JPH02275652A - 検査方法 - Google Patents

検査方法

Info

Publication number
JPH02275652A
JPH02275652A JP1267092A JP26709289A JPH02275652A JP H02275652 A JPH02275652 A JP H02275652A JP 1267092 A JP1267092 A JP 1267092A JP 26709289 A JP26709289 A JP 26709289A JP H02275652 A JPH02275652 A JP H02275652A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
wafer
probe
probe card
needle
inspection
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP1267092A
Other languages
English (en)
Inventor
Masaaki Iwamatsu
岩松 正明
Riyuuichi Takebuchi
竹渕 隆一
Yoshito Marumo
丸茂 芳人
Wataru Karasawa
唐沢 渉
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tokyo Electron Ltd
Original Assignee
Tokyo Electron Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Electron Ltd filed Critical Tokyo Electron Ltd
Priority to JP1267092A priority Critical patent/JPH02275652A/ja
Publication of JPH02275652A publication Critical patent/JPH02275652A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
  • Testing Electric Properties And Detecting Electric Faults (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の目的〕 (産業上の利用分野) この発明は、検査方法に関する。
(従来の技術) 従来、半導体ウェハ(以下、単にウェハと記す)に形成
されたICチップの電気特性を検査するためにプローブ
装置が使用されている。プローブ装置により不良と判定
されたICチップはアセンブリ工程の前で排除される。
これによって半導体装置の製造の際のコストダウンや生
産性の向上を図っている。
このようなプローブ装置によるウェハの電気特性検査は
、まずプローブカードに装着された多数のプローブ針と
、ウェハ上に形成された各ICチップの多数の電極パッ
ドとを電気的に接触させる。
この接触状態で、プローブカードに接続したテスタによ
り、ICチップの電気的特性を検査する。この後、ウェ
ハを載置した載置台を所定量1チップ分移動して次のI
Cチップの検査を行う。このような動作を繰返して、I
Cチップの検査を連続的にウェハに形成された全チップ
について自動で検査している。かかるウェハの電気特性
検査を全自動操作で行うには、各プローブ針の先端位置
とICチップの各電極パッドとの位置を合わせる針合せ
(ティーチング操作)を行なう必要がある。而してプロ
ーブカードは、ウェハの品種ごとにその品種に対応した
プローブカードに交換する。このため針合せ操作を、こ
の交換ごとに行なう必要がある。
そして、プローブ装置には、プローブ針と電極パッドの
接触部分を拡大してみるための拡大機構として1例えば
マイクロスコープが設けられている。
針合せ操作は、このマイクロスコープで、各電極パッド
と各プローブ針をオペレータが目視しながら、ウェハを
載置した載置台をマニュアル操作で微移動させて行なう
。この時、プローブカードのθ合わせも行なう。
(発明が解決しようとする課題) しかしながら、従来のウェハとプローブカードの位置合
わせは、オペレータがマニュアルで各プローブ針列と各
電極パッドとのティーチング操作をその都度行なってい
る。このため特に多品種少量生産のウェハの場合、品種
が変わる都度、上記ティーチング操作をマニュアルで実
行するため位置合わせにかかわる操作時間が長くなる。
また、ICチップの高集積化によって電極パッド数が増
加しているため1位置合わせ操作が一層難かしくなって
いる。その結果、オペレータの操作時間は長くなり生産
性が低下する。さらに、オペレータのマニュアル操作の
熟練度により精度にバラツキが生じ、信頼性に欠けてい
た。また、異品種のウェハを同時にプローブ装置にセッ
トしても、連続では検査できなかった。異品種のウェハ
でも、各ICチップの電極パッドの配列が同一のものが
ある。
しかし、この場合でも夫々のウェハの形状や大きさやウ
ェハ上のICチップの位置等が異なる。このため、各品
種のウェハごとに位置決めを行なう必要がある。つまり
、多品種少量生産のウェハの場合、品種変更のたびに、
その位置決めを行なっていた。このようにウェハの位置
決め操作を頻繁に行なう必要が生じ、長時間の連続自動
検査が行なえなかった。この結果、半導体装置の生産性
の低下を招いていた。
一方、ウェハの種類によっては、高周波検査を行うもの
がある。この場合、プローブ装置の上面部分にテストヘ
ッドを設置して検査を行なう。マイクロスコープは、テ
ストヘッドに設けられた挿入穴に設置される。プローブ
針の針合わせは、マイクロスコープで、各電極パッドと
各プローブ針をオペレータが目視しながら、ウェハの載
置台をマニュアル操作で微移動させて行なっている。
而して、テストヘッドには、ドライバ・コンパレータな
どアナログ回路を組込んだピンエレクトロニクスポード
と呼ばれる基板が設けられている。
しかし、テストヘッドは、針合わせをするのにマイクロ
スコープの挿入穴を必要とする。ピンエレクトロニクス
ポードは、この挿入穴をさけて配線しているため、プロ
ーブ針までの距離が長くなっている。この結果、配線に
よる容量、インピーダンスが高くなり、正確な高周波検
査を行うことができない。・また、オペレータがマイク
ロスコープで目視しながら針合わせをマニュアルで行な
うと、針合わせ時間に長時間を要する。また、各人の熟
練度により精度にバラツキが生じ、信頼性に欠ける。
本発明の目的は、上記点に鑑みなされたもので各プロー
ブ針列と各電極パッドとの位置合わせ時間を短縮でき、
生産性を向上させることができるウェハの検査方法を提
供することにある。
本発明の他の目的は、多品種生産品のウェハの長時間の
連続自動検査を行ない、生産性を向上させることができ
るウェハの検査方法を提供することにある。
更に、本発明の他の目的は、高周波検査を正確に実行で
き、しかも、プローブ針と電極パッドの位置合わせ時間
を短縮して、信頼性を向上させることができるウェハの
検査方法を提供するととにある。
〔発明の構成〕
(課題を解決するための手段) この発明は複数種のプローブカードの交換時のティーチ
ング操作について2度目以降のティーチング操作は自動
的に実行するようにしたので。
特に多品種少量生産のIC工程に適用して時間短縮に有
益な効果を得ることを特徴とする。
またこの発明は、異品種のウェハを検査する方法におい
て、予め記憶した各品種に対するアライメント情報によ
り同一のプローブカードで異品種のウェハも連続検査す
ることを特徴とする。
(作用効果) 複数種のプローブカードを交換して多種のウェハを連続
して検査する方法において、上記各プローブカードの2
回目以降の位置合わせのティーチング操作を自動的に実
行するようにしたことにより、プローブカード自動交換
機においては、はとんど全自動を可能にし、プローブ装
置による検査時間を大幅に短縮できる効果がある。
また、異品種のウェハを検査する方法において、予め記
憶した各品種に対するアライメント情報により同一のプ
ローブカードで異品種のウェハも連続検査することによ
り、多品種少量生産品に対しても、長時間の連続自動検
査が行なえ、生産性に寄与する効果がある。
(実施例) 次に、本発明方法を半導体製造工程の検査工程に適用し
た一実施例につき図面を参照して説明する。
まず、この検査工程に用いられる装置例えばプローブ装
置の構成について説明する。
このウェハの電気特性検査装置即ちプローブ装置は、電
気特性の検査を行うためのプロービング操作部、テスタ
部、プローブカードの自動交換部。
プローブカードの自動ティーチング操作工程部とを備え
ている。すなわち、プローバ部3は、被検査体である半
導体ウェハ1に形成されたICチップ2の電気特性を検
査するものである。また、自動交換部5は、半導体ウェ
ハ1に形成されたICチップ2の各品種に対応してプロ
ーブカード4を自動的に選択し交換するものである。
第1図に示すようにプローバ部3には、半導体ウェハ1
を板厚方向に所定の間隔を設けて載置台(図示せず)が
設けられている。載置台は1例えば25枚積載可能なカ
セット6を収納可能になっている。このカセット6から
半導体ウェハ1を1枚づつ取出し、これを回転可能な予
備ステージ7に搬送するスライドアーム(図示せず)が
設けられている。予備ステージ7の近傍には1図示しな
い発/受光センサが設けられている。予備ステージ7か
ら検査ステージ8に、半導体ウェハ1を搬送するための
、回転搬送アーム(図示せず)が設けられている。検査
ステージ8は1図示しない各モータに係合されていて、
x−y−z方向への移動と、Z軸を中心としたθ回転が
できる。また、検査ステージ8は、図示しないジョイス
ティックを操作することにより、マニュアルで例えば−
単位で移動制御できる。検査ステージ8のウェハ1の載
置面は、真空装置に接続されていて、ウェハ1を真空吸
着できる。そして、第3図に示すようにITVカメラ9
とハイドセンサ10が、検査ステージ8近傍のアライメ
ントブリッジ11に設けられている。これらによってウ
ェハ1の位置決めを行なう。
検査ステージ8の上方のインサートリング12には。
プローブカード4が装着されている。
プローブカード4には、例えば合成樹脂で形成された絶
縁基板に、所定のプリント配線を施してなるプリント基
板が設けられている。各プリント配線は、一方の端子を
検査装置であるテスタに接続すると共に、もう一方の端
子をプローブ針13と接続するようになっている。プロ
ーブ針13は、夫々絶縁基板の配線に装着されている。
すなわち、プローブ針13は、ICチップ2の電極パッ
ド15配列に対応している。
このようなプローブカード4を装着したインサートリン
グ12は、プローブカード4ごとにθ回転できるように
なっている。第4図に示すように例えば回転駆動用モー
タ14が、インサートリング12と係合している。また
、回転駆動用モータ14の回転量を検出するために、 
エンコーダ14aが設けられている。
このような構成により、例えばo、oot度の分解能で
3度の回転範囲でインサートリング12及びプローブカ
ード4を回転調整できる。プローブカード4の上方には
、各プローブ針13と各電極パッド15との接触部を拡
大してみる例えばマイクロスコープ16からなる拡大機
構が設けられている。このようにしてプローバ部3が構
成されている。
なお、ウェハ1の電気特性を検査する場合、つエバ1の
品種ごとに電極パッド15の配列が異なるため、夫々の
品種の電極パッド配列に対応したプローブカード4を用
意する必要がある。
プローブカードの自動交換部5は、高周波特性の検査に
用いられるテストヘッド17の回転基台内に設けられて
いる。プローブカード4は、予め位置調整さ九てプロー
ブカードホルダ18に例えばネジ止めされている。この
ホルダ18と一体のプローブカード4は、ストッカ19
に収納されている。ストッカ19は、板厚方向に夫々適
当な間隔を設けて縦列状に例えば6機種のプローブカー
ドが収納可能になっている。
各プローブカード4は、異品種の複数の被検査体にも装
着できる。各プローブカード4を、各収納位置か収納ス
トッカ19から取り出して、予め定められた位置のイン
サートリング12上に搬送するハンドリングアーム20
が設けられている。インサートリング12の近傍には、
図示しない保持機構が設けられている。保持機構は、プ
ローブカード4をインサートリングエ2に着脱できるよ
うになっている。
プローブカードの自動交換部5は、プローバ部3と合わ
せて制御部21によりその動作制御が行ねれる。
次に、ウェハの電気特性検査装置の動作について説明す
る。
まず、予めCPUの記憶機構にプログラムされたウェハ
1の品種情報に基づいて、プローブカード4を選択する
。次に、ハンドリングアーム20は。
選択されたプローブカード4をプローバ部3のインサー
トリング12まで搬送する。ここで図示しない保持機構
でプローブカード4をインサートリング12に固定する
そして、第5図に示すようにICチップに形成された電
極パッドに、プローブカード4の各プローブ針13を接
触させる。この場合、次のように予め正確な位置合わせ
を実行する。
まず、基準となるティーチング動作について説明する。
このティーチング動作は、プローブ針13の位置合わせ
の際の基準データを作成するものである。
この動作は、半導体ウェハ1及びこれに対応するプロー
ブカード4が新種の場合に、1回目はマニュアルで予め
実行し、位置合わせ情報(基準データ)として記憶し、
2回目以降の電極パッド5とプローブ針13との位置合
わせは上記メモリから読み出して自動化するためのもの
である。即ち、この基準データをプローブカードコード
と共に記憶し、貯蔵する。これによって、以降のティー
チングを自動的に行う。
はじめに、新種のプローブカード4をインサートリング
12にセットする。このセットは、プローブカード自動
交換部5によって行なう。この時、インサートリング1
2に設けられた基準ピン(図示せず)とプローブカード
4に開けられた基準穴(図示せず)により粗い位置合わ
せを行う。
次に、オペレータがマイクロスコープ16で監視しなが
ら、ジョイスティック(図示せず)を操作することによ
り検査ステージ8を移動して、第6図に示すようにプロ
ーブ針13aと検査ステージ8の中心との位置合わせを
行なう。そして、この時の検査ステージ8の位置を記憶
する。
この後、検査ステージ8上にダミー基板22をロードす
る。このダミー基板22は、ウェハ1の一面にアルミを
蒸着したものである。そして、  ITVカメラ9と対
向する位置にダミー基板22を移動して空エリアのサー
チを行なう。つまり、過去に使用された部分を避けるた
め、ダミー基板22の針跡がない部分を捜す。
次に、上記で記憶した位置を参照してダミー基板22の
空きエリアを、各プローブ針13の対向位置に設置する
次いで、検査ステージ8を上昇させて、ダミー基板22
の空きエリアに各プローブ針13の針跡を付加する。こ
の時、プローブ針13の接触圧力と、実際に検査する時
の接触圧力とが同一となるように針跡を付加する。例え
ばプロファイラ−等の接触型センサで接触位置を検知す
る。この後のオーバードライブ量も同一にする。
次に、針跡が付加されたダミー基板22をITVカメラ
9の視野内に移動する。そして、第7図に示す如く、I
TVカメラ9により、針跡A、B、C。
Dの付近を撮像する。
このような状態で、まずオペレータがジョイスティック
を操作して検査ステージ8を移動させる。
そして、  ITVカメラ9のセンターを示すクロス2
3と針跡Aを合わす。そして、この位置α、を記憶する
。またα、位置を基準として、仮想的に、プローブカー
ド4の0回転方向が正確に合っている状態での各針跡位
置をα2.α□、α。とする。
この後、検査ステージ8を自動的に平行移動して、クロ
ス23を仮想α2位置に設定する。 この時の移動量は
、予め記憶されたものである。この移動により、ITV
カメラ9のクロス23と針跡Bとが一致していた場合、
プローブカード4のθ回転方向が合っていることになる
また、一致していない場合、プローブカード4の0回転
方向がズしていることになる。一致していない場合、オ
ペレータがジョイスティックを使って実際の針跡Bのと
ころにクロス23を合わす。
この操作により、針跡Bと仮想位置α2との絶対位置X
1.yよと、Bα、α2=θ□とが算出される。
上記と同様に針跡C及びDについても次に示す絶対位置
及び角度を算出する。
針跡Cと仮想位置α、との絶対位置X21’J29Cα
、α、=02゜ 針跡りと仮想位置α、との絶対位置X:+tya+Dα
、α、=03゜ このように算出した値からプローブカード4の補正量を
次に示す0式から算出する。
補正量=((θ1.θ2.θ、の最高値)+(θ4.θ
2.θ、の最低値))/2・・・■次に、上記0式で求
めた補正量から、インサートリング12に係合したモー
タ14を回転し、プローブカード4のθ回転方向の位置
合わせを実行する。
この補正動作後、補正したプローブカード4が正確な位
置に設置されたか確認する。すなわち、再びダミー基板
22の空エリアにプローブ針13の針跡を付加して、上
記と同様の補正量算出の動作を行なう。そして、この時
に求めた値で、Xt+xz+x3及びyl、y2.y、
の値が、それぞれ所定の誤差内で収まった場合、プロー
ブカード4のθ回転方向が合ったものとする。
また、所定の誤差内で収まらなかった場合、補正量算出
動作をプローブカード4のθ回転方向が合うまで繰り返
す。
この後、下式■に示すようにXY位置の補正を行なう。
例えばプローブ針13aの針跡検出で求めたカード位置
と光学系間の距離XT3’と、他のプローブ針13によ
る針跡のズレ量により補正する。
上記で求めた値を記憶する。
これによってティーチング操作を完了する。
次に、ダミー基板22をアンロードし、検査対象ウェハ
1を検査ステージ8上にロードする。そして、ウェハ1
のスクライブライン等を参照してウェハ1のXY力方向
検査ステージ8の移動XY力方向のマクロ的なθ合わせ
を行なう。
次に、θ合わせを、より正確にミクロ的に行なう。
まず、ITVカメラ9の対向位置にウェハ1を設置する
。 この位置で、ITVカメラ9によりICチップ2の
任意の点を記憶する。すると、この任意の点と基準プロ
ーブ針13aまでの距離が定まる。また、同時に画像デ
ータも記憶する。そして、検査ステージ8をチップサイ
ズ分だけ移動して、その位置を11’Vカメラ9で撮像
する。そして、この撮像出力と記憶した画像データとを
比較して、平行度を検出する。この動作を繰り返して、
ミクロ的なθ合わせを終了する。
次に、上記任意の点と基準プローブ針]、3aとの間で
求めた距離分だけ検査ステージ8を移動して、プローブ
カード4の下方にウェハ1を設置する。
そして、オペレータがマイクロスコープ16を監視しな
がら、ジョイスティックを操作して、第5図のようにプ
ローブカード4の各プローブ針13と、ICチップ2の
各電極パッド15とを合わせる。この移動量を記憶する
このようにティーチング動作での情報を記憶して基準デ
ータとする。
次に、実際のウェハ1の電気特性検査を以下のように行
う。
カセット6に収納されているウェハ1をプローバ部3の
予備ステージ7に載置し、このステージ7を回転し、ウ
ェハ1のオリエンテーションフラットを基準環±1a位
まで予備アライメント後。
検査ステージ8に搬送する。ここで、ウェハ1のパター
ンを基準に正確にアライメントして、所定の動作により
プローブカード4の対向位置にウェハ1を設置する0次
に、検査ステージ8を上昇してウェハ1に形成されたI
Cチップ2の電極パッド15とプローブ針13を接続コ
ンタクトする。この接続状態で図示しないテスタでIC
チップの電気特性の測定検査を行なう。このような検査
を繰返し、当該品種の検査を終了する。
この後1次の品種に対応したプローブカード4に交換す
る。この交換したプローブカード4を用いて上述と同様
のティーチング動作および特性検査を行う。
なお、すでにティーチング動作を過去に行なったことの
あるプローブカード4に交換した場合。
各プローブ針13とICチップ2の各電極パッド15と
の位置合わせは完全自動で行なわれる。この動作を第8
図に示すフロー図に従って説明する。
まず、交換されたプローブカード4のトレーニング時に
記憶した内容をロードする。そして、ダミー基板22を
検査ステージ8上にロードする。この検査ステージ8を
移動して、ダミー基板22の空エリアをITVカメラ9
を使ってサーチする。このサーチしたダミー基板22の
空エリアを各プローブ針13と対向する位置に設置する
次に、検査ステージ8を上昇して、ダミー基板22の空
スペースに各プローブ針13の針跡を付加する。次に、
針跡が付加されたダミー基板22をITVカメラ9の視
野内に移動する。そして、ITVカメラ9により、針跡
付近を写す。そして、ITVカメラ9により、基準プロ
ーブ針13aの針跡Aをサーチし、ITVカメラ9のク
ロス23と針跡Aを合わせ。
この位置を記憶する。
この後、ITVカメラ9により針跡B、C及びDについ
ても、サーチ動作を行ない、トレーニング動作時と同様
に各仮想位置との絶対位置を算出する。
この結果を0式に代入し、プローブカード4のθ補正角
度を求める。この結果°を受けて、プロジブカード4に
係合したモータ14により、プローブカード4が上記で
求めた補正量だけθ方向に回転する。
この後、再ダミー基板22の空エリアにプローブ針13
の針跡を付加して、上記と同様の補正量の算出動作を行
なう。この時に求めた値が所定の誤差内の場合、プロー
ブカード4のθ回転方向が合ったものとし、誤差が大き
い場合、上記補正量算出動作をプローブカード4のθ回
転方向が合うまで繰り返す。
この後、上記0式に、上記で求めた値を代入し、XY位
置の補正を行なう。
このようにするとプローブカード4のθ回転方向の正確
な位置合わせが行なわれる。すなわち、プローブカード
4に設けられたプローブ針13配列方向と検査ステージ
8のXY移動方向の位置合わせが行なわれる。
この後ダミー基板22をアンロードし、検査対象ウェハ
1を検査ステージ8上にロードする。そして、ウェハの
スクライブライン等を参照して、ウェハ1のXY力方向
検査ステージ8の移動方向とのマクロ的なθ合わせを行
なう。
次に、より正確なθ合わせを行なう。例えば、ティーチ
ング動作時に記憶した画像データを参照して、ミクロ的
なθ合わせを行なう。そして、ティーチング動作時に記
憶したICチップ2上の任意の点と基準プローブ針13
aまでの距離と、 この距離の移動後にオペレータがジ
ョイスティックを使用して各プローブ針13と各電極パ
ッド15との位置合わせ時に検査ステージ8の移動した
距離と、から自動的にプローブカード4の各プローブ針
13とICチップ2の各電極パッドとの位置合わせを行
なう。
この後、通常のプローブ装置の動作を行ない。
検査対象ウェハ1の検査を行なう。
なお、上記の実施例では、ダミー基板としてアルミ蒸着
ウェハを使用した例について説明したが。
針跡を付加できる基板であれば何れでも良く上記アルミ
蒸着ウェハに限定されるものではない。
また、上記実施例では、ダミー基板に付加された4つの
針跡を認識してカード0合わせを行なった例について説
明したが、少なくとも2つの針跡を認識すれば良く、何
れに限定されるものではない。さらに、被検査体を半導
体ウェハに適用した例について説明したが、これに限定
されるものではなく、液晶基板やプリント基板等でも何
れでも良い。
上述したようにこの実施例によれば、新種のプローブカ
ードを使用する前に、プローブカードの各プローブ針と
被検査体の電極パッドとの位置合わせに必要な基準デー
タを記憶する。そして、次回以降にその品種のプローブ
カードを使用する時、まずダミー基板にプローブ針の針
跡を付加し、この付加した針跡の位置を認識し、この認
識した位置と上記で記憶した基準データであるプローブ
針の針跡情報をもとに、各プローブ針と各電極パッドと
の位置合わせを自動的に行なうことができる。
このことにより、位置合わせに人間を介さないので、位
置合わせ時間が大幅に短縮でき、ひいては、生産性の向
上に寄与することができる。
さらに、異品種のウェハを連続してセットしても、それ
に対応するプローブカードを自動的にセットし、自動的
に針合わせを行なうことにより、連続してオペレータの
操作無しで検査が可能となる。
次に、本発明の他の実施例を説明する。
この実施例では、前述した実施例で用いた装置と同様の
構成を有するウェハの電気特性検査装置を用いる。また
、この実施例は、異品種にもかかわらず電極パッド15
の配列パターンが同一である半導体ウェハ1の電気特性
検査に適用するものである。この場合、プローブ装置に
設置するプローブカード4は、同一のものを用い、テス
タによる検査内容だけを変更する。
具体的には、第9図に示すフロー図を参照して、第10
図(D)(E)に示すICチップ2a、2bの電極パッ
ド15a、 15bの配列パターンが同一で、異品種の
例えば第10図(B) (C)に示すような2種類のウ
ェハla。
1bを連続して自動検査する場合について説明する。
ウェハカセット6内に、第1のウェハ1aと、この第1
のウェハ1aに形成されたICチップ2aの電極バッド
15a配列と同じ配列で、 第1のウェハlaとは異品
種の第2のウェハ1bをセットする。この時。
夫々のウェハla、 lbの枚数や検査順序は、予めプ
ローブ装置に内蔵された記憶部、例えばハードディスク
に記憶させておく。そして、各ウェハla。
1bを収納したウェハカセット6を、オペレータもしく
はロボットハンド等で、カセット載置台(図示せず)に
載置する。
次に、各ウェハla、 lbの品種情報に基づいて、こ
の各ウェハla、 lbの品種に対応するプローブカー
ド4を選択する。そして、前述した実施例と同様にプロ
ーブカード4の自動交換動作を実行する(A)、  こ
のプローブカード4の交換は、オペレータがマニュアル
操作で行なっても良い。
そして、第1のウェハ1aに対する、電極パッド15a
とプローブ針13との位置合わせや、検査エリア等の決
定を行なうためのアライメント動作を行なう。なお、こ
の場合、ティーチング動作を過去に行なったことがある
場合は、そのときの記憶情報に基づいて行なう。ティー
チング動作を行なっていない場合は、ティーチング動作
を行なってからアライメントを行なう。そして、このア
ライメント情報を記憶する(B)。
ここで、第1のウェハ1aと第2のウェハ1bは、第1
0図(A)に示す同一プローブカードを用いる。
しかし、夫々のウェハla、 lbの形状や大きさ、ウ
ェハに対するICチップの形成されている位置が異なる
。そこで、第2のウェハ1bについても、アライメント
を行なう。第2のウェハ1bに対するアライメントも、
第1のウェハ1aに対するアライメントと同様に行なう
。この時のアライメント情報を記憶する(C)。次に、
各ウェハla、 lbに対するアライメント終了後に、
検査を開始する。
まず、第1のウェハ1aの検査を行なうに際し、予め上
記で記憶した第1のアライメント情報Bを基準に7ライ
メントを行なう。すなわち、カセット6に収納されてい
る第1のウェハ1aを予備ステージ7に載置する。そし
て、ステージ7を回転し、ウェハ1aのオリエンテーシ
ョンフラットを基準に精度±1°位まで位置合わせを行
なう。
この後、第1のウェハ1aを検査ステージ8に搬送する
。ここで、ウェハ1aのパターンを基準に、検査ステー
ジ8のX/Y移動方向と、ウェハ1aのスクライブライ
ンのX/Y方向とを位置合わせする。これらの動作と同
時に上記で記憶した第1のウェハlaのアライメント情
報Bをロードする(D)。
この作業により、第1のウェハlaのICチップ2aの
電極パッド15aの配列と、 プローブ針13の配列と
の位置合わせが行なわれる。そして、プローブカード4
の対向位置に設置された第1のウェハ1aを上昇して、
第1のウェハ1aに形成されたICチップ2aの各電極
パッド15a と各プローブ針13を電気的に接触させ
る。この状態で、図示しないテスタでICチップ2の電
気特性の検査を行なう(E)。  このような検査を繰
り返し、この第1のウェハ1aに形成されたICチップ
2aの検査終了後、第1のウェハ1aをアンロードする
次に、他に検査すべく第1のウェハ1aがあるかを判断
する(F)。他に検査すべく第1のウェハ1aがある場
合、再び上記(D) (E)の動作を繰り返し検査を行
なう。
他に検査すべく第1のウェハ1aがない場合は、第2の
ウェハ1bの検査動作を実行する。
この第2のウェハlbの検査は、第1の検査動作同様に
、まず予め記憶したアライメント情報Cをロードして(
G)、 第2のウェハ1bのICチップ2bの電極パッ
ド15bの配列と、 各プローブ針13配列との位置合
わせを行なう。
そして、第1のウェハ1aの場合と同様に、各プローブ
針13と各電極パッド15bとを接触して検査を行なう
(H)、第2のウェハ1bに形成されたICチップ2b
の検査終了後、第2のウェハ1bをアンロードする。
そして、他に検査すべく第2のウェハ1bがあるか判断
する(I)。他に検査すべく第2のウェハibがある場
合、再び上記(11)(丁)の動作を繰り返し検査を行
なう。また、他に検査すべく第2のウェハ1bがない場
合、検査が終了する(J)。
このようにこの実施例によれば、同一プローブカードを
使用する異品種のウェハを検査する際に、予め各品種に
対するアライメント情報を記憶し。
各品種ごとの検査時に、予め記憶した品種のアライメン
ト情報を基準にアライメントして検査を実行する。この
ため、異品種のウェハの検査を連続的に自動で行なうこ
とができる。その結果、多品種少量生産品においても、
長時間の連続自動検査が行なえ、生産性を向上させるこ
とができる。
この実施例では、各プローブ針とウェハに形成されたI
Cチップの電極パッドとの位置合わせを。
前述した実施例で説明したダミー基板を用いて、位置合
わせした例について説明したが、これに限定するもので
はなく、例えば、各プローブ針と各電極パッドの位置合
わせ等を、オペレータがマイクロスコープを目視しなが
ら検査ステージを移動させて、位置合わせさせたもので
も良い。この場合、ダミー基板や、針跡認識のための装
置やソフト等が不用となり、非常に安価なものとなる。
また、この実施例では、ICチップの電極パッド配列が
同一で異品種のウェハを検査する時、2品種のウェハに
より連続検査する例について説明したが、これに限定す
るものではなく、3品種以上の場合でも良く何れに限定
するものではない。この場合も、この実施例と同様に、
検査前に各品種のアライメントを行ない、この時の各情
報を記憶しておき、各品種の検査時に、上記アライメン
ト情報をロードすれば、連続自動検査が行なえる。
さらに、この実施例では、同一カセット内に異品種のウ
ェハを設置した場合について説明したが、これに限定す
るものではなく、各品種ごとに別カセットに設置して良
いことは言うまでもない。
更に、他の実施例を説明する。
この実施例でも初めに説明した実施例で示したものと同
様な構成のウェハの電気特性検査装置を使用する。
この実施例では、初めに説明した実施例で示したものと
同様にしてティーチング動作での情報を記憶した基準デ
ータを得る。次いで第11図に示す手順で、マイクロス
コープを使用しないで位置合わせを行なう。 次いで、
ウェハ1の電気特性検査を次のように行なう。すなわち
、ウェハ1が設けられた検査ステージ8を垂直に上昇し
、ICチップ2の電極パッド14とプローブカード4の
各プローブ針13とを接続コンタクトする。この接続状
態でテストヘッド17でICチップの電気特性の検査を
行なう。
この場合、テストヘッド17とプローブカード4との配
線距離が短かいため、高周波検査をより正確に行なうこ
とができる。
このような検査を繰り返し検査が終了する。この後、次
の品種に対応したプローブカード4に交換する。この交
換したプローブカード4においても初めに説明した実施
例で示したものと同様のティーチング動作を行なった後
、検査動作を実行する。
また、すでにティーチング動作を過去に行なったことの
あるプローブカード4に交換した場合、その時に記憶し
たティーチング動作の内容を基準に、プローブ針13と
電極パッド14との位置合わせを自動的に行なう。
このようにこの実施例によれば、プローブカードのプロ
ーブ針と被検査体の電極パッドとを位置合わせするに際
し、プローブ装置にマイクロスコープを設ける必要がな
くなり、装置が安価でコンパクトにできる。このことに
より、高周波の検査を行なうテストヘッドにマイクロス
コープ挿入用の穴を設ける必要がなく、テストヘッドの
内部配線を短縮できる。また、テストヘッドとプローブ
カードの距離を短縮できるので、高周波の検査をより正
確に行なえる。さらに、位置合わせに際し、オペレータ
の介在を最小限に押えることができるので、位置合わせ
時間の短縮および信頼性の向上を達成できる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明方法の一実施例を説明するために用いる
プローブ装置の構成図、第2図は第1図装置の斜視図、
第3図は第1図装置の上面から見た図、第4図は第1図
装置におけるインサートリングの回転機構の説明図、第
5図は第1図装置でICチップの電極パッドとプローブ
針との接触状態を示す図、第6図、第7図は第1図装置
におけるティーチング(トレーニング)動作を説明する
ための図、第8図は第1図装置において位置合わせの動
作を示すフロー図、第9図は第1図装置での検査の他の
実施例を説明するためのフロー図。 第10図は第9図において同一*極パッド配列を有する
異品種のウェハを示す図、第11図は第8図の他の実施
例を説明するための位置合わせ動作の手順を示す説明図
である。 1・・半導体ウェハ 4・・・プローブカード 9・・T丁■カメラ 3・・プローバ部 5・・・自動交換部 13・・・プローブ針 22・・・ダミー基板 23・・・クロス 特許出願人 東京エレクトロン株式会社第 図 第 図 第 図 第 図 第 図 第 図 第 図 第 図 第 図 第 図 (A) +5b

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)複数種のプローブカードを交換して多種のウェハ
    を連続して検査する方法において、上記各プローブカー
    ドの2回目以降の位置合わせのティーチング操作を自動
    的に実行するようにしたことを特徴とする検査方法。
  2. (2)異品種のウェハを検査する方法において、予め記
    憶した各品種に対するアライメント情報により同一のプ
    ローブカードで異品種のウェハも連続検査することを特
    徴とする検査方法。
JP1267092A 1988-10-14 1989-10-13 検査方法 Pending JPH02275652A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP1267092A JPH02275652A (ja) 1988-10-14 1989-10-13 検査方法

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP26024488 1988-10-14
JP63-260244 1988-10-14
JP1-882 1989-01-06
JP1267092A JPH02275652A (ja) 1988-10-14 1989-10-13 検査方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH02275652A true JPH02275652A (ja) 1990-11-09

Family

ID=26544519

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP1267092A Pending JPH02275652A (ja) 1988-10-14 1989-10-13 検査方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH02275652A (ja)

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6351651A (ja) * 1986-08-21 1988-03-04 Tokyo Electron Ltd ウエハプロ−バのウエハ自動位置合わせ方法

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6351651A (ja) * 1986-08-21 1988-03-04 Tokyo Electron Ltd ウエハプロ−バのウエハ自動位置合わせ方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5585738A (en) Probe system having vertical height detection and double focal image pickup coinciding with probe contact in height adjustment
JP5018183B2 (ja) プローブ装置、プロービング方法及び記憶媒体
JP2928331B2 (ja) プローバのアライメント装置及び方法
US5124931A (en) Method of inspecting electric characteristics of wafers and apparatus therefor
CN114441942A (zh) Pcb板的飞针测试方法、系统、设备及存储介质
JP2010169651A (ja) 基板検査装置及び検査治具
US4966520A (en) Method of positioning objects to be measured
JPH07297241A (ja) プローブ方法
JPH0370900B2 (ja)
JPH05198662A (ja) プローブ装置及び同装置におけるアライメント方法
JP7174555B2 (ja) 基板検査装置、その位置合せ、及び基板検査方法
JPH02275652A (ja) 検査方法
JPH0384945A (ja) 位置合せ方法およびそれを用いた検査装置
JP2002057197A (ja) プローブ方法及びプローブ装置
JPH02224260A (ja) 位置合わせ方法
JPH02137347A (ja) 位置合わせ方法
JPH065690B2 (ja) 半導体ウエハプローブ方法
JPH0682743B2 (ja) ウエハ処理装置
JP3202577B2 (ja) プローブ方法
JPH0750730B2 (ja) プロ−ブ装置
KR0139025B1 (ko) 웨이퍼의 전기특성 검사 방법 및 그 장치
JP2979277B2 (ja) プローブ方法
JPH06349910A (ja) プローブカードの針位置合わせ方法
JPH03142848A (ja) 位置合わせ方法
JP2575013B2 (ja) 液晶表示体検査装置