JPH0230131A - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

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Publication number
JPH0230131A
JPH0230131A JP63180892A JP18089288A JPH0230131A JP H0230131 A JPH0230131 A JP H0230131A JP 63180892 A JP63180892 A JP 63180892A JP 18089288 A JP18089288 A JP 18089288A JP H0230131 A JPH0230131 A JP H0230131A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
polyimide
pad
film
semiconductor device
protective film
Prior art date
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Pending
Application number
JP63180892A
Other languages
English (en)
Inventor
Juri Kato
樹理 加藤
Ryuhei Miyagawa
宮川　隆平
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Seiko Epson Corp
Original Assignee
Seiko Epson Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Seiko Epson Corp filed Critical Seiko Epson Corp
Priority to JP63180892A priority Critical patent/JPH0230131A/ja
Publication of JPH0230131A publication Critical patent/JPH0230131A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/02—Bonding areas ; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L24/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/484—Connecting portions
    • H01L2224/48463—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Formation Of Insulating Films (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は、半導体装置に関する。特に熱応力に優れた半
導体装置において有効である。
［従来の技術］ 従来、ＬＳＩチップがポリイミドフート保護膜で覆われ
た半導体装置において、該ポリイミド保護膜をすべての
パッド電極より外側に形成することが困難であった。こ
れはＡＬパッドが長方形または正方形で、かつ、ポリイ
ミド保護膜のパッド開孔部も長方形または正方形であっ
たため、金ボールの円形に対するマージンを考えると、
ポリイミド膜の開孔部を大きく取る（例えば−辺２００
μｍ以上）必要があったためである。この従来の方法で
は、チップとパッケージの大型化により封止樹脂の応力
が顕著になり、電極パッドのスライドやボンディングオ
ーブンの不具合が発生した。
特に、チップ端とパッド端の間にポリイミド保護膜がな
い部分でのボンディングオーブンが多発した。また、Ａ
Ｌパッドのスライド及び金ボールのパッドとの密着性の
劣化について、ポリイミド保護膜開口部の４つの角領域
が激しい。これは、ボッイミド開口部が、封止ｆｉｌ脂
ストストレス向、すなわちチップ端と垂直な方向に垂直
な面が存在するためである。
［発明が解決しようとする課題］ 本発明は、かかる従来の欠点を回避し、電極パッドのス
ライドやボンディングオーブンの生じない高信頼性の半
導体装置を提供することを目的とする。
［課題を解決するための手段］ 本発明は、パッド電極とチップ端の間の領域には必ず、
ポリイミド膜を形成することにより、封止樹脂ストレス
を上記ポリイミド膜により緩和している。また、ポリイ
ミド保護膜のパッド開口部を多角化または円形化するこ
とにより、樹脂応力の集中を回避している。
［実　施　例］ 以下実施例を用いて説明する。第１図は、本発明による
電極パッド構造を持つ半導体装置の表面図で、第２図は
その断面図である。ｌはチップ端を示し、２はポリイミ
ドパッド開口部、２′はボッイミド膜終端を示す。３は
ＡＬパッド電極である。本実施例では、ポリイミドパッ
ド開口部及びＡＬパッドどちらについても円形になって
いる。
また第２図の断面図から、Ｓｉ基板１０上の絶縁膜１１
上にはＡＬパッド１３が形成され、パッシベーション膜
１２上には、ポリイミド膜１４゜１４′が形成されてい
る。ＡＬパッド１３は金ボール１５と金ワイヤ１６とに
より外部に接続される。本実施例では、チップ端１とＡ
Ｌパッド１３との間にはポリイミド保護１９１４’が存
在し、ポリイミド保護膜１４′は金ボール１５よりも高
い位置まで形成されているため、第２図の１００の方向
に働く封止樹脂応力をポリイミド１４’が緩和し、ＡＬ
バッド１３のスライド及び金ボール１５のボンディング
オーブンを回避できる。さらに、本実施例では、ポリイ
ミド膜１４．１４′のパッド開口部２が円形であるため
、応力の集中を避けることができる。さらに、金ボール
１５も円形であることから、金ボール領域とポリイミド
開口部の余裕２１　（第２図）も小さくでき、直径約１
６０μｍ以内のポリイミド開口を必要とするだけである
。
〔発明の効果１ 以上説明したように本発明によれば、封止樹脂の熱スト
レスを緩和し、かつ、ストレスの集中を回避し、かつ、
ＡＬパッド開孔部を縮小化可能になる。従って電極パッ
ドのスライドやボンディングオーブンの生じない高信頼
性の半導体装置を提供する。
ｌ　１　・ １２　・ １３　・ １４． １５　・ １６　・ ２　ｌ　・ １００　・ ・絶縁物 ・パッシベーション膜 ＡＬパッド ・ポリイミド膜 ・金ボール ・金ワイヤ ・金ボール、ポリイミド間余裕 ・樹脂ストレスの方向 以上
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の半導体装置の平面図。第２図は本発明
の半導体装置の断面図。 出願人　セイコーエプソン株式会社 代理人　弁理士　上　柳　雅　誉（他１名）■　・　・ ２　・　・ ３　・ ２′　・ １０　・　・ チップ端 ポリイミドパッド開口部 ＡＬ電極パッド ポリイミド終端 Ｓｉ基板

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. （１）ＬＳＩチップがポリイミドコート保護膜で覆われ
    た半導体装置において、該ポリイミド膜がパッド電極中
    心よりも外側でかつ該チップ端の内側の領域に存在する
    ことを特徴とする半導体装置。
  2. （２）ＬＳＩチップのポリイミドコート保護膜のパッド
    開口部の形が、内角が９０゜より大きい多角形または円
    形の形を取ることを特徴とする請求項１記載の半導体装
    置。
  3. （３）該ポリイミド保護膜の表面は、ボンディングの金
    ボール表面の位置よりも高い位置に存在することを特徴
    とする請求項１記載の半導体装置。
JP63180892A 1988-07-19 1988-07-19 半導体装置 Pending JPH0230131A (ja)

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JP63180892A JPH0230131A (ja) 1988-07-19 1988-07-19 半導体装置

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JPH0230131A true JPH0230131A (ja) 1990-01-31

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JP63180892A Pending JPH0230131A (ja) 1988-07-19 1988-07-19 半導体装置

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Cited By (2)

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