JPH02278791A - 基板上に形成されたインピーダンス素子の調整方法 - Google Patents
基板上に形成されたインピーダンス素子の調整方法Info
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- JPH02278791A JPH02278791A JP1101212A JP10121289A JPH02278791A JP H02278791 A JPH02278791 A JP H02278791A JP 1101212 A JP1101212 A JP 1101212A JP 10121289 A JP10121289 A JP 10121289A JP H02278791 A JPH02278791 A JP H02278791A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、厚膜印刷法によって基板上に形成され、特に
閏ループ回路を構成するインピーダンス素子のインピー
ダンスをy4整するための方法に関する。
閏ループ回路を構成するインピーダンス素子のインピー
ダンスをy4整するための方法に関する。
従来の技術および発明が解決しようとする課題たとえば
、第7図で示される閏ループ回路1において、該閉ルー
プ回路1を構成し、厚膜印刷によ−)で形成される抵抗
R1〜R4の抵抗値の調整は、典型的な従来技術では以
下のようにして行われる。たとえば抵抗R3を調整する
場き、該抵抗R3の両端子、すなわち接続点A、Hにプ
ローブ・を接続して定電流を印加し、該接続点A、B間
に発生する電圧を測定しり一つ、目障とする抵抗値まで
、該抵抗R3がレーザ光によってトリミングされる。
、第7図で示される閏ループ回路1において、該閉ルー
プ回路1を構成し、厚膜印刷によ−)で形成される抵抗
R1〜R4の抵抗値の調整は、典型的な従来技術では以
下のようにして行われる。たとえば抵抗R3を調整する
場き、該抵抗R3の両端子、すなわち接続点A、Hにプ
ローブ・を接続して定電流を印加し、該接続点A、B間
に発生する電圧を測定しり一つ、目障とする抵抗値まで
、該抵抗R3がレーザ光によってトリミングされる。
このとき、接続点A、B間に印加された電流が、抵抗R
IR2−R4経由で流れると、測定される抵抗値は誤っ
た値となってしまう、このため、前記抵抗RL R2
R4経由の電流が流れないように、接続点CまたはDと
、前記接続点Bとの間に、参照符2で示されるようにボ
ルテージホロワ回路を接続して、前記接続点CまたはD
と、接続点Bとの電位を同電位に調整することによって
、抵抗R3に流れる電流を一定値とし、該抵抗R3の抵
抗値に測定誤差が生じないようにして、トリミングが行
われる。
IR2−R4経由で流れると、測定される抵抗値は誤っ
た値となってしまう、このため、前記抵抗RL R2
R4経由の電流が流れないように、接続点CまたはDと
、前記接続点Bとの間に、参照符2で示されるようにボ
ルテージホロワ回路を接続して、前記接続点CまたはD
と、接続点Bとの電位を同電位に調整することによって
、抵抗R3に流れる電流を一定値とし、該抵抗R3の抵
抗値に測定誤差が生じないようにして、トリミングが行
われる。
こめ方法では、抵抗R3の抵抗値が小さいときには、該
抵抗R3を流れる電流値を大きくすることができ、前記
ボルテージホロワ回路2によって比較的容易に、前記接
続点CまたはDの電位を、接続点Bの電位に等しくする
ことができる。これに対して、抵抗R3の抵抗値が高い
ときには、該抵抗R3を流れる電流値は小さくなり、接
続点CまたはDと、接続点Bとの電位を高精度に一致さ
せることは困難である。
抵抗R3を流れる電流値を大きくすることができ、前記
ボルテージホロワ回路2によって比較的容易に、前記接
続点CまたはDの電位を、接続点Bの電位に等しくする
ことができる。これに対して、抵抗R3の抵抗値が高い
ときには、該抵抗R3を流れる電流値は小さくなり、接
続点CまたはDと、接続点Bとの電位を高精度に一致さ
せることは困難である。
また、接続点A、B間の電流値の精度は、ボルテージホ
ロワ回路2の性能によって決定されるけれども、−最的
には各抵抗値を、R3/(R1モR2モR4)≦100
程度となるようは収めなければ、高精度な測定を行うこ
とはできない、したがって回路設計上、大きな制約が生
じる。さらにまた、ボルテージホロワ回路2の接続など
のために、プローブの本数が増加し、生産性に劣る。
ロワ回路2の性能によって決定されるけれども、−最的
には各抵抗値を、R3/(R1モR2モR4)≦100
程度となるようは収めなければ、高精度な測定を行うこ
とはできない、したがって回路設計上、大きな制約が生
じる。さらにまた、ボルテージホロワ回路2の接続など
のために、プローブの本数が増加し、生産性に劣る。
上述の問題を解決するために、前記閉ループ回路1を構
成する導体3の一部分を、第80において参照′f!f
3 aで示されるように予め切断して形成しておき、後
の半田付は工程で、半田ブリッジによって接続する方法
が考えられる。
成する導体3の一部分を、第80において参照′f!f
3 aで示されるように予め切断して形成しておき、後
の半田付は工程で、半田ブリッジによって接続する方法
が考えられる。
しかしながら、導体3は厚膜印刷によって形成されるな
め、第8図(1)で示されるように、導体幅W1が30
0μ「n程度であるのに対して、切断箇所3aの間隔1
1は150〜200μm必要となる。一方、半田の表面
張力は比較的大きく、したがって参照符4で示されるよ
うにクリーム半田を印刷し、リフロー炉で加熱して半田
付けを行うと、前記クリーム半田4は第8図(2)にお
いて参照符5,6で示されるように、切断箇所3aを短
絡することなく、導体3上で固化してしまう。
め、第8図(1)で示されるように、導体幅W1が30
0μ「n程度であるのに対して、切断箇所3aの間隔1
1は150〜200μm必要となる。一方、半田の表面
張力は比較的大きく、したがって参照符4で示されるよ
うにクリーム半田を印刷し、リフロー炉で加熱して半田
付けを行うと、前記クリーム半田4は第8図(2)にお
いて参照符5,6で示されるように、切断箇所3aを短
絡することなく、導体3上で固化してしまう。
このため、第9図で示されるように、閉ループ回路1a
に関連して、いわゆる磁器コンデンサやパワートランジ
スタ等の比較的大きい半田付は面積を有する構成部品7
が設けられる場き、第10図で示されるように、前記切
断箇所3aにランド8a、8bを形成しておき、このラ
ンド8a、8bを、半田けけされるチップ部品9の端子
で短絡するようにした方法が用いられている。
に関連して、いわゆる磁器コンデンサやパワートランジ
スタ等の比較的大きい半田付は面積を有する構成部品7
が設けられる場き、第10図で示されるように、前記切
断箇所3aにランド8a、8bを形成しておき、このラ
ンド8a、8bを、半田けけされるチップ部品9の端子
で短絡するようにした方法が用いられている。
しか1−ながら、閉ループ回路la内にこのような大形
部品が設けられていることは稀であり、したがってその
ようなj%会には、第11図で示されろようにランド8
a、8b間に、ジャンパ線としての機能を有するチップ
部品10が半田fすけされてランド8a、8b問がM絡
される。
部品が設けられていることは稀であり、したがってその
ようなj%会には、第11図で示されろようにランド8
a、8b間に、ジャンパ線としての機能を有するチップ
部品10が半田fすけされてランド8a、8b問がM絡
される。
二のような方法では、ジャンパ線としてのチップ部品1
0が新たに必要となるとともに、部品の実装面積が大き
くなり、高密度化が困難である。
0が新たに必要となるとともに、部品の実装面積が大き
くなり、高密度化が困難である。
また、前記チップ部品9およびこのチップ部品10に位
置ずれが生じたときには、接続不良となる。
置ずれが生じたときには、接続不良となる。
本発明の目的は、閉ループ回路内のインピーダンス素子
を高精度に、かつ簡便に調整することができる基板上に
形成されたインピーダンス素子のy40方法を提供する
ことである。
を高精度に、かつ簡便に調整することができる基板上に
形成されたインピーダンス素子のy40方法を提供する
ことである。
課題を解決するための手段
本発明は、先ず、電気絶縁性基板上に導体を設け、その
後に厚膜印刷法によってインピーダンス素子を形成し、 レーザ光を用いて前記導体を幅方向に屈曲するように切
断して、前記インピーダンス素子の少なくとも一端が開
放されるようにし、 次に、インピーダンス素子の両端のインピーダンスを測
定しつつ、前記レーザ光で除去して希望するインピーダ
ンス素子を作成し、 前記導体の切断箇所を半田Iすけすることを特徴とする
基板上に形成されたインピーダンス素子の調整方法であ
る。
後に厚膜印刷法によってインピーダンス素子を形成し、 レーザ光を用いて前記導体を幅方向に屈曲するように切
断して、前記インピーダンス素子の少なくとも一端が開
放されるようにし、 次に、インピーダンス素子の両端のインピーダンスを測
定しつつ、前記レーザ光で除去して希望するインピーダ
ンス素子を作成し、 前記導体の切断箇所を半田Iすけすることを特徴とする
基板上に形成されたインピーダンス素子の調整方法であ
る。
作 用
本発明に従えば、電気絶縁性基板上に導体とインピーダ
ンス素子とが厚膜印刷法によって形成された回路の前記
インピーダンス素子をi1重するにあたって、レーザ光
によって導体の所定位置を幅方向に屈曲するように切断
して、前記インピーダンス素子の少なくとも一端を開放
する。このように少なくとも一端が開放されたインピー
ダンス素子は、その両端のインピーダンスを測定しつつ
、前記レーザ光によって、該インピーダンス素子が希望
とするインピーダンスとなるように除去されて、いわゆ
るトリミングが行われる。こうして希望するインピーダ
ンス素子が形成された擾、前記導体の切断箇所は他のラ
ンドやチップ部品とともに半田けけされる。
ンス素子とが厚膜印刷法によって形成された回路の前記
インピーダンス素子をi1重するにあたって、レーザ光
によって導体の所定位置を幅方向に屈曲するように切断
して、前記インピーダンス素子の少なくとも一端を開放
する。このように少なくとも一端が開放されたインピー
ダンス素子は、その両端のインピーダンスを測定しつつ
、前記レーザ光によって、該インピーダンス素子が希望
とするインピーダンスとなるように除去されて、いわゆ
るトリミングが行われる。こうして希望するインピーダ
ンス素子が形成された擾、前記導体の切断箇所は他のラ
ンドやチップ部品とともに半田けけされる。
前記切断箇所は、レーデ光によって、すなわち比較的快
い間隔で切断されており、またその切断な所は、前述の
ように導体の幅方向に屈曲して形成されているため、該
切断箇所は半田によって確実に短絡されて、所望とする
回路パターンが形成される6 実施例 第1図は、本発明の一実施例の正面図である。
い間隔で切断されており、またその切断な所は、前述の
ように導体の幅方向に屈曲して形成されているため、該
切断箇所は半田によって確実に短絡されて、所望とする
回路パターンが形成される6 実施例 第1図は、本発明の一実施例の正面図である。
アルミナやガラス等から成る電気絶縁性の基板11上に
は、鋼糸や銀糸あるいは金糸などの材料が厚膜印刷され
て、導体12.13が形成される。
は、鋼糸や銀糸あるいは金糸などの材料が厚膜印刷され
て、導体12.13が形成される。
これらの導体12,131?iには、厚膜印刷によって
形成され、たとえば導体12.13が根糸の材f1から
成るとき、酸化ルテニウムなどから成る抵抗R1〜R4
が厚膜印刷され、こうして第2図で示される閉ループ回
路】4が構成される。
形成され、たとえば導体12.13が根糸の材f1から
成るとき、酸化ルテニウムなどから成る抵抗R1〜R4
が厚膜印刷され、こうして第2図で示される閉ループ回
路】4が構成される。
抵抗R1,R2の接続点には導体15が接続され、抵抗
R3,R4の接続点には導体16が接続される。導体1
3の形成時には、該導体13は、抵抗R1、R3問を導
通するように形成されており、抵抗R3を、後述するよ
うにレーザ光によってト・リミングしてその抵抗値を調
整するにあたって、参照符17で示されるように、予め
そのレーザ光によって該導体13は切断される。
R3,R4の接続点には導体16が接続される。導体1
3の形成時には、該導体13は、抵抗R1、R3問を導
通するように形成されており、抵抗R3を、後述するよ
うにレーザ光によってト・リミングしてその抵抗値を調
整するにあたって、参照符17で示されるように、予め
そのレーザ光によって該導体13は切断される。
前記導体13の切断箇所17は、第3121で拡大して
示されるように、参照符W1で示されるたとえば300
〜400μrn程度の導体幅に対して、参照旧2で示さ
れる集束したレーザ光の直径である50〜70μm程度
の比較的狭い間隔で、導体13の幅方向に屈曲したクラ
ンク状に形成される。
示されるように、参照符W1で示されるたとえば300
〜400μrn程度の導体幅に対して、参照旧2で示さ
れる集束したレーザ光の直径である50〜70μm程度
の比較的狭い間隔で、導体13の幅方向に屈曲したクラ
ンク状に形成される。
第4図は、基板11上に形成された抵抗R1〜R4の調
整装置21の正面図である。基板11は、水平方向に移
動可能なX−Yテーブル22上に載置される。このX−
Yテーブル22上には、集束レンズ23およびガルバノ
、メータ24が配置されている。ガルバノメータ24は
、前記集束レンズ23側に臨んで形成される鏡面25を
電磁力によって角変位する。
整装置21の正面図である。基板11は、水平方向に移
動可能なX−Yテーブル22上に載置される。このX−
Yテーブル22上には、集束レンズ23およびガルバノ
、メータ24が配置されている。ガルバノメータ24は
、前記集束レンズ23側に臨んで形成される鏡面25を
電磁力によって角変位する。
こうして、ミラー26を介して鏡面25に照射されるレ
ーザ源27からのレーザ光は、集束レンズ23で集束さ
れて、X−Yテーブル22上の基板11に照射される。
ーザ源27からのレーザ光は、集束レンズ23で集束さ
れて、X−Yテーブル22上の基板11に照射される。
X−Yテーブル22上にはまた、複数のプローブ28−
30が設けられており、これらグ)プローブ28〜30
に接続される計測機器の計測結果に基づいて、抵抗R1
〜R4が希望する抵抗値となるように、レーザ光によっ
てトリミングされる。
30が設けられており、これらグ)プローブ28〜30
に接続される計測機器の計測結果に基づいて、抵抗R1
〜R4が希望する抵抗値となるように、レーザ光によっ
てトリミングされる。
第5図は、上述の抵抗R1〜R4の調整工程図である。
工程r11では、基板11上に実装される部品や、導体
12’、13.15.16の引回し、および抵抗R1〜
R4の抵抗値などが決定され、回路パターンが設計され
る。工程n2では、前記工程rr 1で設計された回路
パターンに基づいて、厚膜印刷のためのマスク原版が作
成され、製版される。工程n 3では、工程r+ 2で
作成された原版を用いて、回路パターンの印刷が行われ
る。
12’、13.15.16の引回し、および抵抗R1〜
R4の抵抗値などが決定され、回路パターンが設計され
る。工程n2では、前記工程rr 1で設計された回路
パターンに基づいて、厚膜印刷のためのマスク原版が作
成され、製版される。工程n 3では、工程r+ 2で
作成された原版を用いて、回路パターンの印刷が行われ
る。
工程n 4では、回路パターンの印刷された基板11が
調整装置21上に載置され、前記切断箇所17がレーザ
光によ−)て切断される。工程rI5では、工程「14
で切断された閉ルー1回路14の各抵抗R1〜R4が、
レーザ光によってトリミングされて、その抵抗値が希望
する値に調整される。
調整装置21上に載置され、前記切断箇所17がレーザ
光によ−)て切断される。工程rI5では、工程「14
で切断された閉ルー1回路14の各抵抗R1〜R4が、
レーザ光によってトリミングされて、その抵抗値が希望
する値に調整される。
抵抗値の調整された基板11には、工程ri 6で半田
けけ部分にクリーム半田が印刷されるとともに、チップ
部品などが搭載される。工程rr 7では、半田が塗布
されチップ部品が搭載された基板11がリフロー炉で半
田付けされ、こうして前記チップ部品等の搭載部品が半
田f十けされるとともに、切l17Tl!Y所17に半
田ブリッジが形成されて、該切断箇所17の導体13部
分が導通する。
けけ部分にクリーム半田が印刷されるとともに、チップ
部品などが搭載される。工程rr 7では、半田が塗布
されチップ部品が搭載された基板11がリフロー炉で半
田付けされ、こうして前記チップ部品等の搭載部品が半
田f十けされるとともに、切l17Tl!Y所17に半
田ブリッジが形成されて、該切断箇所17の導体13部
分が導通する。
上述の実施例では、切断箇所17はクランク伏に形成さ
れたけれども、該切断箇所17の形状は、導体13の幅
方向に屈曲して形成されていればよく、したがって第6
図に示されるようなくの字形に形成されてもよい。
れたけれども、該切断箇所17の形状は、導体13の幅
方向に屈曲して形成されていればよく、したがって第6
図に示されるようなくの字形に形成されてもよい。
このように本発明に従う抵抗などのインピーダンス素子
の調整方法では、閃ループ回″tII14を構成する導
体13の一部分を、レーザ光によって、該導体13の幅
方向に屈曲するように切断して、各抵抗R1〜R4の少
なくとも一端を開放し、こうして個々の抵抗の抵抗値を
高精度に測定できるようになった状態で、抵抗値を測定
しつつ調整し、そのt麦、前記導体13の切断箇所17
を他の構成部品とともに半田付けによって回路するよう
にしたので、各抵抗R1〜R4を希望する抵抗値に、た
とえば閉ループ回路で±2%程度、開ループ回路で±1
%程度の高精度に調整することができる。
の調整方法では、閃ループ回″tII14を構成する導
体13の一部分を、レーザ光によって、該導体13の幅
方向に屈曲するように切断して、各抵抗R1〜R4の少
なくとも一端を開放し、こうして個々の抵抗の抵抗値を
高精度に測定できるようになった状態で、抵抗値を測定
しつつ調整し、そのt麦、前記導体13の切断箇所17
を他の構成部品とともに半田付けによって回路するよう
にしたので、各抵抗R1〜R4を希望する抵抗値に、た
とえば閉ループ回路で±2%程度、開ループ回路で±1
%程度の高精度に調整することができる。
また、前記切断箇所17は、導体13の印刷工程で形成
されるのではなく、抵抗R1〜R4の調整前にレーザ光
によって切断されて形成されるため、従来技術の調整工
程と比較して、第5図において9照杵n 4で示される
工程のみを追加するだけでよく、また切1新箇所17の
半田f寸けも他の構成部品の半田付けと同時に行うこと
ができる。したがって、工程を大幅に変更する必要はな
く、簡便に実施することができる。
されるのではなく、抵抗R1〜R4の調整前にレーザ光
によって切断されて形成されるため、従来技術の調整工
程と比較して、第5図において9照杵n 4で示される
工程のみを追加するだけでよく、また切1新箇所17の
半田f寸けも他の構成部品の半田付けと同時に行うこと
ができる。したがって、工程を大幅に変更する必要はな
く、簡便に実施することができる。
さらにまた、回路パターンを大形化することなく、した
がって部品の実装密度を低下することなく、しかも切r
!RI!FIr17を短絡するためのランドや特別な構
成部品などが不要となり、構成を簡略化して低コスト化
を図ることができる。さらにまた、回路設計上の制約を
なくすことができるとともに、測定用のグローブの本数
を必要最小限として、作業性を向上することができる。
がって部品の実装密度を低下することなく、しかも切r
!RI!FIr17を短絡するためのランドや特別な構
成部品などが不要となり、構成を簡略化して低コスト化
を図ることができる。さらにまた、回路設計上の制約を
なくすことができるとともに、測定用のグローブの本数
を必要最小限として、作業性を向上することができる。
上述の実施例では、本発明に従う調整方法は、インピー
ダンス素子である抵抗R1〜R4について実施されたけ
れども、本発明の池の実施例として、他のインピーダン
ス素子について実施されてもよい。
ダンス素子である抵抗R1〜R4について実施されたけ
れども、本発明の池の実施例として、他のインピーダン
ス素子について実施されてもよい。
発明の効果
以上のように本発明によれば、インピーダンス素子を調
整するにあた′)で、レーザ光によって導体の所定位置
を幅方向に屈曲するように切断して、該インピーダンス
素子の少なくとも一端を開放し、・インピーダンスを調
整した後、前記導体の切断箇所を他のランドやチップ部
品とともに半田Cすけするようにしたので、前記切断箇
所は、レーザ光によって、すなわち比較的狭い間隔で切
断されており、またその切断箇所は、前述のように導体
の幅方向に屈曲して形成されているため、該切断箇所は
半田によって確実に短絡されて、所望とする回路パター
ンが形成される。したがって、閉ループI78]yδ内
のインピーダンス素子分、高精度に、かつ簡便に調整す
ることができる。
整するにあた′)で、レーザ光によって導体の所定位置
を幅方向に屈曲するように切断して、該インピーダンス
素子の少なくとも一端を開放し、・インピーダンスを調
整した後、前記導体の切断箇所を他のランドやチップ部
品とともに半田Cすけするようにしたので、前記切断箇
所は、レーザ光によって、すなわち比較的狭い間隔で切
断されており、またその切断箇所は、前述のように導体
の幅方向に屈曲して形成されているため、該切断箇所は
半田によって確実に短絡されて、所望とする回路パター
ンが形成される。したがって、閉ループI78]yδ内
のインピーダンス素子分、高精度に、かつ簡便に調整す
ることができる。
第1図は本発明の一実施例の正面図、第2図は基[11
上に形成された閉ループ回路14の電気回路口、第3図
は切断箇所17を拡大して示す正面図、第4(2Iは抵
抗R1−R4の:A塁装置21の正面図、第5図は抵抗
R1〜R4の:IiI!l工程を説明するための工程図
、第6[21は本発明の他の実施例の切断箇所17の形
状を示す正面図、第7[21は従来技術の抵抗R1〜R
4のy4M方法を説明するための電気回路図、第8図は
導体3の切断箇所3aの半田けけ状態を示す正面図、第
9図は池の従来技術が用いられる開ループ回路1aの電
気回路図、第10図は他の従来技術を説明するための電
気回路図、第11図はさらに池の従来技術を説明するた
めの電気回路図である。 11・・・基板、12.13,15.16・・・導体、
14・・・閏ループ回路、17・・・切断箇所、21・
・・調整装置、27・・・レーザ源 代理人 弁理士 西教 圭一部 区 ピ 第 図 区 へ 唾 第 図 ■ Qつ 緩
上に形成された閉ループ回路14の電気回路口、第3図
は切断箇所17を拡大して示す正面図、第4(2Iは抵
抗R1−R4の:A塁装置21の正面図、第5図は抵抗
R1〜R4の:IiI!l工程を説明するための工程図
、第6[21は本発明の他の実施例の切断箇所17の形
状を示す正面図、第7[21は従来技術の抵抗R1〜R
4のy4M方法を説明するための電気回路図、第8図は
導体3の切断箇所3aの半田けけ状態を示す正面図、第
9図は池の従来技術が用いられる開ループ回路1aの電
気回路図、第10図は他の従来技術を説明するための電
気回路図、第11図はさらに池の従来技術を説明するた
めの電気回路図である。 11・・・基板、12.13,15.16・・・導体、
14・・・閏ループ回路、17・・・切断箇所、21・
・・調整装置、27・・・レーザ源 代理人 弁理士 西教 圭一部 区 ピ 第 図 区 へ 唾 第 図 ■ Qつ 緩
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 先ず、電気絶縁性基板上に導体を設け、その後に厚膜
印刷法によつてインピーダンス素子を形成し、 レーザ光を用いて前記導体を幅方向に屈曲するように切
断して、前記インピーダンス素子の少なくとも一端が開
放されるようにし、 次に、インピーダンス素子の両端のインピーダンスを測
定しつつ、前記レーザ光で除去して希望するインピーダ
ンス素子を作成し、 前記導体の切断箇所を半田付けすることを特徴とする基
板上に形成されたインピーダンス素子の調整方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1101212A JPH02278791A (ja) | 1989-04-19 | 1989-04-19 | 基板上に形成されたインピーダンス素子の調整方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1101212A JPH02278791A (ja) | 1989-04-19 | 1989-04-19 | 基板上に形成されたインピーダンス素子の調整方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02278791A true JPH02278791A (ja) | 1990-11-15 |
Family
ID=14294607
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1101212A Pending JPH02278791A (ja) | 1989-04-19 | 1989-04-19 | 基板上に形成されたインピーダンス素子の調整方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH02278791A (ja) |
-
1989
- 1989-04-19 JP JP1101212A patent/JPH02278791A/ja active Pending
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