JPH0772800B2

JPH0772800B2 - 光導電性素子中の酸／塩基環境の調整法

Info

Publication number: JPH0772800B2
Application number: JP4344873A
Authority: JP
Inventors: エムカーマイケルカサリーン; エフグラボウスキーエドワード; イーノーマンディンシャロン; ピーサリヴァンドナルド; ジートコリエミリー
Original assignee: Xerox Corp
Current assignee: Xerox Corp
Priority date: 1991-12-31
Filing date: 1992-12-24
Publication date: 1995-08-02
Anticipated expiration: 2010-08-02
Also published as: CA2079350C; CA2079350A1; US5356741A; JPH05265230A

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、電子写真像形成部材の
光導電性素子中の酸性または塩基性不純物の存在による
電子写真像形成部材の電気特性の変動を調整する新規な
方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】感光性部材、静電写真装置、光導電体、
感光体等とも称される光導電性素子は、例えば、米国特
許第４，１０６，９３４号；米国特許第４，０１８，６
０２号；米国特許第４，５３５，０４２号；米国特許第
４，２６４，６９５号；米国特許第４，１０６，９３４
号および米国特許第４，５４３，３１４号に記載されて
いるような種々の形状および組成で入手し得る。光導電
性素子の組成は、明瞭な像再生を行うように選定する。
しかしながら、系中での最も軽微な不純物の存在でさえ
も、電気的性質の変動をもたらし得、これが低画質の像
再生を生ずる。光導電性素子の電気的性質の変動は、暗
現像電位（Ｖ_DDP）とバックグラウンド電位（Ｖ_BG）に
おいて許容し得ない変動をもたらす。Ｖ_DDPは、均一に
帯電させた後の特定の時間での暗中の光導電性素子上の
電位として定義される。この特性の予想し得ない変動
は、とりわけ、正確で安定な予想し得る光導電性素子操
作範囲を必要とする高容量高速の複写機、デュプリケー
ターおよびプリンターにおいて極めて望ましくない。Ｖ
_DDPのでたらめな変動は、許容し得ないものであり、最
低の場合でも、帯電電位、トナー濃度等の装置操作パラ
メーターを変えて異なる光導電性素子Ｖ_DDPを補正する
ための費用高の複雑なコントロール装置または熟練修理
者を必要とする。Ｖ_DDPの差異を適切に補正出来ない場
合、貧弱なコピー品質のコピーを生じ得る。さらにま
た、そのようなＶ_DDPの変動は、最適Ｖ _DDP特性の達成
を妨げる。

【０００３】Ｖ_BGは、光のような活性化用電磁線像に露
光させた後の光導電性素子のバックグラウンド領域即ち
露光領域の電位として定義される。Ｖ_BGの予想し得ない
変動は、特に、正確で狭い操作窓に合致する光導電性素
子特性を本質的に必要とする複雑な高容量高速の複写
機、デュプリケーターおよびプリンターにおいて、コピ
ー品質に悪影響を及ぼし得る。即ち、バッチ間Ｖ_DDP変
動を示す光導電性素子と同様に、貧弱なＶ_BG特性を有す
る光導電性素子もまた許容し得ないものであり、装置操
作パラメーターを変えるためには、費用高の複雑なコン
トロール装置または熟練修理者を必要とする。Ｖ_BGの不
正確な補正は、明る過ぎるかまたは暗過ぎるコピーを生
じ得る。さらに、Ｖ_BG特性のそのような変動は、Ｖ_BG特
性の最適化を妨げる。光導電性素子のＶ_DDPおよびＶ_BG
のコントロールは、初期のみでなく光導電性素子のサイ
クル操作全体に亘って重要である。電子写真工程中、光
導電性素子は１連の帯電および照射工程に供され、これ
らの工程は、多くの場合、光導電性素子の電気的および
光学的性質の変動を与える。これらの変動は疲労と称さ
れる。疲労は、光導電性素子の寿命中にその操作特性を
変化させ、実際の商業的使用においては望ましいもので
はない。

【０００４】光導電性素子において変動性のＶ_DDPおよ
びＶ_BGを生ずる共通の要因は、系中の酸性または塩基性
の化学不純物の小さな調整し得ない変動である。１層以
上の光導電性素子層への添加剤は、不純物の作用を低減
または排除し得る。例えば、米国特許第４，８７４，６
８２号は、電荷輸送層に含有させて酸の疲労作用を排除
するための単分子または高分子不揮発性塩基性アミンを
記載している。もう１つの例としては、米国特許第４，
７２５，５１８号は、電荷輸送層に芳香族アミン化合物
とプロトン酸またはルイス酸とを添加してＶ_DDPおよび
Ｖ_BGをコントロールすることを開示している。Ｖ_DDPお
よびＶ_BGに影響する酸または塩基変動をコントロールす
るためのもう１つの公知の光導電性素子の処理法は、光
導電性素子を他の酸または塩基でドーピングすることを
含む。例えば、Ｖ_DDPおよびＶ_BGの変動は、電荷輸送層
に約０．１〜１００ｐｐｍ範囲の量でトリフルオロ酢酸
を添加することによってコントロールし得る。しかしな
がら、その実際の量は変動し、製造中に装置の電気的挙
動を頻繁に測定することによって決定しなければならな
い。ドパント含有量を再調整して所望の電気的詳細を得
るのに必要な酸量を補正する。この酸ドーピング手順
は、面倒であり、時間が掛かり、かつ予期どうりにコン
トロールするのは困難である。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】即ち、感光体の製造方
法を改善して光導電性素子中の酸および塩基の作用を排
除することが望まれている。さらに、可変量の酸または
塩基ドパントによって所望の電気的挙動を得る必要性を
排除することが望まれている。

【０００６】

【課題を解決するための手段】本発明によれば、電子写
真像形成部材の光導電性素子中の酸性または塩基性不純
物の存在による電子写真像形成部材の電気的特性の変動
をコントロールする方法が提供される。基体を、電荷発
生材料または電荷輸送材料、弱酸または弱塩基および弱
酸と弱塩基の共役塩とを含む溶液並びにバインダー樹脂
を含有する分散液でコーティングする。この分散液コー
ティングを乾燥させて基体上に光導電性層を形成させ
る。本発明のさらなる目的は、電子写真像形成部材の製
造方法を提供することである。本発明の好ましい実施態
様によれば、バインダー樹脂中の電荷発生材料の第１の
分散液を基体上にコーティングし乾燥させて電荷発生層
を形成させる。次いで、バインダー樹脂中の電荷輸送材
料の第２分散液を上記電荷発生層上にコーティングし乾
燥させて電荷輸送層を形成させる。第１および第２分散
液の少なくとも１つにおいて、弱酸または弱塩基と、弱
酸と弱塩基の共役塩との溶液を含有させる。弱酸または
弱塩基とそれらの共役塩とは、その溶液を含有させた分
散液から形成させた層中の酸性または塩基性不純物の存
在による光導電性素子の暗現像電位およびバックグラウ
ンド電位特性の変動を低減させるのに有効な量で含有さ
せる。

【０００７】光導電性素子中の酸性または塩基性不純物
の存在による変動をコントロールする本発明方法は、緩
衝系の概念に基づく。緩衝系は、酸および塩基の両方を
中和しそれによって系の元の酸度および塩基度を維持し
得る物質を含有する系として定義し得る。水性系の緩衝
溶液は、適切な濃度の弱酸または弱塩基およびその共役
塩とから調製する。少量の酸または塩基を緩衝系に添加
する場合、ｐＨ変化は比較的小である。光導電性素子の
製造においては、少量の酸性または塩基性不純物が光導
電性素子層中の存在し得る。多くの場合、この不純物の
存在は、製造過程で用いる方法またはトリフルオロ酢酸
のような光導電性素子を製造するのに用いた原材料に由
来する。また、不純物は、トリエチルアミンのような塩
基化合物であり得る。酸性または塩基性不純物値の変動
は、系の電気的性質に影響を与える。これらの変動は、
それ自体Ｖ_DDPおよびＶ_BGの可視変動として現れる。例
えば、コピー像の品質は、そのコピーが明る過ぎるか暗
過ぎるために低下するか、あるいはコピー像はゆがめら
れ得る。そのようなコピー品質の予想し得ない変動は、
高容量高速の複写機およびプリンターにおいて増幅され
る。Ｖ_DDPおよびＶ_BGに対しての不純物の一般的な作用
は、米国特許第４，７２５，５１８号において認められ
る。

【０００８】Ｖ_DDPおよびＶ_BGの効果のような電子写真
像形成部材の電気特性の変動は、電子写真像形成部材の
光導電性層中に緩衝系を含有させることによって低減ま
たは排除する。緩衝系は、像形成部材の光導電性素子の
電荷発生材料または電荷輸送材料中に、光導電性素子の
層の製造中に含有させ得る。任意の適当な弱酸または弱
塩基並びに弱酸または弱塩基の共役塩を、光導電性素子
中の緩衝系として使用し得る。弱酸の例には、クエン
酸、シクロヘキサン−１，２−トランスジカルボン
酸、２，４−ジクロロフェノール、およびピリジンジカ
ルボン酸がある。共役塩は、例えば、ジオクチルアミン
およびテトラメチルキュアニジンから誘導する。一般
的には、分散液中の弱酸と共役塩の量は、溶媒の重量基
準で０．５〜１００ｐｐｍである。分散液中の弱酸と共
役塩の好ましい量は、溶媒の重量基準で約１〜３ｐｐｍ
である。弱塩基の例は、ジエタノールとピリジンであ
る。共役塩は、例えば、ベンゼンスルホン酸またはトリ
フルオロ酢酸から誘導し得る。一般的には、分散液中の
弱塩基と共役塩の量は、溶媒の重量基準で０．５〜１０
０ｐｐｍである。分散液中の弱塩基と共役塩の好ましい
量は、溶媒の重量基準で約１〜３ｐｐｍである。

【０００９】緩衝系を含有する光導電性素子は、適当な
基体を、少なくとも１種の電荷発生材料または電荷輸送
材料、弱酸または弱塩基および弱酸と弱塩基の共役塩と
を含む溶液並びにバインダー樹脂を含有する分散液でコ
ーティングすることによって形成させる。次いで、この
分散液を乾燥させて基体上に光導電性素子を形成させ
る。光導電性素子は、単一層または多層構造体であり得
る。好ましい実施態様においては、光導電性素子は、基
体上に支持された電荷発生層と電荷輸送層を含有する。
そのような光導電性素子の形成方法においては、バイン
ダー樹脂中の電荷発生材料の第１の分散液を基体上にコ
ーティングし乾燥させて電荷発生層を形成させる。次い
で、バインダー樹脂中の電荷輸送材料の第２分散液を上
記電荷発生層上にコーティングし乾燥させて電荷輸送層
を形成させる。第１および第２分散液の少なくとも１つ
において、弱酸または弱塩基と、弱酸と弱塩基の共役塩
との溶液を含有させる。弱酸または弱塩基とそれらの共
役塩とは、その溶液を含有させた分散液から形成させた
層中の酸性または塩基性不純物の存在による像形成部材
のＶ_DDPおよびＶ_BG特性の変動を低減させるのに有効な
量で分散液中に含有させる。光導電体中の緩衝系の効果
をモニターするには、Ｖ_DDPおよびＶ_BGの電気特性を用
いてその結果を定量し得る。本発明は有機系に関するの
で、そのｐＨは正確に限定できない。しかしながら、ｐ
Ｈの変動は系の電気特性の変動に相関しＶ_DD _PおよびＶ
_BGに直接影響する。

【００１０】一般的には、本発明の方法で製造した光導
電性素子は、支持基体上に２つの電気作動層を有する。
基体は、不透明または実質的に透明であり得、所定の機
械的性質を有する多くの適当な材料を含み得る。支持基
体全体を構成し得るかあるいは下地部材上のコーティン
グとして存在し得る導電性層または基平面層は、例え
ば、アルミニウム、チタン、ニッケル、クロム、黄銅、
金、ステンレススチール、カーボンブラック、グラファ
イト等の任意の適当な材料を含み得る。導電性層は、光
導電性像形成部材の所望の用途によるが、実質的に広い
範囲に亘って厚さにおいて変化し得る。従って、導電性
層は、約５０オングストローム〜数ｃｍの厚さ範囲に一
般にあり得る。導電性層以外の支持基体は、下地部材を
有し得る。典型的な下地部材には、ポリエステル、ポリ
カーボネート、ポリアミド、ポリウレタン等の本目的に
おいて公知の種々の樹脂のような絶縁性非導電性材料が
ある。また、支持基体または下地部材は、紙基材上の薄
い導電性コーティング；アルミニウム、ニッケルまたは
ヨウ化銅のような薄い導電性層でコーティングしたプラ
スチックウェブ；またはクロムまたは酸化錫のような薄
い導電性コーティングでコーティングしたガラスのよう
な複合構造体も含み得る。支持基体または下地部材は、
可撓性または剛性であり得、可撓性のベルトまたはスリ
ーブ、シート、スクロール、ウェブ、プレート、円筒
体、ドラム等の任意の多くの種々の形状を有し得る。好
ましくは、絶縁性基体は、エンドレス可撓性ベルトの形
である。

【００１１】任意の適当な電荷発生材料または電荷輸送
材料を、本発明の方法で製造した多層光導電性素子の２
つの電気作動層の１つにおいて使用し得る。正孔の光生
成およびこれら正孔の電荷輸送層への注入能力を示す光
導電性層を含む種々の発生層を使用し得る。典型的な電
荷発生材料は、例えば、米国特許第３，３５７，９８９
号；第３，４４２，７８１号；第４，１０６，９３４
号；第４，２６５，９９０号；第４，２３３，３８４
号；第４，３０６，００８号；第４，２９９，８９７
号；第４，２３２，１０２号；第４，２３３，３８３
号；第４，４１５，６３９号；および第４，４３９，５
０７号に記載されている。電荷発生層および電荷輸送層
の厚さは広く変化し得る。一般的には、電荷発生層また
は電荷輸送層は、約０．１〜２．５μｍの厚さである。
好ましくは、電荷輸送層は、約２０〜３０μｍの厚さで
ある。分散液のミリング方法、得られた分散液の基体へ
の塗布方法、およびその乾燥方法は、米国特許第４，５
４３，３１４号に記載されている。任意の適当な不活性
樹脂バインダー材料を光導電性素子中または間で使用し
得る。典型的な有機樹脂バインダーには、ポリカーボネ
ート、アクリレートポリマー、ビニルポリマー、セルロ
ースポリマー、ポリエステル、ポリシロキサン、ポリア
ミド、ポリウレタン、エポキシ等がある。多くの有機樹
脂バインダーは、例えば、米国特許第３，１２１，００
６号および第４，４３９，５０７号に開示されている。

【００１２】好ましい実施態様においては、電荷発生材
料はポリビニルカルバゾール樹脂中の三方晶セレンを含
み、電荷輸送材料はポリカーボネート中の芳香族アミン
を含む。電荷輸送層および電荷発生層は、また水準剤、
絶縁体、ブロッキング層、界面活性剤、可塑剤等の他の
添加剤も含有して電荷輸送層の種々の物理的性質を向上
または改善し得る。さらに、電子写真応答を修正する種
々の添加剤も電荷輸送層中に含有させ得る。幾つかの場
合においては、電荷発生層と電荷輸送層間の中間層が接
着性を改善するためにあるいは電気バリヤー層として機
能させるために所望され得る。典型的な接着層には、ポ
リエステル、ポリビニルブチラール、ポリビニルピロリ
ドン、ポリウレタン、ポリメチルメタクリレート等があ
る。必要に応じて、保護オーバーコーティングのような
他の層も光導電性素子上に付与し得る。これらのオーバ
ーコーティング層は、電気絶縁性または僅かに半導電性
である有機ポリマーまたは無機ポリマーを含み得る。

【００１３】

【実施例】

【比較例１】感光性装置を、３ミル（７６．２μｍ）の
厚さを有するチタン処理マイラー基体を用い、この基体
に、バードアプリケーターを用いて、２．５９２ｇの
３−アミノプロピルトチエトキシシラン、０．７８４ｇ
の酢酸、１８０ｇの１９０プルーフ変性アルコールおよ
び７７．３ｇのヘプタンを含有する溶液を塗布する事に
よって作成した。次いで、この層を室温で５分間、強制
送風炉内で１３５℃で１０分間乾燥させた。得られたブ
ロッキング層は、０．０５μｍの乾燥厚さを有してい
た。次に、接着界面層を、上記のブロッキング層に０．
５ミル（１２．７μｍ）の湿潤厚さを有しかつ７０：３
０容量比のテトラヒドロフラン／シクロヘキサノン混合
物中に０．５重量％（溶液の総重量基準で）のデュポン
４９、０００接着剤を含有するコーティングをバード
アプリケーターで塗布することによって形成させた。
この接着界面層を室温で１分間、強制送風炉内で１００
℃で１０分間乾燥させた。得られた接着界面層は、０．
０５μｍの乾燥厚さを有していた。

【００１４】その後、上記の接着界面層を、７．５容量
％の三方晶セレン、２５容量％のＮ，Ｎ^,−ジフェニル
−Ｎ，Ｎ^,−ビス（３−メチルフェニル）−１，１^,−
ビフェニル−４，４^,−ジアミンおよび６７．５容量％
のポリビニルカルバゾールを含有する光生成層でコーテ
ィングした。この光生成層は、０．８ｇのポリビニルカ
ルバゾールと１４ｍｌの１：１容量比のテトラヒドロフ
ラン／トルエン混合物を２オンスこはくびんに導入する
ことによって調製した。この溶液に、０．８ｇの三方晶
セレンと１００ｇの１インチ（２．５４ｃｍ）径ステン
レルスチール球を加えた。次いで、この混合物をボール
ミル上に７２〜９６時間置いた。続いて、得られたスラ
リーの５ｇを、７．５ｍｌの１：１容量比のテトラヒド
ロフラン／トルエン中の０．３６ｇのポリビニルカルバ
ゾールと０．２０ｇのＮ，Ｎ^,−ジフェニル−Ｎ，Ｎ^,
−ビス（３−メチルフェニル）−１，１^,−ビフェニル
−４，４^,−ジアミンとの溶液に加えた。このスラリー
を１０分間シェーカー上に置いた。得られたスラリーを
バードアプリケーターにより上記の接着界面層に塗布
して０．５ミル（１２．７μｍ）の湿潤厚さを有する層
を得た。この層を強制送風炉内で１３５℃で５分間乾燥
させて２．０μｍの厚さを有する乾燥光生成層を得た。
この光生成層を、電荷輸送層でオーバーコーティングし
た。その電荷輸送層は、こはくガラスびんにＮ，Ｎ^,−
ジフェニル−Ｎ，Ｎ^,−ビス（３−メチルフェニル）−
１，１^,−ビフェニル−４，４^,−ジアミンとマクロロ
ン（Makrolon、登録商標；即ち、ファルベンファブリケ
ンバイエル社から商業的に入手し得る分子量約５０、
０００〜１００、０００を有するポリカーボネート樹
脂）とを重量比１：１で導入することによって調製し
た。得られた混合物を１５重量％の塩化メチレンに溶解
させた。この溶液を、バードアプリケーターを用い
て、上記の光生成体上に塗布してコーティングを得、こ
のコーティングは乾燥させたとき２５μｍの厚さを有し
ていた。この乾燥工程中、湿度は１５％以下であった。
得られた上記の各層すべてを含有する感光体装置を強制
送風炉内で１３５℃で６分間熱処理した。

【００１５】

【調製例１】種々の量のトリフルオロ酢酸を含有する塩
化メチレンを、４９９．５ｇの試薬級塩化メチレンをガ
ラスびん中に秤量しこれに０．５ｇのトリフルオロ酢酸
を溶解させて１０００ｐｐｍ（塩化メチレン基準で）の
酸を含有する溶液を得ることによって調製した。この溶
液を塩化メチレンを用いて適当に希釈して溶媒の重量基
準で１００、２５、１０および５ｐｐｍのトリフルオロ
酢酸を得た。

【００１６】

【比較例２】感光体対照サンプル２〜５を比較例１のよ
うにして作成したが、電荷輸送層用に用いた塩化メチレ
ンを調製例１のようにして酸処理した。

【００１７】

【調製例２】塩化メチレン中０．５×１０^-3ｍのジエタ
ノールアミンと５．７×１０^-4ｍのベンゼンスルホン酸
を含有する緩衝液を調製した。この緩衝液の０．２３ｇ
を２２．３７ｇの未処理塩化メチレンに加え、さらにま
た調製例１の４つの酸処理塩化メチレンにも加えて塩化
メチレンの重量基準で１．５ｐｐｍのベンゼンスルホン
酸のジエタノールアンモニウム塩を得た。

【００１８】

【実施例１】感光体サンプル６〜１０を比較例１のよう
にして作成したが、電荷輸送層用に用いた塩化メチレン
を調製例２で調製したようにして酸および緩衝剤で処理
した。

【００１９】

【調製例３】種々の量のトリエチルアミンを含有する塩
化メチレンを、４９９．５ｇの試薬級塩化メチレンをガ
ラスびん中に秤量しこれに０．５ｇのトリエチルアミン
を溶解させて１０００ｐｐｍ（塩化メチレン基準で）の
塩基を含有する溶液を得ることによって調製した。この
溶液を塩化メチレンを用いて適当に希釈して溶媒の重量
基準で２５および１０ｐｐｍのトリエチルアミンを得
た。

【００２０】

【比較例３】感光体サンプル１２〜１３を比較例１のよ
うにして作成したが、電荷輸送層用に用いた塩化メチレ
ンを調製例３におけるようにしてトリエチルアミンで処
理した。

【００２１】

【調製例４】塩化メチレン中５×１０^-3ｍのシクロヘキ
サン−１，２−トランス−ジカルボン酸のモノジエチル
アミン塩と５．６×１０^-4ｍのテトラメチルグアニジン
を含有する緩衝液を調製した。この緩衝液の０．２３ｇ
を２２．３７ｇの未処理塩化メチレンに加え、さらにま
た調製例３の２つの塩基処理塩化メチレンにも加えて塩
化メチレンの重量基準で１．５ｐｐｍのシクロヘキサン
−１，２−トランス−ジカルボン酸の混合アンモニウム
塩を得た。

【００２２】

【実施例２】感光体サンプル１４〜１６を比較例１のよ
うにして作成したが、電荷輸送層用に用いた塩化メチレ
ンを調製例４におけるようにして塩基および緩衝液で処
理した。

【００２３】

【実施例３】対照サンプル１〜５および本発明のサンプ
ル６〜１０を、ＤＣコロトロンで１．２×１０^-7クーロ
ン／ｃｍ²の表面帯電密度に帯電させた。暗現像電位Ｖ
_DDPを、帯電の０．６秒後に、静電電圧計を用いて暗中
に保った各サンプルにおいて測定した。バックグラウン
ド電位Ｖ_BGを、サンプルを暗中で上記と同じ電流密度に
帯電させ、０．１６秒後に３．８エルグ／ｃｍ²の白色
光（４００〜７００ｎｍのスペクトル範囲に限定した）
に露光させ、帯電の０．６秒後に、表面電位を測定する
ことによって測定した。表１において理解できるよう
に、緩衝液用いないで作成した各対照サンプルは、暗減
衰並びに残留電圧の減少および増大したサイクルダウ
ンによって得られた感度との連続増大で明らかなよう
に、少量のトリフルオロ酢酸の存在に対しての感応性を
示している。しかしながら、サンプル６〜１０は、２５
ｐｐｍまでの酸濃度の増大においてこれらの性質の比較
的僅かな変化を示している。１００ｐｐｍの酸において
さえも、各緩衝液は、相応する対照溶液よりも少ない変
化を示している。

【００２４】

【表１】表１サンプル酸(ppm) 暗減衰Ｖ_DDP Ｖ_BG ％Ｄ初期％サイクルＶ_R／Ｖ_R ダウン対照１ 0 11.9 775 203 73.8 26/50 13.6 対照２ 5 12.8 751 162 78.4 18/25 19.7 対照３ 10 13.7 653 125 80.8 12/18 19.7 対照４ 25 14.1 670 98 85.4 12/19 29.0 対照５ 100 22.9 518 56 89.2 9/15 46.7 サンプル６ 0 11.7 778 182 76.6 24/42 21.7 サンプル７ 5 12.9 776 167 78.5 23/31 22.2 サンプル８ 10 11.5 755 194 74.3 25/32 17.5 サンプル９ 25 12.7 771 147 80.9 16/22 20.4 サンプル10 100 16.5 649 115 82.3 20/19 37.4

【００２５】

【実施例４】比較例１、比較例３、および実施例２で作
成したサンプル１１〜１６を実施例３のようにしてゼロ
グラフィー試験した。緩衝液なしで作成した対照サンプ
ル１１〜１３は、Ｖ_BG並びにＶ_DDPおよびサイクルダウ
ンの低下によって得られる感度との連続増大によって明
らかなように、少量のトリエチルアミンの存在に対して
感応性を示している。しかしながら、サンプル１４〜１
６は、２５ｐｐｍまでの塩基濃度の増大においてこれら
の性質の比較的僅かな変化を示している。

【００２６】

【表２】表２サンプル塩基暗減衰Ｖ_DDP Ｖ_BG ％Ｄ初期％サイクル (ppm) Ｖ_R／Ｖ_R ダウン対照11 0 12.6 747 166 77.6 22/54 13.0 対照12 10 10.3 807 282 65.1 41/94 2.3 対照13 25 9.9 801 302 62.3 43/96 2.3 サンプル14 0 12.9 771 209 72.9 30/59 7.9 サンプル15 10 11.2 769 252 67.2 39/77 5.0 サンプル16 25 11.0 872 294 65.9 43/83 3.4

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者シャロンイーノーマンディンアメリカ合衆国ニューヨーク州 14502 マセドンカウンティーラインロード 4650 (72)発明者ドナルドピーサリヴァンアメリカ合衆国ニューヨーク州 14618 ロチェスターチャドウィックドライヴ 20 (72)発明者エミリージートコリアメリカ合衆国ニューヨーク州 14618 ロチェスタートーリングトンドライヴ 92

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】基体を、少なくとも１種の電荷発生材料
または電荷輸送材料、弱酸または弱塩基および弱酸と弱
塩基の共役塩とを含む溶液並びにバインダー樹脂を含む
分散液でコーティングし；この分散液を乾燥させて基体
上に光導電性素子を形成させることを特徴とする電子写
真像形成部材の光導電性素子中の酸性または塩基性不純
物の存在による電子写真像形成部材の電気特性の変動の
調整方法。