JPH0232670B2 - - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の利用分野〕 本発明はグラフイツクプロセツサなどにおける
塗潰し処理方式に関する。

〔発明の背景〕

グラフイツクプロセツサなどでは、ある枠線で
囲まれた領域内を所望塗潰しパターンで塗潰す処
理がしばしば発生する。このような場合、従来は
第３図あるいは第４図の方法により塗潰し処理を
実現していた。

初め第３図の塗潰し処理方式を説明すると、１
１は塗潰し処理結果のドツト情報を記憶するドツ
トメモリ、１２はドツトメモリ１１と同容量の枠
線情報書込メモリ、１３は同じくドツトメモリ１
１と同容量の始終点書込メモリ、１４は塗潰し範
囲を規定する枠線情報、塗潰しパターン情報など
が予め格納されているデータバツフアである。
今、データバツフア１４より枠線情報が読み出さ
れて、図示するように、メモリ１２に枠線情報が
書込まれ、該枠線情報から作成された始終点情報
がメモリ１３に書込まれているとする。塗潰し処
理は、例えばドツトメモリ１１のY_i行に着目した
場合、枠線情報書込メモリ１２の枠線情報を参照
して、ａ点で塗潰しを開始してｂ点で一担やめ、
ｃ点で再び塗潰しを開始してｄ点で終了とする。
これをドツトメモリ１１の各行について順次おこ
なう。この処理中、始終点情報書込メモリ１３を
同時に参照して、始終点位置（丸印点）が検出さ
れたら、その点では塗潰しの開始あるいは終了を
禁止する。これにより、規定された枠線の領域内
に対し、正しく塗潰し処理が達成される。

第３図の塗潰し処理方式の欠点は、塗潰し処理
専用にドツトメモリと同容量のメモリを２面必要
とするため（即ち、枠線情報書込メモリ１２と始
終点情報書込メモリ１３）、ハード量が膨大とな
ることである。また、これらのメモリに対して枠
線情報、始終点情報をそれぞれ書込むのに要する
処理時間が無視できないことである。

次に第４図の塗潰し処理方式を説明すると、２
１は塗潰し処理結果のドツト情報を記憶するドツ
トメモリ、２２は塗潰し範囲を規定する枠線情
報、塗潰しパターン情報などが予め格納されてい
るデータバツフアである。塗潰し処理は例えば第
５図の順序で行う。まずデータバツフア２２より
枠線情報を読出し、ドツトメモリ２１上の所望塗
潰し範囲100を規定する（第５図ａ）。続いて第１
枠線２０１をドツトメモリ２１上にドツト展開
し、該枠線の右隣接ドツト位置より塗潰し範囲
100の右端位置101までの領域について塗潰し処理
を行う（第５図ｂ）。この塗潰し処理は、既にド
ツトメモリ２１に書込まれているドツトデータを
読出し、これと塗潰しパターンデータとの排他的
論理和をとり、再びドツトメモリ２１へ書込むこ
とで行う。従つて、ドツトメモリ２１の既ドツト
データが“０”で塗潰しパターンデータが“１”
の場合は、塗潰し処理結果として“１”がドツト
メモリ２１に書込まれ、既ドツトデータが“１”
で塗潰しパターンデータも“１”の場合は、塗潰
し処理結果として“０”が書込まれる。続いて第
２枠線２０２をドツトメモリ２１上にドツト展開
し、該枠線２０２の右隣接位置より塗潰し範囲の
右端位置101までの領域について、既ドツトデー
タと塗潰しパターンデータとの排他的論理和をと
ることにより、第５図ｃが得られる。続いて第３
枠線２０３をドツトメモリ２１上にドツト展開
し、同様の塗潰し処理を行うことにより第５図ｄ
が得られる。最後に第４枠線２０４をドツトメモ
リ２１上にドツト展開し、同様の塗潰し処理を行
つて第５図ｅの最終結果を得、塗潰し処理を終了
とする。なお、枠線はどれからドツトメモリ上に
展開しても同一の結果が得られる。

この塗潰し処理方式は、最少のハード量で塗潰
し処理を行える利点があるが、既ドツトデータと
塗潰しパターンデータの排他的論理和をとること
で塗潰し処理を行うため、ドツトメモリの塗潰し
範囲内に既に何らかの情報が書き込まれている場
合は、その部分の既書込み情報が抜けるなど、期
待した結果が得らない欠点を有している。

〔発明の目的〕

本発明の目的は、前述した従来方式の欠点を解
消し、グラフイツク処理等において、特に塗潰し
範囲を規定する枠線が複雑な図形に対して効果的
な塗潰し処理方式を提供することにある。

〔発明の概要〕

本発明は塗潰し処理結果のドツト情報を記憶す
るドツトメモリの他に、塗潰し処理専用に、ドツ
トメモリと同容量の塗潰しマスクパターン書込メ
モリを一面用意する。塗潰し処理を行う場合、ま
ず第５図で説明したような処理方式によつて、塗
潰すべき領域内を“べた黒”とした塗潰しマスク
パターンを前記マスクパターン書込メモリ上に作
成する。次にこの塗潰しマスクパターンと、所望
塗潰しマスクパターン情報との論理積をとつてド
ツトメモリに書込み、塗潰し処理を行う。

〔発明の実施例〕

第１図は本発明の一実施例の概略構成図を示
す。第１図において、１は塗潰し情報データバツ
フア、２はグラフイツクプロセツサ、３は塗潰し
マスクパターン書込メモリ、４はドツトメモリで
ある。データバツフア１には塗潰し処理のため、
枠線情報としての各枠線の始終点座標アドレスと
塗潰しパターン情報（例えば斜線ハツチング、べ
た黒等）が格納されている。塗潰し処理を行うグ
ラフイツクプロセツサ２での処理はＡ、Ｂ、Ｃ、
Ｄに大別される。まず、データバツフア１より各
枠線の始終点座標アドレス情報を取込み、これら
の情報をもとに塗潰しマスクパターン書込メモリ
３上に塗潰し作業範囲100を規定する（処理Ａ）。
次に同じく始終点座標アドレス情報をもとに塗潰
しマスクパターン書込メモリ３上に枠線を書込
み、該枠線領域内を全て黒情報でうめて、塗潰し
マスクパターン５を作成する（処理Ｂ）。次に、
始終点座標アドレス情報をもとにドツトメモリ４
上に枠線を書込む（処理Ｃ）。最後にデータバツ
フア１より塗潰しパターン情報を読み取り、ドツ
トメモリ４の枠線領域内に、前記メモリ３に格納
された塗潰しマスクパターン５と該塗潰しパター
ン情報との論理積結果を書込む（処理Ｄ）。この
ようにして、ドツトメモリ４には、塗潰しマスク
パターン書込メモリ３のマスクパターン５に対し
目的の塗潰し処理結果パターン６が形成される。
第１図は塗潰しパターン情報を斜線ハツチングと
した例である。

第２図は上記塗潰しマスクパターン書込メモリ
３上に枠線を書込み、該枠線領域内を全て黒情報
でうめて塗潰しマスクパターンを作成する処理Ｂ
の詳細を示したものである。これは基本的には第
５図ｂ〜ｅの処理と同じである。マスクパターン
書込メモリ３上の既ドツトデータは、はじめオー
ル“０”である。データバツフア１より読込んだ
始終点座標アドレス情報をもとに塗潰しマスクパ
ターン書込メモリ３上に第１枠線２０１を書込
み、該枠線２０１の右隣接位置より塗潰し作業範
囲の右端位置101までの領域について、既ドツト
データと“１”情報（黒情報）との排他的論理和
をとつて書込むことにより、第２図ａの処理結果
を得る。続いて塗潰しマスクパターン書込メモリ
３上に第２枠線２０２を書込み、該枠線２０２の
右隣接位置より塗潰し作業範囲の右端位置101ま
での領域について、既ドツトデータと“１”情報
との排他的論理和をとると、当該領域内の既ドツ
トデータは“１”となつているため、第２図ｂの
処理結果を得る。同様の処理を、第３枠線２０３
の右隣接位置より塗潰し作業範囲の右端位置101
までの領域、第４枠線２０４の右隣接位置より塗
潰し作業範囲の右端位置101までの領域について
順次実行することにより、第２図ｃ、第２図ｄの
処理結果を得る。この第２図ｄの処理結果が最終
的な塗潰しマスクパターン５である。

第６図は上記マスクパターン作成処理に係わる
ハード構成の一実施例、第７図はその処理フロー
を示す。なお、ドツトデータは16ドツトを１ワー
ドとして読み書きされるとする。始終点座標アド
レス情報16ビツトからなり、上位12ビツトでワー
ドアドレス、下位４ビツトでワード内ドツトアド
レスを指定するものとする。

塗潰し情報データバツフア１に格納されている
第１枠線の始終点座標アドレス情報を取込み、始
点座標アドレスをレジスタ３１に、終点座標アド
レスをレジスタ３２にセツトする。（ステツプ
301）。グラフイツクプロセツサ制御部３５は上記
始終点座標アドレス情報から第１枠線のドツト座
標を算出し、その第１番目の線分ドツトアドレス
（これは終点座標アドレス情報に等しい）をレジ
スタ３１にあらためてセツトし、該レジスタ３１
の内容を塗潰しマスクパターン書込メモリ３の書
込アドレスとして“１”情報を書込む（ステツプ
302）。これにより、第１枠線の第１番目の線分ド
ツトが塗潰しマスクパターン書込メモリ３に書込
まれたことになる。

続いて上記レジスタ３１の下位４ビツトをシフ
トコントロールレジスタ３３に入れ（ステツプ
303）、上位12ビツトはワードアドレスレジスタ３
４に入れる（ステツプ304）。一方、レジスタ３６
には１ワード＝16ビツトがオール“１”であるデ
ータが予め格納されている。シフタ３７はシフト
コントロールレジスタ３３で指定されたビツト数
分プラス１だけレジスタ３６のデータを右へシフ
トし、書込データレジスタ３８へ格納する（ステ
ツプ305）。次に、ワードアドレスレジスタ３４で
示される塗潰しマスクパターン書込メモリ３の該
当アドレスのデータを読出し、読出しデータレジ
スタ３９へ格納する（ステツプ306）。次にレジス
タ３８と３９の内容を該当ビツト対応にゲート４
０で排他的論理和をとつた後、上記ワードアドレ
スレジスタ３４で示されるメモリ３の同一アドレ
スに書込む（ステツプ307）。次に、ワードアドレ
スレジスタ３４の内容を＋１し（ステツプ309）、
レジスタ３６の１ワードがオール“１”であるデ
ータを直接書込データレジスタ３８へ格納する
（ステツプ310）。その後、ステツプ306へ戻り、ワ
ードアドレスレジスタ３４で示される塗潰しマス
クパターン書込メモリ３の該当アドレスのデータ
を読出しデータレジスタ３９に読出し、レジスタ
３８と３９の内容に対して排他的論理和をとつた
後、メモリ３の同一アドレスに書込む。そして、
ワードアドレスレジスタ３４の内容を＋１する。
以下、ワードアドレスレジスタ３４の内容が塗潰
し作業範囲の最大のアドレスを格納したレジスタ
４１の内容と一致するまで同様の動作を繰り返す
（ステツプ308）。ワードアドレスレジスタ３４と
レジスタ４１の内容が一致すると、比較回路４２
は一致信号をグラフイツクプロセツサ制御部３５
に与える。

以上の処理で塗潰し作業範囲における第１枠線
の１走査線分の塗潰し処理が終了する。

続いてグラフイツクプロセツサ制御部３５は第
１枠線の第２番目の線分ドツトアドレスをレジス
タ３１にセツトし、ステツプ302以降の処理を行
う。そして、このステツプ302以降の処理を、レ
ジスタ３１の内容が第１枠線の終点座標アドレス
を格納したレジスタ３２の内容と一致するまで繰
り返す（ステツプ311）。レジスタ３１とレジスタ
３２の内容が一致すると、比較回路４３は一致信
号をグラフイツクプロセツサ制御部３５に与え、
これによつて第１枠線に係る塗潰し処理（第２図
ａの処理）が終了する。

塗潰しの枠線がｎ木であれば、第７図の処理を
ｎ回繰り返すことにより、塗潰しマスクパターン
書込メモリ３に目的の塗潰しマスクパターンが作
成される。第１図における塗潰しマスクパターン
５はｎ＝４の場合の一例である。

上記塗潰しマスクパターンを塗潰しマスクパタ
ーン書込メモリ３に作成した後、ドツトメモリ４
上に枠線ドツトを書込み（処理Ｃ）、その領域内
について、塗潰しマスクパターンと所望塗潰しマ
スクパターンとの論理積をとり、その結果ドツト
メモリ４上に書込むことによつて（処理Ｄ）、塗
潰し処理が全て終了する。処理Ｃのドツトメモリ
上に枠線ドツトを生成することは周知であり、ま
た、処理Ｄはメモリ３と４を同時に動作させ、メ
モリ３から読出されたマスクパターンと所望塗潰
しパターンとの論理積結果をメモリ４上の該当ド
ツト位置に書込むことで達成されるため、これら
処理の詳細は省略する。

〔発明の効果〕

以上の説明から明らな如く、本発明によれば次
のような効果が得られる。

(1) 第３図の従来方式に比べ、メモリを１面減ら
すことができるため、経済的であり、低価格製
品への適用も可能である。

(2) 第４図の従来方式に比べ、メモリは１面増加
することになるが、塗潰しマスクパターンを用
いることにより、高品質の出力結果を得ること
ができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例の概略構成図、第２
図は本発明で用いる塗潰しマスクパターンの作成
法を説明する図、第３図は従来の塗潰し処理方式
を示す図、第４図は従来の塗潰し処理方式の他の
例を示す図、第５図は第４図による塗潰し処理を
説明する図、第６図は本発明で用いる塗潰しマス
クパターンの作成に係わるハードウエア構成の一
実施例を示す図、第７図は第６図の動作を説明す
るためのフロー図である。 １……塗潰し情報データバツフア、２……グラ
フイツクプロセツサ、３……塗潰しマスクパター
ン書込メモリ、４……塗潰し処理結果ドツトメモ
リ、５……塗潰しマスクパターン、６……塗潰し
処理方式。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １ ドツトメモリ上の所定領域を所望塗潰しパタ
   ーン情報で塗潰す処理方式において、 前記ドツトメモリと同容量の塗潰しマスクパタ
   ーン書込メモリ上に、枠線の書込み及び該枠線の
   右側あるいは左側領域への既ドツトデータと
   “１”情報との排他的論理和の書込みを繰り返し
   て、枠線で囲まれた塗潰すべき領域を全て論理
   “１”でうめたマスクパターンを形成し、 前記塗潰しマスクパターン書込メモリ上に形成
   したマスクパターンと所望塗潰しパターン情報と
   の論理積を前記ドツトメモリに書込むことを特徴
   とする塗潰し処理方式。