： ＰＶＫのモル比を変化させ、
５．０Ｘ１０ Ｖ／ａｍの電場で測定した、電子及び正
孔の移動度を示す。この結果によると、上述したモル比
では、正孔の移動が制御され、従って暗部（Ｄ）での、
帯電電位が維持され′るのと共に、明部（Ｌ）では注入
された電子の移動が活発に行われて、第２−Ｄ図に示す
帯電工程で、コントラストの大きい電荷像が形成される
ことがわかる。
５．０Ｘ１０ Ｖ／ａｍの電場で測定した、電子及び正
孔の移動度を示す。この結果によると、上述したモル比
では、正孔の移動が制御され、従って暗部（Ｄ）での、
帯電電位が維持され′るのと共に、明部（Ｌ）では注入
された電子の移動が活発に行われて、第２−Ｄ図に示す
帯電工程で、コントラストの大きい電荷像が形成される
ことがわかる。
第６図は、後述するＣｕ−ＴＣＮＱをスイッチング素子
層、及びＰＶＫ−ＴｅＮＦ錯体を電荷発生輸送層乃至電
荷受容層とした感光体の表面電位と時間との関係を示す
線図であって、曲線（１）は未処理感光体の表面帯電電
位、曲線（２）は露光開始後の表面帯電電位、曲線（３
）は帯電−露光によりスイッチング素子層が高導電状態
となった感光体を再帯電した際の表面帯電電位を示す。
層、及びＰＶＫ−ＴｅＮＦ錯体を電荷発生輸送層乃至電
荷受容層とした感光体の表面電位と時間との関係を示す
線図であって、曲線（１）は未処理感光体の表面帯電電
位、曲線（２）は露光開始後の表面帯電電位、曲線（３
）は帯電−露光によりスイッチング素子層が高導電状態
となった感光体を再帯電した際の表面帯電電位を示す。
第６図中、ＶＯは高抵抗状態（ｏＦＦ ５ＲＡＴＥ）で
のスイッチング層を備えた感光体の初期飽和帯電電位で
あり、■、は高電導状態（ＯＮ ５ＴＡＴＥ）でのスイ
ッチング層を備えた感光体の飽和帯電電位であり、メモ
リー効果（Ｆ）は下記式 ％式％ 第７図は、ＴｅＮＦ ： ＰＶＫのモル比を変化させ、
初期飽和帯電電位及びメモリー効果（Ｆ）との関係を調
べた結果を示す。この第７図の結果からも、両者のモル
比が前述した範囲で顕著なメモリー効果が得られること
がわかる。
のスイッチング層を備えた感光体の初期飽和帯電電位で
あり、■、は高電導状態（ＯＮ ５ＴＡＴＥ）でのスイ
ッチング層を備えた感光体の飽和帯電電位であり、メモ
リー効果（Ｆ）は下記式 ％式％ 第７図は、ＴｅＮＦ ： ＰＶＫのモル比を変化させ、
初期飽和帯電電位及びメモリー効果（Ｆ）との関係を調
べた結果を示す。この第７図の結果からも、両者のモル
比が前述した範囲で顕著なメモリー効果が得られること
がわかる。
ＰＶＫ−ＴｅＮＦ錯体の層は、例えばこれらを有機溶媒
中に溶解させ、これをスイッチング素子層上に塗布する
ことにより容易に形成甘さ得る。
中に溶解させ、これをスイッチング素子層上に塗布する
ことにより容易に形成甘さ得る。
本発明において、導電性基質としては、銅、アルミニウ
ム、ブリキ等の導電性金属基質や、導電処理した紙、或
いはネサ（ＮＥＳＡ）ガラス等が使用され、これらはシ
ート或いはドラムの形で用いられる。
ム、ブリキ等の導電性金属基質や、導電処理した紙、或
いはネサ（ＮＥＳＡ）ガラス等が使用され、これらはシ
ート或いはドラムの形で用いられる。
本発明の感光体において、スイッチング素子層の厚みは
、一般に１乃至５μｍ１特に１．５乃至３．５μｍの範
囲にあり、電荷発生輸送乃至電荷輸送層の厚みは一般に
６乃至２０μｍ、特に７乃至１２μｍ範囲にあることが
、帯電時の表面電位を高いレベルに維持しつつ、しかも
メモリー効果を最大限に利用する上で好ましい。
、一般に１乃至５μｍ１特に１．５乃至３．５μｍの範
囲にあり、電荷発生輸送乃至電荷輸送層の厚みは一般に
６乃至２０μｍ、特に７乃至１２μｍ範囲にあることが
、帯電時の表面電位を高いレベルに維持しつつ、しかも
メモリー効果を最大限に利用する上で好ましい。
本発明の感光体は、−回置光での多数枚複写の電子写真
感光体として有用であると共に、読み出し可能な電子記
録体としての用途にも有用である。
感光体として有用であると共に、読み出し可能な電子記
録体としての用途にも有用である。
参考例
スイッチング素子層の形成
ボールミルにより粉砕した銅−テトラシアノキノジメタ
ン錯体（Ｃｕ−ＴＣＮＱ）１０重量部を、ボリアリレー
ト樹脂（Ｕ−ｐｏｌｙｍｅｒ ８０００ ユニチカ製）
１０重量部、ポリエチレングリコール（ＰＥＧ１００Ｏ
三洋化成工業社製）０．５重量部、クロロホルム９０重
量部の組成から成る溶液と混合し、３０分間超音波分散
した後、鋼基板上にワイヤーバーにより、塗布、乾燥し
た。乾燥は８０℃で１５分間、さらに必要に応じて６時
間の真空乾燥を行い、膜厚２μｍのスイッチング素子層
を影形成した。
ン錯体（Ｃｕ−ＴＣＮＱ）１０重量部を、ボリアリレー
ト樹脂（Ｕ−ｐｏｌｙｍｅｒ ８０００ ユニチカ製）
１０重量部、ポリエチレングリコール（ＰＥＧ１００Ｏ
三洋化成工業社製）０．５重量部、クロロホルム９０重
量部の組成から成る溶液と混合し、３０分間超音波分散
した後、鋼基板上にワイヤーバーにより、塗布、乾燥し
た。乾燥は８０℃で１５分間、さらに必要に応じて６時
間の真空乾燥を行い、膜厚２μｍのスイッチング素子層
を影形成した。
スイッチング現像の測定
上記スイッチング素子層にＡｌを真空蒸着し、ＡＩｌ蒸
着膜と銅基板を電極としてサンドインチ型セルを形成し
た。
着膜と銅基板を電極としてサンドインチ型セルを形成し
た。
次に銅基板側に対し、＋ ３．０ Ｖ〜−３，０■の電
圧を印加した。第１回目の電圧印加におけるｖ−ｒ曲線
を第３図の曲線（１）に示す。さらに第２回目以降の電
圧印加におけるＶ−Ｉ曲線を曲線（２）に示す。
圧を印加した。第１回目の電圧印加におけるｖ−ｒ曲線
を第３図の曲線（１）に示す。さらに第２回目以降の電
圧印加におけるＶ−Ｉ曲線を曲線（２）に示す。
実施例
感光体の作製
参考例と同様な方法により、スイッチング素子層を銅基
板上に形成させた。
板上に形成させた。
次に、ポリビニルカルバゾール（Ｌｕｖ−ｉｃａｎ Ｍ
−１７０ＢＡＳＦ社製）１０重量部にテトラヒドロフラ
ン９０重量部を加えて１０％ＰＶＫ溶液を作製した。こ
の １０％ＰＶＫ溶液１０重量部に２．４．５．７−テ
トラニトロ−９−フルオレノン０．６重量部及びテトラ
ヒドロフラン２．０重量部を加え、超音波分散機で充分
に溶解させ、感光層塗布液を先に形成させたスイッチン
グ層上にワイヤーバーにて塗布、乾燥を行い、７μｍの
感光層を形成させ、感光体を得た。
−１７０ＢＡＳＦ社製）１０重量部にテトラヒドロフラ
ン９０重量部を加えて１０％ＰＶＫ溶液を作製した。こ
の １０％ＰＶＫ溶液１０重量部に２．４．５．７−テ
トラニトロ−９−フルオレノン０．６重量部及びテトラ
ヒドロフラン２．０重量部を加え、超音波分散機で充分
に溶解させ、感光層塗布液を先に形成させたスイッチン
グ層上にワイヤーバーにて塗布、乾燥を行い、７μｍの
感光層を形成させ、感光体を得た。
複写テスト
上述の作製した感光体を表面電位光減衰装置にセットし
、約３０秒間正コロナ放電（＋６．０ＫＶ）を行った後
、原稿露光を行った。なお、照射光としてタングステン
ランプ（１４ｍ Ｗ／ ｃ＋ｆｌ）を用い、約１分間露
光を行った。
、約３０秒間正コロナ放電（＋６．０ＫＶ）を行った後
、原稿露光を行った。なお、照射光としてタングステン
ランプ（１４ｍ Ｗ／ ｃ＋ｆｌ）を用い、約１分間露
光を行った。
次に市販の静電写真複写機（ＤＣ−１６２：三田工業社
製）の感光体ドラムをアルマイトドラムに取り換え、そ
こに露光後の本感光体を貼付し、銅基板を接地した後正
コロナ放電（＋６に■）、トナー現象、普通紙への転写
、クリーニングのサイクルを連続的に繰り返し、静電印
刷を行った。
製）の感光体ドラムをアルマイトドラムに取り換え、そ
こに露光後の本感光体を貼付し、銅基板を接地した後正
コロナ放電（＋６に■）、トナー現象、普通紙への転写
、クリーニングのサイクルを連続的に繰り返し、静電印
刷を行った。
印刷を５０サイクルまで行ったところ、初期画像と比較
しても画像のノイズや、コントラストの乱れはほとんど
観測されず、鮮明な印刷物が得られた。
しても画像のノイズや、コントラストの乱れはほとんど
観測されず、鮮明な印刷物が得られた。
第１図は本発明の感光体の断面構造を示す図、第２図は
本発明の感光体を用いたメモリー像の形成及び静電像の
形成を示す原理図、第３図は本発明に用いるスイッチン
グ素子層の印加電圧と電流の関係を示す図、第４図はス
イッチング素子層の体積抵抗及び電場闇値とＣｕ−ＴＣ
ＮＱの含有量との関係を示す図、第５図は本発明に用い
る電荷発生輸送乃至は電荷受容層の電子及び正孔の移動
度を示す図、第６図は本発明の感光体の表面電位の時間
変化を示す図、第７図は電荷発生輸送層乃至は電荷受容
層の初期飽和電位及びメモリ効果とＴｅＮＦ ： ＰＶ
Ｋのモル比の関係を示す図である。 １・・・導電性基質、２・・・スイッチング素子層３・
・・電荷発生輸送乃至電荷受容層 特許出願人 三田工業株式会社 第１図 第３図 第２図 −へＣ 第４図 ／θ ２ρＪθ ／ρ ６ρ ６１） ＣＬＴＣＮＱ合有比（重量〃） 第５図 第６図 峙 間（秒） 第７図 ＝ １ｅＮＥ／ＰＶｋ モル尤
本発明の感光体を用いたメモリー像の形成及び静電像の
形成を示す原理図、第３図は本発明に用いるスイッチン
グ素子層の印加電圧と電流の関係を示す図、第４図はス
イッチング素子層の体積抵抗及び電場闇値とＣｕ−ＴＣ
ＮＱの含有量との関係を示す図、第５図は本発明に用い
る電荷発生輸送乃至は電荷受容層の電子及び正孔の移動
度を示す図、第６図は本発明の感光体の表面電位の時間
変化を示す図、第７図は電荷発生輸送層乃至は電荷受容
層の初期飽和電位及びメモリ効果とＴｅＮＦ ： ＰＶ
Ｋのモル比の関係を示す図である。 １・・・導電性基質、２・・・スイッチング素子層３・
・・電荷発生輸送乃至電荷受容層 特許出願人 三田工業株式会社 第１図 第３図 第２図 −へＣ 第４図 ／θ ２ρＪθ ／ρ ６ρ ６１） ＣＬＴＣＮＱ合有比（重量〃） 第５図 第６図 峙 間（秒） 第７図 ＝ １ｅＮＥ／ＰＶｋ モル尤
Claims (1)
- 導電性気質、該導電性基質上に形成された銅−テトラシ
アノキノジメタン錯体を含むスイッチング素子層及びポ
リビニルカルバゾール又はその同族体とテトラニトロフ
ルオレノンとの電荷移動錯体を含む表面層から成ること
を特徴とする電子写真感光体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59064780A JPH0668627B2 (ja) | 1984-03-31 | 1984-03-31 | 電子写真感光体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59064780A JPH0668627B2 (ja) | 1984-03-31 | 1984-03-31 | 電子写真感光体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60208757A true JPS60208757A (ja) | 1985-10-21 |
| JPH0668627B2 JPH0668627B2 (ja) | 1994-08-31 |
Family
ID=13268067
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59064780A Expired - Lifetime JPH0668627B2 (ja) | 1984-03-31 | 1984-03-31 | 電子写真感光体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0668627B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01229259A (ja) * | 1988-03-09 | 1989-09-12 | Seikosha Co Ltd | 感光体 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4875031A (ja) * | 1972-01-08 | 1973-10-09 | ||
| JPS539536A (en) * | 1976-07-14 | 1978-01-28 | Toyo Ink Mfg Co | Electrophotographic photosensitive element |
| JPS549632A (en) * | 1977-06-23 | 1979-01-24 | Ricoh Co Ltd | Electrophotographic photoreceptor |
| JPS5617358A (en) * | 1979-07-20 | 1981-02-19 | Fuji Photo Film Co Ltd | Electrophotographic material with lasting electrical conductivity |
-
1984
- 1984-03-31 JP JP59064780A patent/JPH0668627B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4875031A (ja) * | 1972-01-08 | 1973-10-09 | ||
| JPS539536A (en) * | 1976-07-14 | 1978-01-28 | Toyo Ink Mfg Co | Electrophotographic photosensitive element |
| JPS549632A (en) * | 1977-06-23 | 1979-01-24 | Ricoh Co Ltd | Electrophotographic photoreceptor |
| JPS5617358A (en) * | 1979-07-20 | 1981-02-19 | Fuji Photo Film Co Ltd | Electrophotographic material with lasting electrical conductivity |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01229259A (ja) * | 1988-03-09 | 1989-09-12 | Seikosha Co Ltd | 感光体 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0668627B2 (ja) | 1994-08-31 |
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