JPH02281080A - 含金属インドフェノール系化合物及び該化合物を使用した光学記録媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、光学記録媒体の記録層に有用の新規な含金属
インドフェノール系化合物及び該化合物を光吸収性物質
として前記記録層に使用した光学記録媒体に関するもの
である。

〔従来の技術〕

レーザー光等を用いた光化学記録は、高密度な情報の記
録保存及びかかる記録の谷易な再生利用を共に可能にす
るものであるが、その−例として光ディスクを挙げるこ
とができる。

一般に、光ディスクは、円形の基体に設けられた薄い記
録層に、１μｍ程度に集束したレーザー光を照射し、高
密度の情報記録を行うものである。その記録は、照射さ
れたレーザー光エネルギーの吸収によって、その個所の
記録層に分解、蒸発、溶解等の熱的変形が生じることに
より行われる。また、その記録された情報の再生は、レ
ーザー光により変形が起きている部分と起きていない部
分の反射率の差を読み取ることにより行われる。

したがって、光学記録媒体の記録層は、レーザー光のエ
ネルギーを効率よく吸収する必要があるため、記録に使
用する特定の波長のレーザー光に対する吸収が大きいこ
と、情報の再生を正確に行うため、再生に使用する特定
波長のレーザー光に対する反射率が高いことが必要とな
る。

この種の光学記録媒体としては、従来、種々の構成のも
のが知られている。例えば、特開昭５５−９７０３３号
公報には、基板上にフタロシアニン系色素の単層を設け
たものが開示されている。また、特開昭５８−８３３４
４号公報にはフェナレン系色素を、特開昭５８−２２４
７９３号公報にはナフトキノン系色素をそれぞれ記録層
に担持させたものが開示されている。

〔発明が解決しようとする課題〕

しかしながら、上記のような従来のフタロシアニン系色
素は感度が低く、また分解点が高く蒸着しにくい等の問
題点を有し、さらに有機溶媒に対する溶解性が著しく低
く、塗布によるコーティングに使用することができない
という問題があった。また、上記のような従来の７エナ
レン系やナフトキノン系色素は蒸着しやすい利点のある
半面、反射率の低いという問題があった。すなわち、反
射率が低いとレーザー光により記録された部分と未記録
部分・との反射率に関係するコントラストは低くなり、
記録された情報の再生が困難となる。更に、一般に有機
系色素は、保存安定性が劣るという問題もあった。

本発明は、上記のような従来の課題を解決して、有機溶
媒に対する溶解性が高く、塗布によるコーティングが可
能なばかりでなく、反射率が高く、コントラストが良好
で保存性にもすぐれている含金属インドフェノール系色
素化合物及び該化合物を使用した光学記録媒体の提供を
目的とする。

〔課題を解決するだめの手段〕

本発明者らは、かかる目的を達成すべく鋭意研究を進め
た結果、本発明に到達した。すなわち、本発明は、−最
大（１） （式中、Ｍはニッケル、銅、亜鉛、鉄又はコバルトの各
金属原子を表わしＲ１は水素原子、・・ロゲン原子又は
アルキル基を表わし、ｘ、ｙは水素原子、ハロゲン原子
、ヒドロキシ基、置換若しくは非置換のアルコキシ基又
は置換若しくは非置換のアルキル基を表わしＲ２は水素
原子、置換若しくは非置換のアルキル基又はシクロアル
キル基を表わし、Ｚ　は陰イオンを表わし、ｎは２又は
３の数を表わす。）で示される含金属インドフェノール
系化合物、並びに、基板と記録層からなり、該記録層に
前爪一般式ＣＩ）で示される本発明の含金属インドフェ
ノール系化合物を光吸収性物質として担持せしめたこと
を特徴とする光学記録媒体を要旨とするものである。

以下、本発明の前爪一般式〔１〕で示される含金属イン
ドフェノール系色素化合物につき更に詳しく説明する。

前爪一般式（１）中、２　で表わされる陰イオンとして
は、例えばＩ−、Ｂｒ−１ＣｌスＣｌ０−　、ＢＦ−１
ＰＦ　等が挙げられる。

また、Ｒ１は、好ましくは水素原子、塩素原子、臭素原
子又はメチル基、エチル基等の低級アルキル基を表わす
。

またＲ２で表わされる置換アルキル基の置換基としては
、例えばアルコキシ基、アルコキシアルコキシ基、アリ
ルオキシ基、ハロゲンＩｌｌ、アリール基、アリールオ
キシ基、シアノ基、ヒドロキシ基、テトラヒドロフルフ
リル基等が挙げられＲ２で表わされる非置換のアルキル
基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル
基、オクチル基等のアルキル基Ｒ２で表わされるシクロ
アルキル基としては、シクロヘキシル基、シクロペンチ
ル基等が挙げられる。更に、Ｘ、Ｙで表わされる置換ア
ルキル基及び置換アルコキシ基の置換基としては、アル
コキシ基、アルコキシアルコキシ基、アリルオキシ基、
ハロゲン原子、アリール基アリールオキシ基、シアン基
、ヒドロキシ基、テトラヒドロフルフリル基等が挙げら
れ、Ｘ、Ｙで表わされる非置換のアルキル基としては、
メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、オクチル
基等のアルキル基が挙げられ、Ｘ、Ｙで表わされる非置
換のアルコキシ基としては、メトキシ基、エトキシ基、
プロポキシ基、ブトキシ基、オクチルオキシ基等のアル
コキシ基が挙げられる。

前示一般式（１）で示される本発明の含金属インドフェ
ノール系化合物は、約６００〜ｓ　ｏ　ｏ　ｎｍの波長
帯域に可視部吸収を有し、しかもその分子吸光係数は１
０４〜ｌＱ５ｍ−’である。

かかる−最大（１）で示される含金属インドフェノール
系化合物の一般的合成は、例えば、下記−最大（１） （式中Ｒ１は前記定義に同じ。） で示される化合物と、下記−最大〔璽〕（式中、Ｘ、Ｙ
、Ｒ２は前記定義に同じ。）で示される化合物の塩酸塩
との酸化的縮合を行い、下記−最大ＣＩＶ） （式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｘ、Ｙは前記定義に同じ。）で示
される化合物を得、次いで、上記化合物と下記一般弐ｒ
Ｄ Ｍ”（Ｚ−）２　　　・・・・・・・・・　（Ｖ）（式
中、Ｍ、Ｚ−は前記定義に同じ。）で示される金属塩と
を反応させることによって、実施することができる。

本発明の含金属インドフェノール系化合物は光学記録媒
体の色素として用いられるが、光学記録媒体は、基本的
には基板と含金属インドフェノール系化合物を含む記録
層とから構成され、さらに必要に応じて基板上に下引き
層を、また記録層上に保護層が設けられる。

用いる基板としては、使用するレーザー光に対して透明
又は不透明のいずれでもよい。基板材料の材質としては
、ガラス、プラスチック、紙、板状又は箔状の金属等の
一般の記録材料の支持体が挙げられるが、プラスチック
が種々の点から好適である。プラスチックとしては、ア
クリル樹脂、メタクリル樹脂、酢酸ビニル樹脂、塩化ビ
ニル樹脂、ニトロセルロース、ポリエチレン樹脂、ポリ
プロピレン樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリイミド樹
脂、ポリエステル樹脂、エポキシ樹脂、ポリサルホン樹
脂等が挙げられる。

光学記録媒体において、情報記録層として本発明の含金
属インドフェノール系化合物を使用する際、膜厚は１０
０Ｘ〜５μｍ１好ましくは５００Ａ〜２μｍである。成
膜法としては、真空蒸着法、スパッタリング法、ドクタ
ーブレード法、キャスト法、スピナー法、浸漬法など一
般に行われている薄膜形成法で成膜することができる。

また、必要に応じてバインダーを使用することもできる
。バインダーとしてはＰＶＡ、ＰＶＰ。

ケトン樹Ｊ］Ｌニトロセルロース、酢酸セルロース、ポ
リビニルブチラール、ポリカーボネートなど既知のもの
が用いられ、樹脂に対する含金属インドフェノール系化
合物の量は重量比で０．０１以上あることが望ましい。

スピナー法により成膜の場合、回転数は５００〜５００
０　ｒｐｍが好ましく、スピンコードの後、場合によっ
ては、加熱あるいは溶媒蒸気にあてる等の処理を行って
もよい。また、記録体の安定性や耐光性向上のために、
−重環酸素クエンチャーとして遷移金属キレート化合物
（例えば、アセチルアセトナート、ビスフエニルジチオ
ール、サリチルアルデヒドオキシム、ビスジチオ−α−
ジケトン等の遷移金属キレート）を含有していてもよい
。

更に、必要に応じて他の色素を併用することができる。

他の色素としては、別の種類の同系統の化合物でもよい
し、トリアリールメタン系色素、アゾ染料、シアニン系
色素、スクワリリウム系色素、含金属インドアニリン系
色素など他系統の色素でもよい。

ドクターブレード法、キャスト法、スピナー法、浸漬法
、特に、スピナー法等の塗布方法により記録層を形成す
る場合の塗布溶媒としては、テトラクロロエタン、ブロ
モホルム、ジブロモエタン、エチルセロソルブ、ジアセ
トンアルコール、３−ヒドロキシ−３−メチル−２−ブ
タノン、キシレン、クロロベンゼン、シクロヘキサノン
等の沸点１２０〜１６０℃のものが好適に使用される。

光学記録媒体の記録層は基板の両面に設けてもよいし、
片面だけに設けてもよい。

上記のようにして得られた記録媒体への記録は、基体の
両面又は片面に設けた記録層に１μｍ程度に集束したレ
ーザー光、好ましくは、半導体レーザーの光をあてるこ
とにより行う。レーザー光の照射された部分には、レー
ザーエネルギーの吸収による分解、蒸発、溶融等の記録
層の熱的変形が起こる。

記録された情報の再生は、レーザー光によシ、熱的変形
が起きている部分と起きていない部分の反射率の差を読
み取ることにより行う。

光学記録媒体に使用されるレーザー光としては、Ｎ２、
Ｈｅ−Ｃｄ、　Ａｒ、Ｈｅ　−Ｎｅ、　ルビー、半導体
又は色素のレーザーなどが挙げられるが、特に、軽量性
、取扱いの容易さ、コンパクト性などの点から半導体レ
ーザーが好適である。

〔実施例〕

次に、本発明を実施例により更に具体的に説明するが、
本発明は、以下の実施例によシ限定されるものではない
。

実施例１ （ａ）　　製造例−１ 下記構造式 で表わされる８−ヒドロキシキノリン３．６２Ｆに、ア
セトン１１２．５ｍｌ　とアンモニア水６２．５ｒＢ　
を加えて溶解し、−１０℃に冷却した。この冷却溶液に
、過硫酸アンモニア１１．５　ｔの水５０ｒｎ７Ｉ水溶
液と、ｐ−メトキシアニリン３．１９のアセトン５０ｍ
１の溶液とを、それぞれ約１時間を要して滴下した。次
いで２時間かくはんした後、水１００ｍＪを加えてから
１時間かくはんし、濾過、水洗、乾燥して、下記構造式
で示されるインドフェノール系化合物を得た。

本化合物は、添付図面の図−１に示すように、可視部の
吸収スペクトル（エタノール中）のλｍａｘは５４２ｎ
ｍであった。

次に、上記で得られた化合物の５−（４’−メトキシフ
ェニルイミノ）−５，Ｓ−キノリンイミン０．０８　ｆ
をエタノール４９ｒｒｌに溶解した溶液に、Ｎ１ＣＪ２
６Ｈ２００，０２４ｆの水１０ｍＪ水溶液を３０分間で
滴下し、その後１時間かくはんした。さらに、ＮＨ４Ｐ
Ｆ、　０．１２　ｆ　（７）水１０ｍ１水溶液を３０分
間で滴下し、その後２時間かくはんした。水２０ｍ１を
加えて濾過、水洗、乾燥して、下記構造式 で示される本発明の含金属インドフェノール系化合物を
得た。

得られた本発明の含金属化合物は、添付図面の図−２に
示すように、可視部の吸収スペクトル（アセトン中）の
λｍａｘは７１２ｎｍとなって、金属配位により、上記
の金属未配位化合物のλｍａｘを１７０ｎｍ長波長化し
たものであることが判る。

（ｂ）　　記録媒体例−１ 前記（ａ）で製造した含金属インドフェノール系化合物
０．１２をテトラクロロエタン１０１に溶解し、０．２
２μのフィルターで濾過し、溶解液を得た。この溶液１
ｍＪをポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）樹脂基板
（５２φ）の上に滴下し、スピナー法によりｇ　ｏ　ｏ
　ｒｐｍの回転数で塗布した。塗布後、６０℃で１０分
間乾燥した。塗布膜の最大吸収波長は７１９ｎｍであっ
た。スペクトルの形状は巾広かった。

（Ｃ）　　光記録法−１ 上記中）で得られた塗布膜に、中心波長７８０ｎｍの半
導体レーザー光を出力６ｍＷで照射したところ、輪郭の
極めて明瞭なピットが形成された。

この塗布膜は高温湿下（６０℃、８０％ＲＨ）での促進
テストで２０日以上安定であった。

実施例２ （ａ）　　製造例−２ 実施例１において、下記構造式 で表わされる化合物１００■の代りに、下記構造式 で表ワされる５　−（４’−ヒドロオキシフェニルイミ
ノ）−５，８−キノリンイミン８６．８　ｍ’ｌｊを用
いた以外は、実施例１と同様にして、下記構造式 で示される本発明の含金属インドフェノール系化合物を
得だ。

上記の金属未配位化合物の５−　（４’−ヒドロオキシ
フェニルイミノ）−５，８−キノリンイミンは、添付図
面の図−３に示すように、可視部の吸収スペクトル（エ
タノール中）のλｍａｘは４９５　ｎｍであるのに対し
、上記の本発明の含金属化合物は、添付図面の図−４に
示すように、可視部の吸収スペクトル（エタノール中）
のλｍａｘは６３２ｎｍとなシ、金属配位により１３７
ｎｍ長波長化したことが判る。

（ｂ）　　記録媒体例−２ 前記（ａ）で製造した含金属インドフェノール系化合物
を実施例１に記載の方法に従って、溝（グループ）つき
ＰＭＭＡ樹脂基板上にスピナー法による塗布を行った。

塗布膜の最大吸収波長は６１５　ｎｍであり、スペクト
ルの形状は巾広かった。

実施例３ 実施例１に準じた方法により、前足一般式〔１〕で示さ
れる本発明の含金属インドフェノール系化合物の２７例
を合成し、それらのエタノール溶液中での可視部の吸収
スペクトルの最大吸収波長（λｍａｘ、　ｎｍ）　　を
測定した。それら各化合物の構造式と測定結果を下記第
１表にまとめて示した。

（その１ 前示一般式〔１〕で示される含金属インドフェノール系
化合物の具体例としては、以上の実施例で挙げたものの
他、下記の第２表に示す１２例なども挙げられ、良好な
結果を得た。

第 表 （その２ 〔発明の効果〕 本発明の含金属インドフェノール系化合物は、有機溶媒
に対する溶解性が高く、その溶液巾約６００〜８００ｎ
ｍ、多くは７００〜８００ｎｍの波長帯域に可視部吸収
を有し、しかも分子吸光係数は１０４〜１０５ｃｒｎ−
１の新規な化合物であるのに加えて、耐光性、耐熱性良
好でかつ保存安定性にすぐれている、という特に光学記
録層用として工業的価値ある顕著な効果を奏するもので
ある。

また、本発明の光学記録媒体は、記録層の光吸収性物質
としてかかる新規な本発明の含金属インドフェノール系
化合物を含有しているので、耐光性、耐熱性、保存安定
性にすぐれ、しかもその反射率は高く、コントラストも
良好なばかりでなく、該記録層の薄膜の最大吸収波長の
ピークは巾広く、この薄膜にレーザー光を入射させると
輪郭の極めて明瞭なピット（孔）が形成される、という
顕著な効果を奏するものである。

【図面の簡単な説明】

図−１及び図−２は実施例１、図−３及び図４は実施例
２、のそれぞれにおける本発明の金属未配位の中間体及
び本発明の含金属インドフェノール系化合物、例の可視
部吸収スペクトルを表わすものであって、縦軸は吸光度
、横軸は波長（ｎｍ）を表わす。

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）一般式〔 I 〕 ▲数式、化学式、表等があります▼・・・・・・〔 I
   〕 （式中、Ｍはニッケル、銅、亜鉛、鉄又はコバルトの各
   金属原子を表わし、Ｒ＾１は水素原子、ハロゲン原子又
   はアルキル基を表わし、Ｘ、Ｙは水素原子、ハロゲン原
   子、ヒドロキシ基、置換若しくは非置換のアルコキシ基
   又は置換若しくは非置換のアルキル基を表わし、Ｒ＾２
   は水素原子、置換若しくは非置換のアルキル基又はシク
   ロアルキル基を表わし、Ｚ＾−は陰イオンを表わし、ｎ
   は２又は３の数を表わす。）で示される含金属インドフ
   ェノール系化合物。
2. （２）基板上に担持された色素よりなる記録層の該色素
   に熱的変化を与える集束レーザー光を照射し、前記記録
   層に部分的な変化を生ぜしめて記録を行い、次いで該変
   化部分の選択によって再生を行う記録媒体であって、基
   板に前記記録層の色素として請求項１記載の一般式〔
   I 〕で示される含金属インドフェノール系化合物を担持
   せしめたことを特徴とする光学記録媒体。