JPH02272570A - 電子写真感光体 - Google Patents
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Landscapes
- Plural Heterocyclic Compounds (AREA)
- Indole Compounds (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野〕
本発明は電子写真用感光体の改良に関する。
近年、電子写真複写機に使用される感光体として、低価
格、生産性及び無公害等の利点を有する有機系の感光材
料を用いたものが普及しはじめている。
格、生産性及び無公害等の利点を有する有機系の感光材
料を用いたものが普及しはじめている。
有機系の電子写真感光体には、ポリビニルカルバゾール
(PVK)に代表される光導電性樹脂、Pvに−TNF
(2,4,7−ドリニトロフルオレノン)に代表される
電荷移動錯体型、フタロシアニン−バインダーに代表さ
れる顔料分散型、電荷発生物質と電荷輸送物質とを組合
せて用いる機能分離型の感光体などが知られており、特
に機能分離型の感光体が注目されている。
(PVK)に代表される光導電性樹脂、Pvに−TNF
(2,4,7−ドリニトロフルオレノン)に代表される
電荷移動錯体型、フタロシアニン−バインダーに代表さ
れる顔料分散型、電荷発生物質と電荷輸送物質とを組合
せて用いる機能分離型の感光体などが知られており、特
に機能分離型の感光体が注目されている。
この様・な機能分離型の高感度感光体を、カールソンプ
ロセスに適用した場合、帯電性が低く、電荷保持特性が
悪い(暗減衰が大きい)上、繰返し使用による。これら
特性の劣化が大きく、画像上に、濃度ムラ、カブリ、ま
た反転現像の場合、地汚れを生じるという欠点を有して
いる。
ロセスに適用した場合、帯電性が低く、電荷保持特性が
悪い(暗減衰が大きい)上、繰返し使用による。これら
特性の劣化が大きく、画像上に、濃度ムラ、カブリ、ま
た反転現像の場合、地汚れを生じるという欠点を有して
いる。
また一般に、高感度感光体は、前露光疲労によって帯電
性が低下する。この前露光疲労は主に電荷生材料が吸収
する光によって起こることから、光吸収によって発生し
た電荷が移動可能な状態で感光体内に残留している時間
が長い程、またその電荷の数が多い程、前露光疲労によ
る帯電性の低下が著しくなると考えられる。即ち、光吸
収によって発生した電荷が残留している状態で帯電操作
をしても、残留しているキャリアの移動で表面電荷が中
和される為、残留電荷が消費されるまで表面電位は上昇
しない、従って、前露光疲労分だけ表面電位の上昇が遅
れることになり、見かけ上の帯電電位は低くなる。
性が低下する。この前露光疲労は主に電荷生材料が吸収
する光によって起こることから、光吸収によって発生し
た電荷が移動可能な状態で感光体内に残留している時間
が長い程、またその電荷の数が多い程、前露光疲労によ
る帯電性の低下が著しくなると考えられる。即ち、光吸
収によって発生した電荷が残留している状態で帯電操作
をしても、残留しているキャリアの移動で表面電荷が中
和される為、残留電荷が消費されるまで表面電位は上昇
しない、従って、前露光疲労分だけ表面電位の上昇が遅
れることになり、見かけ上の帯電電位は低くなる。
上述の欠点に対して、例えば、特開昭47−6341.
48−3544および48−12034号には硝酸セル
ロース系樹脂中間層が、特開昭48−47344.52
−25638.58−30757.5g−63945,
58−95351,58−98739および6〇−66
258号にはナイロン系樹脂中rIR層が、特開昭49
−69332および52−10138号にはマレイン酸
系樹脂中間層が、そして特開昭58−105155号に
はポリビニルアルコール樹脂中間層がそれぞれ開示され
ている。また、中間層の電気抵抗を制御すべく種々の導
電性添加物を樹脂中に含有させた中間層が提案されてい
る0例えば、特開昭51−65942号にはカーボンま
たはカルコゲン系物質を硬化性樹脂に分散した中間層が
、特開昭52−82238号には四級アンモニウム塩を
添加してイソシアネート系硬化剤を用いた熱重合体中間
層が、特開昭55〜1180451号には抵抗調節剤を
添加した樹脂中間層が、特開昭58−58556号には
アルミニウムまたはスズの酸化物を分散した樹脂中間層
が、特開昭58−93062号には有機金属化合物を添
加した樹脂中rfrJ層が、特開昭58−93063.
60−97363および60−111255号には導電
性粒子を分散した樹脂中間層が、さらに特開昭59−8
4257.59−93453および60−32054号
にはTie、とSnO2粉体とを分散した樹脂中間層が
開示されている。
48−3544および48−12034号には硝酸セル
ロース系樹脂中間層が、特開昭48−47344.52
−25638.58−30757.5g−63945,
58−95351,58−98739および6〇−66
258号にはナイロン系樹脂中rIR層が、特開昭49
−69332および52−10138号にはマレイン酸
系樹脂中間層が、そして特開昭58−105155号に
はポリビニルアルコール樹脂中間層がそれぞれ開示され
ている。また、中間層の電気抵抗を制御すべく種々の導
電性添加物を樹脂中に含有させた中間層が提案されてい
る0例えば、特開昭51−65942号にはカーボンま
たはカルコゲン系物質を硬化性樹脂に分散した中間層が
、特開昭52−82238号には四級アンモニウム塩を
添加してイソシアネート系硬化剤を用いた熱重合体中間
層が、特開昭55〜1180451号には抵抗調節剤を
添加した樹脂中間層が、特開昭58−58556号には
アルミニウムまたはスズの酸化物を分散した樹脂中間層
が、特開昭58−93062号には有機金属化合物を添
加した樹脂中rfrJ層が、特開昭58−93063.
60−97363および60−111255号には導電
性粒子を分散した樹脂中間層が、さらに特開昭59−8
4257.59−93453および60−32054号
にはTie、とSnO2粉体とを分散した樹脂中間層が
開示されている。
しかしながら、繰り返し使用による帯電性の低下、とり
わけ帯電4位の立上りの遅れに関しては未だに不充分で
あり、より一層の改善が望まれていた。
わけ帯電4位の立上りの遅れに関しては未だに不充分で
あり、より一層の改善が望まれていた。
また、特開昭54−8528号公報には、電子供与性物
質および/又は電子受容性物質で被JIFJ L、た電
荷発生物質を樹脂中に分散した層を有する感光体が、特
開昭54−34240号公報、特開昭63−28116
7号公報には、電荷発生層中に電荷輸送材を含有させた
積層型感光体が開示されているが、これらはいずれも上
記諸要求を満足するものではなかった。
質および/又は電子受容性物質で被JIFJ L、た電
荷発生物質を樹脂中に分散した層を有する感光体が、特
開昭54−34240号公報、特開昭63−28116
7号公報には、電荷発生層中に電荷輸送材を含有させた
積層型感光体が開示されているが、これらはいずれも上
記諸要求を満足するものではなかった。
本発明は、高感度であるとともに前露光疲労による帯電
性の低下が著しく小さく、しかも帯電と露光の繰り返し
後においても帯電電位の立上りの遅れのない電子写真用
感光体を提供することを目的とする。
性の低下が著しく小さく、しかも帯電と露光の繰り返し
後においても帯電電位の立上りの遅れのない電子写真用
感光体を提供することを目的とする。
本発明によれば、導電性支持体上に少なくとも電荷発生
層と電荷輸送層を順次積層してなる電子写真感光体にお
いて、該電荷発生層中に下記−数式(I)〜一般式(V
)で示される化合物の少なくとも1種を含有してなるこ
とを特徴とする電子写真感光体が提供される。
層と電荷輸送層を順次積層してなる電子写真感光体にお
いて、該電荷発生層中に下記−数式(I)〜一般式(V
)で示される化合物の少なくとも1種を含有してなるこ
とを特徴とする電子写真感光体が提供される。
(式中、 R,、R,、R,、R4,R,は水素原子、
ハロゲン原子、低級アルキル基、低級アルコキシ基、置
換又は無置換のジ低級アルキルアミノ基又はジベンジル
アミノ基を表わし、R5は低級アルキル基はベンジル基
を表わす。) (式中、R4は炭素数1〜11のアルキル基、置換又は
非置換のフェニル基あるいは複素環残基を表わし、R,
、R,はそれぞれ同一でも異なっていてもよく、水素原
子、低級アルキル基、C1〜C4のヒドロキシアルキル
基、01〜04のクロルアルキル基、あるいは置換又は
非置換のアラルキル基を表わし、またR2とR3は共同
で窒素を含む複素環を形成してもよく、R4,R,はそ
れぞれ同一でも異なっていてもよく、水素原子、低級ア
ルキル基、低級アルコキシ基又はハロゲン原子を表わす
、) 〔式中、R□は水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、低
級アルキル基を表わし、Arは (ただし、n、 、R:+ Jsは水素原子、置換又は
無置換の低級アルキル基あるいは置換又は無置換のベン
ジル基を表わし、R,、R,は水素原子、ハロゲン原子
、低級アルキル基あるいは低級アルコキシ基又はジ低級
アルキルアミノ基を表わす、)を表わす、〕 〔式中、R1は水素原子、低級アルキル基、クロルエチ
ル基又はヒドロキシエチル基を表わし。
ハロゲン原子、低級アルキル基、低級アルコキシ基、置
換又は無置換のジ低級アルキルアミノ基又はジベンジル
アミノ基を表わし、R5は低級アルキル基はベンジル基
を表わす。) (式中、R4は炭素数1〜11のアルキル基、置換又は
非置換のフェニル基あるいは複素環残基を表わし、R,
、R,はそれぞれ同一でも異なっていてもよく、水素原
子、低級アルキル基、C1〜C4のヒドロキシアルキル
基、01〜04のクロルアルキル基、あるいは置換又は
非置換のアラルキル基を表わし、またR2とR3は共同
で窒素を含む複素環を形成してもよく、R4,R,はそ
れぞれ同一でも異なっていてもよく、水素原子、低級ア
ルキル基、低級アルコキシ基又はハロゲン原子を表わす
、) 〔式中、R□は水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、低
級アルキル基を表わし、Arは (ただし、n、 、R:+ Jsは水素原子、置換又は
無置換の低級アルキル基あるいは置換又は無置換のベン
ジル基を表わし、R,、R,は水素原子、ハロゲン原子
、低級アルキル基あるいは低級アルコキシ基又はジ低級
アルキルアミノ基を表わす、)を表わす、〕 〔式中、R1は水素原子、低級アルキル基、クロルエチ
ル基又はヒドロキシエチル基を表わし。
R2は水素原子又はハロゲン原子を表わし、R1は低級
アルキル基、ジ低級アルキルアミノ基、ジアリールアミ
ノ基、置換又は無置換のスチリル基、!!換又は無置換
の芳香環残基(芳香環又はベンゼン環、ナフタレン環、
アントラセン環等)置換又は無置換の複素環残基(複素
環ピリジン基、キノキサリン環、カルバゾール環等)を
表すす、〕 r式中、R□、R3は水素原子、低級アルキル基、低級
アルコキシ基、あるいはジ低級アルキルアミノ基を表わ
し、R3は水素原子、低級アルキル基、低級アルコキシ
基、ハロゲン原子あるいはニトロ基を表わし、nはO又
はlを表わす、)上述したように、高感度の積層型有機
電子写真感光体は、くり返し使用によって、帯電の立上
りの遅れを生じ、その結果、帯電性の低下をまねくが1
本発明者らは、積層型有機電子写真感光体の電荷発生層
に一般的(1)〜−一般式V)で示される化合物の少な
くとも1種を含有させることによって、くり返し使用後
の帯電4位の立上りの遅れのない電子写真感光体が得ら
れることを見い出し、本発明を完成するに到った。
アルキル基、ジ低級アルキルアミノ基、ジアリールアミ
ノ基、置換又は無置換のスチリル基、!!換又は無置換
の芳香環残基(芳香環又はベンゼン環、ナフタレン環、
アントラセン環等)置換又は無置換の複素環残基(複素
環ピリジン基、キノキサリン環、カルバゾール環等)を
表すす、〕 r式中、R□、R3は水素原子、低級アルキル基、低級
アルコキシ基、あるいはジ低級アルキルアミノ基を表わ
し、R3は水素原子、低級アルキル基、低級アルコキシ
基、ハロゲン原子あるいはニトロ基を表わし、nはO又
はlを表わす、)上述したように、高感度の積層型有機
電子写真感光体は、くり返し使用によって、帯電の立上
りの遅れを生じ、その結果、帯電性の低下をまねくが1
本発明者らは、積層型有機電子写真感光体の電荷発生層
に一般的(1)〜−一般式V)で示される化合物の少な
くとも1種を含有させることによって、くり返し使用後
の帯電4位の立上りの遅れのない電子写真感光体が得ら
れることを見い出し、本発明を完成するに到った。
以下、図面に沿って、本発明を説明する。
第1図は、本発明の電子写真感光体の構成例を示す断面
図であり、導電性支持体11上に電荷発生層15、次い
で電荷輸送層17を設けた構成をとっている。
図であり、導電性支持体11上に電荷発生層15、次い
で電荷輸送層17を設けた構成をとっている。
第2図は、本発明の別の構成例を示す断面図であり、導
電性支持体11と電荷発生層15の間に下引層13を設
けたものである。
電性支持体11と電荷発生層15の間に下引層13を設
けたものである。
第3図と第4図は、更に別の構成例を示す断面図であり
、第3図は電荷輸送層17の上に保護層19を設けたも
のであり、第4図は下引層と保護層を同時に設けたもの
である。
、第3図は電荷輸送層17の上に保護層19を設けたも
のであり、第4図は下引層と保護層を同時に設けたもの
である。
導電性支持体11としては、体積抵抗1010Ω1以下
の導電性を示すもの1例えば、アルミニウム、ニッケル
、クロム、ニクロム、銅、銀、金、白金などの金属、酸
化スズ、酸化インジウムなどの金属酸化物を、蒸着又は
スパッタリングにより、フィルム状もしくは円筒状のプ
ラスチック、紙等に被覆したもの、あるいは、アルミニ
ウム、アルミニウム合金、ニッケル、ステンレス等の板
およびそれらをり、1..1.1.、押出し、引抜き等
の工法で素管化後、切削、超仕上げ、研摩等で表面処理
した管等を使用することができる。
の導電性を示すもの1例えば、アルミニウム、ニッケル
、クロム、ニクロム、銅、銀、金、白金などの金属、酸
化スズ、酸化インジウムなどの金属酸化物を、蒸着又は
スパッタリングにより、フィルム状もしくは円筒状のプ
ラスチック、紙等に被覆したもの、あるいは、アルミニ
ウム、アルミニウム合金、ニッケル、ステンレス等の板
およびそれらをり、1..1.1.、押出し、引抜き等
の工法で素管化後、切削、超仕上げ、研摩等で表面処理
した管等を使用することができる。
次に、電荷発生層15について説明する。
電荷発生層15は、電荷発生物質と一般式(1)〜−一
般式V)で示される化合物の少なくとも1種を主成分と
する層で、必要に応じてバインダー樹脂を用いることも
ある。
般式V)で示される化合物の少なくとも1種を主成分と
する層で、必要に応じてバインダー樹脂を用いることも
ある。
バインダー樹脂としては、ポリアミド、ポリウレタン、
ポリエステル、エポキシ樹脂、ポリケトン、ポリカーボ
ネート、シリコーン樹脂、アクリル樹脂、ポリビニルブ
チラール、ポリビニルホルマール、ポリビニルケトン、
ポリスチレン、ポリ−N−ビニルカルバゾール、ポリア
クリルアミドなどが用いられる。
ポリエステル、エポキシ樹脂、ポリケトン、ポリカーボ
ネート、シリコーン樹脂、アクリル樹脂、ポリビニルブ
チラール、ポリビニルホルマール、ポリビニルケトン、
ポリスチレン、ポリ−N−ビニルカルバゾール、ポリア
クリルアミドなどが用いられる。
一般式(1)で示される化合物としては次の表−■−表
−■に示す化学構造式のものが好ましく用いられる。
−■に示す化学構造式のものが好ましく用いられる。
表−■
表−■
表−■
表−■
表−5
電荷発生物質としては、
公知の材料を用いるこ
とができるが、
とりわけ以下に示すジスアゾある
いはトリスアゾ顔料が好適に用いられる。
(ただしCPはカップラー残基、
以下同様)
(ただしRは、
水素原子、
置換又は非置換の
アルキル基を表わす。
(ただしRは。
水素原子、
アルキル基、
))ロ
ゲン原子を表わす。
(ただしAは。
−Mト、
イト、
−8−を表わす。
(ただしnは、
1〜5の間の整数を表わす。
H#。
NJ’
これらのカップラー残基CPとしては、たとえばフェノ
ール類、ナフトール類などのフェノール性水酸基を有す
る化合物、アミノ基を有する芳香族アミノ化合物あるい
はアミノ基とフェノール性水酸基を有するアミノナフト
ール類、脂肪族もしくは芳香族のエノール性ケトン基を
有する化合物(活性メチレン基を有する化合物)などが
用いられ、好ましくは下記−数式(1)〜(11)で表
わされるものである。
ール類、ナフトール類などのフェノール性水酸基を有す
る化合物、アミノ基を有する芳香族アミノ化合物あるい
はアミノ基とフェノール性水酸基を有するアミノナフト
ール類、脂肪族もしくは芳香族のエノール性ケトン基を
有する化合物(活性メチレン基を有する化合物)などが
用いられ、好ましくは下記−数式(1)〜(11)で表
わされるものである。
(111およびR8は水素または置換もしくは無置換の
アルキル基を表わし、R3は置換もしくは無置換のアル
キル基または置換もしくは無置換のアリール基を表わす
、) Yユ二水素、ハロゲン、置換もしくは無置換のアルキル
基、置換もしくは無置換のアルコキシ基、カルボキシ基
、スルホン基、置換もしくは無置換のスルファモイル基
または −CON−Y。
アルキル基を表わし、R3は置換もしくは無置換のアル
キル基または置換もしくは無置換のアリール基を表わす
、) Yユ二水素、ハロゲン、置換もしくは無置換のアルキル
基、置換もしくは無置換のアルコキシ基、カルボキシ基
、スルホン基、置換もしくは無置換のスルファモイル基
または −CON−Y。
(R,は水素、アルキル基またその置換体、フェニル基
またはその置換体を表わし、Y2は炭化水素環基または
その置換体、複素環基また〔上記式(1)、(2)、(
3)および(4)中、x、Yl、Z、11およびnはそ
れぞれ以下のものを表わす。
またはその置換体を表わし、Y2は炭化水素環基または
その置換体、複素環基また〔上記式(1)、(2)、(
3)および(4)中、x、Yl、Z、11およびnはそ
れぞれ以下のものを表わす。
R5は炭化水素環基またはその置換体、複素環基または
その置換体あるいはスチリル基またはその置換体、R,
は水素、アルキル基、フェニル基またはその置換体を表
わすか、あるいはR6及びR6はそれらに結合する炭素
原子と共に環を形成してもよい、)を示す、) Z:炭化水素環またはその置換体あるいは複素環または
その置換体 n :1または2の整数 m :1または2の整数〕 〔式(5)および(6)中、R7は置換もしくは無置換
の炭化水素基を表わし、Aは芳香族炭化水素の2価また
は窒素原子を環内に含む複素環の2価基を表わす(これ
らの環は置換されていてもよい)。
その置換体あるいはスチリル基またはその置換体、R,
は水素、アルキル基、フェニル基またはその置換体を表
わすか、あるいはR6及びR6はそれらに結合する炭素
原子と共に環を形成してもよい、)を示す、) Z:炭化水素環またはその置換体あるいは複素環または
その置換体 n :1または2の整数 m :1または2の整数〕 〔式(5)および(6)中、R7は置換もしくは無置換
の炭化水素基を表わし、Aは芳香族炭化水素の2価また
は窒素原子を環内に含む複素環の2価基を表わす(これ
らの環は置換されていてもよい)。
Xは前記に同じである。〕
Ar1
〔式中、R1はアルキル基、カルバモイル基、カルボキ
シ基またはそのエステルを表わし、Ar、は炭化水素環
基またはその置換体を表わし、Xは前記と同じである。
シ基またはそのエステルを表わし、Ar、は炭化水素環
基またはその置換体を表わし、Xは前記と同じである。
〕
〔上記式(8)および(9)中、R9は水素または置換
もしくは無置換の炭化水素基を表わし、Ar、は炭化水
素環基またはその置換体を表わす、〕前記一般式(1)
、 (2) 、 (3)または(4)の2の炭化水素
環としてはベンゼン環、ナフタレン環などが例示でき、
また複素環(I!換を持っていてもよい)としてはイン
ドール環、カルバゾール環、ベンゾラン環、ジベンゾフ
ラン環などが例示できる。2の環における置換基として
は塩素原子、臭素原子などのハロゲン原子が例示できる
。
もしくは無置換の炭化水素基を表わし、Ar、は炭化水
素環基またはその置換体を表わす、〕前記一般式(1)
、 (2) 、 (3)または(4)の2の炭化水素
環としてはベンゼン環、ナフタレン環などが例示でき、
また複素環(I!換を持っていてもよい)としてはイン
ドール環、カルバゾール環、ベンゾラン環、ジベンゾフ
ラン環などが例示できる。2の環における置換基として
は塩素原子、臭素原子などのハロゲン原子が例示できる
。
Y2またはR6における炭化水素環基としては、フェニ
ル基、ナフチル基、アントリル基、ピレニル基などが、
また、複素環基としてはピリジル基。
ル基、ナフチル基、アントリル基、ピレニル基などが、
また、複素環基としてはピリジル基。
チエニル基、フリル基、インドリル基、ベンゾフラニル
基、カルバゾリル基、ジベンゾフラニル基などが例示で
き、さらに、R6およびR,が結合して形成する環とし
ては、フルオレン環などが例示できる。
基、カルバゾリル基、ジベンゾフラニル基などが例示で
き、さらに、R6およびR,が結合して形成する環とし
ては、フルオレン環などが例示できる。
Y、またはR,の炭化水素環基または複素環基あるいは
R5およびR,によって形成される環における置換基と
しては、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基な
どのアルキル基、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ
基、ブトキシ基などのアルコキシ基、塩素原子、臭素原
子などのハロゲン原子。
R5およびR,によって形成される環における置換基と
しては、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基な
どのアルキル基、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ
基、ブトキシ基などのアルコキシ基、塩素原子、臭素原
子などのハロゲン原子。
ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基などのジアルキル
アミノ基、トリフルオロメチル基などのへロメチル基、
ニトロ基、シアノ基、カルボキシル基またはそのエステ
ル、水酸基、 −8O,Naなとのスルホン酸塩基など
が挙げられる。
アミノ基、トリフルオロメチル基などのへロメチル基、
ニトロ基、シアノ基、カルボキシル基またはそのエステ
ル、水酸基、 −8O,Naなとのスルホン酸塩基など
が挙げられる。
R,のフェニル基の置換体としては塩素原子または臭素
原子などのハロゲン原子が例示できる。
原子などのハロゲン原子が例示できる。
R1またはR1における炭化水素基の代表例としては、
メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基などのアル
キル基、フェニル基などのアリール基またはこれらの置
換体が例示できる。
メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基などのアル
キル基、フェニル基などのアリール基またはこれらの置
換体が例示できる。
R7またはR1の炭化水素基における置換基としては、
メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基などのアル
キル基、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブト
キシ基などのアルコキシ基、塩素原子、臭素原子などの
ハロゲン原子、水酸基、ニトロ基などが例示できる。
メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基などのアル
キル基、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブト
キシ基などのアルコキシ基、塩素原子、臭素原子などの
ハロゲン原子、水酸基、ニトロ基などが例示できる。
Ar、またはAr、における炭化水素環基としては。
フェニル基、ナフチル基などがその代表例であり、また
、これらの基における置換基としては、メチル基、エチ
ル基、プロピル基、ブチル基などのアルキル基、メトキ
シ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基などのア
ルコキシ基、ニトロ基。
、これらの基における置換基としては、メチル基、エチ
ル基、プロピル基、ブチル基などのアルキル基、メトキ
シ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基などのア
ルコキシ基、ニトロ基。
塩素原子、臭素原子などのハロゲン原子、シアノ基、ジ
メチルアミノ基、ジエチルアミノ基などのジアルキルア
ミノ基などが例示できる。
メチルアミノ基、ジエチルアミノ基などのジアルキルア
ミノ基などが例示できる。
また、Xの中では特に水酸基が適当である。
上記カップラー残基の中でも好ましいのは上記一般式(
2) 、 (5) 、 (6) 、 (7) 、 (8
)および(9)で示されるものであり、この中でも一般
式におけるXが水酸基のものが好ましい、また、この中
でも一般式(10)(Ylおよび2は前記に同じ、) で表わされるカップラー残基が好ましく、さらに好まし
くは一般式 (Z、Y、およびR2は前記に同じ、)で表わされるカ
ップラー残基である。
2) 、 (5) 、 (6) 、 (7) 、 (8
)および(9)で示されるものであり、この中でも一般
式におけるXが水酸基のものが好ましい、また、この中
でも一般式(10)(Ylおよび2は前記に同じ、) で表わされるカップラー残基が好ましく、さらに好まし
くは一般式 (Z、Y、およびR2は前記に同じ、)で表わされるカ
ップラー残基である。
さらにまた、上記好ましいカップラー残基の中でも一般
式(12)または(13) ’−z −′ R1 ゛・z・′ (Z、R,、R,およびR1は前記に同じであり、また
R1゜とじては上記のY2の置換基が例示できる。)で
表わされる。
式(12)または(13) ’−z −′ R1 ゛・z・′ (Z、R,、R,およびR1は前記に同じであり、また
R1゜とじては上記のY2の置換基が例示できる。)で
表わされる。
以上に示した一般式(1)〜−一般式V)で示される化
合物および電荷発生物質は各々単独であるいは2種以上
併用して用いられる。
合物および電荷発生物質は各々単独であるいは2種以上
併用して用いられる。
前記一般式(1)〜−一般式V)で示される化合物は電
荷発生物質1重量部に対して0.01重量部以上用いる
のが適当であり、好ましくは0.05重量部以上、更に
好ましくは0.1重量部以上である。
荷発生物質1重量部に対して0.01重量部以上用いる
のが適当であり、好ましくは0.05重量部以上、更に
好ましくは0.1重量部以上である。
バインダー樹脂は使用しなくてもかまわないが、使用し
た方が、本発明の効果を更に高めることができる。その
際のバインダー樹脂の使用量は電荷発生物質1重量部に
対して0.02〜3重量部が好ましく、更に好ましくは
0.2〜2重量部である。
た方が、本発明の効果を更に高めることができる。その
際のバインダー樹脂の使用量は電荷発生物質1重量部に
対して0.02〜3重量部が好ましく、更に好ましくは
0.2〜2重量部である。
電荷発生層は、一般式(I)〜−一般式V)で示される
化合物の少なくとも1種と電荷発生物質を必要ならばバ
インダー樹脂とともに、テトラヒドロ・フラン、シクロ
ヘキサノン、ジオキサン、ジクロルエタン等の溶媒を用
いてボールミル、アトライター、サンドミルなどにより
分散し、分散液を適度に希釈して塗布することにより形
成できる。塗布は、浸漬塗工法やスプレーコート、ビー
ドコート法などを用いて行なうことができる。
化合物の少なくとも1種と電荷発生物質を必要ならばバ
インダー樹脂とともに、テトラヒドロ・フラン、シクロ
ヘキサノン、ジオキサン、ジクロルエタン等の溶媒を用
いてボールミル、アトライター、サンドミルなどにより
分散し、分散液を適度に希釈して塗布することにより形
成できる。塗布は、浸漬塗工法やスプレーコート、ビー
ドコート法などを用いて行なうことができる。
電荷発生層の膜厚は、 0.001−5p程度であり、
好ましくは0.1〜2−である。
好ましくは0.1〜2−である。
電荷輸送層17は、電荷輸送物質およびバインダー樹脂
を適当な溶剤に溶解ないし分散し、これを塗布、乾燥す
ることにより形成できる。
を適当な溶剤に溶解ないし分散し、これを塗布、乾燥す
ることにより形成できる。
電荷輸送物質には、正孔輸送物質と電子輸送物質とがあ
る。
る。
電子輸送物質としては、たとえば、クロルアニル、ブロ
ムアニル、テトラシアノエチレン、テトラシアノキノン
ジメタン、2,4.7−トリニトロ−9−フルオレノン
、2,4,5.7−テトラニトロ−9−フルオレノン、
2,4,5.ツーテトラニトロキサントン、 2,4゜
8−トリニドロチオキサントン、2,6.8−トリニト
ロ−4H−インデノ(1,2−b)チオフェン−4−オ
ン、1,3.7−ドリニトロジベンゾチオフエノンー5
,5−ジオキサイドなどの電子受容性物質が挙げられる
。
ムアニル、テトラシアノエチレン、テトラシアノキノン
ジメタン、2,4.7−トリニトロ−9−フルオレノン
、2,4,5.7−テトラニトロ−9−フルオレノン、
2,4,5.ツーテトラニトロキサントン、 2,4゜
8−トリニドロチオキサントン、2,6.8−トリニト
ロ−4H−インデノ(1,2−b)チオフェン−4−オ
ン、1,3.7−ドリニトロジベンゾチオフエノンー5
,5−ジオキサイドなどの電子受容性物質が挙げられる
。
正孔輸送物質としては、以下の一般式で表わされる電子
供与性物質等が挙げられ、良好に用いられる。
供与性物質等が挙げられ、良好に用いられる。
(式中、R1,Rs、R,およびR4は水素原子、置換
もしくは無置換の7リール基を表わし、八rtは置換又
は無置換のアリール基を表わし、 Ar、とR□は共用
で環を形成してもよく、またnはO又は1の整数である
。) (但し、R1は低級アルキル基、低級アルコキシ基又は
ハロゲン原子を表わし、nはO〜4の整数を表わし、R
,、R,は同一でも異なっていてもよく。
もしくは無置換の7リール基を表わし、八rtは置換又
は無置換のアリール基を表わし、 Ar、とR□は共用
で環を形成してもよく、またnはO又は1の整数である
。) (但し、R1は低級アルキル基、低級アルコキシ基又は
ハロゲン原子を表わし、nはO〜4の整数を表わし、R
,、R,は同一でも異なっていてもよく。
水素原子、低級アルキル基、低級アルコキシ基又はハロ
ゲン原子を表わす、) (式中、R1は炭素数1〜11のアルキル基、置換又は
非置換のフェニル基あるいは複素環残基を表わし、R,
、R,はそれぞれ同一でも異なっていてもよく、水素原
子、低級アルキル基、01−〇、のヒドロキシアルキル
基、00〜C4のクロルアルキル基、あるいは置換又は
非置換のアラルキル基を表わし、またR2とR1は共同
で窒、素を含む複素環を形成してもよく、R4,R,は
それぞれ同一でも異なっていてもよく、水素原子、低級
アルキル基、低級アルコキシ基又はハロゲン原子を表わ
す、) アノ、ジ低級アルキルアミノ、置換又は非置換のジアラ
ルキルアミノ基、低級アルキル基、低級アルコキシ基及
びニトロ基よりなる群から選ばれる。)を表わす、) (式中、R,、R,は水素原子、低級アルキル基、低級
アルコキシ基、あるいはジ低級アルキルアミノ基を表わ
し、R2は水素原子、低級アルキル基。
ゲン原子を表わす、) (式中、R1は炭素数1〜11のアルキル基、置換又は
非置換のフェニル基あるいは複素環残基を表わし、R,
、R,はそれぞれ同一でも異なっていてもよく、水素原
子、低級アルキル基、01−〇、のヒドロキシアルキル
基、00〜C4のクロルアルキル基、あるいは置換又は
非置換のアラルキル基を表わし、またR2とR1は共同
で窒、素を含む複素環を形成してもよく、R4,R,は
それぞれ同一でも異なっていてもよく、水素原子、低級
アルキル基、低級アルコキシ基又はハロゲン原子を表わ
す、) アノ、ジ低級アルキルアミノ、置換又は非置換のジアラ
ルキルアミノ基、低級アルキル基、低級アルコキシ基及
びニトロ基よりなる群から選ばれる。)を表わす、) (式中、R,、R,は水素原子、低級アルキル基、低級
アルコキシ基、あるいはジ低級アルキルアミノ基を表わ
し、R2は水素原子、低級アルキル基。
低級アルコキシ基、ハロゲン原子あるいはニトロ基を表
わし、nはO又はlを表わす、)(式中、R1は水素原
子又はハロゲン原子を表わし、R2は置換または非置換
の芳香族残基あるいは複素環残基(但し前記置換基はハ
ロゲン、シ(式中、Rはカルバゾリル基、ピリジル基、
チエニル基、インドリル基又はフリル基、あるいはそれ
ぞれ置換または非置換のフェニル基、スチリル基、ナフ
チル基又はアントリル基(但し前記置換基はジ低級アル
キルアミノ基、低級アルキル基、低級アルコキシ基、ハ
ロゲン原子、アラルキルアミノ基又は、アミノ基からな
る群から選ばれる)を表わす、) (ただし、R,、R,、R,は水素原子、置換又は無置
換の低級アルキル基あるいは置換又は無置換のベンジル
基を表わし、R4,R,は水素原子、ハロゲン原子、低
級アルキル基あるいは低級アルコキシ基又はジ低級アル
キルアミノ基を表わす、)を表わす、) (式中、Rえ#R*#R3は同一でも異なっていてもよ
く、水素原子、低級アルキル基、低級アルコキシ基、フ
ェニル基、フェノキシ基、またはハロゲン原子を表わす
、) (式中、 R,、R,、R,、R,、R,は水素原子、
ハロゲン原子、低級アルキル基、低級アルコキシ基、置
換又は無置換のジ低級アルキルアミノ基又はジベンジル
アミノ基を表ht、、R,は低級アルキル基又はベンジ
ル基を表わす、) (式中、H□は水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、低
級アルキル基を表わし、Arは (式中、Arはナフタレン環、アントラセン環。
わし、nはO又はlを表わす、)(式中、R1は水素原
子又はハロゲン原子を表わし、R2は置換または非置換
の芳香族残基あるいは複素環残基(但し前記置換基はハ
ロゲン、シ(式中、Rはカルバゾリル基、ピリジル基、
チエニル基、インドリル基又はフリル基、あるいはそれ
ぞれ置換または非置換のフェニル基、スチリル基、ナフ
チル基又はアントリル基(但し前記置換基はジ低級アル
キルアミノ基、低級アルキル基、低級アルコキシ基、ハ
ロゲン原子、アラルキルアミノ基又は、アミノ基からな
る群から選ばれる)を表わす、) (ただし、R,、R,、R,は水素原子、置換又は無置
換の低級アルキル基あるいは置換又は無置換のベンジル
基を表わし、R4,R,は水素原子、ハロゲン原子、低
級アルキル基あるいは低級アルコキシ基又はジ低級アル
キルアミノ基を表わす、)を表わす、) (式中、Rえ#R*#R3は同一でも異なっていてもよ
く、水素原子、低級アルキル基、低級アルコキシ基、フ
ェニル基、フェノキシ基、またはハロゲン原子を表わす
、) (式中、 R,、R,、R,、R,、R,は水素原子、
ハロゲン原子、低級アルキル基、低級アルコキシ基、置
換又は無置換のジ低級アルキルアミノ基又はジベンジル
アミノ基を表ht、、R,は低級アルキル基又はベンジ
ル基を表わす、) (式中、H□は水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、低
級アルキル基を表わし、Arは (式中、Arはナフタレン環、アントラセン環。
スチリル基及びそれらの置換体、あるいはピリジン環、
フラン環、チオフェン環を表わし、Rは低級アルキル基
又はベンジル基を表わす、)h、 (式中、Rユは低級アルキル基、2−ヒドロキシエチル
基又は2−クロロエチル基を表わし、R2は低級アルキ
ル基、ベンジル基又はフェニル基を表わし、R3は水素
原子、ハロゲン原子、低級アルキル基、低級アルコキシ
基、ジ低級アルキルアミノ基又はニトロ基を表わす、) (式中、R1は水素原子、低級アルキル基、クロルエチ
ル基又はヒドロキシエチル基を表わし。
フラン環、チオフェン環を表わし、Rは低級アルキル基
又はベンジル基を表わす、)h、 (式中、Rユは低級アルキル基、2−ヒドロキシエチル
基又は2−クロロエチル基を表わし、R2は低級アルキ
ル基、ベンジル基又はフェニル基を表わし、R3は水素
原子、ハロゲン原子、低級アルキル基、低級アルコキシ
基、ジ低級アルキルアミノ基又はニトロ基を表わす、) (式中、R1は水素原子、低級アルキル基、クロルエチ
ル基又はヒドロキシエチル基を表わし。
R3は水素原子又はハロゲン原子を表わし、R1は低級
アルキル基、ジ低級アルキルアミノ基、ジアリールアミ
ノ基、l!換又は無置換のスチリル基、!換又は無置換
の芳香環残基(芳香環又はベンゼン環、ナフタレン環、
アントラセン環等)、置換又は無置換の複素環残基(複
素環はピリジン環、キノキサリン環、カルバゾール環等
)を表わす、) (式中、R4は低級アルキル基を表わし、R2は低級ア
ルキル基、ジ低級アルキルアミノ基、ジアリールアミノ
基、置換又は無置換のスチリル基、置換又は無置換の芳
香環残基(芳香環はベンゼン環、ナフタレン環、アント
ラセン環等)、置換又は無置換の複素環残基(複素環は
ピリジン環、キノキサリン環、カルバゾール環等)を表
わす、) (式中、 R1,R,は同一でも異なっていてもよく、
水素原子、低級アルキル基、ヒドロキシ低級アルキル基
、クロル低級アルキル基、アルキルの炭素数1−2のア
シル基、アルキルの炭素数5〜6のシクロアルキル基、
あるいは置換又は非置換のアラルキル基を表わす、) (式中、R’、R’及びR4は水素原子、アミノ基、ア
ルコキシ基、チオアルコキシ基、アリールオキシ基、メ
チレンジオキシ基、置換もしくは無置換のアルキル基、
ハロゲン原子又は置換もしくは無置換のアリール基を、
R2は水素原子、アルコキシ基、置換もしくは無置換の
アルキル基又はハロゲンを表わす、但し、R1,nl
、R3およびR4がすべて水素原子である場合は除く、
またに、fl。
アルキル基、ジ低級アルキルアミノ基、ジアリールアミ
ノ基、l!換又は無置換のスチリル基、!換又は無置換
の芳香環残基(芳香環又はベンゼン環、ナフタレン環、
アントラセン環等)、置換又は無置換の複素環残基(複
素環はピリジン環、キノキサリン環、カルバゾール環等
)を表わす、) (式中、R4は低級アルキル基を表わし、R2は低級ア
ルキル基、ジ低級アルキルアミノ基、ジアリールアミノ
基、置換又は無置換のスチリル基、置換又は無置換の芳
香環残基(芳香環はベンゼン環、ナフタレン環、アント
ラセン環等)、置換又は無置換の複素環残基(複素環は
ピリジン環、キノキサリン環、カルバゾール環等)を表
わす、) (式中、 R1,R,は同一でも異なっていてもよく、
水素原子、低級アルキル基、ヒドロキシ低級アルキル基
、クロル低級アルキル基、アルキルの炭素数1−2のア
シル基、アルキルの炭素数5〜6のシクロアルキル基、
あるいは置換又は非置換のアラルキル基を表わす、) (式中、R’、R’及びR4は水素原子、アミノ基、ア
ルコキシ基、チオアルコキシ基、アリールオキシ基、メ
チレンジオキシ基、置換もしくは無置換のアルキル基、
ハロゲン原子又は置換もしくは無置換のアリール基を、
R2は水素原子、アルコキシ基、置換もしくは無置換の
アルキル基又はハロゲンを表わす、但し、R1,nl
、R3およびR4がすべて水素原子である場合は除く、
またに、fl。
I及びnは1,2.3又は4の整数であり、各々が2.
3又は4の整数の時は前記R1,R2、R3およびR4
は同一でも異なっていてもよい。
3又は4の整数の時は前記R1,R2、R3およびR4
は同一でも異なっていてもよい。
A−C1,CH,−Ar1−CI、CI、−A(式中、
Ar’は置換もしくは無置換の芳香族炭化水素基または
複素環基を表わし、Aは置換もしくは無置換のN−11
換カルバゾリル基またはI?1 の芳香族炭化水素基または複素環基であり、R1及びR
1は置換もしくは無置換のアルキル基、または置換もし
くは無置換のアリール基である。)を表わす、) これらの電荷輸送物質は、単独又は2種以上混合して用
いられる。
Ar’は置換もしくは無置換の芳香族炭化水素基または
複素環基を表わし、Aは置換もしくは無置換のN−11
換カルバゾリル基またはI?1 の芳香族炭化水素基または複素環基であり、R1及びR
1は置換もしくは無置換のアルキル基、または置換もし
くは無置換のアリール基である。)を表わす、) これらの電荷輸送物質は、単独又は2種以上混合して用
いられる。
バインダー樹脂としてはポリスチレン、スチレン−アク
リロニトリル共重合体、スチレン−ブタジェン共重合体
、スチレン−無水マレイン酸共重合体、ポリエステル、
ポリ塩化ビニル、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体、ポ
リ酢酸ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ボリアリレート樹
脂、フェノキシ樹脂、ポリカーボネート、酢酸セルロー
ス樹脂。
リロニトリル共重合体、スチレン−ブタジェン共重合体
、スチレン−無水マレイン酸共重合体、ポリエステル、
ポリ塩化ビニル、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体、ポ
リ酢酸ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ボリアリレート樹
脂、フェノキシ樹脂、ポリカーボネート、酢酸セルロー
ス樹脂。
エチルセルロース樹脂、ポリビニルブチラール。
ポリビニルホルマール、ポリビニルトルエン、ポリ−ト
ビニルカルバゾール、アクリル樹脂、シリコーン樹脂、
エポキシ樹脂、メラミン樹脂、ウレタン樹脂、フェノー
ル樹脂、アルキッド樹脂等の熱可塑性または熱硬化性樹
脂が挙げられる。
ビニルカルバゾール、アクリル樹脂、シリコーン樹脂、
エポキシ樹脂、メラミン樹脂、ウレタン樹脂、フェノー
ル樹脂、アルキッド樹脂等の熱可塑性または熱硬化性樹
脂が挙げられる。
溶剤としては、テトラヒドロフラン、ジオキサン、トル
エン、モノクロルベンゼン、ジクロルエタン、塩化メチ
レンなどが用いられる。
エン、モノクロルベンゼン、ジクロルエタン、塩化メチ
レンなどが用いられる。
電荷輸送層17の厚さは5〜100−程度が適当である
。また、本発明において電荷輸送層17中に可塑、剤や
レベリング剤を添加してもよい、可塑剤としては、ジブ
チルフタレート、ジオクチルフタレートなど一般の樹脂
の可塑剤として使用されているものがそのまま使用でき
、その使用量は、バインダー樹脂に対してO〜30重量
%程度が適当である。
。また、本発明において電荷輸送層17中に可塑、剤や
レベリング剤を添加してもよい、可塑剤としては、ジブ
チルフタレート、ジオクチルフタレートなど一般の樹脂
の可塑剤として使用されているものがそのまま使用でき
、その使用量は、バインダー樹脂に対してO〜30重量
%程度が適当である。
レベリング剤としては、ジメチルシリコーンオイル、メ
チルフェニルシリコーンオイルなどのシリコーンオイル
類が使用され、その使用量はバインダー樹脂に対して、
0−1重量2程度が適当である。
チルフェニルシリコーンオイルなどのシリコーンオイル
類が使用され、その使用量はバインダー樹脂に対して、
0−1重量2程度が適当である。
支持体11と電荷発生/[15との間に設けられる下引
層13は本発明の効果をいっそう向上すると共に、接着
性を向上する目的で設けられ、その材料としてはSin
、 AQ、0.、シランカップリング剤、チタンカップ
リング剤、クロムカップリング剤等の無機材料やポリア
ミド樹脂、アルコール可溶性ポリアミド樹脂、水溶性ポ
リビニルブチラール、ポリビニルブチラール、PVA等
の接着性の良いバインダー樹脂などが使用される。その
他、前記接着性の良い樹脂にZnO、Tie、 、 Z
nS等を分散したものも使用できる。下引層の形成法と
しては無機材料単独の場合はスパッタリング、蒸着等の
方法が、また有機材料を用いた場合は通常の塗布法が採
用される。
層13は本発明の効果をいっそう向上すると共に、接着
性を向上する目的で設けられ、その材料としてはSin
、 AQ、0.、シランカップリング剤、チタンカップ
リング剤、クロムカップリング剤等の無機材料やポリア
ミド樹脂、アルコール可溶性ポリアミド樹脂、水溶性ポ
リビニルブチラール、ポリビニルブチラール、PVA等
の接着性の良いバインダー樹脂などが使用される。その
他、前記接着性の良い樹脂にZnO、Tie、 、 Z
nS等を分散したものも使用できる。下引層の形成法と
しては無機材料単独の場合はスパッタリング、蒸着等の
方法が、また有機材料を用いた場合は通常の塗布法が採
用される。
なお下引層の厚さは5Is以下が適当である。
保護層19は感光体の表面保護の目的で設けられ、これ
に使用される材料としてABS樹脂、AC3樹脂、オレ
フィンルビニルモノマー共重合体、塩素化ポリエーテル
、アリル樹脂、フェノール樹脂、ポリアセタール、ポリ
アミド、ポリアミドイミド、ポリアクリレート、ポリア
リルスルホン、ポリブチレン、ポリブチレンテレフタレ
ート、ポリカーボネート、ポリエーテルスルホン、ポリ
エチレン、ポリエチレンテレフタレート、ポリイミド、
アクリル樹脂、ポリメチルペンテン、ポリプロピレン、
ポリフェニレンオキシド、ポリスルホン、ポリスチレン
、AS樹脂、ブタジェン−スチレン共重合体、ポリウレ
タン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニデン、エポキシ樹
脂等の樹脂が挙げられる。保護層にはその他、耐摩耗性
を向上する目的でポリテトラフルオロエチレンのような
弗素樹脂、シリコーン樹脂、及びこれら樹脂に酸化チタ
ン、酸化錫、チタン酸カリウム等の無機材料を分散した
もの等を添加することができる。保護層の形成法として
は通常の塗布法が採用される。なお保護層の厚さは0.
5〜l〇−程度が適当である。
に使用される材料としてABS樹脂、AC3樹脂、オレ
フィンルビニルモノマー共重合体、塩素化ポリエーテル
、アリル樹脂、フェノール樹脂、ポリアセタール、ポリ
アミド、ポリアミドイミド、ポリアクリレート、ポリア
リルスルホン、ポリブチレン、ポリブチレンテレフタレ
ート、ポリカーボネート、ポリエーテルスルホン、ポリ
エチレン、ポリエチレンテレフタレート、ポリイミド、
アクリル樹脂、ポリメチルペンテン、ポリプロピレン、
ポリフェニレンオキシド、ポリスルホン、ポリスチレン
、AS樹脂、ブタジェン−スチレン共重合体、ポリウレ
タン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニデン、エポキシ樹
脂等の樹脂が挙げられる。保護層にはその他、耐摩耗性
を向上する目的でポリテトラフルオロエチレンのような
弗素樹脂、シリコーン樹脂、及びこれら樹脂に酸化チタ
ン、酸化錫、チタン酸カリウム等の無機材料を分散した
もの等を添加することができる。保護層の形成法として
は通常の塗布法が採用される。なお保護層の厚さは0.
5〜l〇−程度が適当である。
更に本発明では電荷輸送層17と保護層19との間に別
の中間層(図示せず)を設けることも可能である。
の中間層(図示せず)を設けることも可能である。
(実施例〕
次に、実施例によって1本発明をさらに詳細に説明する
が、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。
が、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。
なお、実施例中使用する部は、すべて重量部を表わす。
実施例1
アルミニウムを蒸着したポリエチレンテレフタレートフ
ィルム上に、下記組成の電荷発生層塗工液、電荷輸送層
塗工液を順次、塗布、乾燥して各々0.24厚の電荷発
生層および22部m厚の電荷輸送層を形成し、本発明の
電子写真感光体を作成した。
ィルム上に、下記組成の電荷発生層塗工液、電荷輸送層
塗工液を順次、塗布、乾燥して各々0.24厚の電荷発
生層および22部m厚の電荷輸送層を形成し、本発明の
電子写真感光体を作成した。
下記構造式の電荷発生物質 2部下記構造
式の一般式(1)の化合物 2部 シクロヘキサノン 2−ブタノン 〔電荷輸送層塗工液〕 下記構造式の電荷輸送物質 100部 30部 8部 下記構造式の一般式(1)の化合物 1.5部 テトラヒドロフラン 70部実施例
2 実施例1と同じ支持体上に、下記組成の下引層塗工液、
電荷発生層塗工液および電荷輸送層塗工液を順次、塗布
、乾燥して各々0.3Ilaの下引層、0.2μ−の電
荷発生層および20.の電荷輸送層を形成し、本発明の
電子写真感光体を作成した。
式の一般式(1)の化合物 2部 シクロヘキサノン 2−ブタノン 〔電荷輸送層塗工液〕 下記構造式の電荷輸送物質 100部 30部 8部 下記構造式の一般式(1)の化合物 1.5部 テトラヒドロフラン 70部実施例
2 実施例1と同じ支持体上に、下記組成の下引層塗工液、
電荷発生層塗工液および電荷輸送層塗工液を順次、塗布
、乾燥して各々0.3Ilaの下引層、0.2μ−の電
荷発生層および20.の電荷輸送層を形成し、本発明の
電子写真感光体を作成した。
水
150部メタノール 20
0部〔電荷発生層塗工液〕 下記構造式の電荷発生物質 1部LJ& シクロヘキサノン 2−ブタノン 〔電荷輸送層塗工液〕 下記構造式の電荷輸送物質 80部 50部 9部 テトラヒドロフラン 80部実施例
3 ハステロイ導電層を設けたポリエチレンテレフタレート
フィルム上に、下記組成の下引層塗工液。
150部メタノール 20
0部〔電荷発生層塗工液〕 下記構造式の電荷発生物質 1部LJ& シクロヘキサノン 2−ブタノン 〔電荷輸送層塗工液〕 下記構造式の電荷輸送物質 80部 50部 9部 テトラヒドロフラン 80部実施例
3 ハステロイ導電層を設けたポリエチレンテレフタレート
フィルム上に、下記組成の下引層塗工液。
電荷発生層塗工液および電荷輸送層塗工液を順次、塗布
、乾燥して、各々211mの下引層、0.3−の電荷発
生層および18/sの電荷輸送層を形成し、本発明の電
子写真感光体を作成した。
、乾燥して、各々211mの下引層、0.3−の電荷発
生層および18/sの電荷輸送層を形成し、本発明の電
子写真感光体を作成した。
二酸化チタン
10部
トルイレン−2,4−ジイソシアネート2−ブタノン
4−メチル−2−ペンタノン
〔電荷発生層塗工液〕
下記構造式の電荷発生物質
0.2部
100部
70部
3部
下記構造式の一般式(1)の化合物
0.15部
テトラヒドロフラン 80部実施例
4 厚さ0.2mのアルミニウム板上に、下記組成の電荷発
生層塗工液および電荷輸送層塗工液を順次、塗布乾燥し
て各々0.2−の電荷発生層および17【の電荷輸送層
を形成し、本発明の電子写真感光体を作成した。
4 厚さ0.2mのアルミニウム板上に、下記組成の電荷発
生層塗工液および電荷輸送層塗工液を順次、塗布乾燥し
て各々0.2−の電荷発生層および17【の電荷輸送層
を形成し、本発明の電子写真感光体を作成した。
下記構造式の電荷発生物質 1部シクロヘ
キサノン テトラヒドロフラン 〔電荷輸送層塗工液〕 下記構造式の電荷輸送物質 150部 50部 7部 下記構造式の一般式(1)の化合物 0.3部 テトラヒドロフラン 〔電荷輸送層塗工液〕 下記構造式の電荷輸送物質 100部 10部 水 メタノール 〔電荷発生層塗工液〕 下記構造式の電荷発生物質 100部 100部 3部 塩化メチレン 90部実施例
5 厚さ0.1閣の電鋳ニッケル板上に、下記組成の下引層
塗工液、電荷発生層塗工液、電荷輸送層塗工液および保
護M塗工液を順次、塗布、乾燥して各々0.37mの下
引層、0.2−の電荷発生層および18趨の電荷輸送層
および3部mの保護層を形成し1本発明の電子写真感光
体を作成した。
キサノン テトラヒドロフラン 〔電荷輸送層塗工液〕 下記構造式の電荷輸送物質 150部 50部 7部 下記構造式の一般式(1)の化合物 0.3部 テトラヒドロフラン 〔電荷輸送層塗工液〕 下記構造式の電荷輸送物質 100部 10部 水 メタノール 〔電荷発生層塗工液〕 下記構造式の電荷発生物質 100部 100部 3部 塩化メチレン 90部実施例
5 厚さ0.1閣の電鋳ニッケル板上に、下記組成の下引層
塗工液、電荷発生層塗工液、電荷輸送層塗工液および保
護M塗工液を順次、塗布、乾燥して各々0.37mの下
引層、0.2−の電荷発生層および18趨の電荷輸送層
および3部mの保護層を形成し1本発明の電子写真感光
体を作成した。
下記構造式の一般式(1)の化合物
4.5部
ポリサルホン(日産化学■製P−1700)シクロヘキ
サノン テトラヒドロフラン (電荷輸送層塗工液〕 下記構造式の電荷輸送物質 1.2部 300部 150部 9部 二酸化チタン 塩化メチレン 〔保護層塗工液〕 80部 2−ブタノン 酢酸エチル 〔電荷発生層塗工液〕 下記構造式の電荷発生物質 60部 40部 酸化錫 80部トルエ
ン 170部2−ブタノ
ン 100部実施例6 実施例4と同じ支持体上に、下記組成の下引層塗工液、
電荷発生層塗工液および電荷輸送層塗工液を順次、塗布
、乾燥して各々2I1mの下引層、0.4−の電荷発生
層および22−の電荷輸送層を形成し、本発明の電子写
真感光体を作成した。
サノン テトラヒドロフラン (電荷輸送層塗工液〕 下記構造式の電荷輸送物質 1.2部 300部 150部 9部 二酸化チタン 塩化メチレン 〔保護層塗工液〕 80部 2−ブタノン 酢酸エチル 〔電荷発生層塗工液〕 下記構造式の電荷発生物質 60部 40部 酸化錫 80部トルエ
ン 170部2−ブタノ
ン 100部実施例6 実施例4と同じ支持体上に、下記組成の下引層塗工液、
電荷発生層塗工液および電荷輸送層塗工液を順次、塗布
、乾燥して各々2I1mの下引層、0.4−の電荷発生
層および22−の電荷輸送層を形成し、本発明の電子写
真感光体を作成した。
下記構造式の一般式(1)の化合物
トルイレン−2,4−ジイソシアネートテトラヒドロフ
ラン 0.7部 0.3部 120部 4−メチル−2−ペンタノン 60部 〔電荷輸送層塗工液〕 下記構造式の電荷輸送物質 10部下記構
造式の一般式(1)の化合物 1.3部 塩化メチレン 50部1.2
−ジクロロエタン 25部実施例
7 φ60mのAQ円筒状支持体上に、下記組成の電荷発生
層塗工液、電荷輸送層塗工液、および保護層塗工液を順
次、塗布、乾燥して、各々0.2陣の電荷発生層、20
−の電荷輸送層、および5IJjaの保護層を形成し、
本発明の電子写真感光体を作成した。
ラン 0.7部 0.3部 120部 4−メチル−2−ペンタノン 60部 〔電荷輸送層塗工液〕 下記構造式の電荷輸送物質 10部下記構
造式の一般式(1)の化合物 1.3部 塩化メチレン 50部1.2
−ジクロロエタン 25部実施例
7 φ60mのAQ円筒状支持体上に、下記組成の電荷発生
層塗工液、電荷輸送層塗工液、および保護層塗工液を順
次、塗布、乾燥して、各々0.2陣の電荷発生層、20
−の電荷輸送層、および5IJjaの保護層を形成し、
本発明の電子写真感光体を作成した。
下記構造式の電荷発生物質 3部シクロヘ
キサノン 4−メチル−2−ペンタノン 〔電荷輸送層塗工液〕 下記構造式の電荷輸送物質 200部 120部 塩化メチレン 70部 〔保護層塗工液〕 導電性酸化チタン 90部トルエ
ン 220部n−ブタ
ノール 60部実施例8 φ80■のAQ円筒状支持体上に、下記組成の電荷発生
層塗工液、電荷輸送層塗工液、および保護層塗工液を順
次、塗布、乾燥して、各々0.21Jaの電荷発生層及
び19−の電荷輸送層を形成し、本発明の電子写真感光
体を作成した。
キサノン 4−メチル−2−ペンタノン 〔電荷輸送層塗工液〕 下記構造式の電荷輸送物質 200部 120部 塩化メチレン 70部 〔保護層塗工液〕 導電性酸化チタン 90部トルエ
ン 220部n−ブタ
ノール 60部実施例8 φ80■のAQ円筒状支持体上に、下記組成の電荷発生
層塗工液、電荷輸送層塗工液、および保護層塗工液を順
次、塗布、乾燥して、各々0.21Jaの電荷発生層及
び19−の電荷輸送層を形成し、本発明の電子写真感光
体を作成した。
下記構造式の電荷発生物質 2部下記構造
式の一般式(1)の化合物 0.1部トルイレン−
2,4−ジイソシアネートシクロヘキサノン 2−ブタノン 〔電荷輸送層塗工液〕 下記構造式の電荷輸送物質 0.07部 100部 100部 8部 テトラヒドロフラン 100部比較
例1〜8 以上の様に作成した実施例1〜8の感光体において、各
々の電荷発生層に一般式(1)の化合物を含有させない
他はすべて実施例1〜8と同様にして感光体を形成し、
比較例1〜8の感光体とした。
式の一般式(1)の化合物 0.1部トルイレン−
2,4−ジイソシアネートシクロヘキサノン 2−ブタノン 〔電荷輸送層塗工液〕 下記構造式の電荷輸送物質 0.07部 100部 100部 8部 テトラヒドロフラン 100部比較
例1〜8 以上の様に作成した実施例1〜8の感光体において、各
々の電荷発生層に一般式(1)の化合物を含有させない
他はすべて実施例1〜8と同様にして感光体を形成し、
比較例1〜8の感光体とした。
以上の各感光体の特性を、静電複写紙試験装置(川口電
機製作新製5P−428型)(実施例1−6、比較例1
〜6)及び特開昭60−100167号公報に開示され
た測定装置(実施例7〜8.比較例7〜8)を用いて次
のように評価した。
機製作新製5P−428型)(実施例1−6、比較例1
〜6)及び特開昭60−100167号公報に開示され
た測定装置(実施例7〜8.比較例7〜8)を用いて次
のように評価した。
まず、−6,0にVの放電々圧にて、コロナ帯電を15
秒間行ない、次いで10秒間着減衰させ、その後、6Q
uxのタングステン光を照射した。
秒間行ない、次いで10秒間着減衰させ、その後、6Q
uxのタングステン光を照射した。
この時の帯電開始後1秒と15秒の表面電位V、 (V
)、vts(v)および暗減衰10秒後の表面電位V2
S(V)を測定し、また、v、sを半分の電位に光減衰
させるのに必要な露光量El/2(Qux−sec)を
測定した。なお。
)、vts(v)および暗減衰10秒後の表面電位V2
S(V)を測定し、また、v、sを半分の電位に光減衰
させるのに必要な露光量El/2(Qux−sec)を
測定した。なお。
暗減衰率(0,0)は1次式で定義される。
D、D=V、、/V、。
更に、上記条件の帯電と露光を同時に30分間行なって
疲労させた後、再び前記と同様の測定を行なった。評価
結果を表−1に示す。
疲労させた後、再び前記と同様の測定を行なった。評価
結果を表−1に示す。
表−1
実施例9
アルミニウムを蒸着したポリエチレンテレフタレートフ
ィルム上に、下記組成の電荷発生層塗工液、電荷輸送層
塗工液を順次、塗布、乾燥して各々0.2.厚の電荷発
生層および22IJm厚の電荷輸送層を形成し、本発明
の電子写真感光体を作成した。
ィルム上に、下記組成の電荷発生層塗工液、電荷輸送層
塗工液を順次、塗布、乾燥して各々0.2.厚の電荷発
生層および22IJm厚の電荷輸送層を形成し、本発明
の電子写真感光体を作成した。
下記構造式の電荷発生物質 2部下記構造
式の一般式(n)の化合物 2部 〔電荷輸送層塗工液〕 下記構造式の電荷輸送物質 8部 テトラヒドロフラン 70部実施例
10 実施例9と同じ支持体上に、下記組成の下引層塗工液、
電荷発生層塗工液および電荷輸送層塗工液を順次、塗布
、乾燥して各々0.311mの下引層、0.24の電荷
発生層および20μ−の電荷輸送層を形成し、本発明の
電子写真感光体を作成した。
式の一般式(n)の化合物 2部 〔電荷輸送層塗工液〕 下記構造式の電荷輸送物質 8部 テトラヒドロフラン 70部実施例
10 実施例9と同じ支持体上に、下記組成の下引層塗工液、
電荷発生層塗工液および電荷輸送層塗工液を順次、塗布
、乾燥して各々0.311mの下引層、0.24の電荷
発生層および20μ−の電荷輸送層を形成し、本発明の
電子写真感光体を作成した。
シクロヘキサノン
2−ブタノン
100部
80部
水
メタノール
150部
200部
〔電荷発生層塗工液〕
下記構造式の電荷発生物質
1部
下記構造式の一般式(II)の化合物
2部
シクロヘキサノン
2−ブタノン
〔電荷輸送層塗工液〕
下記構造式の電荷輸送物質
20部
70部
9部
実施例11
ハステロイ導電層を設けたポリエチレンテレフタレート
フィルム上に、下記組成の下引層塗工液。
フィルム上に、下記組成の下引層塗工液。
電荷発生層塗工液および電荷輸送M塗工液を順次、塗布
、乾燥して、各々2−の下引層、0.3−の電荷発生層
および18μsの電荷輸送層を形成し1本発明の電子写
真感光体を作成した。
、乾燥して、各々2−の下引層、0.3−の電荷発生層
および18μsの電荷輸送層を形成し1本発明の電子写
真感光体を作成した。
二酸化チタン 10部トルイ
レン−2,4−ジイソシアネート 0.2部2−ブ
タノン 100部4−メチ
ル−2−ペンタノン 70部〔電荷発
生層塗工液〕 下記構造式の電荷発生物質 3部テトラヒ
ドロフラン 80部 下記構造式の一般式(n)の化合物 0.2部 を作成した。
レン−2,4−ジイソシアネート 0.2部2−ブ
タノン 100部4−メチ
ル−2−ペンタノン 70部〔電荷発
生層塗工液〕 下記構造式の電荷発生物質 3部テトラヒ
ドロフラン 80部 下記構造式の一般式(n)の化合物 0.2部 を作成した。
下記構造式の電荷発生物質
シクロヘキサノン
テトラヒドロフラン
【電荷輸送層塗工液〕
下記構造式の電荷輸送物質
100部
150部
7部
下記構造式の一般式(II)の化合物
0.3部
テトラヒドロフラン 80部実施例
12 厚さ0.2−のアルミニウム板上に、下記組成の電荷発
生層塗工液および電荷輸送層塗工液を順次、塗布乾燥し
て各々0.2−の電荷発生層および17趨の電荷輸送層
を形成し、本発明の電子写真感光体テトラヒドロフラン 〔電荷輸送層塗工液〕 下記構造式の電荷輸送物質 (GE社製 レキサン−141) 120部 10部 塩化メチレン 90部実施例
13 厚さ0.1園の電鋳ニッケル板上に、下記組成の下引層
塗工液、電荷発生層塗工液、電荷輸送層塗工液および保
護層塗工液を順を、塗布、乾燥して各々0.3.の下引
層、0.2−の電荷発生層および18−の電荷輸送層お
よび3趨の保護層を形成し、本発明の電子写真感光体を
作成した。
12 厚さ0.2−のアルミニウム板上に、下記組成の電荷発
生層塗工液および電荷輸送層塗工液を順次、塗布乾燥し
て各々0.2−の電荷発生層および17趨の電荷輸送層
を形成し、本発明の電子写真感光体テトラヒドロフラン 〔電荷輸送層塗工液〕 下記構造式の電荷輸送物質 (GE社製 レキサン−141) 120部 10部 塩化メチレン 90部実施例
13 厚さ0.1園の電鋳ニッケル板上に、下記組成の下引層
塗工液、電荷発生層塗工液、電荷輸送層塗工液および保
護層塗工液を順を、塗布、乾燥して各々0.3.の下引
層、0.2−の電荷発生層および18−の電荷輸送層お
よび3趨の保護層を形成し、本発明の電子写真感光体を
作成した。
ポリサルホン(日照化学■製
シクロヘキサノン
テトラヒドロフラン
〔電荷輸送層塗工液〕
下記構造式の電荷輸送物質
P−,1700)
1部
200部
100部
水
100部メタノール 1
00部〔電荷発生層塗工液〕 下記構造式の電荷発生物質 3部塩化メチ
レン 〔保護層塗工液〕 80部 下記構造式の一般式(n)の化合物 4部 酸化錫 80部 トルエン 170部2−
ブタノン 100部実施例
14 実施例12と同じ支持体上に、下記組成の下引層塗工液
、電荷発生層塗工液および電荷輸送層塗工液を順次1、
塗布、乾燥して各々2趨の下引層、0.4−の電荷発生
層および22−の電荷輸送層を形成し、本発明の電子写
真感光体を作成した。
100部メタノール 1
00部〔電荷発生層塗工液〕 下記構造式の電荷発生物質 3部塩化メチ
レン 〔保護層塗工液〕 80部 下記構造式の一般式(n)の化合物 4部 酸化錫 80部 トルエン 170部2−
ブタノン 100部実施例
14 実施例12と同じ支持体上に、下記組成の下引層塗工液
、電荷発生層塗工液および電荷輸送層塗工液を順次1、
塗布、乾燥して各々2趨の下引層、0.4−の電荷発生
層および22−の電荷輸送層を形成し、本発明の電子写
真感光体を作成した。
二酸化チタン 8部2−ブ
タノン 60部酢酸エチル
40部〔電荷発生層塗工
液〕 下記構造式の電荷発生物質 2部下記構造
式の一般式(II)の化合物 0.8部 トルイレン−2,4−ジイソシアネートテトラヒドロフ
ラン 4−メチル−2−ペンタノン 〔電荷輸送層塗工液〕 下記構造式の電荷輸送物質 0.5部 80部 100部 10部 塩化メチレン 50部1.2
−ジクロロエタン 25部実施例
15 φ60■のAf1円筒状支持体上に、下記組成の電荷発
生層塗工液、電荷輸送層塗工液、および保護層塗工液を
順次、塗布、乾燥して、各々0.24の電荷発生層、2
0.の電荷輸送層、および5IJsの保護層を形成し、
本発明の電子写真感光体を作成した。
タノン 60部酢酸エチル
40部〔電荷発生層塗工
液〕 下記構造式の電荷発生物質 2部下記構造
式の一般式(II)の化合物 0.8部 トルイレン−2,4−ジイソシアネートテトラヒドロフ
ラン 4−メチル−2−ペンタノン 〔電荷輸送層塗工液〕 下記構造式の電荷輸送物質 0.5部 80部 100部 10部 塩化メチレン 50部1.2
−ジクロロエタン 25部実施例
15 φ60■のAf1円筒状支持体上に、下記組成の電荷発
生層塗工液、電荷輸送層塗工液、および保護層塗工液を
順次、塗布、乾燥して、各々0.24の電荷発生層、2
0.の電荷輸送層、および5IJsの保護層を形成し、
本発明の電子写真感光体を作成した。
下記構造式の電荷発生物質 3部塩化メチ
レン 〔保護層塗工液〕 70部 下記構造式の一般式(n)の化合物 1.8部 シクロヘキサノン 4−メチル−2−ペンタノン 〔電荷輸送層塗工液〕 下記構造式の電荷輸送物質 100部 100部 9部 導電性酸化チタン 90部トルエ
ン 220部n−ブタノ
ール 60部実施例16 φ80■のAQ円筒状支持体上に、下記組成の電荷発生
層塗工液、電荷輸送層塗工液、および保護層塗工液を順
次、塗布、乾燥して、各々0.2趨の電荷発生層及び1
9IIsの電荷輸送層を形成し1本発明の電子写真感光
体を作成した。
レン 〔保護層塗工液〕 70部 下記構造式の一般式(n)の化合物 1.8部 シクロヘキサノン 4−メチル−2−ペンタノン 〔電荷輸送層塗工液〕 下記構造式の電荷輸送物質 100部 100部 9部 導電性酸化チタン 90部トルエ
ン 220部n−ブタノ
ール 60部実施例16 φ80■のAQ円筒状支持体上に、下記組成の電荷発生
層塗工液、電荷輸送層塗工液、および保護層塗工液を順
次、塗布、乾燥して、各々0.2趨の電荷発生層及び1
9IIsの電荷輸送層を形成し1本発明の電子写真感光
体を作成した。
下記構造式の電荷発生物質 2部下記構造
式の一般式(II)の化合物 トルイレン−2,4−ジイソシアネートシクロヘキサノ
ン 2−ブタノン 〔電荷輸送層塗工液〕 下記構造式の電荷輸送物質 H,C C11□ 0.2部 0.05部 120部 80部 8部 テトラヒドロフラン 70部比較例
9〜16 以上の様に作成した実施例9〜16の感光体において、
各々の電荷発生層に一般式(n)の化合物を含有させな
い他はすべて実施例9〜16と同様にして感光体を形成
し、比較例9〜16の感光体とした。
式の一般式(II)の化合物 トルイレン−2,4−ジイソシアネートシクロヘキサノ
ン 2−ブタノン 〔電荷輸送層塗工液〕 下記構造式の電荷輸送物質 H,C C11□ 0.2部 0.05部 120部 80部 8部 テトラヒドロフラン 70部比較例
9〜16 以上の様に作成した実施例9〜16の感光体において、
各々の電荷発生層に一般式(n)の化合物を含有させな
い他はすべて実施例9〜16と同様にして感光体を形成
し、比較例9〜16の感光体とした。
以上の各感光体の特性を、静電複写紙試験装置(川口電
機製作新製5P−428型)(実施例9〜14、比較例
9〜14)及び特開昭60−100167号公報に開示
された測定装置(実施例15〜16.比較例15〜16
)を用いて次のように評価した。
機製作新製5P−428型)(実施例9〜14、比較例
9〜14)及び特開昭60−100167号公報に開示
された測定装置(実施例15〜16.比較例15〜16
)を用いて次のように評価した。
まず、−6,OKVの放電々圧にて、コロナ帯電を15
秒間行ない1次いで10秒間暗減衰させ、その後、Hu
スのタングステン光を照射した。
秒間行ない1次いで10秒間暗減衰させ、その後、Hu
スのタングステン光を照射した。
この時の帯電開始後2秒と15秒の表面電位V1(V)
、V、、(V)および暗減衰10秒後の表面電位V□(
V)を測定し、また、V2Mを半分の電位に光減衰させ
るのに必要な露光量El/2((lux−sec)を測
定した。なお、暗減衰率(D、D)は、次式で定義され
る。
、V、、(V)および暗減衰10秒後の表面電位V□(
V)を測定し、また、V2Mを半分の電位に光減衰させ
るのに必要な露光量El/2((lux−sec)を測
定した。なお、暗減衰率(D、D)は、次式で定義され
る。
D、D”VsdVsa
更に、上記条件の帯電と露光を同時に30分間行なって
疲労させた後、再び前記と同様の測定を行なった。評価
結果を表−2に示す。
疲労させた後、再び前記と同様の測定を行なった。評価
結果を表−2に示す。
表−2
実施例17
アルミニウムを蒸着したポリエチレンテレフタレートフ
ィルム上に、下記組成の電荷発生層塗工液、電荷輸送層
塗工液を順次、塗布、乾燥して各々0.2−厚の電荷発
生層および22部厚の電荷輸送層を形成し、本発明の電
子写真感光体を作成した。
ィルム上に、下記組成の電荷発生層塗工液、電荷輸送層
塗工液を順次、塗布、乾燥して各々0.2−厚の電荷発
生層および22部厚の電荷輸送層を形成し、本発明の電
子写真感光体を作成した。
下記構造式の電荷発生物質 2部下記構造
式の一般式(m)の化合物 2部 2−ブタノン 〔電荷輸送層塗工液〕 下記構造式の電荷輸送物質 20部 8部 テトラヒドロフラン 70部実施例
18 実施例17と同じ支持体上に、下記組成の下引層塗工液
、電荷発生層塗工液および電荷輸送WJ塗工液を順次、
塗布、乾燥して各々0.3趨の下引層、0.2−の電荷
発生層および20声の電荷輸送層を形成し1本発明の電
子写真感光体を作成した。
式の一般式(m)の化合物 2部 2−ブタノン 〔電荷輸送層塗工液〕 下記構造式の電荷輸送物質 20部 8部 テトラヒドロフラン 70部実施例
18 実施例17と同じ支持体上に、下記組成の下引層塗工液
、電荷発生層塗工液および電荷輸送WJ塗工液を順次、
塗布、乾燥して各々0.3趨の下引層、0.2−の電荷
発生層および20声の電荷輸送層を形成し1本発明の電
子写真感光体を作成した。
シクロヘキサノン
80部
水
150部
メタノール
〔電荷発生層塗工液〕
下記構造式の電荷発生物質
200部
1部
下記構造式の一般式(m)の化合物
1部
テトラヒドロフラン 80部実施例
19 ハステロイ導電層を設けたポリエチレンテレフタレート
フィルム上に、下記組成の下引層塗工液。
19 ハステロイ導電層を設けたポリエチレンテレフタレート
フィルム上に、下記組成の下引層塗工液。
電荷発生層塗工液および電荷輸送層塗工液を順次、塗布
、乾燥して、各々24の下引層、0.3μ−の電荷発生
層および18.の電荷輸送層を形成し、本発明の電子写
真感光体1作成した。
、乾燥して、各々24の下引層、0.3μ−の電荷発生
層および18.の電荷輸送層を形成し、本発明の電子写
真感光体1作成した。
二酸化チタン 10部シクロ
ヘキサノン 2−ブタノン 〔電荷輸送層塗工液〕 下記構造式の電荷輸送物質 50部 30部 9部 トルイレン−2,4−ジイソシアネート 0.2部
2−ブタノン ioo部4
−メチル−2−ペンタノン 70部〔
電荷発生層塗工液〕 下記構造式の電荷発生物質 3部下記構造
式の一般式(III)の化合物0.15部 塗布乾燥して各々0.2.の電荷発生層および17#の
電荷輸送層を形成し、本発明の電子写真感光体を作成し
た。
ヘキサノン 2−ブタノン 〔電荷輸送層塗工液〕 下記構造式の電荷輸送物質 50部 30部 9部 トルイレン−2,4−ジイソシアネート 0.2部
2−ブタノン ioo部4
−メチル−2−ペンタノン 70部〔
電荷発生層塗工液〕 下記構造式の電荷発生物質 3部下記構造
式の一般式(III)の化合物0.15部 塗布乾燥して各々0.2.の電荷発生層および17#の
電荷輸送層を形成し、本発明の電子写真感光体を作成し
た。
下記構造式の電荷発生物Ix 1部シクロ
ヘキサノン テトラヒドロフラン (電荷輸送層塗工液〕 下記構造式の電荷輸送物質 120部 60部 7部 下記構造式の一般式(1u)の化合物 0.2部 テトラヒドロフラン 80部実施例
20 厚さ0.2−のアルミニウム板上に、下記組成の電荷発
生層塗工液および電荷輸送層塗工液を順次、テトラヒド
ロフラン 〔電荷輸送層塗工液〕 下記構造式の電荷輸送物質 60部 10部 塩化メチレン 90部実施例
21 厚さ0.11の電鋳ニッケル板上に、下記組成の下引層
塗工液、電荷発生層塗工液、電荷輸送層塗工液および保
護層塗工液を順次、塗布、乾燥して各々0.3.の下引
層、0.2/sの電荷発生層および18−の電荷輸送層
および3部mの保護層を形成し、本発明の電子写真感光
体を作成した。
ヘキサノン テトラヒドロフラン (電荷輸送層塗工液〕 下記構造式の電荷輸送物質 120部 60部 7部 下記構造式の一般式(1u)の化合物 0.2部 テトラヒドロフラン 80部実施例
20 厚さ0.2−のアルミニウム板上に、下記組成の電荷発
生層塗工液および電荷輸送層塗工液を順次、テトラヒド
ロフラン 〔電荷輸送層塗工液〕 下記構造式の電荷輸送物質 60部 10部 塩化メチレン 90部実施例
21 厚さ0.11の電鋳ニッケル板上に、下記組成の下引層
塗工液、電荷発生層塗工液、電荷輸送層塗工液および保
護層塗工液を順次、塗布、乾燥して各々0.3.の下引
層、0.2/sの電荷発生層および18−の電荷輸送層
および3部mの保護層を形成し、本発明の電子写真感光
体を作成した。
下記構造式の一般式(II)の化合物
2部
+1
ポリサルホン(8産化学@@ P−1700)シクロヘ
キサノン テトラヒドロフラン 〔電荷輸送層塗工液〕 下記構造式の電荷輸送物質 1部 120部 30部 9部 水
100部メタノール 10
0部〔電荷発生層塗工液〕 下記構造式の電荷発生物質 3部塩化メチ
レン 〔保護層塗工液〕 80部 酸化錫 トルエン 80部 170部 2−ブタノン 100部実
施例22 実施例20と同じ支持体上に、下記組成の下引層塗工液
、電荷発生層塗工液および電荷輸送層塗工液を順次、塗
布、乾燥して各々2−の下引層、0.4−の電荷発生層
および22IJsの電荷輸送層を形成し。
キサノン テトラヒドロフラン 〔電荷輸送層塗工液〕 下記構造式の電荷輸送物質 1部 120部 30部 9部 水
100部メタノール 10
0部〔電荷発生層塗工液〕 下記構造式の電荷発生物質 3部塩化メチ
レン 〔保護層塗工液〕 80部 酸化錫 トルエン 80部 170部 2−ブタノン 100部実
施例22 実施例20と同じ支持体上に、下記組成の下引層塗工液
、電荷発生層塗工液および電荷輸送層塗工液を順次、塗
布、乾燥して各々2−の下引層、0.4−の電荷発生層
および22IJsの電荷輸送層を形成し。
本発明の電子写真感光体を作成した。
二酸化チタン 8部2−ブ
タノン 60部酢酸エチ
ル 40部〔電荷発生層塗
工液〕 下記構造式の電荷発生物質 2部下記構造
式の一般式(m)の化合物 0.5部(4Hs トルイレン−2,4−ジイソシアネートテトラヒドロフ
ラン 4−メチル−2−ペンタノン 〔電荷輸送層塗工液〕 下記構造式の電荷輸送物質 0.1部 100部 一30部 10部 C4H。
タノン 60部酢酸エチ
ル 40部〔電荷発生層塗
工液〕 下記構造式の電荷発生物質 2部下記構造
式の一般式(m)の化合物 0.5部(4Hs トルイレン−2,4−ジイソシアネートテトラヒドロフ
ラン 4−メチル−2−ペンタノン 〔電荷輸送層塗工液〕 下記構造式の電荷輸送物質 0.1部 100部 一30部 10部 C4H。
塩化メチレン 50部1.2
−ジクロロエタン 25部実施例2
3 φ60■のAQ円筒状支持体上に、下記組成の電荷発生
層塗工液、電荷輸送層塗工液、および保護層塗工液を順
次、塗布、乾燥して、各々0.2IIaの電荷発生層、
19IJsの電荷輸送層、および5−の保護層を形成し
、本発明の電子写真感光体を作成した。
−ジクロロエタン 25部実施例2
3 φ60■のAQ円筒状支持体上に、下記組成の電荷発生
層塗工液、電荷輸送層塗工液、および保護層塗工液を順
次、塗布、乾燥して、各々0.2IIaの電荷発生層、
19IJsの電荷輸送層、および5−の保護層を形成し
、本発明の電子写真感光体を作成した。
下記構造式の電荷発生物質 3部下記構造
式の一般式(III)の化合物1.5部 シクロヘキサノン 4−メチル−2−ペンタノン 〔電荷輸送層塗工液〕 下記構造式の電荷輸送物質 90部 80部 9部 塩化メチレン 〔保護層塗工液〕 70部 導電性酸化チタン 90部トルエ
ン 220部n−ブタノ
ール 60部実施例24 φ80閣のAf1円筒状支持体上に、下記組成の電荷発
生層塗工液、電荷輸送層塗工液、および保護層塗工液を
順次、塗布、乾燥して、各々0.2μmの電荷発生層及
び19.の電荷輸送層を形成し、本発明の電子写真感光
体を作成した。
式の一般式(III)の化合物1.5部 シクロヘキサノン 4−メチル−2−ペンタノン 〔電荷輸送層塗工液〕 下記構造式の電荷輸送物質 90部 80部 9部 塩化メチレン 〔保護層塗工液〕 70部 導電性酸化チタン 90部トルエ
ン 220部n−ブタノ
ール 60部実施例24 φ80閣のAf1円筒状支持体上に、下記組成の電荷発
生層塗工液、電荷輸送層塗工液、および保護層塗工液を
順次、塗布、乾燥して、各々0.2μmの電荷発生層及
び19.の電荷輸送層を形成し、本発明の電子写真感光
体を作成した。
下記構造式の電荷発生物質 2部下記構造
式の一般式(Ill)の化合物0.15部 トルイレン−2,4−ジイソシアネートシクロヘキサノ
ン 2−ブタノン 〔電荷輸送層塗工液〕 下記構造式の電荷輸送物質 0.1部 70部 80部 8部 テトラヒドロフラン 70部比較例
17〜24 以上の様に作成した実施例17〜24の感光体において
、各々の電荷発生層に一般式(m)の化合物を含有させ
ない他はすべて実施例17〜24と同様にして感光体を
形成し、比較例17〜24の感光体とした。
式の一般式(Ill)の化合物0.15部 トルイレン−2,4−ジイソシアネートシクロヘキサノ
ン 2−ブタノン 〔電荷輸送層塗工液〕 下記構造式の電荷輸送物質 0.1部 70部 80部 8部 テトラヒドロフラン 70部比較例
17〜24 以上の様に作成した実施例17〜24の感光体において
、各々の電荷発生層に一般式(m)の化合物を含有させ
ない他はすべて実施例17〜24と同様にして感光体を
形成し、比較例17〜24の感光体とした。
以上の各感光体の特性を、静電複写紙試験装置(用ロ電
機製作所@5P−428型)(実施例17〜22、比較
例17〜22)及び特開昭60−100167号公報に
開示された測定装置(実施例23〜24、比較例23〜
24)を用いて次のように評価した。
機製作所@5P−428型)(実施例17〜22、比較
例17〜22)及び特開昭60−100167号公報に
開示された測定装置(実施例23〜24、比較例23〜
24)を用いて次のように評価した。
まず、−5,8KVの放電々圧にて、コロナ帯電を15
秒間行ない1次いで10秒間暗減衰させ、その後、6Q
uxのタングステン光を照射した。
秒間行ない1次いで10秒間暗減衰させ、その後、6Q
uxのタングステン光を照射した。
この時の帯電開始後2秒と15秒の表面電位V2 (v
)、VL、 (V)および暗減衰lO秒後の表面電位V
2.(V)を測定し、また、V□を半分の電位に光減衰
させるのに必要な露光量El/2(Qux−sec)を
測定した。なお、暗減衰率(D、D)は、次式で定義さ
れる。
)、VL、 (V)および暗減衰lO秒後の表面電位V
2.(V)を測定し、また、V□を半分の電位に光減衰
させるのに必要な露光量El/2(Qux−sec)を
測定した。なお、暗減衰率(D、D)は、次式で定義さ
れる。
D、D=Vts/Vts
更に、上記条件の帯電と露光を同時に30分間行なって
疲労させた後、再び前記と同様の測定を行なった。評価
結果を表−3に示す。
疲労させた後、再び前記と同様の測定を行なった。評価
結果を表−3に示す。
表−3
実施例25
アルミニウムを蒸着したポリエチレンテレフタレートフ
ィルム上に、下記組成の電荷発生層塗工液、電荷輸送層
塗工液を順次、塗布、乾燥して各々0.2.厚の電荷発
生層および22声厚の電荷輸送層を形成し、本発明の電
子写真感光体を作成した。
ィルム上に、下記組成の電荷発生層塗工液、電荷輸送層
塗工液を順次、塗布、乾燥して各々0.2.厚の電荷発
生層および22声厚の電荷輸送層を形成し、本発明の電
子写真感光体を作成した。
下記構造式の電荷発生物質 2部下記構造
式の一般式(IV)の化合物 1.8部 シクロヘキサノン 2−ブタノン 〔電荷輸送層塗工液〕 下記構造式の電荷輸送物質 100部 60部 8部 水 メタノール 〔電荷発生層塗工液〕 下記構造式の電荷発生物質 150部 200部 1部 下記構造式の一般式(IV)の化合物 1.2部 テトラヒドロフラン 70部実施例
26 実施例25と同じ支持体上に、下記組成の下引層塗工液
、電荷発生層塗工液および電荷輸送層塗工液を順次、塗
布、乾燥して各々0.3.の下引層、0.2.の電荷発
生層および20.の電荷輸送層を形成し、本発明の電子
写真感光体を作成した。
式の一般式(IV)の化合物 1.8部 シクロヘキサノン 2−ブタノン 〔電荷輸送層塗工液〕 下記構造式の電荷輸送物質 100部 60部 8部 水 メタノール 〔電荷発生層塗工液〕 下記構造式の電荷発生物質 150部 200部 1部 下記構造式の一般式(IV)の化合物 1.2部 テトラヒドロフラン 70部実施例
26 実施例25と同じ支持体上に、下記組成の下引層塗工液
、電荷発生層塗工液および電荷輸送層塗工液を順次、塗
布、乾燥して各々0.3.の下引層、0.2.の電荷発
生層および20.の電荷輸送層を形成し、本発明の電子
写真感光体を作成した。
シクロヘキサノン
2−ブタノン
〔電荷輸送層塗工液〕
下記構造式の電荷輸送物質
100部
30部
9部
エスレックw−201)
(今人化成■製パンライトに−1300)10部
テトラヒドロフラン 80部実施例
27 ハステロイ導電層を設けたポリエチレンテレフタレート
フィルム上に、下記組成の下引層塗工液、電荷発生層塗
工液および電荷輸送層塗工液を順次、塗布、乾燥して、
各々2−の下引層、0.3IIsの電荷発生層および1
8/aIの電荷輸送層を形成し、本発明の電子写真感光
体を作成した。
27 ハステロイ導電層を設けたポリエチレンテレフタレート
フィルム上に、下記組成の下引層塗工液、電荷発生層塗
工液および電荷輸送層塗工液を順次、塗布、乾燥して、
各々2−の下引層、0.3IIsの電荷発生層および1
8/aIの電荷輸送層を形成し、本発明の電子写真感光
体を作成した。
二酸化チタン 10部ポリビ
ニルブチラール (UCCI XYHL) 0.7部 シクロヘキサノン テトラヒドロフラン 〔電荷輸送層塗工液〕 下記構造式の電荷輸送物質 160部 40部 7部 トルイレン−2,4−ジイソシアネート 0.2部
2−ブタノン 100部4
−メチル−2−ペンタノン 70部〔
電荷発生層塗工液〕 ボリアリレート 9部(ユニ
チカ■製u−too) テトラヒドロフラン 80部実施例
28 厚さ0.2−のアルミニウム板上に、下記組成の電荷発
生層塗工液および電荷輸送層塗工液を順次、塗布乾燥し
て各々0.2−の電荷発生層および17μ欄の電荷輸送
層を形成し1本発明の電子写真感光体を作成した。
ニルブチラール (UCCI XYHL) 0.7部 シクロヘキサノン テトラヒドロフラン 〔電荷輸送層塗工液〕 下記構造式の電荷輸送物質 160部 40部 7部 トルイレン−2,4−ジイソシアネート 0.2部
2−ブタノン 100部4
−メチル−2−ペンタノン 70部〔
電荷発生層塗工液〕 ボリアリレート 9部(ユニ
チカ■製u−too) テトラヒドロフラン 80部実施例
28 厚さ0.2−のアルミニウム板上に、下記組成の電荷発
生層塗工液および電荷輸送層塗工液を順次、塗布乾燥し
て各々0.2−の電荷発生層および17μ欄の電荷輸送
層を形成し1本発明の電子写真感光体を作成した。
下記構造式の電荷発生物質
下記構造式の一般式(IV)の化合物
1部
0.4部
実施例29
厚さ0.1園の電鋳ニッケル板上に、下記組成の下引層
塗工液、電荷発生層塗工液、電荷輸送層塗工液および保
護層塗工液を順次、塗布、乾燥して各々0.3部mの下
引層、0.274の電荷発生層および18趨の電荷輸送
層および3IJmの保護層を形成し1本発明の電子写真
感光体を作成した。
塗工液、電荷発生層塗工液、電荷輸送層塗工液および保
護層塗工液を順次、塗布、乾燥して各々0.3部mの下
引層、0.274の電荷発生層および18趨の電荷輸送
層および3IJmの保護層を形成し1本発明の電子写真
感光体を作成した。
テトラヒドロフラン
〔電荷輸送層塗工液〕
下記構造式の電荷輸送物質
70部
10部
水
100部メタノール i
oo部〔電荷発生層塗工液〕 下記構造式の電荷発生物質 3部塩化メチ
レン 90部 下記構造式の一般式(IV)の化合物 2部■ ポリサルホン(日産化学■製P−1700)シクロヘキ
サノン テトラヒドロフラン 〔電荷輸送層塗工液〕 下記構造式の電荷輸送物質 塩化メチレン 〔保護層塗工液〕 0.8部 150部 30部 実施例28と同じ支持体上に、下記組成の下引層塗工液
、電荷発生層塗工液および電荷輸送層塗工液を順次、塗
布、乾燥して各々2戸の下引層、0.4μsの電荷発生
層および22.の電荷輸送層を形成し、本発明の電子写
真感光体を作成した。
100部メタノール i
oo部〔電荷発生層塗工液〕 下記構造式の電荷発生物質 3部塩化メチ
レン 90部 下記構造式の一般式(IV)の化合物 2部■ ポリサルホン(日産化学■製P−1700)シクロヘキ
サノン テトラヒドロフラン 〔電荷輸送層塗工液〕 下記構造式の電荷輸送物質 塩化メチレン 〔保護層塗工液〕 0.8部 150部 30部 実施例28と同じ支持体上に、下記組成の下引層塗工液
、電荷発生層塗工液および電荷輸送層塗工液を順次、塗
布、乾燥して各々2戸の下引層、0.4μsの電荷発生
層および22.の電荷輸送層を形成し、本発明の電子写
真感光体を作成した。
二酸化チタン 8部9部
80部
2−ブタノン 60部酢
酸エチル 40部〔電荷発
生層塗工液〕 下記構造式の電荷発生物質 2部酸化錫 トルエン 2−ブタノン 実施例30 80部 170部 100部 下記構造式の一般式(IV)の化合物 0.7部 トルイレン−2,4−ジイソシアネートテトラヒドロフ
ラン 4−メチル−2−ペンタノン 〔電荷輸送層塗工液〕 下記構造式の電荷輸送物質 081部 100部 100部 10部 層を形成し、本発明の電子写真感光体を作成した。
酸エチル 40部〔電荷発
生層塗工液〕 下記構造式の電荷発生物質 2部酸化錫 トルエン 2−ブタノン 実施例30 80部 170部 100部 下記構造式の一般式(IV)の化合物 0.7部 トルイレン−2,4−ジイソシアネートテトラヒドロフ
ラン 4−メチル−2−ペンタノン 〔電荷輸送層塗工液〕 下記構造式の電荷輸送物質 081部 100部 100部 10部 層を形成し、本発明の電子写真感光体を作成した。
下記構造式の電荷発生物JR3部
下記構造式の一般式(IV)の化合物
1.6部
塩化メチレン 50部1.2
−ジクロロエタン 25部実施例3
1 φ60閣のi円筒状支持体上に、下記組成の電荷発生層
塗工液、電荷輸送層塗工液、および保護層塗工液を順次
、塗布、乾燥して、各々0.2部mの電荷発生層、20
趨の電荷輸送層、および511mの保護■ シクロヘキサノン 4−メチル−2−ペンタノン 〔電荷輸送層塗工液〕 下記構造式の電荷輸送物質 120部 80部 9部 ポリカーボネート (余人化成(II製パンライトC−1400)10部 塩化メチレン 70部 〔保護層塗工液〕 導電性酸化チタン 90部トルエ
ン 220部n−ブタノ
ール 60部実施例32 φ80mのA4円筒状支持体上に、下記組成の電荷発生
層塗工液、電荷輸送層塗工液、および保護層塗工液を順
次、塗布、乾燥して、各々0.2−の電荷発生層及び1
9IIsの電荷輸送層を形成し、本発明の電子写真感光
体を作成した。
−ジクロロエタン 25部実施例3
1 φ60閣のi円筒状支持体上に、下記組成の電荷発生層
塗工液、電荷輸送層塗工液、および保護層塗工液を順次
、塗布、乾燥して、各々0.2部mの電荷発生層、20
趨の電荷輸送層、および511mの保護■ シクロヘキサノン 4−メチル−2−ペンタノン 〔電荷輸送層塗工液〕 下記構造式の電荷輸送物質 120部 80部 9部 ポリカーボネート (余人化成(II製パンライトC−1400)10部 塩化メチレン 70部 〔保護層塗工液〕 導電性酸化チタン 90部トルエ
ン 220部n−ブタノ
ール 60部実施例32 φ80mのA4円筒状支持体上に、下記組成の電荷発生
層塗工液、電荷輸送層塗工液、および保護層塗工液を順
次、塗布、乾燥して、各々0.2−の電荷発生層及び1
9IIsの電荷輸送層を形成し、本発明の電子写真感光
体を作成した。
下記構造式の電荷発生物質 2部下記構造
式の一般式(rV)の化合物 0.2部 トルイレン−2,4−ジイソシアネートシクロヘキサノ
ン 2−ブタノン 〔電荷輸送層塗工液〕 下記構造式の電荷輸送物質 0.05部 90部 110部 8部 テトラヒドロフラン 70部比較例
25〜32 以上の様に作成した実施例25〜32の感光体において
、各々の電荷発生層に一般式(IV)の化合物を含有さ
せない他はすべて実施例25〜32と同様にして感光体
を形成し、比較例25〜32の感光体とした。
式の一般式(rV)の化合物 0.2部 トルイレン−2,4−ジイソシアネートシクロヘキサノ
ン 2−ブタノン 〔電荷輸送層塗工液〕 下記構造式の電荷輸送物質 0.05部 90部 110部 8部 テトラヒドロフラン 70部比較例
25〜32 以上の様に作成した実施例25〜32の感光体において
、各々の電荷発生層に一般式(IV)の化合物を含有さ
せない他はすべて実施例25〜32と同様にして感光体
を形成し、比較例25〜32の感光体とした。
以上の各感光体の特性を、静電複写紙試験装置(川口電
機製作新製5P−428型)(実施例25〜30.比較
例25〜30)及び特開昭60−100167号公報に
開示された測定装置(実施例31−32、比較例31〜
32)を用いて次のように評価した。
機製作新製5P−428型)(実施例25〜30.比較
例25〜30)及び特開昭60−100167号公報に
開示された測定装置(実施例31−32、比較例31〜
32)を用いて次のように評価した。
まず、−5,7KVの放電々圧にて、コロナ帯電を20
秒間行ない、次いで10秒間暗減衰させ、その後。
秒間行ない、次いで10秒間暗減衰させ、その後。
6Quxのタングステン光を照射した。
この時の帯電開始後2秒と20秒の表面電位V2 (v
)、v2゜(V)および暗減衰10秒後の表面電位V、
。(V)を測定し、また、vよ。を半分の電位に光減衰
させるのに必要な露光量El/2(Ωux−sec)を
測定した。なお。
)、v2゜(V)および暗減衰10秒後の表面電位V、
。(V)を測定し、また、vよ。を半分の電位に光減衰
させるのに必要な露光量El/2(Ωux−sec)を
測定した。なお。
暗減衰率(D、D)は1次式で定義される。
D、D=V、、/V、。
更に、上記条件の帯電と露光を同時に30分間行なって
疲労させた後、再び前記と同様の測定を行なった。評価
結果を表−4に示す。
疲労させた後、再び前記と同様の測定を行なった。評価
結果を表−4に示す。
表−4
実施例33
アルミニウムを蒸着したポリエチレンテレフタレートフ
ィルム上に、下記組成の電荷発生層塗工液、電荷輸送M
tll工液を順次、塗布、乾燥して各々0.2【厚の電
荷発生層および22部厚の電荷輸送層を形成し1本発明
の電子写真感光体を作成した。
ィルム上に、下記組成の電荷発生層塗工液、電荷輸送M
tll工液を順次、塗布、乾燥して各々0.2【厚の電
荷発生層および22部厚の電荷輸送層を形成し1本発明
の電子写真感光体を作成した。
下記構造式の電荷発生物質 2部シクロヘ
キサノン 2−ブタノン 〔電荷輸送層塗工液〕 下記構造式の電荷輸送物質 60部 140部 8部 下記構造式の一般式(V)の化合物 3.3部 テトラヒドロフラン 70部実施例
34 実施例33と同じ支持体上に、下記組成の下引層塗工液
、電荷発生WJ塗工液および電荷輸送層塗工液を順次、
塗布、乾燥して各々0.34の下引層、0.2−の電荷
発生層および20−の電荷輸送層を形成し1本発明の電
子写真感光体を作成した。
キサノン 2−ブタノン 〔電荷輸送層塗工液〕 下記構造式の電荷輸送物質 60部 140部 8部 下記構造式の一般式(V)の化合物 3.3部 テトラヒドロフラン 70部実施例
34 実施例33と同じ支持体上に、下記組成の下引層塗工液
、電荷発生WJ塗工液および電荷輸送層塗工液を順次、
塗布、乾燥して各々0.34の下引層、0.2−の電荷
発生層および20−の電荷輸送層を形成し1本発明の電
子写真感光体を作成した。
水
メタノール
〔電荷発生層塗工液〕
下記構造式の電荷発生物質
下記構造式の一般式(V)の化合物
シクロヘキサノン
2−ブタノン
〔電荷輸送層塗工液3
下、記構造式の電荷輸送物質
150部
200部
1部
1.5部
テトラヒドロフラン 80部実施例
35 ハステロイ導電層を設けたポリエチレンテレフタレート
フィルム上に、下記組成の下引層塗工液。
35 ハステロイ導電層を設けたポリエチレンテレフタレート
フィルム上に、下記組成の下引層塗工液。
電荷発生層塗工液および電荷輸送層塗工液を順次。
塗布、乾燥して、各々27aの下引層、0.3.の電荷
発生層および18 ptaの電荷輸送層を形成し、本発
明の電子写真感光体を作成した。
発生層および18 ptaの電荷輸送層を形成し、本発
明の電子写真感光体を作成した。
二酸化チタン 10部40部
60部
9部
トルイレン−2,4−ジイソシアネート 0.2部
2−ブタノン 100部4
−メチル−2−ペンタノン 〔電荷発生層塗工液〕 下記構造式の電荷発生物質 下記構造式の一般式(■)、の化合物 70部 3部 0.2部 テトラヒドロフラン 80部実施例
36 厚さ0.2mのアルミニウム板上に、下記組成の電荷発
生層塗工液および電荷輸送層塗工液を順次、塗布乾燥し
て多々0.2趨の電荷発生層および17部mの電荷輸送
層を形成し1本発明の電子写真感光体を作成した。
2−ブタノン 100部4
−メチル−2−ペンタノン 〔電荷発生層塗工液〕 下記構造式の電荷発生物質 下記構造式の一般式(■)、の化合物 70部 3部 0.2部 テトラヒドロフラン 80部実施例
36 厚さ0.2mのアルミニウム板上に、下記組成の電荷発
生層塗工液および電荷輸送層塗工液を順次、塗布乾燥し
て多々0.2趨の電荷発生層および17部mの電荷輸送
層を形成し1本発明の電子写真感光体を作成した。
下記構造式の電荷発生物質 部シクロヘ
キサノン テトラヒドロフラン 〔電荷輸送層塗工液〕 下記構造式の電荷輸送物質 250部 50部 下記構造式の一般式(V)の化合物 0.3部 7部 テトラヒドロフラン 【電荷輸送層塗工液〕 下記構造式の電荷輸送物質 80部 10部 水 メタノール 〔電荷発生層塗工液〕 下記構造式の電荷発生物質 100部 100部 下記構造式の一般式(V)の化合物 4部 塩化メチレン 90部実施例
37 厚さO0l■の電鋳ニッケル板上に、下記組成の下引層
塗工液、電荷発生層塗工液、電荷輸送層塗工液および保
護層塗工液を順次、塗布、乾燥して各々0.3−の下引
層、0.24の電荷発生層および18−の電荷輸送層お
よび3IIImの保護層を形成し、本発明の電子写真感
光体を作成した。
キサノン テトラヒドロフラン 〔電荷輸送層塗工液〕 下記構造式の電荷輸送物質 250部 50部 下記構造式の一般式(V)の化合物 0.3部 7部 テトラヒドロフラン 【電荷輸送層塗工液〕 下記構造式の電荷輸送物質 80部 10部 水 メタノール 〔電荷発生層塗工液〕 下記構造式の電荷発生物質 100部 100部 下記構造式の一般式(V)の化合物 4部 塩化メチレン 90部実施例
37 厚さO0l■の電鋳ニッケル板上に、下記組成の下引層
塗工液、電荷発生層塗工液、電荷輸送層塗工液および保
護層塗工液を順次、塗布、乾燥して各々0.3−の下引
層、0.24の電荷発生層および18−の電荷輸送層お
よび3IIImの保護層を形成し、本発明の電子写真感
光体を作成した。
ポリビニルアルコール 2部(電気
化学工業■製デンカポバールH−20)ポリサルホン(
日産化学■製 シクロヘキサノン テトラヒドロフラン 〔電荷輸送層塗工液〕 下記構造式の電荷輸送物質 P−1700) 0.7部 400部 150部 塩化メチレン 〔保護層塗工液〕 80部 〔電荷発生層塗工液〕 下記構造式の電荷発生物質 酸化錫 80部トルエ
ン 170部2−ブタノ
ン 100部実施例°38 実施例36と同じ支持体上に、下記組成の下引層塗工液
、電荷発生層塗工液および電荷輸送層塗工液を順次、塗
布、乾燥して各々2【の下引層、0.4−の電荷発生層
および22Mの電荷輸送層を形成し。
化学工業■製デンカポバールH−20)ポリサルホン(
日産化学■製 シクロヘキサノン テトラヒドロフラン 〔電荷輸送層塗工液〕 下記構造式の電荷輸送物質 P−1700) 0.7部 400部 150部 塩化メチレン 〔保護層塗工液〕 80部 〔電荷発生層塗工液〕 下記構造式の電荷発生物質 酸化錫 80部トルエ
ン 170部2−ブタノ
ン 100部実施例°38 実施例36と同じ支持体上に、下記組成の下引層塗工液
、電荷発生層塗工液および電荷輸送層塗工液を順次、塗
布、乾燥して各々2【の下引層、0.4−の電荷発生層
および22Mの電荷輸送層を形成し。
本発明の電子写真感光体を作成した。
二酸化チタン 8部2−ブ
タノン 酢酸エチル 60部 40部 下記構造式の一般式(V)の化合物 トルイレン−2,4−ジイソシアネートテトラヒドロフ
ラン 4−メチル−2−ペンタノン 〔電荷輸送層塗工液〕 下記構造式の電荷輸送物質 0.5部 0.1部 100部 100部 10部 下記構造式の一般式(V)の化合物 3部 ポリカーボネート 10部(三
菱瓦斯化学■製ポリカーボネート2)塩化メチレン
50部1.2−ジクロロエタン
25部実施例39 φ60園のA1円筒状支持体上に、下記組成の電荷発生
層塗工液、電荷輸送層塗工液、および保護層塗工液を順
次、塗布、乾燥して、各々0.24の電荷発生層、 2
0.の電荷輸送層、および54の保護層を形成し、本発
明の電子写真感光体を作成した。
タノン 酢酸エチル 60部 40部 下記構造式の一般式(V)の化合物 トルイレン−2,4−ジイソシアネートテトラヒドロフ
ラン 4−メチル−2−ペンタノン 〔電荷輸送層塗工液〕 下記構造式の電荷輸送物質 0.5部 0.1部 100部 100部 10部 下記構造式の一般式(V)の化合物 3部 ポリカーボネート 10部(三
菱瓦斯化学■製ポリカーボネート2)塩化メチレン
50部1.2−ジクロロエタン
25部実施例39 φ60園のA1円筒状支持体上に、下記組成の電荷発生
層塗工液、電荷輸送層塗工液、および保護層塗工液を順
次、塗布、乾燥して、各々0.24の電荷発生層、 2
0.の電荷輸送層、および54の保護層を形成し、本発
明の電子写真感光体を作成した。
下記構造式の電荷発生物質 3部シクロヘ
キサノン 4−メチル−2−ペンタノン 〔電荷輸送層塗工液〕 下記構造式の電荷輸送物質 塩化メチレン 〔保護層塗工液〕 400部 100部 9部 70部 導電性酸化チタン 90部 トルエン 220部n−
ブタノール 60部実施例
40 φ80■の10円筒状支持体上に、下記組成の電荷発生
層塗工液、電荷輸送層塗工液、および保護層塗工液を順
次、塗布、乾燥して、各々0.2部mの電荷発生層及び
19.の電荷輸送層を形成し、本発明の電子写真感光体
を作成した。
キサノン 4−メチル−2−ペンタノン 〔電荷輸送層塗工液〕 下記構造式の電荷輸送物質 塩化メチレン 〔保護層塗工液〕 400部 100部 9部 70部 導電性酸化チタン 90部 トルエン 220部n−
ブタノール 60部実施例
40 φ80■の10円筒状支持体上に、下記組成の電荷発生
層塗工液、電荷輸送層塗工液、および保護層塗工液を順
次、塗布、乾燥して、各々0.2部mの電荷発生層及び
19.の電荷輸送層を形成し、本発明の電子写真感光体
を作成した。
下記構造式の電荷発生物質 2部下記構造
式の一般式(V)の化合物 0.2部 ポリビニルブチラール (種水化学工業■製エスレックBM−5)1部 トルイレン−2,4−ジイソシアネートシクロヘキサノ
ン 2−ブタノン 〔電荷輸送層塗工液〕 下記構造式の電荷輸送物質 0.05部 100部 100部 8部 テトラヒドロフラン 70部比較例
33〜40 以上の様に作成した実施例33−40の感光体において
、各々の電荷発生層に一般式(V)の化合物を含有させ
ない他はすべて実施例33〜40と同様にして感光体を
形成し、比較例33〜40の感光体とした。
式の一般式(V)の化合物 0.2部 ポリビニルブチラール (種水化学工業■製エスレックBM−5)1部 トルイレン−2,4−ジイソシアネートシクロヘキサノ
ン 2−ブタノン 〔電荷輸送層塗工液〕 下記構造式の電荷輸送物質 0.05部 100部 100部 8部 テトラヒドロフラン 70部比較例
33〜40 以上の様に作成した実施例33−40の感光体において
、各々の電荷発生層に一般式(V)の化合物を含有させ
ない他はすべて実施例33〜40と同様にして感光体を
形成し、比較例33〜40の感光体とした。
以上の各感光体の特性を、静電複写紙試験装置(川口電
機製作新製5P−428型)(実施例33〜38.比較
例33〜38)及び特開昭60−100167号公報に
開示された測定装置1(実施例39〜40、比較例39
〜40)を用いて次のように評価した。
機製作新製5P−428型)(実施例33〜38.比較
例33〜38)及び特開昭60−100167号公報に
開示された測定装置1(実施例39〜40、比較例39
〜40)を用いて次のように評価した。
まず、−6,0にVの放電々圧にて、コロナ帯電を20
秒間行ない1次いで10秒間暗減衰させ、その後、4、
!Juxのタングステン光を照射した。
秒間行ない1次いで10秒間暗減衰させ、その後、4、
!Juxのタングステン光を照射した。
この時の帯電開始後1秒と20秒の表面電位V□(V)
、v2゜(V)および暗減衰10秒後の表面電位V、。
、v2゜(V)および暗減衰10秒後の表面電位V、。
(V)を測定し、また、■、。を半分の電位に光減衰さ
せるのに必要な露光量El/2(Rux−sec)を測
定した。なお。
せるのに必要な露光量El/2(Rux−sec)を測
定した。なお。
暗減衰率(D、D)は1次式で定義される。
D、D=V3a/Vza
更に、上記条件の帯電と露光を同時に30分間行なって
疲労させた後、再び前記と同様の測定を行なった。評価
結果を表−5に示す。
疲労させた後、再び前記と同様の測定を行なった。評価
結果を表−5に示す。
表−5
〔発明の効果〕
本発明の高感度を有する積層型有機電子写真感光体は、
くり返し使用後の帯電電位の立上りの遅れを防止するこ
とが可能となる。
くり返し使用後の帯電電位の立上りの遅れを防止するこ
とが可能となる。
したがって1本発明によれば、複写機、プリンター等の
画像濃度低下1画像濃度ムラ、カブリあるいは反転画像
時においては、地肌汚れのない良好な画像を得ることが
できる。
画像濃度低下1画像濃度ムラ、カブリあるいは反転画像
時においては、地肌汚れのない良好な画像を得ることが
できる。
第1図〜第4図は各々本発明に係る電子写真感光体の模
式断面図である。 第2図 第4図 特許出願人 株式会社 リ コ
式断面図である。 第2図 第4図 特許出願人 株式会社 リ コ
Claims (1)
- (1)導電性支持体上に少なくとも電荷発生層と電荷輸
送層を順次積層してなる電子写真感光体において、該電
荷発生層中に下記一般式( I )〜一般式(V)で示さ
れる化合物の少なくとも1種を含有してなることを特徴
とする電子写真感光体。 ▲数式、化学式、表等があります▼・・・・・( I ) (式中、R_1、R_2、R_3、R_4、R_6は水
素原子、ハロゲン原子、低級アルキル基、低級アルコキ
シ基、置換又は無置換のジ低級アルキルアミノ基又はジ
ベンジルアミノ基を表わし、R_5は低級アルキル基は
ベンジル基を表わす。) ▲数式、化学式、表等があります▼・・・・・・(II) (式中、R_1は炭素数1〜11のアルキル基、置換又
は非置換のフェニル基あるいは複素環残基を表わし、R
_2、R_3はそれぞれ同一でも異なっていてもよく、
水素原子、低級アルキル基、C_1〜C_4のヒドロキ
シアルキル基、C_1〜C_4のクロルアルキル基、あ
るいは置換又は非置換のアラルキル基を表わし、またR
_2とR_3は共同で窒素を含む複素環を形成してもよ
く、R_4、R_6はそれぞれ同一でも異なっていても
よく、水素原子、低級アルキル基、低級アルコキシ基又
はハロゲン原子を表わす。) ▲数式、化学式、表等があります▼・・・・・・(III
) (式中、R_1は水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、
低級アルキル基を表わし、Arは▲数式、化学式、表等
があります▼又は▲数式、化学式、表等があります▼ (ただし、R_2、R_3、R_6は水素原子、置換又
は無置換の低級アルキル基あるいは置換又は無置換のベ
ンジル基を表わし、R_4、R_5は水素原子、ハロゲ
ン原子、低級アルキル基あるいは低級アルコキシ基又は
ジ低級アルキルアミノ基を表わす。)を表わす。〕 ▲数式、化学式、表等があります▼・・・・・・(IV) 〔式中、R_1は水素原子、低級アルキル基、クロルエ
チル基又はヒドロキシエチル基を表わし、R_2は水素
原子又はハロゲン原子を表わし、R_3は低級アルキル
基、ジ低級アルキルアミノ基、ジアリールアミノ基、置
換又は無置換のスチリル基、置換又は無置換の芳香環残
基(芳香環又はベンゼン環、ナフタレン環、アントラセ
ン環等)置換又は無置換の複素環残基(複素環ピリジン
基、キノキサリン環、カルバゾール環等)を表わす。〕
▲数式、化学式、表等があります▼・・・・・・(V) 〔式中、R_1、R_3は水素原子、低級アルキル基、
低級アルコキシ基、あるいはジ低級アルキルアミノ基を
表わし、R_2は水素原子、低級アルキル基、低級アル
コキシ基、ハロゲン原子あるいはニトロ基を表わし、n
は0又は1を表わす。)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1094769A JP2887289B2 (ja) | 1989-04-14 | 1989-04-14 | 電子写真感光体 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1094769A JP2887289B2 (ja) | 1989-04-14 | 1989-04-14 | 電子写真感光体 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02272570A true JPH02272570A (ja) | 1990-11-07 |
JP2887289B2 JP2887289B2 (ja) | 1999-04-26 |
Family
ID=14119306
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1094769A Expired - Fee Related JP2887289B2 (ja) | 1989-04-14 | 1989-04-14 | 電子写真感光体 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2887289B2 (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH09319101A (ja) * | 1996-05-24 | 1997-12-12 | Ricoh Co Ltd | 電子写真感光体 |
JP2007197429A (ja) * | 2005-12-28 | 2007-08-09 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | オキサジアゾール誘導体、およびオキサジアゾール誘導体を用いた発光素子、発光装置、並びに電子機器 |
US8389735B2 (en) | 2005-12-28 | 2013-03-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Oxadiazole derivative, and light emitting element, light emitting device, and electronic device using the oxadiazole derivative |
US9112170B2 (en) | 2006-03-21 | 2015-08-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element, light-emitting device, and electronic device |
-
1989
- 1989-04-14 JP JP1094769A patent/JP2887289B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH09319101A (ja) * | 1996-05-24 | 1997-12-12 | Ricoh Co Ltd | 電子写真感光体 |
JP2007197429A (ja) * | 2005-12-28 | 2007-08-09 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | オキサジアゾール誘導体、およびオキサジアゾール誘導体を用いた発光素子、発光装置、並びに電子機器 |
US8389735B2 (en) | 2005-12-28 | 2013-03-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Oxadiazole derivative, and light emitting element, light emitting device, and electronic device using the oxadiazole derivative |
US8686159B2 (en) | 2005-12-28 | 2014-04-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Oxadiazole derivative, and light emitting element, light emitting device, and electronic device using the oxadiazole derivative |
US9048436B2 (en) | 2005-12-28 | 2015-06-02 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Oxadiazole derivative, and light emitting element, light emitting device, and electronic device using the oxadiazole derivative |
US9112170B2 (en) | 2006-03-21 | 2015-08-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element, light-emitting device, and electronic device |
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Publication number | Publication date |
---|---|
JP2887289B2 (ja) | 1999-04-26 |
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---|---|---|---|
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