JPH022963A - 半導体集積回路 - Google Patents

半導体集積回路

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JPH022963A
JPH022963A JP63148759A JP14875988A JPH022963A JP H022963 A JPH022963 A JP H022963A JP 63148759 A JP63148759 A JP 63148759A JP 14875988 A JP14875988 A JP 14875988A JP H022963 A JPH022963 A JP H022963A
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JP
Japan
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JP63148759A
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Hiroshi Sasaki
博史 佐々木
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NEC Corp
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、半導体集積回路に関し、特に基本論理素子(
OR素子、AND素子、インバータ素子)の特性を調べ
る回路を備えた半導体集積回路に関する。
〔従来の技術〕
従来、この種の半導体集積回路は第3図に示すようにイ
ンバータ素子の出力に負荷のインバータと次段のインバ
ータ素子の入力を接続した回路を1段として、4段接続
した回路で、パルスaが入力端子を介して初段のインバ
ータ素子から次のインバータ素子に供給され最終段のイ
ンバータ素子f、からパルスbとして送出されるように
構成されている。いま仮に1つのパルスaを入力端子に
供給すると、最終段の出力端子にパルスbが伝達される
ことによりインバータ素子の特性を評価していた。
〔発明が解決しようとする課題〕
上述した従来の半導体集積回路は、基本論理素子の出力
に負荷ゲートと次段の基本論理素子の入力が接続した回
路を1段として多段に構成した回路であって、負荷ゲー
トの出力がオーブンとなっているので、負荷ゲートの出
力動作の確認ができず、また、負荷ゲートの入力がオー
プン状態になった場合、貫通電流が流れるが、貫通電流
が流れている箇所を判別するのが困難であるという欠点
がある。
上述した従来の半導体集積回路に対し、本発明は基本論
理素子の出力に接続される負荷ゲートの出力の動作を確
認するための回路を付けるという相違点を有する。
〔課題を解決するための手段〕
本発明の半導体集積回路は、基本論理素子の出力に負荷
ゲートを接続した回路と複数段の負荷ゲートの出力の動
作を確認する回路とを有している。
〔実施例〕
次に、本発明について図面を参照して説明する。
第1図は本発明の一実施例を示す回路図である。
第1図において、本実施例は入力端子1、出力端子2,
3を有しており、入力端子1と2の間に特性評価用の基
本論理素子(インバータ素子)11.21,31.41
が設けられ、更に各段の基本論理素子に対する負荷のイ
ンバータ素子12.22,32.42が設けられている
。インバータ素子51.52は奇数段の負荷のインバー
タ素子の出力に接続されている。AND素子53はイン
バータ素子51.52の出力と偶数段の負荷のインバー
タ素子22.42の出力とに接続された素子であり、O
R素子54はインバータ素子51.52の出力と偶数段
の負荷のインバータ素子22.42の出力とを入力する
OR素子であり、更にEX−OR素子55はAND素子
53の出力とOR素子54の出力に接続するEX−OR
素子である。
次に、本実施例の動作について説明する。
今、入力端子lに1つのパルスを入力すると出力端子2
に1つのパルスが出力し、出力端子3は” L ”レベ
ルが出力される。次に、負荷ゲートの1つの入力がオー
ブンとなって、負荷ゲートの入力がフローティンダレベ
ルになると、負荷ゲートの出力が不安定となり、出力端
子3は、H”レベルを出力し負荷ゲートの出力動作をお
かしいことを検出することができる。
第2図は本発明の他の実施例を示す、第2図において、
この他の実施例は、第1図の基本論理素子を2人力NO
R素子や2人力NAND素子に入れかえて、段数を合せ
て並列にならべた回路に奇数段の負荷ゲート(インバー
タ素子)の出力には各段ごとにNAND素子304,3
06に接続し、偶数段の負荷ゲートの出力には各段ごと
にOR素子305.307に接続し、NAND素子30
4.306.OR素子305,307に出力をそれぞれ
AND素子308とOR素子309に接続し、AND素
子308とOR素子309の出力をEX−OR素子31
0に接続し、OR素子105の出力端子につなぐ。入力
端子101はデータ入力で、出力端子103はNOR素
子の特性の波形の出力で、出力端子104はNAND素
子の特性の波形の゛出力である。コントロール信号10
2のH”とL′″によって、NOR素子とNAND素子
の特性の波形の出力を出力端子103と104に出力し
、出力端子105の出力が“L ”のときは、負荷ゲー
トの出力動作は正常で、“H”のときは負荷ゲートの出
力動作がおかしいことが検出できる。
〔発明の効果〕
以上説明したように本発明は、基本論理素子の出力に負
荷ゲートを接続した回路を1段として複数段つなげた回
路において、負荷ゲートの出力の動作を確認するための
回路を付けることにより、負荷ゲートの入力の1つがオ
ーブンであるなどの不良が論理チエツクのみで判別する
ことができる効果がある。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例を示す回路図、第2図は本発
明の他の実施例を示す回路図、第3図は従来の基本論理
素子の特性を調べる回路を示す図である。。 1.101.102・・・入力端子、2,103゜10
4.105・・・出力端子、11,21,31゜41、
cl、di、el、fL−=基本論理素子(インバータ
素子)、111,121.131141・・・基本論理
素子(NOR素子)−211゜221.231,241
・・・基本論理素子(NANDAND素子2,22,3
2,42,112.。 122、 132,142,212,222,232.
242.c2.d2.e2.f2−=負荷ゲート(イン
バータ素子)、51,52,303・・・インバータ素
子、53,308・・・AND素子、54、3o5.3
07.309・・・OR素子、301.302,304
,306・・・NANDAND素子、310・・・EX
−OR素子。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. インバータ素子、NAND素子およびNOR素子等の基
    本論理素子の特性を調べる回路を備えた半導体集積にお
    いて、前記基本論理素子の各出力にインバータ素子、N
    AND素子、NOR素子等の負荷ゲートを接続した回路
    と、複数段の負荷ゲートの出力の動作の確認する回路と
    を有することを特徴とする半導体集積回路。
JP63148759A 1988-06-15 1988-06-15 半導体集積回路 Expired - Fee Related JPH083515B2 (ja)

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JP63148759A JPH083515B2 (ja) 1988-06-15 1988-06-15 半導体集積回路

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JP63148759A JPH083515B2 (ja) 1988-06-15 1988-06-15 半導体集積回路

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JPH022963A true JPH022963A (ja) 1990-01-08
JPH083515B2 JPH083515B2 (ja) 1996-01-17

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ID=15460005

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6088476A (en) * 1990-11-21 2000-07-11 Canon Kabushiki Kaisha Color image communication apparatus using undercolor removal processing

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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US6088476A (en) * 1990-11-21 2000-07-11 Canon Kabushiki Kaisha Color image communication apparatus using undercolor removal processing

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JPH083515B2 (ja) 1996-01-17

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