JPH02270115A - バインダーおよび磁気記録材料 - Google Patents
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- Magnetic Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野コ
本発明は、バインダーおよび磁気記録材料に関するもの
である。
である。
[従来の技術]
従来、磁気記録材料のバインダーとしては、高分子ポリ
オール、低分子ポリオールおよびジメチロールプロピオ
ン酸からなるポリオール成分とを機ポリイソシアネート
とを反応させて得られるポリウレタン樹脂が知られてい
る(特開昭59−148127号公報)。
オール、低分子ポリオールおよびジメチロールプロピオ
ン酸からなるポリオール成分とを機ポリイソシアネート
とを反応させて得られるポリウレタン樹脂が知られてい
る(特開昭59−148127号公報)。
[発明が解決しようとする課題]
しかしながら、従来のバインダーは、磁性材料の分散機
能がほとんどなく、その分散機能を分散剤に委ねていた
が、バインダーに分散剤を配合した系では、分散剤が磁
性材料の耐久性に悪影響を与え、磁性塗膜物性を劣化さ
せる等の問題点かある。
能がほとんどなく、その分散機能を分散剤に委ねていた
が、バインダーに分散剤を配合した系では、分散剤が磁
性材料の耐久性に悪影響を与え、磁性塗膜物性を劣化さ
せる等の問題点かある。
[課題を解決するための手段]
本発明者らは、分散性の優れた磁気記録材料用バインダ
ーおよび磁気記録材料について鋭意検討した結果、本発
明に到達した。
ーおよび磁気記録材料について鋭意検討した結果、本発
明に到達した。
すなわち、本発明は、当量200〜2000の高分子ポ
リオール(A1)、低分子ポリオール(A2)およびお
よびスルホン酸アンモニウム塩基またはアミン塩基含有
芳香族二塩基酸誘導体とジオールとのポリエステルを開
始剤とするカプロラクトンポリオール(A3)からなる
活性水素化合物(A)とを機ポリイソシアネート(B)
とからのポリウレタン樹脂(C)からなることを特徴と
する磁気記録材料用のバインダー、および前記磁気記録
材料用のバインダーと磁性体を含有させてなることを特
徴とする磁気記録材料である。
リオール(A1)、低分子ポリオール(A2)およびお
よびスルホン酸アンモニウム塩基またはアミン塩基含有
芳香族二塩基酸誘導体とジオールとのポリエステルを開
始剤とするカプロラクトンポリオール(A3)からなる
活性水素化合物(A)とを機ポリイソシアネート(B)
とからのポリウレタン樹脂(C)からなることを特徴と
する磁気記録材料用のバインダー、および前記磁気記録
材料用のバインダーと磁性体を含有させてなることを特
徴とする磁気記録材料である。
スルホン酸アンモニウム塩基またはアミン塩基含有芳香
族二塩基酸誘導体とジオールとのポリエステルを開始剤
とするカプロラクトンポリオール(A3)としては スルホン酸アンモニウム塩基またはアミン塩基含有芳香
族二塩基酸誘導体とジオールからエステル交換反応させ
て得られるポリオール成分を開始剤としてε−カプロラ
クトンを重合して得られるカプロラクトンポリオールが
挙げられる。開始剤であるポリオール成分としては、一
般式 %式%(1) (式中、Rはアルキル基またはアリール基:XはNH,
またはアミンカチオン)で表わされる二塩基酸誘導体と
ジオールとのエステル交換物を挙げることができる。
族二塩基酸誘導体とジオールとのポリエステルを開始剤
とするカプロラクトンポリオール(A3)としては スルホン酸アンモニウム塩基またはアミン塩基含有芳香
族二塩基酸誘導体とジオールからエステル交換反応させ
て得られるポリオール成分を開始剤としてε−カプロラ
クトンを重合して得られるカプロラクトンポリオールが
挙げられる。開始剤であるポリオール成分としては、一
般式 %式%(1) (式中、Rはアルキル基またはアリール基:XはNH,
またはアミンカチオン)で表わされる二塩基酸誘導体と
ジオールとのエステル交換物を挙げることができる。
一般式(1)のRのアルキル基としては、炭素数1〜1
8のアルキル基(例えばメチル、エチル、プロピル、ブ
チル、ペンチル、ヘキシル、シクロヘキシル、オクチル
、2−エチルヘキシル、ノニル、デシル基等)が挙げら
れ、またはアリール基としてはフェニル基等を挙げるこ
とができる。複数個のRは同一でも異なっていてもよい
。これらのうち好ましいものは、メチル、エチルおよび
フェニル基である。
8のアルキル基(例えばメチル、エチル、プロピル、ブ
チル、ペンチル、ヘキシル、シクロヘキシル、オクチル
、2−エチルヘキシル、ノニル、デシル基等)が挙げら
れ、またはアリール基としてはフェニル基等を挙げるこ
とができる。複数個のRは同一でも異なっていてもよい
。これらのうち好ましいものは、メチル、エチルおよび
フェニル基である。
アミンカチオンを形成するアミンとしては、アルキルア
ミン(モノメチルアミン、ジメチルアミン、 トリエチ
ルアミン等)、アルカノールアミン(ジェタノールアミ
ン、 トリエタノールアミン等)、複素環式アミン(ピ
ペリジン、モルホリン、ピペラジン等)芳香族アミン(
アニリン等)等が挙げられる。これらのうち、好ましい
ものは、 トリエチルアルアミンおよびトリメチルアミ
ンである。
ミン(モノメチルアミン、ジメチルアミン、 トリエチ
ルアミン等)、アルカノールアミン(ジェタノールアミ
ン、 トリエタノールアミン等)、複素環式アミン(ピ
ペリジン、モルホリン、ピペラジン等)芳香族アミン(
アニリン等)等が挙げられる。これらのうち、好ましい
ものは、 トリエチルアルアミンおよびトリメチルアミ
ンである。
スルホン酸アンモニウム塩基またはアミン塩基の代わり
に金属塩2!(アルカリ金属塩基、アルカリ土類金属塩
基など)の場合は磁気記録材料として使用されるポリ塩
化ビニル系材料[塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体、塩
化ビニル−酢酸ビニル−ビニルアルコール共重合体など
コに適用すると脱塩素を促進し劣化あるいは腐食をおこ
す。
に金属塩2!(アルカリ金属塩基、アルカリ土類金属塩
基など)の場合は磁気記録材料として使用されるポリ塩
化ビニル系材料[塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体、塩
化ビニル−酢酸ビニル−ビニルアルコール共重合体など
コに適用すると脱塩素を促進し劣化あるいは腐食をおこ
す。
スルホン酸アンモニウム塩基またはアミン塩基含有芳香
族二塩基酸誘導体とエステル交換反応を行なうジオール
としては、低分子ジオール、ポリエーテルジオール、ポ
リエステルジオールおよびポリカーボネートジオールを
挙げることができる。
族二塩基酸誘導体とエステル交換反応を行なうジオール
としては、低分子ジオール、ポリエーテルジオール、ポ
リエステルジオールおよびポリカーボネートジオールを
挙げることができる。
低分子ジオールとしては、鎖式低分子ジオール[エチレ
ングリコール、ジエチレングリコール、プロピレングリ
コール、ジプロピレングリコール、1.4−、 また
は1.3−ブタンジオール、ネオペンチルグリコール メチレンジオール、 1.10−デカンジオール、ア
ルキルジアルカノールアミン等コおよび環状低分子ジオ
ール〔シクロヘキサンジオール、シクロヘキサンジメタ
ツール等のジオール類および特公昭45−1474号公
報記載のもの: ビス(ヒドロキンメチル)シクロヘキ
サン、m−およびp−キノリレングリコール、ビス(ヒ
ドロキシエチル)ベンゼン、I,4−ビス(2−ヒドロ
キシエトキシ)ベンゼン、4.4’−ビス(2−ヒドロ
キシエトキシ)−ジフェニルプロパン(ビスフェノール
Aのエチレンオキシド付加物)等〕、およびこれらの2
種以上の混合物を挙げることができる。これらのうち好
ましいものは、エチレングリコール、ジエチレングリコ
ール、プロピレングリコール、ジプロピレングリコール
、1.4−、 または1.3−ブタンジオール、ネオ
ペンチルグリコール、1.8−ヘキサンジオール、l,
8−オクタメチレンジオール、1.10−デカンジオー
ル、シクロヘキサンジオールおよびシクロヘキサンジメ
タツールである。
ングリコール、ジエチレングリコール、プロピレングリ
コール、ジプロピレングリコール、1.4−、 また
は1.3−ブタンジオール、ネオペンチルグリコール メチレンジオール、 1.10−デカンジオール、ア
ルキルジアルカノールアミン等コおよび環状低分子ジオ
ール〔シクロヘキサンジオール、シクロヘキサンジメタ
ツール等のジオール類および特公昭45−1474号公
報記載のもの: ビス(ヒドロキンメチル)シクロヘキ
サン、m−およびp−キノリレングリコール、ビス(ヒ
ドロキシエチル)ベンゼン、I,4−ビス(2−ヒドロ
キシエトキシ)ベンゼン、4.4’−ビス(2−ヒドロ
キシエトキシ)−ジフェニルプロパン(ビスフェノール
Aのエチレンオキシド付加物)等〕、およびこれらの2
種以上の混合物を挙げることができる。これらのうち好
ましいものは、エチレングリコール、ジエチレングリコ
ール、プロピレングリコール、ジプロピレングリコール
、1.4−、 または1.3−ブタンジオール、ネオ
ペンチルグリコール、1.8−ヘキサンジオール、l,
8−オクタメチレンジオール、1.10−デカンジオー
ル、シクロヘキサンジオールおよびシクロヘキサンジメ
タツールである。
ポリエーテルジオールとしては、前記低分子ジオールの
アルキレンオキシド(炭素数2〜4のアルキレンオキシ
ド:エチレンオキシド、プロピレンオキシド、l、2−
12.3−11.3−ブチレンオキシド等)付加物、お
よびアルキレンオキシド、環状エーテル(テトラヒドロ
フラン等)の開環重合または開環共重合 (ブロックお
よび/またはランダム)物、例えばポリエチレングリコ
ール、ポリプロピレングリコール、ポリエチレン−ポリ
プロピレン(ブロックおよび/またはランダム)グリコ
ール、ポリテトラメチレンエーテルグリコール、ポリテ
トラメチレン−エチレン(ブロックおよび/またはラン
ダム)グリコール、ポリテトラメチレン−プロピレン(
ブロックおよび/またはランダム)グリコール、ポリへ
キサメチレンエーテルグリコール、ポリオクタメチレン
エーテルグリコールおよびこれらの2種以上の混合物が
挙げられる。
アルキレンオキシド(炭素数2〜4のアルキレンオキシ
ド:エチレンオキシド、プロピレンオキシド、l、2−
12.3−11.3−ブチレンオキシド等)付加物、お
よびアルキレンオキシド、環状エーテル(テトラヒドロ
フラン等)の開環重合または開環共重合 (ブロックお
よび/またはランダム)物、例えばポリエチレングリコ
ール、ポリプロピレングリコール、ポリエチレン−ポリ
プロピレン(ブロックおよび/またはランダム)グリコ
ール、ポリテトラメチレンエーテルグリコール、ポリテ
トラメチレン−エチレン(ブロックおよび/またはラン
ダム)グリコール、ポリテトラメチレン−プロピレン(
ブロックおよび/またはランダム)グリコール、ポリへ
キサメチレンエーテルグリコール、ポリオクタメチレン
エーテルグリコールおよびこれらの2種以上の混合物が
挙げられる。
これらのうち、好ましいものは、ポリエチレングリコー
ル、ポリプロピレングリコールポリエチレン−ポリプロ
ピレン(ブロックおよび/またはランダム)グリコール
、ポリテトラメチレンエーテルグリコール、ポリへキサ
メチレンエーテルグリコールおよびポリオクタメチレン
エーテルグリコールである。
ル、ポリプロピレングリコールポリエチレン−ポリプロ
ピレン(ブロックおよび/またはランダム)グリコール
、ポリテトラメチレンエーテルグリコール、ポリへキサ
メチレンエーテルグリコールおよびポリオクタメチレン
エーテルグリコールである。
ポリエステルジオールとしては、前記低分子ジオールお
よび/または分子皿通常1000以下のポリエーテルジ
オールとジカルボン酸とを反応させて得られる縮合ポリ
エステルジオールや、ラクトンの開環重合により得られ
るポリラクトンジオールおよびこれらの2皿以上の混合
物が挙げられる。
よび/または分子皿通常1000以下のポリエーテルジ
オールとジカルボン酸とを反応させて得られる縮合ポリ
エステルジオールや、ラクトンの開環重合により得られ
るポリラクトンジオールおよびこれらの2皿以上の混合
物が挙げられる。
分子i 1000以下のポリエーテルジオールとしては
、前記ポリエーテルジオール記載のもので分子ff11
000以下のもの例えばポリエチレングリコール、ポリ
テトラメチレンエーテルグリコール、ポリプロピレング
リコール、 トリエチレングリコールおよびこれらの2
種以上の混合物が挙げられる。ラクトンジオールとして
はε−カプロラクトンジオールが挙げられる。
、前記ポリエーテルジオール記載のもので分子ff11
000以下のもの例えばポリエチレングリコール、ポリ
テトラメチレンエーテルグリコール、ポリプロピレング
リコール、 トリエチレングリコールおよびこれらの2
種以上の混合物が挙げられる。ラクトンジオールとして
はε−カプロラクトンジオールが挙げられる。
ジカルボン酸としては脂肪族ジカルボン酸(コハク酸、
アジピン酸、セバシン酸、グルタル酸、アゼライン酸、
マレイン酸、フマル酸等)、芳香族ジカルボン酸(テレ
フタル酸、イソフタル酸等)およびこれらの2種以上の
混合物が挙げられる。
アジピン酸、セバシン酸、グルタル酸、アゼライン酸、
マレイン酸、フマル酸等)、芳香族ジカルボン酸(テレ
フタル酸、イソフタル酸等)およびこれらの2種以上の
混合物が挙げられる。
これらのポリエステルジオールの具体例としては、ポリ
エチレンテレフタレート、ポリブチレンフタレート、ポ
リへキサメチレンフタレート、ポリネオペンチルフタレ
ート等の芳香族系ポリエステルポリオール、ポリエチレ
ンアジペート、ポリブチレンアジペート、ポリへキサメ
チレンアジペート、ポリネオペンチルアジペート、ポリ
エチレンプロピレンアジペート、ポリエチレンブチレン
アジペート、ポリブチレンヘキサメチレンアジペート、
ポリジエチレンアジペート、ポリ(ポリテトラメチレン
エーテル)アジペート、ポリエチレンアゼレート、ポリ
エチレンセバケート、ポリブチレンアゼレート、ポリブ
チレンセパケート、ポリカプロラクトンジオール等の脂
肪族ポリエステルポリオールおよびこれらの2種以上の
混合物が挙げられる。
エチレンテレフタレート、ポリブチレンフタレート、ポ
リへキサメチレンフタレート、ポリネオペンチルフタレ
ート等の芳香族系ポリエステルポリオール、ポリエチレ
ンアジペート、ポリブチレンアジペート、ポリへキサメ
チレンアジペート、ポリネオペンチルアジペート、ポリ
エチレンプロピレンアジペート、ポリエチレンブチレン
アジペート、ポリブチレンヘキサメチレンアジペート、
ポリジエチレンアジペート、ポリ(ポリテトラメチレン
エーテル)アジペート、ポリエチレンアゼレート、ポリ
エチレンセバケート、ポリブチレンアゼレート、ポリブ
チレンセパケート、ポリカプロラクトンジオール等の脂
肪族ポリエステルポリオールおよびこれらの2種以上の
混合物が挙げられる。
ポリエステルジオールは通常の方法、例エバ低分子ジオ
ールおよび/または分子量1ooo以下のポリエーテル
ジオールを、ジカルボン酸もしくはそのエステル形成性
誘導体[例えば無水物(無水マレイン酸、無水フタル酸
等)、低級エステル(テレフタル酸ジメチル等)、ハラ
イド等コと、またはその無水物およびアルキレンオキシ
ド(例えばエチレンオキシドおよび/またはプロピレン
オキシド)とを反応(縮合)させる、あるいは開始剤(
低分子ジオールおよび/または分子ffi +ooo以
下のポリエーテルジオール、ポリエステルジオール)に
ラクトンを付加させることにより製造することができる
。
ールおよび/または分子量1ooo以下のポリエーテル
ジオールを、ジカルボン酸もしくはそのエステル形成性
誘導体[例えば無水物(無水マレイン酸、無水フタル酸
等)、低級エステル(テレフタル酸ジメチル等)、ハラ
イド等コと、またはその無水物およびアルキレンオキシ
ド(例えばエチレンオキシドおよび/またはプロピレン
オキシド)とを反応(縮合)させる、あるいは開始剤(
低分子ジオールおよび/または分子ffi +ooo以
下のポリエーテルジオール、ポリエステルジオール)に
ラクトンを付加させることにより製造することができる
。
ポリカーボネートジオールとしては、低分子ジオールと
カーボネートとを反応して得られる化合物が挙げられる
。低分子ジオールとしては、炭素数4〜17の脂肪族ジ
オール(l、4−ブタンジオール、1、5−ベンタンジ
オール、ネオペンチルグリコール、l、6−ヘキサンジ
オール、l、7−へブタンジオール、1.8−オクタン
ジオール、2−エチル−1,G−ヘキサンジオール、2
,2.4− )ジメチル−1,[iヘキサンジオール、
1.10−デカンジオール、水素化シリルイルグリコー
ル、水素化ジオレイルグリコール等)、脂環式2式% メチロールシクロヘキサン、■、4−シクロヘキサンジ
オール、1,3−ジメチロールシクロヘキサン、1゜4
−工ンドメチレン−2−ヒドロキシ−5−ヒドロキシメ
チルシクロヘキサン等)およびポリオキシアルキレング
リコール等を挙げることができる。使用するジオールは
、最終生成に所望な性質に依存して、単一のジオールで
あってもジオールの混合物であってもよい。カーボネー
トとしては、エチレンカーボネート、トリメチレンカー
ボネート、テトラメチレンカーボネー)、1.2−プロ
ピレンカーボネ−)、1.2−ブチレンカーボネート、
2,3−ブチレンカーボ*−)、l、2−エチレンカー
ボネート等が挙げられる。
カーボネートとを反応して得られる化合物が挙げられる
。低分子ジオールとしては、炭素数4〜17の脂肪族ジ
オール(l、4−ブタンジオール、1、5−ベンタンジ
オール、ネオペンチルグリコール、l、6−ヘキサンジ
オール、l、7−へブタンジオール、1.8−オクタン
ジオール、2−エチル−1,G−ヘキサンジオール、2
,2.4− )ジメチル−1,[iヘキサンジオール、
1.10−デカンジオール、水素化シリルイルグリコー
ル、水素化ジオレイルグリコール等)、脂環式2式% メチロールシクロヘキサン、■、4−シクロヘキサンジ
オール、1,3−ジメチロールシクロヘキサン、1゜4
−工ンドメチレン−2−ヒドロキシ−5−ヒドロキシメ
チルシクロヘキサン等)およびポリオキシアルキレング
リコール等を挙げることができる。使用するジオールは
、最終生成に所望な性質に依存して、単一のジオールで
あってもジオールの混合物であってもよい。カーボネー
トとしては、エチレンカーボネート、トリメチレンカー
ボネート、テトラメチレンカーボネー)、1.2−プロ
ピレンカーボネ−)、1.2−ブチレンカーボネート、
2,3−ブチレンカーボ*−)、l、2−エチレンカー
ボネート等が挙げられる。
ポリカーボネートジオールは、通常の方法、例えばジオ
ールとカーボネートとを、通常モル比lO:l−1:1
01 好ましくは3:1−1:3で、エステル交換触
媒の存在もしくは不存在において100−300℃の温
度でかつ0.11−30hdの圧力で反応させ、また、
その間に低沸点ジオールを蒸留により除去することによ
り製造することができる。
ールとカーボネートとを、通常モル比lO:l−1:1
01 好ましくは3:1−1:3で、エステル交換触
媒の存在もしくは不存在において100−300℃の温
度でかつ0.11−30hdの圧力で反応させ、また、
その間に低沸点ジオールを蒸留により除去することによ
り製造することができる。
また、ポリマーポリオールおよびポリブタジェンポリオ
ール等も使用できる。
ール等も使用できる。
これらのうち、好ましいのは、芳香族ジカルボン酸系ポ
リエステルジオール、アジピン酸系ポリエステルジオー
ル、ポリカプロラクトンジオールおよびポリカーボネー
トジオールである。
リエステルジオール、アジピン酸系ポリエステルジオー
ル、ポリカプロラクトンジオールおよびポリカーボネー
トジオールである。
本発明において、スルホン酸アンモニウム塩基またはア
ミン塩基含有芳香族二塩基酸誘導体とジオールのモル比
は、通常1/2〜l/4、好ましくは172.1〜I/
3.4である。
ミン塩基含有芳香族二塩基酸誘導体とジオールのモル比
は、通常1/2〜l/4、好ましくは172.1〜I/
3.4である。
芳香族二塩基酸誘導体とジオールからエステル交換によ
りポリオール成分を得るには公知の方法で行うことがで
きる。
りポリオール成分を得るには公知の方法で行うことがで
きる。
このポリオール成分を開始剤として使用する場合、先述
の低分子ジオールを併用することができる。ポリオール
成分等を開始剤としてε−カプロラクトンを重合して得
られるカプロラクトンポリオールは、公知の方法で製造
することができる。
の低分子ジオールを併用することができる。ポリオール
成分等を開始剤としてε−カプロラクトンを重合して得
られるカプロラクトンポリオールは、公知の方法で製造
することができる。
即ち、ポリオールの着色を防ぐため反応は窒素ガス等の
不活性ガス気流中で行ない、反応温度は、150〜20
0℃が好ましい。得られるカプロラクトンポリオールの
分子量は、開始剤のポリオール成分とε−カプロラクト
ンとのm比により自由に調整することが可能であるが、
好ましくは500〜10000、特に好ましくは、80
0〜5000の範囲である。またε−カプロラクトンの
開始剤としては、先述の低分子ジオールを併用すること
ができる6 本発明における当量200〜2000の高分子ポリオー
ル(A1)としてはポリエーテルジオール、ポリエステ
ルジオール、ポリカーボネートジオールなどが挙げられ
る。また、ポリマーポリオールおよびポリブタジェンポ
リオール等も使用できる。これらについては前記したも
のと同様のものが挙げられる。これらのうち、好ましい
のは、芳香族ジカルボン酸系ポリエステルジオール、ア
ジピン酸系ポリエステルジオール、ポリカプロラクトン
ジオールおよびポリカーボネートジオールである。
不活性ガス気流中で行ない、反応温度は、150〜20
0℃が好ましい。得られるカプロラクトンポリオールの
分子量は、開始剤のポリオール成分とε−カプロラクト
ンとのm比により自由に調整することが可能であるが、
好ましくは500〜10000、特に好ましくは、80
0〜5000の範囲である。またε−カプロラクトンの
開始剤としては、先述の低分子ジオールを併用すること
ができる6 本発明における当量200〜2000の高分子ポリオー
ル(A1)としてはポリエーテルジオール、ポリエステ
ルジオール、ポリカーボネートジオールなどが挙げられ
る。また、ポリマーポリオールおよびポリブタジェンポ
リオール等も使用できる。これらについては前記したも
のと同様のものが挙げられる。これらのうち、好ましい
のは、芳香族ジカルボン酸系ポリエステルジオール、ア
ジピン酸系ポリエステルジオール、ポリカプロラクトン
ジオールおよびポリカーボネートジオールである。
高分子ポリオール(A I)の当量は、通常200〜2
000、好ましくは、250〜1500である。200
未満の場合には生成ウレタン樹脂が皮膜形成性に乏しい
脆い樹脂となり、磁気記録材料用バインダーとして充分
でない。一方当量が2000を越えると磁性粉の分散性
が低下し、フィルム強度が不十分となり、耐摩耗性、耐
スクラッチ性、耐加水分解性が低下する。
000、好ましくは、250〜1500である。200
未満の場合には生成ウレタン樹脂が皮膜形成性に乏しい
脆い樹脂となり、磁気記録材料用バインダーとして充分
でない。一方当量が2000を越えると磁性粉の分散性
が低下し、フィルム強度が不十分となり、耐摩耗性、耐
スクラッチ性、耐加水分解性が低下する。
本発明における低分子ポリオール(A2)としては、(
AI)で説明した低分子ジオールおよびグリセリン、
トリメチロールプロパン、 トリメチロールエタン、ヘ
キサントリオール、ペンタエリスリトール、シクリセリ
ン、α−メチルグルコシド、ソルビトール、キシリフト
、マンニット、グルコース、フラクトース、蔗糖等の3
〜8価のアルコール類が挙げられる。
AI)で説明した低分子ジオールおよびグリセリン、
トリメチロールプロパン、 トリメチロールエタン、ヘ
キサントリオール、ペンタエリスリトール、シクリセリ
ン、α−メチルグルコシド、ソルビトール、キシリフト
、マンニット、グルコース、フラクトース、蔗糖等の3
〜8価のアルコール類が挙げられる。
これらのうち、好ましいのは、炭素数2〜IOのアルキ
レングリコールおよびトリメチロールプロ/Nllンで
ある。
レングリコールおよびトリメチロールプロ/Nllンで
ある。
本発明における有機ポリイソシアネート(B)としては
、次のものが挙げられる。
、次のものが挙げられる。
脂肪族ジイソシアネートとしては、エチレンジイソシア
ネート、テトラメチレンジイソシアネート、ヘキサメチ
レンジイソシアネート()[MD1)、ドデカメチレン
ジイソシアネート、’2,2.4−トリメチルヘキサン
ジイソシアネート、リジンジイソシア*−)、 2.
6−ジイソシアネートメチルカプロエート、ビス(2−
イソシアネートエチル)フマレート、ビス(2−インシ
アネートエチル)カーボネート、テトラメチレンキシリ
レンジイソシアネート(TMIDI)等が挙げられる。
ネート、テトラメチレンジイソシアネート、ヘキサメチ
レンジイソシアネート()[MD1)、ドデカメチレン
ジイソシアネート、’2,2.4−トリメチルヘキサン
ジイソシアネート、リジンジイソシア*−)、 2.
6−ジイソシアネートメチルカプロエート、ビス(2−
イソシアネートエチル)フマレート、ビス(2−インシ
アネートエチル)カーボネート、テトラメチレンキシリ
レンジイソシアネート(TMIDI)等が挙げられる。
脂環式ジイソシアネートとしては、インホロンジイソシ
アネート(IPDI) 、ジシクロヘキシルメタンジイ
ンシアネート(水添NDI) 、シクロヘキシレンジイ
ソシアネート、メチルシクロヘキシレンジイソシアネー
ト(水添TDI) 、ビス(2−インシアネートエチル
)4−シクロヘキセン−1,2−ジカルボキシレート等
が挙げられる。
アネート(IPDI) 、ジシクロヘキシルメタンジイ
ンシアネート(水添NDI) 、シクロヘキシレンジイ
ソシアネート、メチルシクロヘキシレンジイソシアネー
ト(水添TDI) 、ビス(2−インシアネートエチル
)4−シクロヘキセン−1,2−ジカルボキシレート等
が挙げられる。
芳香族ジイソシアネートとしては1.3−および/また
は1.4−フェニレンジイソシアネー)、 2.4−
および/または2.8−)リレンジイソシアネート(T
D1)、ジフェニルメタン−2,4′−および/または
4,4ゝ−ジイソシアネー) (MD1)、ナフチレン
−1,5−ジイソシアネート、m−および/またはp−
インシアネートフェニルスルホニルイソシアネート等)
カ挙げられる。
は1.4−フェニレンジイソシアネー)、 2.4−
および/または2.8−)リレンジイソシアネート(T
D1)、ジフェニルメタン−2,4′−および/または
4,4ゝ−ジイソシアネー) (MD1)、ナフチレン
−1,5−ジイソシアネート、m−および/またはp−
インシアネートフェニルスルホニルイソシアネート等)
カ挙げられる。
ポリイソシアネートとしては、HDIの水変性物、IP
DIの三量化物、ポリトリレンジインシアネート(粗製
TD1)、ポリフェニルメタンポリイソシアネート(粗
製MD1)、変性MDI (カー=P!’)イミ)’変
性111DI等)およびこれらの2皿以上の混合物が挙
げられる。
DIの三量化物、ポリトリレンジインシアネート(粗製
TD1)、ポリフェニルメタンポリイソシアネート(粗
製MD1)、変性MDI (カー=P!’)イミ)’変
性111DI等)およびこれらの2皿以上の混合物が挙
げられる。
これらのうち、好ましいものは、脂肪族ジイソシアネー
ト、脂環式ジイソシアネートおよび芳香族ジイソシアネ
ートであり、特に好ましいものはRMDI、IPDI、
MDIおよびTDIである。
ト、脂環式ジイソシアネートおよび芳香族ジイソシアネ
ートであり、特に好ましいものはRMDI、IPDI、
MDIおよびTDIである。
ポリオール中で(A3)は通常0.1〜70当ffi%
、 好ましくは、0.1−GO当量Xである。 (A
、)のユが0.1当量X未満では、磁性粉に対する分散
性が十分でなく、60当量%を越える場合は、磁性塗料
の粘度が著しく上昇し塗工性が悪くなる。
、 好ましくは、0.1−GO当量Xである。 (A
、)のユが0.1当量X未満では、磁性粉に対する分散
性が十分でなく、60当量%を越える場合は、磁性塗料
の粘度が著しく上昇し塗工性が悪くなる。
(A2)は、5〜80当量x1 好ましくは、 10
〜50当量Xである。 (A2)の量が5x当量未溝で
は、生成ウレタン樹脂のフィルム特性が低下し易<、磁
性粉の分散性も不良となる。一方(A2)の量が80当
量Xを越えると基材に対する密着性が低下する。
〜50当量Xである。 (A2)の量が5x当量未溝で
は、生成ウレタン樹脂のフィルム特性が低下し易<、磁
性粉の分散性も不良となる。一方(A2)の量が80当
量Xを越えると基材に対する密着性が低下する。
活性水素化合物の当量は通常100〜1600である。
(A)の当量カ月00未滴の場合には生成ウレタン樹脂
が皮膜形成性に乏しい脆い樹脂となり、磁気記録材料用
バインダーとして充分でない。一方当量が1800を越
えると磁性粉の分散性が低下し、フィルム強度が不十分
となり、耐摩耗性、耐スクラッチ性、耐加水分解性が低
下する。
が皮膜形成性に乏しい脆い樹脂となり、磁気記録材料用
バインダーとして充分でない。一方当量が1800を越
えると磁性粉の分散性が低下し、フィルム強度が不十分
となり、耐摩耗性、耐スクラッチ性、耐加水分解性が低
下する。
(A)と(B)を反応させるに際し、 (B)と(A)
の当量比は通常0.6−1.5、好ましくは、0゜8〜
1.2である。当量比が0.8未溝および1.5を越え
ると(A)と(B)との反応によりえられるポリウレタ
ン樹脂の分子量が低くなり分散性が低下し、また磁気記
録材料の耐摩耗性、耐スクラッチ性、耐加水分解性が低
下し易い。
の当量比は通常0.6−1.5、好ましくは、0゜8〜
1.2である。当量比が0.8未溝および1.5を越え
ると(A)と(B)との反応によりえられるポリウレタ
ン樹脂の分子量が低くなり分散性が低下し、また磁気記
録材料の耐摩耗性、耐スクラッチ性、耐加水分解性が低
下し易い。
上記反応はインシアネート基に対して不活性な溶媒の存
在下または不存在下に行なうことができる。この溶媒と
してはエステル系溶媒(酢酸エチル、酢酸ブチル等)、
エーテル系溶媒(ジオキサン、テトラハイドロフラン等
)、ケトン系溶媒(シクロヘキサノン、メチルエチルケ
トン、メチルイソブチルケト7等)、芳香族炭化水素系
溶媒(トルエン、キシレン等)およびこれらの二種以上
の混合溶媒が挙げられる。
在下または不存在下に行なうことができる。この溶媒と
してはエステル系溶媒(酢酸エチル、酢酸ブチル等)、
エーテル系溶媒(ジオキサン、テトラハイドロフラン等
)、ケトン系溶媒(シクロヘキサノン、メチルエチルケ
トン、メチルイソブチルケト7等)、芳香族炭化水素系
溶媒(トルエン、キシレン等)およびこれらの二種以上
の混合溶媒が挙げられる。
反応方法としては(A)と(B)とを−括して反応容器
に仕込み反応させる方法、 (A)と(B)とを分割し
て多段反応をさせる方法およびあらかじめ混合した(A
)と(B)を加熱されたコンティニエアスニーダー中を
通過させ反応させる方法が挙げられる。
に仕込み反応させる方法、 (A)と(B)とを分割し
て多段反応をさせる方法およびあらかじめ混合した(A
)と(B)を加熱されたコンティニエアスニーダー中を
通過させ反応させる方法が挙げられる。
反応温度は通常40−180″C9好t L、 < i
t H−120℃である。反応においては、反応を促進
させるため通常のウレタン反応において用いられる触媒
、例えば錫系触媒(トリメチルチンラウレート、トリメ
チルチンヒドロキサイド、ジメチルチンジラウレート、
ジブチルチンジラウレート、スタナスオクトエート等)
、鉛系触媒(レッドオレート、レット2−エチルヘキソ
エート等)等を使用することもできる。
t H−120℃である。反応においては、反応を促進
させるため通常のウレタン反応において用いられる触媒
、例えば錫系触媒(トリメチルチンラウレート、トリメ
チルチンヒドロキサイド、ジメチルチンジラウレート、
ジブチルチンジラウレート、スタナスオクトエート等)
、鉛系触媒(レッドオレート、レット2−エチルヘキソ
エート等)等を使用することもできる。
得られるポリウレタン樹脂(C)は、数平均分子量が通
常3,000〜200,000、好* L < ハ5,
000〜!so 、oooである。
常3,000〜200,000、好* L < ハ5,
000〜!so 、oooである。
官能基1個当りの分子量は通常1,000〜200.G
oo、好ましくは5,000〜150,000である。
oo、好ましくは5,000〜150,000である。
官能基1個当りの分子量カ月、000未溝の場合、耐加
水分解性が低下する。
水分解性が低下する。
(A)と(B)を反応させてなるポリウレタン樹脂(C
)は磁気記録材料用バインダーとして用いられるが、必
要により、磁気記録材料用として通常使用されている他
の高分子材料を併用することができる。この高分子材料
としてはポリ塩化ビニル系[塩化ビニル−酢酸ビニル共
重合体(VYHHS UCC製、エスレックC;積水化
学製等)、塩化ビニル−酢酸ビニル−ビニルアルコール
共重合体(V A G H,エスレックA等)、塩化ビ
ニル−塩化ビニリデン−アクリロニトリル共重合体(サ
ラン;旭ダウ製)等」、ポリウレタン系[ウレタン樹脂
(ニステン;グツドリッチ製等)]、ブタジェン系[ア
クリロニトリル−ブタジェン共重合体(ハイカー148
2; 日本ゼオン製等)、アクリロニトリル−ブタジ
ェン−スチレン共重合体(A−135)等コ、アクリル
系(アクリル酸エステル系共重合体等)、ニトロセルロ
ース、フェノキシ樹脂、エポキシ樹脂等が挙げられる。
)は磁気記録材料用バインダーとして用いられるが、必
要により、磁気記録材料用として通常使用されている他
の高分子材料を併用することができる。この高分子材料
としてはポリ塩化ビニル系[塩化ビニル−酢酸ビニル共
重合体(VYHHS UCC製、エスレックC;積水化
学製等)、塩化ビニル−酢酸ビニル−ビニルアルコール
共重合体(V A G H,エスレックA等)、塩化ビ
ニル−塩化ビニリデン−アクリロニトリル共重合体(サ
ラン;旭ダウ製)等」、ポリウレタン系[ウレタン樹脂
(ニステン;グツドリッチ製等)]、ブタジェン系[ア
クリロニトリル−ブタジェン共重合体(ハイカー148
2; 日本ゼオン製等)、アクリロニトリル−ブタジ
ェン−スチレン共重合体(A−135)等コ、アクリル
系(アクリル酸エステル系共重合体等)、ニトロセルロ
ース、フェノキシ樹脂、エポキシ樹脂等が挙げられる。
本発明の磁気記録材料用バインダーはこれに磁性体を含
有させることにより磁気記録材料(以下磁性塗料という
ことがある)とする事ができる。
有させることにより磁気記録材料(以下磁性塗料という
ことがある)とする事ができる。
この磁性体としては、酸化鉄例えばγ−Fea03(γ
−へマタイト)、Crys(三酸化クロム)および合金
系の磁性体例えばCO−γ−Fe20. (コバルトフ
ェライトまたはコバルトドープγ−酸化鉄)、Fe−G
o−Cr1 純鉄Fe(メタルパウダー)および炭化鉄
が挙げられる。本発明においては特に最近のより一層微
粉末化されたγ−FeaOa、c。
−へマタイト)、Crys(三酸化クロム)および合金
系の磁性体例えばCO−γ−Fe20. (コバルトフ
ェライトまたはコバルトドープγ−酸化鉄)、Fe−G
o−Cr1 純鉄Fe(メタルパウダー)および炭化鉄
が挙げられる。本発明においては特に最近のより一層微
粉末化されたγ−FeaOa、c。
−γ−Fe*Oa、メタル、炭化鉄(例えば粒子のBE
T法による比表面積が40m”/g以上のもの)に対し
て有用である。
T法による比表面積が40m”/g以上のもの)に対し
て有用である。
磁性体は磁性粉でありその形状は通常、粒状および針杖
である。磁性体の形状の一例を示せば、径が0.02〜
0.7μ、例えば長径0.2〜0.7μ、短径0.02
〜0.1μである。
である。磁性体の形状の一例を示せば、径が0.02〜
0.7μ、例えば長径0.2〜0.7μ、短径0.02
〜0.1μである。
磁性塗料にはポリウレタン樹脂を架橋させるために架橋
剤を用いることができる。この架橋剤としてはNCO含
有含金化合物び活性水素含有化合物が挙げられる。NG
O含有化合物としてはポリイソシアネート[変性MDI
(ミリオネートME。
剤を用いることができる。この架橋剤としてはNCO含
有含金化合物び活性水素含有化合物が挙げられる。NG
O含有化合物としてはポリイソシアネート[変性MDI
(ミリオネートME。
保土ケ谷化学製)、3.3’−ジメトキシ−4,4′−
ジイソシアネート等]およびNGO末端プレポリマー[
ポリイソシアネート(TDI、MDI等)とポリオール
(低分子ポリオール、ポリエーテルポリオール、ポリエ
ステルポリオール等)とのNGO末端プレポリマー例え
ばデスモジュールL(バイエル製)、コロネートしく日
本ポリウレタン製)等コが挙げられる。また活性水素含
有化合物としてはポリアミン[トリレンジアミン(TD
A)、4.4′−ジアミノ−3,3′−ジクロロジフェ
ニルメタン等)およびポリオール(低分子ポリオール、
ポリエーテルポリオール、ポリエステルポリオール等)
が挙げられる。
ジイソシアネート等]およびNGO末端プレポリマー[
ポリイソシアネート(TDI、MDI等)とポリオール
(低分子ポリオール、ポリエーテルポリオール、ポリエ
ステルポリオール等)とのNGO末端プレポリマー例え
ばデスモジュールL(バイエル製)、コロネートしく日
本ポリウレタン製)等コが挙げられる。また活性水素含
有化合物としてはポリアミン[トリレンジアミン(TD
A)、4.4′−ジアミノ−3,3′−ジクロロジフェ
ニルメタン等)およびポリオール(低分子ポリオール、
ポリエーテルポリオール、ポリエステルポリオール等)
が挙げられる。
架橋剤の添加量はポリウレタン樹脂に対し通常0〜25
重量%、好ましくは2〜15重量%である。25mm%
を越えるとフィルムの可撓性が低下し易い。
重量%、好ましくは2〜15重量%である。25mm%
を越えるとフィルムの可撓性が低下し易い。
その他必要により分散剤(レシチンあるいはアニオン、
ノニオン、カチオン等の界面活性剤例えばドデシルベン
ゼンスルホン酸ソーダ等)および潤滑剤(高級脂肪酸エ
ステル例えばステアリン酸ブチル)を加えることもでき
る。
ノニオン、カチオン等の界面活性剤例えばドデシルベン
ゼンスルホン酸ソーダ等)および潤滑剤(高級脂肪酸エ
ステル例えばステアリン酸ブチル)を加えることもでき
る。
磁性塗料には粘度調整のため溶媒が用いられる。
この溶媒としてはポリウレタン樹脂生成反応の箇所で記
載したのと同様の溶媒すなはちエステル系溶媒(酢酸エ
チル、酢酸ブチル等)、エーテル系溶媒(ジオキサン、
テトラヒドロフラン等)、ケトン系溶媒(シクロヘキサ
ノン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルルケトン
等)、芳香族炭化水素溶媒(トルエン、キシレン等)お
よびこれらの二種以上の混合溶媒を用いることができる
。
載したのと同様の溶媒すなはちエステル系溶媒(酢酸エ
チル、酢酸ブチル等)、エーテル系溶媒(ジオキサン、
テトラヒドロフラン等)、ケトン系溶媒(シクロヘキサ
ノン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルルケトン
等)、芳香族炭化水素溶媒(トルエン、キシレン等)お
よびこれらの二種以上の混合溶媒を用いることができる
。
これらのうち好ましいものはケトン系と芳香族炭化水素
系の混合溶媒である。
系の混合溶媒である。
磁性塗料中のポリウレタン樹脂(C)の含有量は塗料の
重量に基づいて通常5重量%以上、好ましくは6〜20
重量%である。 (C)を5重量%以上含ませることに
より本発明の目的を十分に達成することができる。
重量に基づいて通常5重量%以上、好ましくは6〜20
重量%である。 (C)を5重量%以上含ませることに
より本発明の目的を十分に達成することができる。
磁性塗料中の磁性体の量は通常30〜80重量%、好ま
しくは32〜BO重量%である。
しくは32〜BO重量%である。
磁性塗料中の溶媒の量は通常30〜80ffi ffi
%、好ましくは40〜70重量%である。
%、好ましくは40〜70重量%である。
他の高分子材料の量は通常0〜20重量%、好ましくは
2〜15重量%である。
2〜15重量%である。
その他(架橋剤、分散剤、潤滑剤等)の量は通常0〜3
重量%、好ましくは0.01〜2重量%である。
重量%、好ましくは0.01〜2重量%である。
磁性塗料を製造する方法としてはバインダー、溶媒およ
び磁性体を必要により予めプレミキサ−等で混合したの
ち混合分散機(ボールミル、ペイントコンディジ■ナー
、サンドグラインダー、サンドミル、プラストミル等)
で分散させ、濾過する方法が挙げられる。
び磁性体を必要により予めプレミキサ−等で混合したの
ち混合分散機(ボールミル、ペイントコンディジ■ナー
、サンドグラインダー、サンドミル、プラストミル等)
で分散させ、濾過する方法が挙げられる。
この磁性塗料は磁気記録媒体用支持体フィルムに適用さ
れ磁気記録媒体(磁気テープ等)を作成することができ
る。この支持体フィルムとしては、紙、セロハン、アセ
テート、ポリエステル(PET)、強化ポリエステル、
ポリイミド等のフィルムが挙げられる。これらのフィル
ムのうちよく用いられるのはポリエステルフィルムであ
る。
れ磁気記録媒体(磁気テープ等)を作成することができ
る。この支持体フィルムとしては、紙、セロハン、アセ
テート、ポリエステル(PET)、強化ポリエステル、
ポリイミド等のフィルムが挙げられる。これらのフィル
ムのうちよく用いられるのはポリエステルフィルムであ
る。
磁性塗料を支持体フィルムに適用する場合、塗布厚は通
常数μから数十μである。適用法としてはドクターブレ
ード法、転写印刷法(グラビア法、リバースロール法等
)等の塗布法が挙げられる。
常数μから数十μである。適用法としてはドクターブレ
ード法、転写印刷法(グラビア法、リバースロール法等
)等の塗布法が挙げられる。
磁性塗料を塗布されたフィルムは以後例えば配向、乾燥
、表面加工、切断、巻取り等の工程を経て磁気記録媒体
とされる。
、表面加工、切断、巻取り等の工程を経て磁気記録媒体
とされる。
磁気記録媒体は支持体フィルムと磁性層(磁性体バイン
ダー)からなるものが−膜内であるが、支持体フィルム
と磁性層の間に中間!(下塗層)を設けたもの、支持体
フィルムの両面に磁性層を有するもの、磁気特性の異な
る磁性層を重積したもの、磁性層の上に保護層を設けた
もの等もある。
ダー)からなるものが−膜内であるが、支持体フィルム
と磁性層の間に中間!(下塗層)を設けたもの、支持体
フィルムの両面に磁性層を有するもの、磁気特性の異な
る磁性層を重積したもの、磁性層の上に保護層を設けた
もの等もある。
[実施例]
以下、実施例により本発明を更に説明するが、′本発明
はこれに限定されるものではない。以下において、部は
重量部を示す。
はこれに限定されるものではない。以下において、部は
重量部を示す。
実施例1
当Htoooのスルホン酸アンモニウム塩含金フタルM
エチレングリコールジエステルを開始剤としてε−カプ
ロラクトンを重合して得られたカプロラクトンポリオー
ル1モル、当量500のポリテトラメチレングリコール
1モル、ネオペンチルグリコール3モル4.1モルを反
応させてポリウレタン樹脂(OHV=10) (CI
)を得た。
エチレングリコールジエステルを開始剤としてε−カプ
ロラクトンを重合して得られたカプロラクトンポリオー
ル1モル、当量500のポリテトラメチレングリコール
1モル、ネオペンチルグリコール3モル4.1モルを反
応させてポリウレタン樹脂(OHV=10) (CI
)を得た。
この(C1)をバインダーとして使用し、下記組成の混
合物をペイントコンディジざナーで混合、分散させて磁
性塗料(D、)を作成した。
合物をペイントコンディジざナーで混合、分散させて磁
性塗料(D、)を作成した。
7−Fe20.微粉末 100部ポリウレタン
樹脂(C+) 20部塩化ビニル−酢酸ビニル共重
合体 10部 デスモジュールし 2部 レシチン 1部 メチルエチルケトン 75部 トルエン 75部 この磁性塗料をポリエステルフィルムに塗布しく乾燥膜
厚5μ) 、10000eの磁場をかけ、配向させ、テ
ープ(E+)を得た。更に、このテープをカレンダーロ
ールで処理し、磁気テープを得た。
樹脂(C+) 20部塩化ビニル−酢酸ビニル共重
合体 10部 デスモジュールし 2部 レシチン 1部 メチルエチルケトン 75部 トルエン 75部 この磁性塗料をポリエステルフィルムに塗布しく乾燥膜
厚5μ) 、10000eの磁場をかけ、配向させ、テ
ープ(E+)を得た。更に、このテープをカレンダーロ
ールで処理し、磁気テープを得た。
実施例2
当量1000のスルホン酸トリメチルアミン塩含膏フタ
ル酸ジエチレングリコールジエステルを開始剤としてε
−カプロラクトンを重合して得られたカプロラクトンポ
リオール 1モル 当量200のポリプロピレンレンゲリコール1モル エチレングリコール 1モル MDI 2.8モルを反応させ
て得られたポリウレタン樹脂(Ci) (011Y:
3.7)を用い実施例1と同様にして磁性塗料を作成し
、テープ(E2)を得た。
ル酸ジエチレングリコールジエステルを開始剤としてε
−カプロラクトンを重合して得られたカプロラクトンポ
リオール 1モル 当量200のポリプロピレンレンゲリコール1モル エチレングリコール 1モル MDI 2.8モルを反応させ
て得られたポリウレタン樹脂(Ci) (011Y:
3.7)を用い実施例1と同様にして磁性塗料を作成し
、テープ(E2)を得た。
実施例3
当量1000のスルホン酸トリエチルアミン塩含育フタ
ル酸ヘキサンジオールジエステルを開始剤としてε−カ
プロラクトンを重合して得られたカプロラクトンポリオ
ール 1モル 当ff1200のポリプロピレンレンゲリコール1モル エチレングリコール 1モル MDI 1.8モルを反応させ
て得られたポリウレタン樹脂(Cs) (0■Y:3
.7)を用い実施例1と同様にして磁性塗料を作成し、
テープ(Es)を得た。
ル酸ヘキサンジオールジエステルを開始剤としてε−カ
プロラクトンを重合して得られたカプロラクトンポリオ
ール 1モル 当ff1200のポリプロピレンレンゲリコール1モル エチレングリコール 1モル MDI 1.8モルを反応させ
て得られたポリウレタン樹脂(Cs) (0■Y:3
.7)を用い実施例1と同様にして磁性塗料を作成し、
テープ(Es)を得た。
比較例1
当filooOのカプロラクトンポリオール 1モル当
量200のポリプロピレンレンゲリコール1モル ジメチロールプロピオン酸 0.1モルエチレングリコ
ール 1モル MDI 3モルを反応させて
得られたポリウレタン樹脂(C,)(OHV=3.7)
を用い実施例1と同様にして磁性塗料を作成し、磁気テ
ープ(E4)を得た。
量200のポリプロピレンレンゲリコール1モル ジメチロールプロピオン酸 0.1モルエチレングリコ
ール 1モル MDI 3モルを反応させて
得られたポリウレタン樹脂(C,)(OHV=3.7)
を用い実施例1と同様にして磁性塗料を作成し、磁気テ
ープ(E4)を得た。
試験例1
実施例1〜3および比較例1で得られたテープについて
、表面の光沢度、磁気特性(角型比)およびカレンダー
性を評価した。
、表面の光沢度、磁気特性(角型比)およびカレンダー
性を評価した。
光沢度:光沢針を用い60°の正反射率を測定した。
角型比:振動試料型磁力計を用い測定した。
[発明の効果]
本発明の磁気記録材料用バインダーおよび磁気記録材料
は、従来のバインダー(前記特開昭59−148127
号公報のもの)に比べて、次のような効果を奏する。
は、従来のバインダー(前記特開昭59−148127
号公報のもの)に比べて、次のような効果を奏する。
(1)磁性粉に対する分散性が優れており、磁性塗料の
耐久性に悪影響を与える分散剤を使用する必要がなく、
磁性塗膜の物性を劣化させない。
耐久性に悪影響を与える分散剤を使用する必要がなく、
磁性塗膜の物性を劣化させない。
(2)支持体フィルムに対する密着性に優れて・い(3
)カレンダー性が優れている。
)カレンダー性が優れている。
以上の効果を奏するところから本発明のバインダーおよ
び材料は、例えばオーディオテープ、ビデオテープ、コ
ンピューターテープ、データーレコーダーテープ、ビデ
オシート、メタルテープ、メタルディスク、磁気カード
用の磁気記録材料用バインダーおよび磁気記録材料とし
て有用である。
び材料は、例えばオーディオテープ、ビデオテープ、コ
ンピューターテープ、データーレコーダーテープ、ビデ
オシート、メタルテープ、メタルディスク、磁気カード
用の磁気記録材料用バインダーおよび磁気記録材料とし
て有用である。
−〇
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、当量200〜2000の高分子ポリオール(A_1
)、低分子ポリオール(A_2)およびスルホン酸アン
モニウム塩基またはアミン塩基含有芳香族二塩基酸誘導
体とジオールとのポリエステルを開始剤とするカプロラ
クトンポリオール(A_3)からなる活性水素化合物(
A)と有機ポリイソシアネート(B)とからのポリウレ
タン樹脂(C)からなることを特徴とする磁気記録材料
用のバインダー。 2、請求項1記載のバインダーと磁性体を含有させてな
ることを特徴とする磁気記録材料。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP9212589A JPH02270115A (ja) | 1989-04-12 | 1989-04-12 | バインダーおよび磁気記録材料 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP9212589A JPH02270115A (ja) | 1989-04-12 | 1989-04-12 | バインダーおよび磁気記録材料 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02270115A true JPH02270115A (ja) | 1990-11-05 |
Family
ID=14045709
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP9212589A Pending JPH02270115A (ja) | 1989-04-12 | 1989-04-12 | バインダーおよび磁気記録材料 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH02270115A (ja) |
-
1989
- 1989-04-12 JP JP9212589A patent/JPH02270115A/ja active Pending
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