JPH02267128A - 光学素子成形用型及びその製造方法 - Google Patents
光学素子成形用型及びその製造方法Info
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- JPH02267128A JPH02267128A JP8774889A JP8774889A JPH02267128A JP H02267128 A JPH02267128 A JP H02267128A JP 8774889 A JP8774889 A JP 8774889A JP 8774889 A JP8774889 A JP 8774889A JP H02267128 A JPH02267128 A JP H02267128A
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B11/00—Pressing molten glass or performed glass reheated to equivalent low viscosity without blowing
- C03B11/06—Construction of plunger or mould
- C03B11/08—Construction of plunger or mould for making solid articles, e.g. lenses
- C03B11/084—Construction of plunger or mould for making solid articles, e.g. lenses material composition or material properties of press dies therefor
- C03B11/086—Construction of plunger or mould for making solid articles, e.g. lenses material composition or material properties of press dies therefor of coated dies
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- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B2215/00—Press-moulding glass
- C03B2215/02—Press-mould materials
- C03B2215/08—Coated press-mould dies
- C03B2215/14—Die top coat materials, e.g. materials for the glass-contacting layers
- C03B2215/22—Non-oxide ceramics
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Re-Forming, After-Treatment, Cutting And Transporting Of Glass Products (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、光学素子成形用型及びその製造方法に関する
。
。
一般に、光学ガラスを加熱プレスにより成形して所望の
光学素子を得ることが広く行なわれている。ところで、
この加熱プレス手段により光学素子を得る場合では、成
形用型の離型性の良いことが非常に重要であり、通常離
型性は型表面の材料におけるガラス濡れ性に大きく依存
している。
光学素子を得ることが広く行なわれている。ところで、
この加熱プレス手段により光学素子を得る場合では、成
形用型の離型性の良いことが非常に重要であり、通常離
型性は型表面の材料におけるガラス濡れ性に大きく依存
している。
従来、ガラスが濡れにくく、良好な離型性を有する光学
素子成形用型として、例えば特開昭６２８７４２３号公
報に開示されるものが知られている。かかる光学素子成
形用型は、少なくとも成形面をＣｒ−Ｎにより形成した
もので、実際に５０００ショント以上の成形を経ても初
期性能を維持している。また、Ｃｒ−ＡＩ−ＮやＡＩ−
Ｎにより成形面を形成した光学素子成形用型も知られて
おり、これらも上記Ｃｒ−Ｎを用いた成形用型と同等若
しくはそれ以上の性能を有している。
素子成形用型として、例えば特開昭６２８７４２３号公
報に開示されるものが知られている。かかる光学素子成
形用型は、少なくとも成形面をＣｒ−Ｎにより形成した
もので、実際に５０００ショント以上の成形を経ても初
期性能を維持している。また、Ｃｒ−ＡＩ−ＮやＡＩ−
Ｎにより成形面を形成した光学素子成形用型も知られて
おり、これらも上記Ｃｒ−Ｎを用いた成形用型と同等若
しくはそれ以上の性能を有している。
一方、上記従来の光学素子成形用型において、成形面を
Ｃｒ−Ｎ等により形成するには、基板を陰極にするとと
もに蒸発源を陽極にし、不活性ガスを導入してグロー放
電を起し、蒸発した原子の一部をイオン化して強固な１
１９を形成するイオンブレーティング法が用いられてい
た。
Ｃｒ−Ｎ等により形成するには、基板を陰極にするとと
もに蒸発源を陽極にし、不活性ガスを導入してグロー放
電を起し、蒸発した原子の一部をイオン化して強固な１
１９を形成するイオンブレーティング法が用いられてい
た。
しかし、上記従来の光学素子成形用型は、径が１０価程
度までの小径の光学素子を得る場合には適当であるが、
さらに大径の光学素子を得る場合には問題が生してしま
った。すなわち、大径の光学素子を加熱プレスにより成
形する場合、ガラスの加熱中の変形を防止するために、
小径の光学素子を得る場合のようには加熱温度を」二げ
ることかできず、粘度の大きい領域で成形しなければな
らない。このために、プレス時には、プレス圧力や型温
度にって、より大きなエネルギーをガラスに与えなけれ
ばならない。従って、ガラスを構成する化合物の結合が
切れてしまい、成形用型へ付着しやすくなる。これがシ
ョット毎に繰り返されると、ついには焼付きという現象
が生じてしまった。
度までの小径の光学素子を得る場合には適当であるが、
さらに大径の光学素子を得る場合には問題が生してしま
った。すなわち、大径の光学素子を加熱プレスにより成
形する場合、ガラスの加熱中の変形を防止するために、
小径の光学素子を得る場合のようには加熱温度を」二げ
ることかできず、粘度の大きい領域で成形しなければな
らない。このために、プレス時には、プレス圧力や型温
度にって、より大きなエネルギーをガラスに与えなけれ
ばならない。従って、ガラスを構成する化合物の結合が
切れてしまい、成形用型へ付着しやすくなる。これがシ
ョット毎に繰り返されると、ついには焼付きという現象
が生じてしまった。
従来用いていた薄膜形成法、すなわちイオンブレーティ
ング法では、大径の光学素子を得るための成形用型の製
造には、不適当であった。
ング法では、大径の光学素子を得るための成形用型の製
造には、不適当であった。
本発明は、かかる従来の問題点に鑑みてなされたもので
、大径の光学素子を加熱プレスにより成形する場合であ
っても、長期間焼付きを生じない光学素子成形型及びそ
の製造方法を提供することを目的とする。
、大径の光学素子を加熱プレスにより成形する場合であ
っても、長期間焼付きを生じない光学素子成形型及びそ
の製造方法を提供することを目的とする。
上記目的を達成するために、本発明は、成形面と平行に
配向した被膜を成形面の最表層に形成して光学素子成形
用型を構成した。
配向した被膜を成形面の最表層に形成して光学素子成形
用型を構成した。
ガラスが成形面に付着するという現象は、成形面の表面
状態、特に欠陥の量に大きく依存する。
状態、特に欠陥の量に大きく依存する。
欠陥（例えばダングリングボンドや結晶粒界）が多く存
在する程、ガラスはより多く付着するようになるからで
ある。成形面に欠陥がない方が表面エネルギーが低くな
って付着がおきにくい。従来の成形面における被膜はア
モルファスかまたは多結晶体であった。アモルファスの
場合には、ダンブリングボンドという欠陥が多く存在し
、多結晶体の場合には、１つ１つの結晶粒がランダムな
方向を向いて成長しているために結晶粒界という欠陥が
多く存在していた。
在する程、ガラスはより多く付着するようになるからで
ある。成形面に欠陥がない方が表面エネルギーが低くな
って付着がおきにくい。従来の成形面における被膜はア
モルファスかまたは多結晶体であった。アモルファスの
場合には、ダンブリングボンドという欠陥が多く存在し
、多結晶体の場合には、１つ１つの結晶粒がランダムな
方向を向いて成長しているために結晶粒界という欠陥が
多く存在していた。
これらの欠陥を極力減らすには、成形面と平行に配向し
た被膜を成形面の最表層部に施すこ七が有効である。配
向とは、ある結晶面が特定の方向に成長しているという
ことである。ある結晶面だけが成形面と平行に成長して
いれば、成形面の最表層は、その結晶面だｉノが存在す
るために、ダングリングボンドはもらろん、結晶粒界も
なく、均一で欠陥の極めて少ないものとなるのである。
た被膜を成形面の最表層部に施すこ七が有効である。配
向とは、ある結晶面が特定の方向に成長しているという
ことである。ある結晶面だけが成形面と平行に成長して
いれば、成形面の最表層は、その結晶面だｉノが存在す
るために、ダングリングボンドはもらろん、結晶粒界も
なく、均一で欠陥の極めて少ないものとなるのである。
なお、本発明において、被膜はＣｒ−Ｎ等の窒化物から
なることが好ましい。
なることが好ましい。
一方、本発明では、被膜の形成条件を検討し、成形面と
平行に配向した被膜を得ることに成功しだのである。
平行に配向した被膜を得ることに成功しだのである。
これまで光学素子成形用型以外の用途、例えば磁気記録
膜などでは、配向により磁気特性を向上させる試のがな
されている。しかし、Ｃｒ−Ｎ膜のように、耐久性が求
められる分野での応用はなかった。なぜならば、窒化物
は結晶化しにくいという性質があるうえになおかつ配向
させるというのは非常に難しいからである。例えばイオ
ンビームスパッタ法においては、低圧で成膜できるため
、スパッタ粒子の平均自由行程が長く、粒子の基板への
入射方向がそろって配向しやすいという利点を持つ。し
かし、窒化物として、結晶化させるために、Ｎ２ガスを
多く導入するにつれて上記の利点が薄れていくのである
。従って、Ｎ２ガス導入をできるだけ少なくしてスパッ
タ粒子の基板への入射方向をそろえ、かつＮ原子の反応
や結晶化を促進する必要がある。
膜などでは、配向により磁気特性を向上させる試のがな
されている。しかし、Ｃｒ−Ｎ膜のように、耐久性が求
められる分野での応用はなかった。なぜならば、窒化物
は結晶化しにくいという性質があるうえになおかつ配向
させるというのは非常に難しいからである。例えばイオ
ンビームスパッタ法においては、低圧で成膜できるため
、スパッタ粒子の平均自由行程が長く、粒子の基板への
入射方向がそろって配向しやすいという利点を持つ。し
かし、窒化物として、結晶化させるために、Ｎ２ガスを
多く導入するにつれて上記の利点が薄れていくのである
。従って、Ｎ２ガス導入をできるだけ少なくしてスパッ
タ粒子の基板への入射方向をそろえ、かつＮ原子の反応
や結晶化を促進する必要がある。
そこで、本発明は、成形面の最表層に成形面と平行に配
向した被膜を形成してなる光学素子成形用型を製造する
にあたり、窒素ガス雰囲気中でアルゴンイオンビームを
用いる反応性イオンビームスパッタ法により、基板温度
が５００℃以上、イオンビームの加速電圧が０．９〜１
．２ｋＶ、窒素ガス圧力が４〜５ Ｘ １０−４Ｔｏｒ
ｒの条件で前記被膜を形成することとした。
向した被膜を形成してなる光学素子成形用型を製造する
にあたり、窒素ガス雰囲気中でアルゴンイオンビームを
用いる反応性イオンビームスパッタ法により、基板温度
が５００℃以上、イオンビームの加速電圧が０．９〜１
．２ｋＶ、窒素ガス圧力が４〜５ Ｘ １０−４Ｔｏｒ
ｒの条件で前記被膜を形成することとした。
本発明の光学素子成形用型における成形面の層表部では
、ガラスの付着という現象は極端に起きにくくなり、大
径の光学素子を得る場合でも長期間にわたって焼付きを
生ずることがない。
、ガラスの付着という現象は極端に起きにくくなり、大
径の光学素子を得る場合でも長期間にわたって焼付きを
生ずることがない。
また、本発明では、基板温度を５００℃以上、イオンビ
ームの加速電圧を０．９ｋＶ〜］、２ｋＶに上げること
で反応性及び結晶化を促進した。ここで、イオンビーム
の加速電圧については、上げ過ぎてもスパッタ率の増大
に伴う膜堆積速度の上昇により反応性が低下してしまう
ので、上限がある。これらの促進化の上にＮ２ガス圧を
変化させて配向の実現する領域、４〜５ Ｘ １０−４
Ｔｏｒｒを見出したのである。
ームの加速電圧を０．９ｋＶ〜］、２ｋＶに上げること
で反応性及び結晶化を促進した。ここで、イオンビーム
の加速電圧については、上げ過ぎてもスパッタ率の増大
に伴う膜堆積速度の上昇により反応性が低下してしまう
ので、上限がある。これらの促進化の上にＮ２ガス圧を
変化させて配向の実現する領域、４〜５ Ｘ １０−４
Ｔｏｒｒを見出したのである。
（第１実施例）
超硬合金により型基材を形成し、径１４胴、Ｒ４６に鏡
面加工した成形面にＣｒ−Ｎ層をＣｒ単体をタゲントと
して反応性イオンビームスパッタ法により形成した。基
板温度は５５０℃，Ａｒの圧力は］、 Ｘ １０−４Ｔ
ｏｒｒ、 Ｎ２の圧力は４〜５Ｘ１０−４Ｔｏｒｒ、イ
オンビームの加速電圧は０．９〜１．２にνという成膜
条件の範囲で被膜は配向した。このようにして得られた
光学素子成形用型を第１図に示す。
面加工した成形面にＣｒ−Ｎ層をＣｒ単体をタゲントと
して反応性イオンビームスパッタ法により形成した。基
板温度は５５０℃，Ａｒの圧力は］、 Ｘ １０−４Ｔ
ｏｒｒ、 Ｎ２の圧力は４〜５Ｘ１０−４Ｔｏｒｒ、イ
オンビームの加速電圧は０．９〜１．２にνという成膜
条件の範囲で被膜は配向した。このようにして得られた
光学素子成形用型を第１図に示す。
第１図において、１は型基材、２は成形面、３ばＣｒ−
Ｎ層からなる被膜である。第２図に被膜３のＸ線回折図
形の一例を示す。なお、測定の都合でＳｉ基板を用いて
いる。測定は通常のθ−２θ法で行っているので、基板
面に平行な結晶面だけが回折されてくる。第２図から判
るように、ＣｒＮ （２２０）面のピークだｉＪが存在
しており、配向していることが確認できた。
Ｎ層からなる被膜である。第２図に被膜３のＸ線回折図
形の一例を示す。なお、測定の都合でＳｉ基板を用いて
いる。測定は通常のθ−２θ法で行っているので、基板
面に平行な結晶面だけが回折されてくる。第２図から判
るように、ＣｒＮ （２２０）面のピークだｉＪが存在
しており、配向していることが確認できた。
本実施例ではＡｒを用いることによって、膜の堆積速度
を大きくした。ただし、Ａｒを用いないでＮ２単体でも
時間をかければできる。また、基板温度を５００℃で行
っても同様にできた。
を大きくした。ただし、Ａｒを用いないでＮ２単体でも
時間をかければできる。また、基板温度を５００℃で行
っても同様にできた。
本実施例の光学素子成形用型を用いて光学ガラスを成形
したところ、５０００ショット以上経過しても良好な離
型性を示し、ガラスの焼付けは発生しなかった。
したところ、５０００ショット以上経過しても良好な離
型性を示し、ガラスの焼付けは発生しなかった。
（第２実施例）
炭化ケイ素により型基材を形成し、径２０ｍｍ、Ｒ５５
に鏡面加工した成形面にＣｒ−ＡＩ−Ｎ層をＣｒ−Ａｌ
の複合焼結体をターゲントとして反応性イオンビームス
パッタ法により形成した。第１実施例と同様な成膜条件
の範囲で被膜は配向した。
に鏡面加工した成形面にＣｒ−ＡＩ−Ｎ層をＣｒ−Ａｌ
の複合焼結体をターゲントとして反応性イオンビームス
パッタ法により形成した。第１実施例と同様な成膜条件
の範囲で被膜は配向した。
本実施例の光学素子成形用型を用いて光学ガラスを成形
したところ、５０００ショント以上経過しても良好な離
型性を示し、ガラスの焼付きは発生しなかった。
したところ、５０００ショント以上経過しても良好な離
型性を示し、ガラスの焼付きは発生しなかった。
（第３実施例）
炭化ケイ素により型基材を形成し、径１８ｍｍ、Ｒ５０
に鏡面加工した成形面にＡＩ−Ｎ層を反応性イオンビー
ムスパッタ法により形成した。基板温度は６００℃，Ａ
ｒの圧力はＩ Ｘ １０−４Ｔｏｒｒ、 Ｎ２の圧力は
４〜５ Ｘ １０−４Ｔｏｒｒ、イオンビームの加速電
圧は０．９〜１．２ｋＶという成膜条件の範囲で被膜は
配向した。
に鏡面加工した成形面にＡＩ−Ｎ層を反応性イオンビー
ムスパッタ法により形成した。基板温度は６００℃，Ａ
ｒの圧力はＩ Ｘ １０−４Ｔｏｒｒ、 Ｎ２の圧力は
４〜５ Ｘ １０−４Ｔｏｒｒ、イオンビームの加速電
圧は０．９〜１．２ｋＶという成膜条件の範囲で被膜は
配向した。
本実施例の光学素子成形用型を用いて光学ガラスを成形
したところ、５０００ショット以上経過しても良好な離
型性を示し、ガラスの焼付きは発生しなかった。
したところ、５０００ショット以上経過しても良好な離
型性を示し、ガラスの焼付きは発生しなかった。
以上のように、本発明の光学素子成形用型によれば、成
形面と平行に配向した被膜を成形面の層表部に形成して
いるために、欠陥の極めて少ない表面が実現し、ガラス
が付着しにくくなるので、長期間にわたって良好な離型
性を得ることができる。また、本発明の光学素子成形用
型の製造方法によれば、成形面の層表部に成形面と平行
に配向した被膜を形成することができる。
形面と平行に配向した被膜を成形面の層表部に形成して
いるために、欠陥の極めて少ない表面が実現し、ガラス
が付着しにくくなるので、長期間にわたって良好な離型
性を得ることができる。また、本発明の光学素子成形用
型の製造方法によれば、成形面の層表部に成形面と平行
に配向した被膜を形成することができる。
第１図は本発明の光学素子成形用型の第１実施例を示す
縦断面図、第２図は第１図に示す成形用型の被膜のＸ線
回折結果を示すグラフである。 １・・・型基材 ２・・・成形面 ３・・・被膜 第 ■ 図 １・・・型基材 ２・・・成形面 ３・・・被膜 第 図
縦断面図、第２図は第１図に示す成形用型の被膜のＸ線
回折結果を示すグラフである。 １・・・型基材 ２・・・成形面 ３・・・被膜 第 ■ 図 １・・・型基材 ２・・・成形面 ３・・・被膜 第 図
Claims (3)
- （１）成形面と平行に配向した被膜を成形面の最表部に
形成したことを特徴とする光学素子成形用型。 - （２）前記被膜が窒化物からなることを特徴とする請求
項１記載の光学素子成形用型。 - （３）成形面の最表部に成形面と平行に配向した被膜を
形成してなる光学素子成形用型を製造するにあたり、窒
素ガス雰囲気中でアルゴンイオンビームを用いる反応性
イオンビームスパッタ法により、基板温度が５００℃以
上、イオンビームの加速電圧が０．９〜１．２ｋＶ、窒
素ガス圧力が４〜５×１０＾−＾４Ｔｏｒｒの条件で前
記被膜を形成することを特徴とする光学素子成形用型の
製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1087748A JPH0662307B2 (ja) | 1989-04-06 | 1989-04-06 | 光学素子成形用型及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1087748A JPH0662307B2 (ja) | 1989-04-06 | 1989-04-06 | 光学素子成形用型及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02267128A true JPH02267128A (ja) | 1990-10-31 |
| JPH0662307B2 JPH0662307B2 (ja) | 1994-08-17 |
Family
ID=13923556
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1087748A Expired - Fee Related JPH0662307B2 (ja) | 1989-04-06 | 1989-04-06 | 光学素子成形用型及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0662307B2 (ja) |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61251528A (ja) * | 1985-04-30 | 1986-11-08 | Hoya Corp | ガラスレンズ成形のための金型及びその製造方法 |
| JPS6287423A (ja) * | 1985-10-11 | 1987-04-21 | Olympus Optical Co Ltd | 光学素子成形用型 |
| JPS6345135A (ja) * | 1986-08-07 | 1988-02-26 | Hoya Corp | ガラス成形型 |
| JPS6355126A (ja) * | 1986-08-25 | 1988-03-09 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光学ガラス素子のプレス成形用型 |
-
1989
- 1989-04-06 JP JP1087748A patent/JPH0662307B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61251528A (ja) * | 1985-04-30 | 1986-11-08 | Hoya Corp | ガラスレンズ成形のための金型及びその製造方法 |
| JPS6287423A (ja) * | 1985-10-11 | 1987-04-21 | Olympus Optical Co Ltd | 光学素子成形用型 |
| JPS6345135A (ja) * | 1986-08-07 | 1988-02-26 | Hoya Corp | ガラス成形型 |
| JPS6355126A (ja) * | 1986-08-25 | 1988-03-09 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光学ガラス素子のプレス成形用型 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0662307B2 (ja) | 1994-08-17 |
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