JPH0235734A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPH0235734A JPH0235734A JP18621788A JP18621788A JPH0235734A JP H0235734 A JPH0235734 A JP H0235734A JP 18621788 A JP18621788 A JP 18621788A JP 18621788 A JP18621788 A JP 18621788A JP H0235734 A JPH0235734 A JP H0235734A
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Landscapes
- Element Separation (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体装置の製造方法に関し、特にシリコンデ
バイスの選択加熱酸化による素子分離領域形成後のゲッ
タリング技術に関する。
バイスの選択加熱酸化による素子分離領域形成後のゲッ
タリング技術に関する。
従来、この種の選択加圧酸化による素子分離領域形成後
のゲッタリング技術は、この素子分離領域形成に用いた
シリコン窒化膜とこの素子分離領域形成工程で成長した
厚い酸化膜とを保護膜として、半導体基板の裏面に、高
濃度リン拡散層を形成していた。
のゲッタリング技術は、この素子分離領域形成に用いた
シリコン窒化膜とこの素子分離領域形成工程で成長した
厚い酸化膜とを保護膜として、半導体基板の裏面に、高
濃度リン拡散層を形成していた。
上述した従来の選択加圧酸化による素子分離領域形成後
のゲッタリング技術はこの素子分離領域形成に用いたシ
リコン窒化膜を、ゲッタリングリン拡散用のリン拡散保
護膜として使用しているため、素子分離領域の境界部に
おいてシリコン窒化膜の圧縮応力が働き、ストレスが集
中して結晶欠陥が発生し、素子分離領域をそのまま素子
に用いると、結晶欠陥によるリーク不良等の特性不良が
発生するという欠点がある。
のゲッタリング技術はこの素子分離領域形成に用いたシ
リコン窒化膜を、ゲッタリングリン拡散用のリン拡散保
護膜として使用しているため、素子分離領域の境界部に
おいてシリコン窒化膜の圧縮応力が働き、ストレスが集
中して結晶欠陥が発生し、素子分離領域をそのまま素子
に用いると、結晶欠陥によるリーク不良等の特性不良が
発生するという欠点がある。
本発明による選択加圧酸化による素子分離領域形成にお
けるゲッタリング技術は、この素子分離領域形成後素子
分離領域形成に用いたシリコン窒化膜と、半導体基板の
裏面に形成された加圧酸化による酸化膜を除去してから
、半導体基板の表面にシリコン窒化膜をＣＶＤ法にて堆
積した後、半導体基板の裏面に高濃度リン拡散層を形成
することを有する。
けるゲッタリング技術は、この素子分離領域形成後素子
分離領域形成に用いたシリコン窒化膜と、半導体基板の
裏面に形成された加圧酸化による酸化膜を除去してから
、半導体基板の表面にシリコン窒化膜をＣＶＤ法にて堆
積した後、半導体基板の裏面に高濃度リン拡散層を形成
することを有する。
次に、本発明について図面を参照して説明する。
第１図は本発明の一実施例の工程縦断面図である。シリ
コン基板又はエピタキシャルウエノ１−１に薄いシリコ
ン酸化膜２を形成し、その上にシリコン窒化膜３ａをＣ
ＶＤ法により堆積させる。その後フォトレジストを用い
選択的にパターンニングを行いシリコン窒化膜３ａとシ
リコン酸化膜２を除去する。そこで露出したシリコン基
板１を加圧酸化することにより厚い酸化膜４ａ、４ｂを
形成する（第１図（ａ））。ここで従来のゲッタリング
技術は、シリコン基板１の裏面に形成された酸化膜４ｂ
を除去した後選択加圧酸化による素子分離領域形成で用
いたシリコン窒化膜３ａとＬＯＧＯ８で形成した厚い酸
化膜４ａを保護膜とし、シリコン基板１の裏面に高濃度
リン拡散層５を形成するが、リン拡散の熱処理によりシ
リコン窒化膜３ａの圧縮応力から素子分離領域境界部に
ストレス６が入ってしまい（第３図）、素子にそのまま
用いるとリーク等の特性不良が発生してしまう。そこで
シリコン窒化膜３ａと裏面に形成されたシリコン酸化膜
４ｂを除去するが（第１図（ｂ乃、この状態で高濃度リ
ン拡散を行えばシリコン窒化膜の圧縮応力は働かないが
シリコン酸化膜を通してリンが拡散してしまう。また酸
化膜厚を厚くするとエピタキシャルウェーハスのエビ厚
が変動しＣしまう。そこでシリコン酸化膜２及び素子分
離領域形成で形成した厚いシリコン酸化膜４ａ上に新た
にシリコン窒化膜３ｂをＣＶＤ法により堆積させ、そこ
で高濃度リン拡散を行い裏面に高濃度リン拡散層５を形
成し、歪み等を軽減させる（第１図（Ｃ））。
コン基板又はエピタキシャルウエノ１−１に薄いシリコ
ン酸化膜２を形成し、その上にシリコン窒化膜３ａをＣ
ＶＤ法により堆積させる。その後フォトレジストを用い
選択的にパターンニングを行いシリコン窒化膜３ａとシ
リコン酸化膜２を除去する。そこで露出したシリコン基
板１を加圧酸化することにより厚い酸化膜４ａ、４ｂを
形成する（第１図（ａ））。ここで従来のゲッタリング
技術は、シリコン基板１の裏面に形成された酸化膜４ｂ
を除去した後選択加圧酸化による素子分離領域形成で用
いたシリコン窒化膜３ａとＬＯＧＯ８で形成した厚い酸
化膜４ａを保護膜とし、シリコン基板１の裏面に高濃度
リン拡散層５を形成するが、リン拡散の熱処理によりシ
リコン窒化膜３ａの圧縮応力から素子分離領域境界部に
ストレス６が入ってしまい（第３図）、素子にそのまま
用いるとリーク等の特性不良が発生してしまう。そこで
シリコン窒化膜３ａと裏面に形成されたシリコン酸化膜
４ｂを除去するが（第１図（ｂ乃、この状態で高濃度リ
ン拡散を行えばシリコン窒化膜の圧縮応力は働かないが
シリコン酸化膜を通してリンが拡散してしまう。また酸
化膜厚を厚くするとエピタキシャルウェーハスのエビ厚
が変動しＣしまう。そこでシリコン酸化膜２及び素子分
離領域形成で形成した厚いシリコン酸化膜４ａ上に新た
にシリコン窒化膜３ｂをＣＶＤ法により堆積させ、そこ
で高濃度リン拡散を行い裏面に高濃度リン拡散層５を形
成し、歪み等を軽減させる（第１図（Ｃ））。
第２図は本発明の他の実施例の工程縦断面図である。
第１図（ａ）で示した選択加圧酸化による素子分離領域
の形成で形成された厚い酸化膜４ａ４ｂを除去した後、
側壁シリコン酸化膜とシリコン窒化膜成長をしてから、
加圧酸化を行う（第２図（ａ））。
の形成で形成された厚い酸化膜４ａ４ｂを除去した後、
側壁シリコン酸化膜とシリコン窒化膜成長をしてから、
加圧酸化を行う（第２図（ａ））。
選択加圧酸化法の変形素子分離技術５ＰＯＴ（Ｓｅｌｆ
ａｌｉｎｅｄ Ｐｌａｎｅｒ ０ｘｉｄａｔｉｏｎ Ｔ
ｅｃｈｎｏｌｏｇいを例にとる。裏面のシリコン酸化膜
４ｂを除去し、選択加圧酸化で用いたシリコン窒化膜３
ａを除去しないで、シリコン基板１表面にシリコン窒化
膜３ｂを全面にＣＶＤ法によって堆積させる（第２図（
ｂ））。次に高濃度リン拡散を行い裏面に高濃度リン拡
散層５を形成し、歪み等を軽減させる（第２図（Ｃ））
。
ａｌｉｎｅｄ Ｐｌａｎｅｒ ０ｘｉｄａｔｉｏｎ Ｔ
ｅｃｈｎｏｌｏｇいを例にとる。裏面のシリコン酸化膜
４ｂを除去し、選択加圧酸化で用いたシリコン窒化膜３
ａを除去しないで、シリコン基板１表面にシリコン窒化
膜３ｂを全面にＣＶＤ法によって堆積させる（第２図（
ｂ））。次に高濃度リン拡散を行い裏面に高濃度リン拡
散層５を形成し、歪み等を軽減させる（第２図（Ｃ））
。
以上説明したように、本発明は、選択加圧酸化法による
素子分離領域を形成した後、裏面ゲッタリングリン拡散
を行う前に半導体基板の表面にシリコン窒化膜をＣＶＤ
法で堆積した後、半導体基板の裏面に高濃度リン拡散層
を形成することで、ＬＯＧＯ３境界部におけるシリコン
窒化膜の圧縮応力からのストレスをなくし、結晶欠陥に
よるリーク不良等の特性不良を防ぐ効果がある。
素子分離領域を形成した後、裏面ゲッタリングリン拡散
を行う前に半導体基板の表面にシリコン窒化膜をＣＶＤ
法で堆積した後、半導体基板の裏面に高濃度リン拡散層
を形成することで、ＬＯＧＯ３境界部におけるシリコン
窒化膜の圧縮応力からのストレスをなくし、結晶欠陥に
よるリーク不良等の特性不良を防ぐ効果がある。
第１図（ａ）〜（ｃ）は本発明の一実施例の工程縦断面
図、第２図（ａ）〜（ｃ）は本発明の他の実施例の工程
縦断面図、第３図は従来方法による裏面ゲッタ゛リング
リン拡散時におけるストレス位置を表す縦断面図である
。 １・・・・・・シリコン基板又はエピタキシャルウェハ
ー、２・・・・・・薄いシリコン酸化膜、３ａ・・・・
・・シリコン窒化膜、３ｂ・・・・・・新たに形成した
シリコン窒化膜、４ａ、４ｂ・・・・・・選択酸化で形
成したシリコン酸化膜、５・・・・・・高濃度リン拡散
層、６・・・・・・ストレス 代理人 弁理士 内 原 晋
図、第２図（ａ）〜（ｃ）は本発明の他の実施例の工程
縦断面図、第３図は従来方法による裏面ゲッタ゛リング
リン拡散時におけるストレス位置を表す縦断面図である
。 １・・・・・・シリコン基板又はエピタキシャルウェハ
ー、２・・・・・・薄いシリコン酸化膜、３ａ・・・・
・・シリコン窒化膜、３ｂ・・・・・・新たに形成した
シリコン窒化膜、４ａ、４ｂ・・・・・・選択酸化で形
成したシリコン酸化膜、５・・・・・・高濃度リン拡散
層、６・・・・・・ストレス 代理人 弁理士 内 原 晋
Claims (1)
- 選択酸化法による素子分離領域を形成した後、半導体素
子製造工程に生じる結晶欠陥の歪除去を目的とした裏面
ゲッタリングリン拡散を行う工程において、該裏面ゲッ
タリングリン拡散を行う前に、半導体基板の裏面にシリ
コン窒化膜を堆積した後、該半導体基板の裏面に高濃度
リン拡散層を形成することを特徴とする半導体装置の製
造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18621788A JPH0235734A (ja) | 1988-07-25 | 1988-07-25 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18621788A JPH0235734A (ja) | 1988-07-25 | 1988-07-25 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0235734A true JPH0235734A (ja) | 1990-02-06 |
Family
ID=16184419
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18621788A Pending JPH0235734A (ja) | 1988-07-25 | 1988-07-25 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0235734A (ja) |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS49116957A (ja) * | 1972-10-25 | 1974-11-08 | ||
| JPS5674939A (en) * | 1979-11-22 | 1981-06-20 | Toshiba Corp | Preparation method of semiconductor integrated circuit |
| JPS59222939A (ja) * | 1983-06-01 | 1984-12-14 | Hitachi Ltd | 半導体装置 |
| JPS6263435A (ja) * | 1985-09-13 | 1987-03-20 | Nec Corp | 半導体装置の製造方法 |
-
1988
- 1988-07-25 JP JP18621788A patent/JPH0235734A/ja active Pending
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS49116957A (ja) * | 1972-10-25 | 1974-11-08 | ||
| JPS5674939A (en) * | 1979-11-22 | 1981-06-20 | Toshiba Corp | Preparation method of semiconductor integrated circuit |
| JPS59222939A (ja) * | 1983-06-01 | 1984-12-14 | Hitachi Ltd | 半導体装置 |
| JPS6263435A (ja) * | 1985-09-13 | 1987-03-20 | Nec Corp | 半導体装置の製造方法 |
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