JPH0237685B2 - Denshibuhinnogaisohoho - Google Patents
DenshibuhinnogaisohohoInfo
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- JPH0237685B2 JPH0237685B2 JP6392284A JP6392284A JPH0237685B2 JP H0237685 B2 JPH0237685 B2 JP H0237685B2 JP 6392284 A JP6392284 A JP 6392284A JP 6392284 A JP6392284 A JP 6392284A JP H0237685 B2 JPH0237685 B2 JP H0237685B2
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- Japan
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- epoxy resin
- layer
- wax
- present
- capacitor
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- Expired - Lifetime
Links
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 29
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 claims description 16
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 claims description 16
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 6
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 claims description 6
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 claims description 6
- 239000003973 paint Substances 0.000 claims description 5
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000007787 solid Substances 0.000 claims description 4
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 9
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 5
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 4
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 3
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 239000004850 liquid epoxy resins (LERs) Substances 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- 239000008262 pumice Substances 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Apparatuses And Processes For Manufacturing Resistors (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
(1) 発明の技術分野
本発明は固体電解コンデンサ等の電子部品にお
ける外装方法に係り、特に外装体を樹脂液へのデ
イツピングにより形成する場合の電子部品の外装
方法に関するものである。
ける外装方法に係り、特に外装体を樹脂液へのデ
イツピングにより形成する場合の電子部品の外装
方法に関するものである。
(2) 技術の背景
樹脂デイツピングによる外装体はそれをモール
ド成型にて形成する場合に比べ安価で量産性良く
製作できる反面、素子と外装体との密着が不十分
で耐湿性に問題があり、時間経過による静電容量
変化率が大きくなる欠点があつた。
ド成型にて形成する場合に比べ安価で量産性良く
製作できる反面、素子と外装体との密着が不十分
で耐湿性に問題があり、時間経過による静電容量
変化率が大きくなる欠点があつた。
(3) 従来技術と問題点
従来このような欠点を解決するため、ポーラス
な表面状態にあるコンデンサ素子にまず絶縁性の
ワツクスを含浸して穴埋めし、この後液状エポキ
シ樹脂に該コンデンサ素子をデイツピングしこれ
を引上げて塗布したエポキシ樹脂を加熱硬化させ
ていたが、これでもワツクスとエポキシ樹脂の密
着性が不十分であり、且つ均一塗布もできないな
ど、静電容量変化率をそれほど小さくできなかつ
た。
な表面状態にあるコンデンサ素子にまず絶縁性の
ワツクスを含浸して穴埋めし、この後液状エポキ
シ樹脂に該コンデンサ素子をデイツピングしこれ
を引上げて塗布したエポキシ樹脂を加熱硬化させ
ていたが、これでもワツクスとエポキシ樹脂の密
着性が不十分であり、且つ均一塗布もできないな
ど、静電容量変化率をそれほど小さくできなかつ
た。
(4) 発明の目的
本発明の目的は、上記従来の欠点を解決し、静
電容量変化率を大幅に減少できなど特性の良好な
電子部品が得られる外装方法を提供することにあ
る。
電容量変化率を大幅に減少できなど特性の良好な
電子部品が得られる外装方法を提供することにあ
る。
(5) 発明の構成
本発明は上記目的を達成するため、ポーラスな
表面状態を有する電子部品素子にワツクス含浸
し、次にシリコン塗料膜を被覆し硬化させ、しか
る後該シリコン塗料膜にエポキシ樹脂を被覆し硬
化させる電子部品の外装方法を特徴とするもので
ある。
表面状態を有する電子部品素子にワツクス含浸
し、次にシリコン塗料膜を被覆し硬化させ、しか
る後該シリコン塗料膜にエポキシ樹脂を被覆し硬
化させる電子部品の外装方法を特徴とするもので
ある。
(f) 発明の実施例
第１図は本発明に係るアルミニウム固体電解コ
ンデンサを示す側断面図である。
ンデンサを示す側断面図である。
図において、１はコンデンサ素子、２は陽極リ
ード、３は陰極リード、４はワツクス層、５はシ
リコン樹脂層、６はエポキシ樹脂層である。
ード、３は陰極リード、４はワツクス層、５はシ
リコン樹脂層、６はエポキシ樹脂層である。
コンデンサ素子１はリード２を溶接したアルミ
ニウム陽極体を拡面エツチング処理−誘電体層
（Al2O3）形成−半導体層（MnO2）形成−陰極層
（Ag塗料等）形成リード３の半田付固定等により
形成されている。
ニウム陽極体を拡面エツチング処理−誘電体層
（Al2O3）形成−半導体層（MnO2）形成−陰極層
（Ag塗料等）形成リード３の半田付固定等により
形成されている。
このコンデンサ素子１は拡面エツチング処理で
その素子全面がポーラス状態（軽石状態）になつ
ており、誘電体層、半導体層、陰極層、リード固
定の半田層を該表面に被覆してもそのポーラスな
穴は完全に埋らず、依然として該コンデンサ素子
１の表面なポーラス状態になつている。
その素子全面がポーラス状態（軽石状態）になつ
ており、誘電体層、半導体層、陰極層、リード固
定の半田層を該表面に被覆してもそのポーラスな
穴は完全に埋らず、依然として該コンデンサ素子
１の表面なポーラス状態になつている。
本発明はこのようなコンデンサ素子１を先ず絶
縁性のワツクス液中に含浸させた後引上げて該ワ
ツクスを硬化させてそのポーラスの穴埋めを行な
うワツクス層４を形成し、次に該コンデンサ素子
１をシリコン液にデイツピングした後引上げて該
シリコンを硬化させてワツクス層４上にシリコン
樹脂層５を形成し、しかる後該コンデンサ素子１
をエポキシ樹脂液にデイツピングした後引上げて
該エポキシ樹脂を硬化してエポキシ樹脂層６を形
成した。
縁性のワツクス液中に含浸させた後引上げて該ワ
ツクスを硬化させてそのポーラスの穴埋めを行な
うワツクス層４を形成し、次に該コンデンサ素子
１をシリコン液にデイツピングした後引上げて該
シリコンを硬化させてワツクス層４上にシリコン
樹脂層５を形成し、しかる後該コンデンサ素子１
をエポキシ樹脂液にデイツピングした後引上げて
該エポキシ樹脂を硬化してエポキシ樹脂層６を形
成した。
このため本発明の外装体は図示の如く、コンデ
ンサ素子１上にワツクス層４−シリコン樹脂層５
−エポキシ樹脂層６を順次積層して形成されてい
る。
ンサ素子１上にワツクス層４−シリコン樹脂層５
−エポキシ樹脂層６を順次積層して形成されてい
る。
第２図は本発明によるコンデンサと従来コンデ
ンサの静電容量変化率特性を示す図で、縦軸は静
電容量変化率（％）を横軸は試験時間(H)を示し、
且つ図中の線Ａが本発明特性を線Ｂが従来特性を
示す。
ンサの静電容量変化率特性を示す図で、縦軸は静
電容量変化率（％）を横軸は試験時間(H)を示し、
且つ図中の線Ａが本発明特性を線Ｂが従来特性を
示す。
この実験は本発明コンデンサと従来コンデンサ
を多数製造し、それを温度60℃で湿度90％の試験
炉内で所定時間放置した際の特性を示している。
を多数製造し、それを温度60℃で湿度90％の試験
炉内で所定時間放置した際の特性を示している。
また本発明コンデンサの外装体はアルミニウム
固体電解コンデンサ素子をまず130℃にて溶融す
るワツクス中に含浸し引上げ放置して付着したワ
ツクスを硬化させワツクス層４を形成させた。次
にこのコンデンサ素子をシリコン（信越化学株式
会社製の“シリコンRTV”）とトルエンを１：５
の体積比で混合したシリコン樹脂液にデイツプ
し、引上げて塗布された該シリコン樹脂を放置し
て硬化させシリコン樹脂層５を形成させた。しか
る後、液状エポキシ樹脂に該コンデンサ素子をデ
イツプし、引上げて塗布された該エポキシ樹脂を
85℃の炉中で１時間乾燥した後、110℃の炉中で
１時間ポストメークして硬化させ、エポキシ樹脂
層６を形成した。
固体電解コンデンサ素子をまず130℃にて溶融す
るワツクス中に含浸し引上げ放置して付着したワ
ツクスを硬化させワツクス層４を形成させた。次
にこのコンデンサ素子をシリコン（信越化学株式
会社製の“シリコンRTV”）とトルエンを１：５
の体積比で混合したシリコン樹脂液にデイツプ
し、引上げて塗布された該シリコン樹脂を放置し
て硬化させシリコン樹脂層５を形成させた。しか
る後、液状エポキシ樹脂に該コンデンサ素子をデ
イツプし、引上げて塗布された該エポキシ樹脂を
85℃の炉中で１時間乾燥した後、110℃の炉中で
１時間ポストメークして硬化させ、エポキシ樹脂
層６を形成した。
これに対し従来コンデンサの外装体は、ワツク
ス層４上に直接エポキシ樹脂層６を形成したもの
で、他の形成条件は本発明コンデンサと同じにし
た。
ス層４上に直接エポキシ樹脂層６を形成したもの
で、他の形成条件は本発明コンデンサと同じにし
た。
第２図のデータから明らかなように、本発明コ
ンデンサは従来に比べ静電容量変化率が大幅に減
少する。
ンデンサは従来に比べ静電容量変化率が大幅に減
少する。
また本発明コンデンサはエポキシ樹脂層６の密
着性が良好となり、該樹脂層６の均一な塗布膜が
得られる。
着性が良好となり、該樹脂層６の均一な塗布膜が
得られる。
(7) 発明の効果
以上の本発明によれば、シリコン樹脂層がワツ
クス層とエポキシ樹脂層の密着層として機能する
ため、静電容量変化率の大幅な減少および均一厚
さの塗布が可能となり、その効果は著しいもので
ある。
クス層とエポキシ樹脂層の密着層として機能する
ため、静電容量変化率の大幅な減少および均一厚
さの塗布が可能となり、その効果は著しいもので
ある。
第１図は本発明に係るコンデンサを示す側断面
図、第２図は本発明コンデンサと従来の静電容量
変化率特性を示す図である。 〔符号の説明〕、１……コンデンサ素子、４…
…ワツクス層、５……シリコン樹脂層、６……エ
ポキシ樹脂層。
図、第２図は本発明コンデンサと従来の静電容量
変化率特性を示す図である。 〔符号の説明〕、１……コンデンサ素子、４…
…ワツクス層、５……シリコン樹脂層、６……エ
ポキシ樹脂層。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ ポーラスな表面状態を有する電子部品素子に
ワツクスを含浸し、次にシリコン塗料膜を被覆
し、硬化させ、しかる後該シリコン塗料膜にエポ
キシ樹脂を被覆し硬化させることを特徴とした電
子部品の外装方法。 ２ 前記電子部品素子がアルミニウムやタンタル
等の固体電解コンデンサ素子であることを特徴と
した特許請求の範囲第１項記載の電子部品の外装
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6392284A JPH0237685B2 (ja) | 1984-03-30 | 1984-03-30 | Denshibuhinnogaisohoho |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6392284A JPH0237685B2 (ja) | 1984-03-30 | 1984-03-30 | Denshibuhinnogaisohoho |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60206128A JPS60206128A (ja) | 1985-10-17 |
| JPH0237685B2 true JPH0237685B2 (ja) | 1990-08-27 |
Family
ID=13243313
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6392284A Expired - Lifetime JPH0237685B2 (ja) | 1984-03-30 | 1984-03-30 | Denshibuhinnogaisohoho |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0237685B2 (ja) |
-
1984
- 1984-03-30 JP JP6392284A patent/JPH0237685B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS60206128A (ja) | 1985-10-17 |
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