JPH0228937A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPH0228937A JPH0228937A JP17956688A JP17956688A JPH0228937A JP H0228937 A JPH0228937 A JP H0228937A JP 17956688 A JP17956688 A JP 17956688A JP 17956688 A JP17956688 A JP 17956688A JP H0228937 A JPH0228937 A JP H0228937A
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- Japan
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- emitter
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- Pending
Links
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- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims description 4
- 238000002955 isolation Methods 0.000 claims description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 18
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 13
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 abstract description 13
- 239000010703 silicon Substances 0.000 abstract description 13
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- 238000001459 lithography Methods 0.000 abstract description 7
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 abstract description 6
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- 238000001704 evaporation Methods 0.000 abstract 4
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Landscapes
- Bipolar Transistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は半導体装置、詳しくは、エミッタ・ベース間逆
耐圧の高いトランジスタに関するものである。
耐圧の高いトランジスタに関するものである。
従来の技術
近年、半導体装置は様々な用途で使用される様になって
おり、その特性も従来にない特性、特にエミッタ・ベー
ス間逆耐圧が高い(25v以上)のものが要求されてい
る。
おり、その特性も従来にない特性、特にエミッタ・ベー
ス間逆耐圧が高い(25v以上)のものが要求されてい
る。
第3図は従来の半導体装置の断面図を示すものである。
第3図において、1は高濃度のN型シリコンスライスで
第1コレクタ領域であり、2はエピタキシャル法で形成
された、低濃度のN型シリコンで第2コレクタ領域であ
り、10は低濃度のP型不純物を蒸着、拡散され形成さ
れたベース領域であり、6は高濃度のN型不純物を蒸着
、拡散されたエミッタ領域であり、5は酸化膜であり、
7はベース・コンタクト領域であり、8はエミッタ電極
であり、9はベース電極である。
第1コレクタ領域であり、2はエピタキシャル法で形成
された、低濃度のN型シリコンで第2コレクタ領域であ
り、10は低濃度のP型不純物を蒸着、拡散され形成さ
れたベース領域であり、6は高濃度のN型不純物を蒸着
、拡散されたエミッタ領域であり、5は酸化膜であり、
7はベース・コンタクト領域であり、8はエミッタ電極
であり、9はベース電極である。
発明が解決しようとする課題
しかしながら上記の従来の構成では、ベース領域10は
拡散によって形成されているため、エピタキシャル法で
形成された第2コレクタ領域2よりも低濃度なものは得
られず、ベース領域の濃度により決定されるエミッタ・
ベース間逆方向電圧は、数V〜20数Vまでしか得られ
ない。
拡散によって形成されているため、エピタキシャル法で
形成された第2コレクタ領域2よりも低濃度なものは得
られず、ベース領域の濃度により決定されるエミッタ・
ベース間逆方向電圧は、数V〜20数Vまでしか得られ
ない。
本発明は上記従来の問題点を解決するもので、エミッタ
・ベース間逆方向電圧を、25V〜150Vまで得るこ
とのできる半導体装置を提供することを目的とする。
・ベース間逆方向電圧を、25V〜150Vまで得るこ
とのできる半導体装置を提供することを目的とする。
課題を解決するための手段
この目的を達成するために本発明の半導体装置は、シリ
コンスライスの全面が高濃度の一導電型で形成され、こ
れを第1コレクタ領域とし、このシリコンの片面に低濃
度の同一導電型シリコンをエピタキシャル法より形成し
、これを第2コレクタ領域とし、更に、その上に、3X
101S/cd以上で4.8 x 10”/cd以下の
さらに低濃度の反対導電型シリコンをエピタキシャル法
で形成し、これをベース領域とし、このベース領域を分
離する目的で酸化、リソグラフィ工程により、窓を形成
し、高濃度の同一導電型不純物蒸着、拡散し、これを分
離領域とし、次にリソグラフィ工程により、ベース領域
中に窓を形成し、同一導電型不純物を蒸着、拡散し、こ
れをエミッタ領域とした構成を有している。
コンスライスの全面が高濃度の一導電型で形成され、こ
れを第1コレクタ領域とし、このシリコンの片面に低濃
度の同一導電型シリコンをエピタキシャル法より形成し
、これを第2コレクタ領域とし、更に、その上に、3X
101S/cd以上で4.8 x 10”/cd以下の
さらに低濃度の反対導電型シリコンをエピタキシャル法
で形成し、これをベース領域とし、このベース領域を分
離する目的で酸化、リソグラフィ工程により、窓を形成
し、高濃度の同一導電型不純物蒸着、拡散し、これを分
離領域とし、次にリソグラフィ工程により、ベース領域
中に窓を形成し、同一導電型不純物を蒸着、拡散し、こ
れをエミッタ領域とした構成を有している。
作用
この構成によって、ベース領域の濃度は、エピタキシャ
ル法により、3×IO”/c−以上4.8×1016/
cat以下のいかなる濃度にでも設定でき、ベース領域
の濃度により決定されるエミッタ・ベース間逆方向電圧
は25V〜150vまでの任意の値を得ることができる
。
ル法により、3×IO”/c−以上4.8×1016/
cat以下のいかなる濃度にでも設定でき、ベース領域
の濃度により決定されるエミッタ・ベース間逆方向電圧
は25V〜150vまでの任意の値を得ることができる
。
実施例
以下本発明の一実施例について、図面を参照しながら説
明する。
明する。
第1図は本発明の実施例における半導体装置の断面図を
示すものである。第1図において、11はシリコンスラ
イスの高濃度のN型第1コレクタ領域であり、12はエ
ピタキシャル法で形成された、低濃度のN型第2コレク
タ領域であり、13はエピタキシャル法で形成された、
より低濃度なP型ベース領域であり、14はベース領域
13を分離する目的で、酸化、リソグラフィ工程により
、窓を形成し、高濃度のN型不純物を蒸着、拡散した分
離領域であり、15は酸化膜であり、16は酸化、リソ
グラフィ工程により窓を形成し、高濃度なN型不純物を
蒸着、拡散され形成されたエミッタ領域であり、17は
ベース・コンタクト領域であり、18はエミッタ電極で
あり、19はベース電極である。
示すものである。第1図において、11はシリコンスラ
イスの高濃度のN型第1コレクタ領域であり、12はエ
ピタキシャル法で形成された、低濃度のN型第2コレク
タ領域であり、13はエピタキシャル法で形成された、
より低濃度なP型ベース領域であり、14はベース領域
13を分離する目的で、酸化、リソグラフィ工程により
、窓を形成し、高濃度のN型不純物を蒸着、拡散した分
離領域であり、15は酸化膜であり、16は酸化、リソ
グラフィ工程により窓を形成し、高濃度なN型不純物を
蒸着、拡散され形成されたエミッタ領域であり、17は
ベース・コンタクト領域であり、18はエミッタ電極で
あり、19はベース電極である。
以上のように本実施例によれば、ベース領域13゛をエ
ピタキシャル法により形成することにより、ベース領域
の濃度は3x10/”cd以上4.8x1016/an
t以下のいかなる濃度にでも設定できるので、ベース領
域の濃度により決定されるエミッタ・ベース間逆方向電
圧は、第2図のエミッタ・ベース耐圧特性図のように、
25V〜150vまでの任意の値を得ることができる。
ピタキシャル法により形成することにより、ベース領域
の濃度は3x10/”cd以上4.8x1016/an
t以下のいかなる濃度にでも設定できるので、ベース領
域の濃度により決定されるエミッタ・ベース間逆方向電
圧は、第2図のエミッタ・ベース耐圧特性図のように、
25V〜150vまでの任意の値を得ることができる。
なお以上はNPNトランジスタについて説明したがPN
Pトランジスタでも同じ効果がある事は言うまでもない
。
Pトランジスタでも同じ効果がある事は言うまでもない
。
発明の効果
以上のように本発明は、シリコンスライスの全面が高濃
度なN型第1コレクタ領域と、このシリコンの片面にエ
ピタキシャル法により形成された低濃度なN型第2コレ
クタ領域と、その上に、より低濃度なP型シリコンをエ
ピタキシャル法で形成し、これをベース領域とし、この
ベース領域を分離する目的で、酸化、リソグラフィ工程
により、窓を形成し、高濃度のN型不純物を蒸着、拡散
し、これを分離領域とし、次にリソグラフィ工程により
窓を形成し、N型不純物を蒸着、拡散し、これをエミッ
タ領域とすることにより、ベース濃度は3X10I5/
cd以上の4.8 X 1016/cat以下のいかな
る濃度にでも設定でき、ベース濃度により決定されるエ
ミッタ・ベース間逆方向電圧は25V〜150Vの任意
の値を得ることができる優れた半導体装置を実現できる
ものである。
度なN型第1コレクタ領域と、このシリコンの片面にエ
ピタキシャル法により形成された低濃度なN型第2コレ
クタ領域と、その上に、より低濃度なP型シリコンをエ
ピタキシャル法で形成し、これをベース領域とし、この
ベース領域を分離する目的で、酸化、リソグラフィ工程
により、窓を形成し、高濃度のN型不純物を蒸着、拡散
し、これを分離領域とし、次にリソグラフィ工程により
窓を形成し、N型不純物を蒸着、拡散し、これをエミッ
タ領域とすることにより、ベース濃度は3X10I5/
cd以上の4.8 X 1016/cat以下のいかな
る濃度にでも設定でき、ベース濃度により決定されるエ
ミッタ・ベース間逆方向電圧は25V〜150Vの任意
の値を得ることができる優れた半導体装置を実現できる
ものである。
第1図は本発明の実施例における半導体装置の断面図、
第2図は本発明の実施例におけるベースエピタキシャル
層濃度−VEBOの特性図、第3図は従来の半導体装置
の断面図である。 1.11・・・・・・第1コレクタ領域、2,12・・
・・・・第2コレクタ領域、13・・・・・・ベース領
域(エビ層)、14・・・・・・分離領域、5,15・
・・・・・酸化膜、6.16・・・・・・エミッタ領域
、7,17・・・・・・ベース・コンタクト領域、8,
18・・・・・・エミッタ電極、9.19・・・・・・
ベース電極、10・・・・・・ベース領域(拡散層〉。 代理人の氏名 弁理士 粟野重孝 はが1老込 +1−−−>ζ7 n 1L79@Xg14− 分駐
傾楓 f7・−やス′コング7ト今碧tべ f8−一一丁く・ソ?A女=〕;タ彎 19−−−へ゛−ス*丁教 1−−¥)のコしフタ→咲rへ 6、− エミッq今頁プ( 7−−−A+”−7・コンタクト4!tぺ8−−一工む
・lダ」3徹 q−*゛−Z ’¥径
第2図は本発明の実施例におけるベースエピタキシャル
層濃度−VEBOの特性図、第3図は従来の半導体装置
の断面図である。 1.11・・・・・・第1コレクタ領域、2,12・・
・・・・第2コレクタ領域、13・・・・・・ベース領
域(エビ層)、14・・・・・・分離領域、5,15・
・・・・・酸化膜、6.16・・・・・・エミッタ領域
、7,17・・・・・・ベース・コンタクト領域、8,
18・・・・・・エミッタ電極、9.19・・・・・・
ベース電極、10・・・・・・ベース領域(拡散層〉。 代理人の氏名 弁理士 粟野重孝 はが1老込 +1−−−>ζ7 n 1L79@Xg14− 分駐
傾楓 f7・−やス′コング7ト今碧tべ f8−一一丁く・ソ?A女=〕;タ彎 19−−−へ゛−ス*丁教 1−−¥)のコしフタ→咲rへ 6、− エミッq今頁プ( 7−−−A+”−7・コンタクト4!tぺ8−−一工む
・lダ」3徹 q−*゛−Z ’¥径
Claims (1)
- 高濃度な一導電型の第1コレクタ領域と、低濃度の同一
導電型エピタキシャル層の第2コレクタ領域と、その上
に、3×10^1^5/cm^3〜4.8×10^1^
6cm^3の低濃度の反対導電型エピタキシャル層のベ
ース領域と、このベース領域を分離する高濃度の同一導
電型分離拡散領域と、前記ベース領域中に同一導電型の
エミッタ領域とをそなえたことを特徴とする半導体装置
。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP17956688A JPH0228937A (ja) | 1988-07-19 | 1988-07-19 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP17956688A JPH0228937A (ja) | 1988-07-19 | 1988-07-19 | 半導体装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0228937A true JPH0228937A (ja) | 1990-01-31 |
Family
ID=16067976
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP17956688A Pending JPH0228937A (ja) | 1988-07-19 | 1988-07-19 | 半導体装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0228937A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5173628A (en) * | 1988-09-29 | 1992-12-22 | Kabushiki Kaisha Sankyo Seiki Seisakusho | Brushless motor |
CN104332404A (zh) * | 2014-09-25 | 2015-02-04 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | Cmos工艺制造双极型晶体管的方法及双极型晶体管 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS512387A (en) * | 1974-06-24 | 1976-01-09 | Hitachi Ltd | Handotaisochino seiho |
JPS5367367A (en) * | 1976-11-29 | 1978-06-15 | Sony Corp | Semiconductor device |
JPS55165669A (en) * | 1979-06-11 | 1980-12-24 | Hitachi Ltd | Bipolar-mos device |
-
1988
- 1988-07-19 JP JP17956688A patent/JPH0228937A/ja active Pending
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS512387A (en) * | 1974-06-24 | 1976-01-09 | Hitachi Ltd | Handotaisochino seiho |
JPS5367367A (en) * | 1976-11-29 | 1978-06-15 | Sony Corp | Semiconductor device |
JPS55165669A (en) * | 1979-06-11 | 1980-12-24 | Hitachi Ltd | Bipolar-mos device |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5173628A (en) * | 1988-09-29 | 1992-12-22 | Kabushiki Kaisha Sankyo Seiki Seisakusho | Brushless motor |
CN104332404A (zh) * | 2014-09-25 | 2015-02-04 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | Cmos工艺制造双极型晶体管的方法及双极型晶体管 |
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