JPH0240919A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 26
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 26
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 title claims abstract description 26
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 17
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 8
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 claims abstract description 6
- 238000006722 reduction reaction Methods 0.000 claims description 8
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 150000003658 tungsten compounds Chemical class 0.000 claims description 3
- 239000010410 layer Substances 0.000 abstract description 11
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 11
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 9
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 abstract description 5
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 abstract description 3
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 abstract description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 abstract 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 abstract 1
- 239000005360 phosphosilicate glass Substances 0.000 description 7
- NXHILIPIEUBEPD-UHFFFAOYSA-H tungsten hexafluoride Chemical compound F[W](F)(F)(F)(F)F NXHILIPIEUBEPD-UHFFFAOYSA-H 0.000 description 5
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 2
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- -1 Na'' Chemical class 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N Tetraethyl orthosilicate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)OCC BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 239000002585 base Substances 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 210000004709 eyebrow Anatomy 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Chemical compound [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、タングステンの選択成長方法に関し、特に、
高集積の半導体集積回路装置の製造に適用して好適なも
のである。
高集積の半導体集積回路装置の製造に適用して好適なも
のである。
本発明は、シランによるタングステン化合物の還元反応
によりタングステンを選択成長させるようにしたタング
ステンの選択成長方法において、非成長領域の表面をプ
ラズマＣＶＤ法により形成された酸化シリコン膜で覆っ
た状態で上記タングステンを選択成長させることによっ
て、タングステンの選択成長の選択性の向上を図ること
ができるようにしたものである。
によりタングステンを選択成長させるようにしたタング
ステンの選択成長方法において、非成長領域の表面をプ
ラズマＣＶＤ法により形成された酸化シリコン膜で覆っ
た状態で上記タングステンを選択成長させることによっ
て、タングステンの選択成長の選択性の向上を図ること
ができるようにしたものである。
近年、高集積の半導体集積回路装置においては、拡散層
または金属配線上に形成したコンタクトホールまたはス
ルーホールの内部にタングステン（Ｗ）を選択成長させ
て埋め、その上に金属配線を形成することにより拡散層
または金属配線とのコンタクトをとる技術が用いられ始
めている。
または金属配線上に形成したコンタクトホールまたはス
ルーホールの内部にタングステン（Ｗ）を選択成長させ
て埋め、その上に金属配線を形成することにより拡散層
または金属配線とのコンタクトをとる技術が用いられ始
めている。
従来、このＷの選択成長は、水素（Ｈ２）による六フッ
化タングステン（ＷＦ６）の還元反応により行われてい
る。しかし、この場合の反応温度は４００〜６００℃と
高いため、融点の低いアルミニウム（ＡＩ）の配線上に
形成されたスルーホールの内部にＷを選択成長させる場
合のように許容最高プロセス温度が４５０°Ｃ程度に制
限される場合には、このＨｚ還元反応によるＷの選択成
長方法を用いることは困難であった。
化タングステン（ＷＦ６）の還元反応により行われてい
る。しかし、この場合の反応温度は４００〜６００℃と
高いため、融点の低いアルミニウム（ＡＩ）の配線上に
形成されたスルーホールの内部にＷを選択成長させる場
合のように許容最高プロセス温度が４５０°Ｃ程度に制
限される場合には、このＨｚ還元反応によるＷの選択成
長方法を用いることは困難であった。
一方、より低温でＷを選択成長させることが可能な方法
として、シラン（ＳｉＨ４）によるＷＦ６の還元反応に
よりＷを選択成長させる方法が知られている。この方法
によれば、１８０〜４００°Ｃ程度の低温でＷを選択成
長させることができるので、Ａ１配線上にＷを選択成長
させる場合にも用いることができる。
として、シラン（ＳｉＨ４）によるＷＦ６の還元反応に
よりＷを選択成長させる方法が知られている。この方法
によれば、１８０〜４００°Ｃ程度の低温でＷを選択成
長させることができるので、Ａ１配線上にＷを選択成長
させる場合にも用いることができる。
しかし、本発明者の検討によれば、スルーホールが形成
される層間絶縁膜が特にリンシリケートガラス（ＰＳＧ
）膜である場合には、Ｗの選択成長時に二のＰＳＧ膜の
表面にＷの核が成長してしまい、Ｗの選択成長の選択性
が悪いという問題があった。
される層間絶縁膜が特にリンシリケートガラス（ＰＳＧ
）膜である場合には、Ｗの選択成長時に二のＰＳＧ膜の
表面にＷの核が成長してしまい、Ｗの選択成長の選択性
が悪いという問題があった。
従って本発明の目的は、タングステンの選択成長の選択
性の向上を図ることができるタングステンの選択成長方
法を提供することにある。
性の向上を図ることができるタングステンの選択成長方
法を提供することにある。
本発明者は、上述の問題を解決するために種々実験を行
った結果、Ｗの選択成長時の下地がプラズマＣＶ Ｄ
（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏ
ｎ）法により形成された酸化シリコン（Ｓｉｎ６）膜で
ある場合にはこのＳｉｎ、膜上にはほとんどＷが成長し
ないことを見出した。
った結果、Ｗの選択成長時の下地がプラズマＣＶ Ｄ
（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏ
ｎ）法により形成された酸化シリコン（Ｓｉｎ６）膜で
ある場合にはこのＳｉｎ、膜上にはほとんどＷが成長し
ないことを見出した。
本発明は、このような本発明者が独自の実験により得た
知見に基づいて案出されたものである。
知見に基づいて案出されたものである。
すなわち、本発明は、シランによるタングステン化合物
（例えば、六フッ化タングステン）の還元反応によりタ
ングステンを選択成長させるようにしたタングステンの
選択成長方法において、非成長領域の表面をプラズマＣ
ＶＤ法により形成された酸化シリコン膜（６）で覆った
状態でタングステン（７，８）を選択成長させるように
している。
（例えば、六フッ化タングステン）の還元反応によりタ
ングステンを選択成長させるようにしたタングステンの
選択成長方法において、非成長領域の表面をプラズマＣ
ＶＤ法により形成された酸化シリコン膜（６）で覆った
状態でタングステン（７，８）を選択成長させるように
している。
上記酸化シリコン膜（６）の膜厚が約２０ｎｍ以下であ
ると膜中のピンホールが増加して選択成長の選択性が低
下するおそれがあるので、この酸化シリコン膜（６）の
膜厚は約２０ｎｍ程度以上とするのが好ましい。
ると膜中のピンホールが増加して選択成長の選択性が低
下するおそれがあるので、この酸化シリコン膜（６）の
膜厚は約２０ｎｍ程度以上とするのが好ましい。
上記した手段によれば、プラズマＣＶＤ法により形成さ
れた酸化シリコン膜（６）上ではタングステンの成長が
ほとんど起きず、選択成長させるべき表面にのみタング
ステンが成長する。これによって、タングステンの選択
成長の選択性の向上を図ることができる。
れた酸化シリコン膜（６）上ではタングステンの成長が
ほとんど起きず、選択成長させるべき表面にのみタング
ステンが成長する。これによって、タングステンの選択
成長の選択性の向上を図ることができる。
以下、本発明の一実施例について図面を参照しながら説
明する。
明する。
第１図Ａ〜第１図Ｃは本発明の一実施例による半導体集
積回路装置の製造方法を工程順に示す。
積回路装置の製造方法を工程順に示す。
本実施例においては、第１図Ａに示すように、あらかじ
め拡散層等（図示せず）が形成された例えばシリコン（
Ｓｉ）基板のような半導体基板１の上に形成された例え
ばＳｉＯ□膜のような絶縁膜２の上に例えばＡＩから成
る一層目の配線３．４を形成した後、例えばＣＶＤ法に
より例えばリン（Ｐ）を４．５・重量％含むＰＳＧ膜５
を層間絶縁膜として全面に形成する。このＰＳＧ膜５の
膜厚は例えば６００ ｎｍ程度である。次に、このＰＳ
Ｇ膜５の全面にプラズマＣＶＤ法により例えば膜厚が５
０ｎｍ程度の５ｉＯ８膜（以下、ｐ−５ｉｎ、膜という
）６を低温で形成する。このプラズマＣ■Ｄの際の反応
ガスとしては、（ＳｉＨ４＋Ｎｚ Ｏ）、ＴＥ０１ （
テトラエトキシシラン）、（ＴＥＯ３＋０□）等を用い
ることができる。
め拡散層等（図示せず）が形成された例えばシリコン（
Ｓｉ）基板のような半導体基板１の上に形成された例え
ばＳｉＯ□膜のような絶縁膜２の上に例えばＡＩから成
る一層目の配線３．４を形成した後、例えばＣＶＤ法に
より例えばリン（Ｐ）を４．５・重量％含むＰＳＧ膜５
を層間絶縁膜として全面に形成する。このＰＳＧ膜５の
膜厚は例えば６００ ｎｍ程度である。次に、このＰＳ
Ｇ膜５の全面にプラズマＣＶＤ法により例えば膜厚が５
０ｎｍ程度の５ｉＯ８膜（以下、ｐ−５ｉｎ、膜という
）６を低温で形成する。このプラズマＣ■Ｄの際の反応
ガスとしては、（ＳｉＨ４＋Ｎｚ Ｏ）、ＴＥ０１ （
テトラエトキシシラン）、（ＴＥＯ３＋０□）等を用い
ることができる。
次に、これらのｐ−３ｉｎ、膜６及び層間絶縁膜５の所
定部分を例えば反応性イオンエツチング（ＲＩＥ）によ
り基板表面と垂直方向に順次異方性エツチングして、第
１図Ｂに示すように、配線３．４の上にそれぞれスルー
ホールＨＩ、Ｈｚを形成する。
定部分を例えば反応性イオンエツチング（ＲＩＥ）によ
り基板表面と垂直方向に順次異方性エツチングして、第
１図Ｂに示すように、配線３．４の上にそれぞれスルー
ホールＨＩ、Ｈｚを形成する。
次に、例えば下式で表されるＳｉｇｎによるＷＦ６の還
元反応によりＷの選択成長を行う。この成長は１８０〜
４００°Ｃの範囲内の温度、例えば２８０°Ｃで行う。
元反応によりＷの選択成長を行う。この成長は１８０〜
４００°Ｃの範囲内の温度、例えば２８０°Ｃで行う。
Ｗ Ｆ ６（ｇ） ＋Ｓｉ Ｈ４（ｇ）→Ｗ（ｓ）
＋Ｓｉ Ｆ ４（ｇ） ＋ ２Ｈｚ（ｇ）これによって
、第１図Ｃに示すように、スルーホールＨ，、Ｈ，内に
Ｗが選択成長し、これらのスルーホールＨ２、Ｈｚの内
部がそれぞれＷ７．８により埋められる。この際、ｐ−
３ｉＯｘ膜６の上にはＷはほとんど成長しない。
＋Ｓｉ Ｆ ４（ｇ） ＋ ２Ｈｚ（ｇ）これによって
、第１図Ｃに示すように、スルーホールＨ，、Ｈ，内に
Ｗが選択成長し、これらのスルーホールＨ２、Ｈｚの内
部がそれぞれＷ７．８により埋められる。この際、ｐ−
３ｉＯｘ膜６の上にはＷはほとんど成長しない。
この後、例えばＡＩから成る二層目の配線（図示せず）
の形成等の工程を経て、目的とする半導体集積回路装置
が完成される。
の形成等の工程を経て、目的とする半導体集積回路装置
が完成される。
以上のように、この実施例によれば、非成長領域の表面
をｐ−５ｉｎ、膜６で覆った状態でＳｉＨ４によるＷＦ
、の還元反応によりＷの選択成長を行っているので、こ
の非成長領域の表面にはＷの成長は起きず、スルーホー
ルＨ，，Ｈ，の内部にのみＷが選択成長する。これによ
って、Ｗの選択成長の選択性の向上を図ることができる
。また、Ｗの選択成長を低温で行うことができるので、
上述のようにＡ１配線上にＷを選択成長させることがで
きる。
をｐ−５ｉｎ、膜６で覆った状態でＳｉＨ４によるＷＦ
、の還元反応によりＷの選択成長を行っているので、こ
の非成長領域の表面にはＷの成長は起きず、スルーホー
ルＨ，，Ｈ，の内部にのみＷが選択成長する。これによ
って、Ｗの選択成長の選択性の向上を図ることができる
。また、Ｗの選択成長を低温で行うことができるので、
上述のようにＡ１配線上にＷを選択成長させることがで
きる。
さらに、Ｎａ”のようなアルカリイオンに対するバリア
性の高いＰＳＧ膜５を層間絶縁膜として用いているので
、アルカリイオンの侵入によるトランジスタ特性の劣化
等を防止することができ、これによって半導体集積回路
装置の信頼性の向上を図ることができる。
性の高いＰＳＧ膜５を層間絶縁膜として用いているので
、アルカリイオンの侵入によるトランジスタ特性の劣化
等を防止することができ、これによって半導体集積回路
装置の信頼性の向上を図ることができる。
本実施例によるＷの選択成長方法は、ＭＯ３ＬＳｌ、バ
イポーラＬＳＩ、バイポーラ−ＣＭＯ５ＬＳＩ等の各種
の半導体集積回路装置の製造への適用が可能である。
イポーラＬＳＩ、バイポーラ−ＣＭＯ５ＬＳＩ等の各種
の半導体集積回路装置の製造への適用が可能である。
以上、本発明の実施例につき具体的に説明したが、本発
明は、上述の実施例に限定されるものではなく、本発明
の技術的思想に基づく各種の変形が可能である。
明は、上述の実施例に限定されるものではなく、本発明
の技術的思想に基づく各種の変形が可能である。
例えば、上述の実施例においては、−層目の配線３．４
上に形成されたスルーホールＨ，、Ｈ２をＷで埋める場
合について説明したが、本発明は、例えば半導体基板１
中に形成された拡散層上に形成されたコンタクトホール
をＷで埋める場合にも適用することが可能である。また
、上述の実施例においては、眉間絶縁膜としてＰＳＧ膜
５を用いているが、この眉間絶縁膜としてはＰＳＧ膜５
と異なる絶縁膜を用いることも可能である。
上に形成されたスルーホールＨ，、Ｈ２をＷで埋める場
合について説明したが、本発明は、例えば半導体基板１
中に形成された拡散層上に形成されたコンタクトホール
をＷで埋める場合にも適用することが可能である。また
、上述の実施例においては、眉間絶縁膜としてＰＳＧ膜
５を用いているが、この眉間絶縁膜としてはＰＳＧ膜５
と異なる絶縁膜を用いることも可能である。
以上述べたように、本発明によれば、非成長領域の表面
をプラズマＣＶＤ法により形成された酸化シリコン膜で
覆った状態でタングステンを選択成長させるようにして
いるので、この酸化シリコン膜上にはタングステンは成
長せず、これによってタングステンの成長の選択性の向
上を図ることができる。
をプラズマＣＶＤ法により形成された酸化シリコン膜で
覆った状態でタングステンを選択成長させるようにして
いるので、この酸化シリコン膜上にはタングステンは成
長せず、これによってタングステンの成長の選択性の向
上を図ることができる。
第１図Ａ〜第１図Ｃは本発明の一実施例による半導体集
積回路装置の製造方法を工程順に示す断面図である。 図面における主要な符号の説明 １：半導体基板、 ３．４ニ一層目の配線、５ ： Ｐ
ＳＧ膜、 ６ ： ｐ ＳｉＯｘ膜、 ７．８：Ｗ、
Ｈｌ、Ｈ２ニスルーホール。
積回路装置の製造方法を工程順に示す断面図である。 図面における主要な符号の説明 １：半導体基板、 ３．４ニ一層目の配線、５ ： Ｐ
ＳＧ膜、 ６ ： ｐ ＳｉＯｘ膜、 ７．８：Ｗ、
Ｈｌ、Ｈ２ニスルーホール。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 シランによるタングステン化合物の還元反応によりタン
グステンを選択成長させるようにしたタングステンの選
択成長方法において、 非成長領域の表面をプラズマＣＶＤ法により形成された
酸化シリコン膜で覆った状態で上記タングステンを選択
成長させるようにしたことを特徴とするタングステンの
選択成長方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63191667A JP2727574B2 (ja) | 1988-07-30 | 1988-07-30 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63191667A JP2727574B2 (ja) | 1988-07-30 | 1988-07-30 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0240919A true JPH0240919A (ja) | 1990-02-09 |
| JP2727574B2 JP2727574B2 (ja) | 1998-03-11 |
Family
ID=16278454
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63191667A Expired - Fee Related JP2727574B2 (ja) | 1988-07-30 | 1988-07-30 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2727574B2 (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6425321A (en) * | 1987-07-20 | 1989-01-27 | Nec Corp | Optical storage device |
| JPH0225568A (ja) * | 1988-07-15 | 1990-01-29 | Hitachi Ltd | 微細孔の金属穴埋め方法 |
-
1988
- 1988-07-30 JP JP63191667A patent/JP2727574B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6425321A (en) * | 1987-07-20 | 1989-01-27 | Nec Corp | Optical storage device |
| JPH0225568A (ja) * | 1988-07-15 | 1990-01-29 | Hitachi Ltd | 微細孔の金属穴埋め方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2727574B2 (ja) | 1998-03-11 |
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| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |