JPH02283655A - 高誘電率磁器組成物 - Google Patents
高誘電率磁器組成物Info
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- JPH02283655A JPH02283655A JP1107078A JP10707889A JPH02283655A JP H02283655 A JPH02283655 A JP H02283655A JP 1107078 A JP1107078 A JP 1107078A JP 10707889 A JP10707889 A JP 10707889A JP H02283655 A JPH02283655 A JP H02283655A
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Landscapes
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- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は磁器コンデンサに用いられる高誘電率磁器組成
物に関する。
物に関する。
従来の技術
従来より、高誘電率系の磁器コンデンサを製造するため
の一般的な強誘電体材料としては、−服代A303
(A及びBはそれぞれ金属イオン)で現わされるペロブ
スカイト酸化物があり、この代表例として、チタン酸バ
リウムBaTiO3、チタン酸ストロンチウム3rli
Q3を主成分とするものが知られている。また、最近は
、これらの材料より低温焼成ができる鉛系複合ベロアス
カイト酸化物が主として使われつつある。鉛系複合ベロ
アスカイト酸化物では、チタン酸鉛PbTi0z−4+
2+ 5+
、’l+ 3+のT+ サイト
をMQ 、Nb 、Nt 、FeW6+Wのイオ
ンによって適当量を置換固溶させ、誘電率、誘電損失、
絶縁抵抗率を制御しコンデンサ材料として実用に、供さ
れている。具体的にはPb (M(j 1/3 Nb
2/3 )03−PbTiO3系(特開昭61’−2
75160号)、Pb(Mg1/3 Nb 2/3 )
03−Pb (N i 1/3 Nb2/3 )
03−Pb (Fe 1/2 Nb 1/2 >
03系(特開昭59−105209号)、Pb(Fe2
1−3 W 1/3 ) 03 −Pb <
F e 1/2 Nb1/2)03系(特開昭
54−110500号)が公知である。
の一般的な強誘電体材料としては、−服代A303
(A及びBはそれぞれ金属イオン)で現わされるペロブ
スカイト酸化物があり、この代表例として、チタン酸バ
リウムBaTiO3、チタン酸ストロンチウム3rli
Q3を主成分とするものが知られている。また、最近は
、これらの材料より低温焼成ができる鉛系複合ベロアス
カイト酸化物が主として使われつつある。鉛系複合ベロ
アスカイト酸化物では、チタン酸鉛PbTi0z−4+
2+ 5+
、’l+ 3+のT+ サイト
をMQ 、Nb 、Nt 、FeW6+Wのイオ
ンによって適当量を置換固溶させ、誘電率、誘電損失、
絶縁抵抗率を制御しコンデンサ材料として実用に、供さ
れている。具体的にはPb (M(j 1/3 Nb
2/3 )03−PbTiO3系(特開昭61’−2
75160号)、Pb(Mg1/3 Nb 2/3 )
03−Pb (N i 1/3 Nb2/3 )
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1−3 W 1/3 ) 03 −Pb <
F e 1/2 Nb1/2)03系(特開昭
54−110500号)が公知である。
発明が解決しようとする課題
従来の強誘電材料を用いコンデンサに適用したときには
、以下の問題があった。すなわち、BaTiesを主組
成とする材料については、一般に焼成温度が1300−
1400℃と高く焼成時に多重の熱エネルギーを要し、
焼成炉壁材や発熱体の熱的消耗が激しいこと、また、W
411セラミックコンデンサは素子の―成上、M電体層
と内部に形成した電極とを同時に焼成する必要があり、
電極材料には高温でも熱的、化学的に安定な白金やパラ
ジウムを用いなければならず、製品が高価になるという
n題がある。
、以下の問題があった。すなわち、BaTiesを主組
成とする材料については、一般に焼成温度が1300−
1400℃と高く焼成時に多重の熱エネルギーを要し、
焼成炉壁材や発熱体の熱的消耗が激しいこと、また、W
411セラミックコンデンサは素子の―成上、M電体層
と内部に形成した電極とを同時に焼成する必要があり、
電極材料には高温でも熱的、化学的に安定な白金やパラ
ジウムを用いなければならず、製品が高価になるという
n題がある。
一方、焼成温度が1100℃以下である鉛系複合ベロア
スカイト酸化物を用いたものは、120℃程度の高温特
性において、絶縁抵抗率が低いという問題がある。例え
ばPb (M91/3 Nb2/3)Os系では室温下
で約1×10 ΩGが、120℃の環境下では約lX1
0”Ω1と2桁低下する。また、Pb (Fe 2/3
W 1/3 ) 03−Pt) (1”e 1/2
Nb 1/2 )Os系では2×1012Ωα(室温
)から1 X 10”Ωαと3桁以上も低下するので、
コンデンサの苛酷な条件下での長期使用に対する信頼性
に問題がある。さらに、BaTiOsを主成分とするよ
うな材料では、絶縁抵抗率の低下は1力月程度で&tp
b系複合ペロブスカイト酸化物はど大きくなく信頼性の
上では好ましい。
スカイト酸化物を用いたものは、120℃程度の高温特
性において、絶縁抵抗率が低いという問題がある。例え
ばPb (M91/3 Nb2/3)Os系では室温下
で約1×10 ΩGが、120℃の環境下では約lX1
0”Ω1と2桁低下する。また、Pb (Fe 2/3
W 1/3 ) 03−Pt) (1”e 1/2
Nb 1/2 )Os系では2×1012Ωα(室温
)から1 X 10”Ωαと3桁以上も低下するので、
コンデンサの苛酷な条件下での長期使用に対する信頼性
に問題がある。さらに、BaTiOsを主成分とするよ
うな材料では、絶縁抵抗率の低下は1力月程度で&tp
b系複合ペロブスカイト酸化物はど大きくなく信頼性の
上では好ましい。
本発明では、1100℃以下の低温で焼結でき、かつ、
高温下での絶縁抵抗率の低下が小なる磁器組成物を提供
するものである。
高温下での絶縁抵抗率の低下が小なる磁器組成物を提供
するものである。
課題を解決するための手段
本発明の高誘電率磁器組成物は、マグネシウムニオブ酸
鉛をPb(M(J 1/3 N bx ) 0s−sで
表わしたとき、Xの範囲を1/3≦x≦315にする。
鉛をPb(M(J 1/3 N bx ) 0s−sで
表わしたとき、Xの範囲を1/3≦x≦315にする。
このときδはXの値に対して上記Ill]或の電気的中
性条件を満たすように定める。この組成を主成分にして
、チタン酸鉛PbTiOsを0〜5−01%添加固溶し
てもよい。
性条件を満たすように定める。この組成を主成分にして
、チタン酸鉛PbTiOsを0〜5−01%添加固溶し
てもよい。
本発明についてさらに詳細に説明する。先ず1100℃
以下の低温で焼成するため、従来材料のうち特に低温焼
成可能なPb (M91/3 Nb2/3)Osの鉛系
ぺOプス力イト酸化物を用いることにする。ただこの組
成では高温で絶縁抵抗率が低下してしまうため、Nbの
モル堡を上記組成のとおりの2/3モルから減少させる
と絶縁抵抗率が極端に低下しないことを見出した。この
Nblを化学量論比から減らした組成において、その絶
縁抵抗率は室温で約lX10”Ω1.120℃でも約l
X10t2Ω値で、明らかに改善の効果が見られた。さ
らにこの組成に対して数モル%の割合でPbTi0se
li加、固溶させても絶縁抵抗率が高温下で極端に低下
しないということが判った。
以下の低温で焼成するため、従来材料のうち特に低温焼
成可能なPb (M91/3 Nb2/3)Osの鉛系
ぺOプス力イト酸化物を用いることにする。ただこの組
成では高温で絶縁抵抗率が低下してしまうため、Nbの
モル堡を上記組成のとおりの2/3モルから減少させる
と絶縁抵抗率が極端に低下しないことを見出した。この
Nblを化学量論比から減らした組成において、その絶
縁抵抗率は室温で約lX10”Ω1.120℃でも約l
X10t2Ω値で、明らかに改善の効果が見られた。さ
らにこの組成に対して数モル%の割合でPbTi0se
li加、固溶させても絶縁抵抗率が高温下で極端に低下
しないということが判った。
PbTiOsを添加、固溶はPb (M91/3Nb2
/3)03のキュリー点(相変態温度)を移動させ、そ
のためある温度(例えば室温)での!電率をPbTH)
sの添加、固WI量によって制御できることが知られて
いるが、この系では、やはり高温時の絶縁抵抗率の低下
はPb(M91/3 Nb 2/3 ) Osと同程1
!i[または、それよりもさらに大きい。
/3)03のキュリー点(相変態温度)を移動させ、そ
のためある温度(例えば室温)での!電率をPbTH)
sの添加、固WI量によって制御できることが知られて
いるが、この系では、やはり高温時の絶縁抵抗率の低下
はPb(M91/3 Nb 2/3 ) Osと同程1
!i[または、それよりもさらに大きい。
本発明のようにNbを化学!論比より減少させた組成に
適当量のPbTiOsを投入した場合、誘電率を制御で
きPbTi0aの添加、固溶効果を全く損なうことなく
、さらに高温時の絶縁抵抗率の低下量を少なくさせると
いう利点がある。さらに、本発明による組成物を誘電体
層とする積層セラミックコンデンサでは、高温長時間使
用という苛酷な条件下でも絶縁抵抗率の劣化の程度は少
ないという効果が認められた。
適当量のPbTiOsを投入した場合、誘電率を制御で
きPbTi0aの添加、固溶効果を全く損なうことなく
、さらに高温時の絶縁抵抗率の低下量を少なくさせると
いう利点がある。さらに、本発明による組成物を誘電体
層とする積層セラミックコンデンサでは、高温長時間使
用という苛酷な条件下でも絶縁抵抗率の劣化の程度は少
ないという効果が認められた。
作用
本発明の組成物では、複合ペロブスカイト酸化物を一般
にABOsと表わしたときにBサイトイオンを化学量論
比よりも減少させる。これにより、この組成物を120
℃というような高温状態でも絶縁抵抗率の室温からの低
下度合を少なくさせることができる。
にABOsと表わしたときにBサイトイオンを化学量論
比よりも減少させる。これにより、この組成物を120
℃というような高温状態でも絶縁抵抗率の室温からの低
下度合を少なくさせることができる。
次に組成の限定理由について述べる。Pb (Mg
1/3 N bx ) 0s−J の条件でXが31
5以上になると化学量論比に近づき、高温下の絶縁抵抗
率が2桁以上減少し、本発明の効果が得られない。また
、Xが1/3以下の場合には、組成物の結晶形がペロブ
スカイトlI43mになりにくくなり、高温下での絶縁
抵抗率が低下するばかりでなく、室温下での基本的な特
性まで劣化してしまう。PbTio3を主成分に対して
5 no1%以上添加した場合にも、高瀉下での絶縁抵
抗率が劣化し、本発明の目的に適さない。
1/3 N bx ) 0s−J の条件でXが31
5以上になると化学量論比に近づき、高温下の絶縁抵抗
率が2桁以上減少し、本発明の効果が得られない。また
、Xが1/3以下の場合には、組成物の結晶形がペロブ
スカイトlI43mになりにくくなり、高温下での絶縁
抵抗率が低下するばかりでなく、室温下での基本的な特
性まで劣化してしまう。PbTio3を主成分に対して
5 no1%以上添加した場合にも、高瀉下での絶縁抵
抗率が劣化し、本発明の目的に適さない。
本発明の組成において、1100℃以下の低温で焼結で
き、高温下での絶縁抵抗率の低下を少なくするという課
題が解決できる。
き、高温下での絶縁抵抗率の低下を少なくするという課
題が解決できる。
実施例
本発明の具体的な実施例を以下に述べる。
(実施例1)
出発材料として、−膜化鉛PbO(純度99゜99%以
上)、酸化マグネシウムMcxO(純度99.9%以上
)、五酸化ニオブNbO5(純度99.9%以上)を用
い、これらの組成物粉末の合成は、最終生成物中にペロ
ブスカイト相が多くなるように以下のようなフランバイ
ト法を用νする。
上)、酸化マグネシウムMcxO(純度99.9%以上
)、五酸化ニオブNbO5(純度99.9%以上)を用
い、これらの組成物粉末の合成は、最終生成物中にペロ
ブスカイト相が多くなるように以下のようなフランバイ
ト法を用νする。
表1に示す組成比になるように、まずMqOとNbzO
sを所定量秤量し、509/バツヂ 15φ合成樹脂ボ
ールで湿式混合(溶媒:イオン交換水、16時間混合)
し、120℃で脱溶媒、乾燥させた後、蓋付のM90ル
ツボに移し、シリコニット電気炉で900−1000°
Cで約4時間保持で熱処理を行う。この焼結反応物(ニ
オブ酸マグネシウム:第1仮焼品)及びPbOを所定量
(309/バツチ)秤吊し、15ψZr0zボールを使
い湿式混合(′Ifj媒:純水、16時間混合)し、こ
れらの泥しようを120°Cで脱溶媒、乾燥した後、蓋
付のM90ルツボに移し、シリコニット電気炉で750
−850℃で約4時間仮焼するくニオブ酸マグネシウム
鉛;第2仮焼品)。この焼結反応物を15φZr0zボ
ールで再び湿式ボールミル(溶媒:純水、24〜36v
f間)を用い、粒径を1〜3μ′rrLまで粉砕し、1
20℃で脱溶媒、乾燥し、所望の組成物粉末を製作する
。
sを所定量秤量し、509/バツヂ 15φ合成樹脂ボ
ールで湿式混合(溶媒:イオン交換水、16時間混合)
し、120℃で脱溶媒、乾燥させた後、蓋付のM90ル
ツボに移し、シリコニット電気炉で900−1000°
Cで約4時間保持で熱処理を行う。この焼結反応物(ニ
オブ酸マグネシウム:第1仮焼品)及びPbOを所定量
(309/バツチ)秤吊し、15ψZr0zボールを使
い湿式混合(′Ifj媒:純水、16時間混合)し、こ
れらの泥しようを120°Cで脱溶媒、乾燥した後、蓋
付のM90ルツボに移し、シリコニット電気炉で750
−850℃で約4時間仮焼するくニオブ酸マグネシウム
鉛;第2仮焼品)。この焼結反応物を15φZr0zボ
ールで再び湿式ボールミル(溶媒:純水、24〜36v
f間)を用い、粒径を1〜3μ′rrLまで粉砕し、1
20℃で脱溶媒、乾燥し、所望の組成物粉末を製作する
。
この粉末に適当量の焼結助剤としてPbO(0−10重
量%)と3重量%ポリビニルアルコール水溶液(P、V
、A)を加え、らいかい機で30分混合、32メツシユ
ふるいを全通させる。この顆粒状粉末を約1 、7
ton/cfflの成形圧力で直径12闇厚さ1.1闇
のディスク状成形体を作成する。この成形体を単結晶Z
rO2を主成分とする敷粉の中に埋めて全体をM90ル
ツボでおおい、大気中又は酸素中で920〜1050℃
、3時間保持で本焼成する。く後から加えたPbOは単
に焼結助剤として働くのみで、そのΦによって得られた
焼結体の電気的特性に影響を与えることはない。) この焼結体の両面にAu−Pdを蒸着し、電極として電
気的特性を調べた。誘電率、誘電損失は周波数I KH
z、室温(23±2℃)で、絶縁抵抗率は試料を恒温槽
の中に入れ、直流50Vを印加し2分後に流れる電流値
と試料寸法とから等比した。
量%)と3重量%ポリビニルアルコール水溶液(P、V
、A)を加え、らいかい機で30分混合、32メツシユ
ふるいを全通させる。この顆粒状粉末を約1 、7
ton/cfflの成形圧力で直径12闇厚さ1.1闇
のディスク状成形体を作成する。この成形体を単結晶Z
rO2を主成分とする敷粉の中に埋めて全体をM90ル
ツボでおおい、大気中又は酸素中で920〜1050℃
、3時間保持で本焼成する。く後から加えたPbOは単
に焼結助剤として働くのみで、そのΦによって得られた
焼結体の電気的特性に影響を与えることはない。) この焼結体の両面にAu−Pdを蒸着し、電極として電
気的特性を調べた。誘電率、誘電損失は周波数I KH
z、室温(23±2℃)で、絶縁抵抗率は試料を恒温槽
の中に入れ、直流50Vを印加し2分後に流れる電流値
と試料寸法とから等比した。
以下余白。
表1において、○印を付した試料略よ本発明の範囲外で
あり、比較のために掲載した。資料2に示すようにXが
2/3モル(化学量論比)のときは、誘電率、誘電損失
及び室温での絶縁抵抗率に関しては、誘電体磁器として
特性上問題はみられないが、高温(85℃、125℃)
での絶縁抵抗率は2桁低下し問題である。これに対し、
本発明の実施例(試料3〜6)のものは、高温における
絶縁抵抗率は比較例(試料1〜2)に較べて優れている
ことがわかる。これを第1図に表示する。また室温にお
ける電気内聞特性も殆ど問題ない。これはNbff1(
Xli量>を相対的に減らしたための効果である。X値
を本発明の実施例よりさらに減少した比較例(試料7〜
8)では、結晶相的にペロブスカイト単相にならず、そ
のため誘電体磁器としての特性そのものが悪く問題であ
る。
あり、比較のために掲載した。資料2に示すようにXが
2/3モル(化学量論比)のときは、誘電率、誘電損失
及び室温での絶縁抵抗率に関しては、誘電体磁器として
特性上問題はみられないが、高温(85℃、125℃)
での絶縁抵抗率は2桁低下し問題である。これに対し、
本発明の実施例(試料3〜6)のものは、高温における
絶縁抵抗率は比較例(試料1〜2)に較べて優れている
ことがわかる。これを第1図に表示する。また室温にお
ける電気内聞特性も殆ど問題ない。これはNbff1(
Xli量>を相対的に減らしたための効果である。X値
を本発明の実施例よりさらに減少した比較例(試料7〜
8)では、結晶相的にペロブスカイト単相にならず、そ
のため誘電体磁器としての特性そのものが悪く問題であ
る。
(実施例2)
実施例1の中で最も特性の優れたpb <MC11/3
N b 1/2 ) 0s−5を主成分としてpbT
iO3の添加効果を調べた。試料合成の出発原料として
実施例1と同純度のPbO,MqO,Nb2O5さらに
PbTiO3(純度99.9%以上)を用いた。
N b 1/2 ) 0s−5を主成分としてpbT
iO3の添加効果を調べた。試料合成の出発原料として
実施例1と同純度のPbO,MqO,Nb2O5さらに
PbTiO3(純度99.9%以上)を用いた。
粉末合成工程は実施例1に示したフランバイト法を用い
、異なる点は、第1仮焼粉であるニオブ酸マグネシウム
に所定量のPbO及びPbTiOsを添加することのみ
で、後のペレット作成及び評価法も実施例1と同方法を
用い、その結果を表2に示す。
、異なる点は、第1仮焼粉であるニオブ酸マグネシウム
に所定量のPbO及びPbTiOsを添加することのみ
で、後のペレット作成及び評価法も実施例1と同方法を
用い、その結果を表2に示す。
試料9−11のものは、Pb (MCI 1/3 N
b1/2 ) 03−J にPbTiO3を5110
1%まで添加しても、125℃における絶縁抵抗率は比
較的高く、誘電体磁器として優れている。さらに誘電率
も若干向上し、コンデンサの小型化に寄与する。
b1/2 ) 03−J にPbTiO3を5110
1%まで添加しても、125℃における絶縁抵抗率は比
較的高く、誘電体磁器として優れている。さらに誘電率
も若干向上し、コンデンサの小型化に寄与する。
PbTi0aの添加量が5101%を越える試料12の
場合には、室温での絶縁抵抗率が試料9−11に比べて
約1/2.125℃での絶縁抵抗率も小さい。さらに、
誘電損失も5%を越え、誘電体磁器として一般的に好ま
しくない。
場合には、室温での絶縁抵抗率が試料9−11に比べて
約1/2.125℃での絶縁抵抗率も小さい。さらに、
誘電損失も5%を越え、誘電体磁器として一般的に好ま
しくない。
主成分をPb (MQ 1/3 Nb 2/3 )
Osとした試料13−14の場合には、PbTi0aを
添加しても誘電率は向上するが高温における絶縁抵抗率
改善に効果が認められない。
Osとした試料13−14の場合には、PbTi0aを
添加しても誘電率は向上するが高温における絶縁抵抗率
改善に効果が認められない。
(実施例3)
実施例1において合成したPb (MQ 1/3 N
b 1/2 ) 03−J にアクリル系有機結合剤
を加えZ、rOzボールにてボールミル混合く18時間
)し、このスラリーを脱胞後、ドクターブレード法によ
って厚さ30μmのテープ状シートを作る。
b 1/2 ) 03−J にアクリル系有機結合剤
を加えZ、rOzボールにてボールミル混合く18時間
)し、このスラリーを脱胞後、ドクターブレード法によ
って厚さ30μmのテープ状シートを作る。
このシートを適当な大きさに切断し、これの上にA9−
Pdペーストを印刷し、これを積層し70℃で熱圧着す
る。これを所定寸法に切断し未焼成のV4層コンデンサ
を作る。この後300℃、10時間′保持の熱処理条件
で脱脂し、940℃、4時間で本焼成する。この焼成品
の両端面にA9ペーストを塗布し600℃で焼付け、端
子電極を形成じ、v4層セラミックコンデンサを製作す
る。
Pdペーストを印刷し、これを積層し70℃で熱圧着す
る。これを所定寸法に切断し未焼成のV4層コンデンサ
を作る。この後300℃、10時間′保持の熱処理条件
で脱脂し、940℃、4時間で本焼成する。この焼成品
の両端面にA9ペーストを塗布し600℃で焼付け、端
子電極を形成じ、v4層セラミックコンデンサを製作す
る。
このコンデンサを125℃の恒温槽に収納し、直流20
0■を印加して、抵抗値を測定した。第2図にその結果
を示す。なお、比較例品としては、Pb (M9 1/
3 jqb 2/3 ) Q3を用いた積層セラミック
コンデンサを用いた。200時間経過後に比較例のもの
は初期値10 Ωαから2×101Ωαまで抵抗が劣化
しているのに対し、本発明実施例品では殆どその低下が
見られず、苛酷条件下での使用に対しても信頼性が高い
ことがわかる。
0■を印加して、抵抗値を測定した。第2図にその結果
を示す。なお、比較例品としては、Pb (M9 1/
3 jqb 2/3 ) Q3を用いた積層セラミック
コンデンサを用いた。200時間経過後に比較例のもの
は初期値10 Ωαから2×101Ωαまで抵抗が劣化
しているのに対し、本発明実施例品では殆どその低下が
見られず、苛酷条件下での使用に対しても信頼性が高い
ことがわかる。
なお、実施例において出発原料として、夫々酸化物を用
いた場合を示したが、他の例えば炭酸化物を用いてもよ
く、また、PbTi0aの代りにPbO+T i 02
の形で秤量してもよい。
いた場合を示したが、他の例えば炭酸化物を用いてもよ
く、また、PbTi0aの代りにPbO+T i 02
の形で秤量してもよい。
発明の効果
本発明の高誘電率磁器組成物は、1100℃以下の低温
で焼結でき、かつ、高温(125℃)下における絶縁抵
抗率の低下を室温のときに比べて1桁以下におさえるこ
とができるようになったので、これを用いたIllセラ
ミックコンデンサに適用した場合、製品の信頼性が向上
に寄与する。
で焼結でき、かつ、高温(125℃)下における絶縁抵
抗率の低下を室温のときに比べて1桁以下におさえるこ
とができるようになったので、これを用いたIllセラ
ミックコンデンサに適用した場合、製品の信頼性が向上
に寄与する。
第1図は絶縁抵抗率の温度依存性を示す曲線図、第2図
は寿命試験によるコンテン4ノの抵抗変化を示す曲線図
である。 特許出願人 日立コンデンサ株式会社 算1図 歩8(’c) 手続補正占(方式) %式% 1、事件の表示 特願平1−107078号 2)発明の名称 高誘電率磁気組成物 3、補正をする者 事件との関係 特許出願人 平成1年7月25日 5、補正の対象 図面の謁 S昭(1−1)
は寿命試験によるコンテン4ノの抵抗変化を示す曲線図
である。 特許出願人 日立コンデンサ株式会社 算1図 歩8(’c) 手続補正占(方式) %式% 1、事件の表示 特願平1−107078号 2)発明の名称 高誘電率磁気組成物 3、補正をする者 事件との関係 特許出願人 平成1年7月25日 5、補正の対象 図面の謁 S昭(1−1)
Claims (2)
- (1)マグネシウムニオブ酸鉛Pb(Mg_1_/_3
Nb_x)O_3_−_δを主成分とする磁器組成物に
おいて、Nb量xが1/3≦x≦3/5の範囲であつて
、δはxの値に対して上記組成の電気的中性条件を満た
すように決めることを特徴とする高誘電率磁器組成物。 - (2)特許請求の範囲第1項記載の高誘電率磁器組成物
において、この組成物にさらに0〜5mol%のチタン
酸鉛を添加することを特徴とする高誘電率磁器組成物。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1107078A JPH02283655A (ja) | 1989-04-26 | 1989-04-26 | 高誘電率磁器組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1107078A JPH02283655A (ja) | 1989-04-26 | 1989-04-26 | 高誘電率磁器組成物 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02283655A true JPH02283655A (ja) | 1990-11-21 |
JPH0581551B2 JPH0581551B2 (ja) | 1993-11-15 |
Family
ID=14449922
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1107078A Granted JPH02283655A (ja) | 1989-04-26 | 1989-04-26 | 高誘電率磁器組成物 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH02283655A (ja) |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS55121958A (en) * | 1979-03-07 | 1980-09-19 | Tdk Electronics Co Ltd | High dielectric ceramic composition |
-
1989
- 1989-04-26 JP JP1107078A patent/JPH02283655A/ja active Granted
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS55121958A (en) * | 1979-03-07 | 1980-09-19 | Tdk Electronics Co Ltd | High dielectric ceramic composition |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0581551B2 (ja) | 1993-11-15 |
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