JP3049132B2 - 光学素子成形用型の製造方法および光学素子成形用型 - Google Patents
光学素子成形用型の製造方法および光学素子成形用型Info
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Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は加熱プレスによってレン
ズ等を成形する光学素子成形用型の製造方法および光学
素子成形用型に関する。
ズ等を成形する光学素子成形用型の製造方法および光学
素子成形用型に関する。
【０００２】
【従来の技術】加熱プレスにより光学素子を成形する成
形用型では離型性が良好であることおよび型基材に被覆
された膜の密着性が高いことが要求されている。後者の
密着性が低いと、膜剥離が生じ、その剥離部分にガラス
が融着して離型性が低下し、型として寿命がなくなるた
めである。
形用型では離型性が良好であることおよび型基材に被覆
された膜の密着性が高いことが要求されている。後者の
密着性が低いと、膜剥離が生じ、その剥離部分にガラス
が融着して離型性が低下し、型として寿命がなくなるた
めである。
【０００３】このような光学素子成形用型としては従
来、特開昭６３−１２３８２２号公報が知られている。
この光学素子成形用型はステンレス鋼からなる金属製の
型基材の表面にＣｒ単体膜を形成し、このＣｒ単体膜上
にＣｒ- Ｎ系膜を形成し、さらにＣｒ- Ｎ系膜上にＣｒ
- Ｃ系膜を形成した３層構造となっている。
来、特開昭６３−１２３８２２号公報が知られている。
この光学素子成形用型はステンレス鋼からなる金属製の
型基材の表面にＣｒ単体膜を形成し、このＣｒ単体膜上
にＣｒ- Ｎ系膜を形成し、さらにＣｒ- Ｎ系膜上にＣｒ
- Ｃ系膜を形成した３層構造となっている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】従来の成形用型におい
ては、ステンレス鋼からなる型基材上の第１層目のＣｒ
単体膜を真空蒸着により形成している。このＣｒ単体膜
をタングステンカーバイド（ＷＣ）をベースとした超硬
合金あるいは炭化珪素（ＳｉＣ）などのセラミックスか
らなる型基材の第１層目として形成し、６００℃以上の
型温で連続成形を行うと、Ｃｒ単体膜の酸化によりＣｒ
酸化物を形成する。ところが、このＣｒ酸化物は、結晶
粒が拡大したポーラスな膜であると共に、熱膨張係数も
大きいものとなっている。従って、離型時に熱衝撃と引
張力が加わると、膜を引く剥ぐ力が作用するため、膜と
しての結合が破壊され微小剥離を発生させる。その結
果、型成形面の膜剥離部分にガラスが接触して、微小焼
付が生じ、成形された光学素子にクレータ状の表面欠陥
が発生する。そして、このように成形品の外観不良が多
発することにより、外観歩留が低下し、問題となってい
た。
ては、ステンレス鋼からなる型基材上の第１層目のＣｒ
単体膜を真空蒸着により形成している。このＣｒ単体膜
をタングステンカーバイド（ＷＣ）をベースとした超硬
合金あるいは炭化珪素（ＳｉＣ）などのセラミックスか
らなる型基材の第１層目として形成し、６００℃以上の
型温で連続成形を行うと、Ｃｒ単体膜の酸化によりＣｒ
酸化物を形成する。ところが、このＣｒ酸化物は、結晶
粒が拡大したポーラスな膜であると共に、熱膨張係数も
大きいものとなっている。従って、離型時に熱衝撃と引
張力が加わると、膜を引く剥ぐ力が作用するため、膜と
しての結合が破壊され微小剥離を発生させる。その結
果、型成形面の膜剥離部分にガラスが接触して、微小焼
付が生じ、成形された光学素子にクレータ状の表面欠陥
が発生する。そして、このように成形品の外観不良が多
発することにより、外観歩留が低下し、問題となってい
た。
【０００５】本発明は、かかる従来の問題点に鑑みてな
されたもので、型基材に対する被膜の密着性が高く、ガ
ラスの焼付きを生じることのない長寿命の光学素子成形
用型の製造方法および光学素子成形用型を提供すること
を目的とする。
されたもので、型基材に対する被膜の密着性が高く、ガ
ラスの焼付きを生じることのない長寿命の光学素子成形
用型の製造方法および光学素子成形用型を提供すること
を目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段および作用】本発明の光学
素子成形用型の製造方法は、型基材の成膜基礎面に窒素
イオンをイオン注入して該面を改質し、次いで、型基材
の向きを変えて前記成膜基礎面を被膜材料に対向させ、
前記被膜材料に窒素イオンをイオン注入するとともに前
記改質した成膜基礎面に被膜材料のスパッタ粒子を成長
させて、型基材の成膜基礎面に成膜することを特徴とす
る。また、本発明の光学素子成形用型は、型基材と、こ
の型基材の成膜基礎面内部に窒素イオンのイオン注入に
より形成した、Ｃｒ酸化物を含まない窒化層と、この窒
化層上にイオン注入成膜により積層した窒化クロム膜と
を有することを特徴とする。
素子成形用型の製造方法は、型基材の成膜基礎面に窒素
イオンをイオン注入して該面を改質し、次いで、型基材
の向きを変えて前記成膜基礎面を被膜材料に対向させ、
前記被膜材料に窒素イオンをイオン注入するとともに前
記改質した成膜基礎面に被膜材料のスパッタ粒子を成長
させて、型基材の成膜基礎面に成膜することを特徴とす
る。また、本発明の光学素子成形用型は、型基材と、こ
の型基材の成膜基礎面内部に窒素イオンのイオン注入に
より形成した、Ｃｒ酸化物を含まない窒化層と、この窒
化層上にイオン注入成膜により積層した窒化クロム膜と
を有することを特徴とする。
【０００７】上記構成では、窒素イオンを注入すること
で、超硬合金あるいはセラミックスからなる型基材の表
層内（すなわち、被膜を形成する成膜基礎面の内部）に
窒化層を形成することができる。そして、この窒化層
が、その上に被覆形成されるスパッタ粒子による膜と型
基材との密着性を高めるように作用する。そして本発明
の光学素子成形用型においては、この窒化層がその上に
被覆する窒化クロムからなる窒化被膜の密着性を補助す
るように、Ｎイオンの拡散作用、すなわち窒化層内のＮ
イオンと窒化被膜内のＮイオンがイオン結合するように
なり、窒化被膜のイオン粒子が窒化層内に喰い込むよう
に成長する。その後のイオン注入成膜法、すなわち高加
速の窒素イオンを被膜材料にぶつけ、それにより高速で
スパッタされたイオン化粒子により成膜すると、成膜さ
れる窒化被膜が結合エネルギーの作用を有した窒化層の
上に成長する。そして、これらの窒化層とイオン注入成
膜法による窒化被膜により、非常に密着性の向上した成
膜が得られる。
で、超硬合金あるいはセラミックスからなる型基材の表
層内（すなわち、被膜を形成する成膜基礎面の内部）に
窒化層を形成することができる。そして、この窒化層
が、その上に被覆形成されるスパッタ粒子による膜と型
基材との密着性を高めるように作用する。そして本発明
の光学素子成形用型においては、この窒化層がその上に
被覆する窒化クロムからなる窒化被膜の密着性を補助す
るように、Ｎイオンの拡散作用、すなわち窒化層内のＮ
イオンと窒化被膜内のＮイオンがイオン結合するように
なり、窒化被膜のイオン粒子が窒化層内に喰い込むよう
に成長する。その後のイオン注入成膜法、すなわち高加
速の窒素イオンを被膜材料にぶつけ、それにより高速で
スパッタされたイオン化粒子により成膜すると、成膜さ
れる窒化被膜が結合エネルギーの作用を有した窒化層の
上に成長する。そして、これらの窒化層とイオン注入成
膜法による窒化被膜により、非常に密着性の向上した成
膜が得られる。
【０００８】
【実施例１】図１ないし図３は本発明の実施例１を示
す。本実施例の光学素子成形用型は図１に示すように超
硬合金から成る型基材１と、型基材１の成膜基礎面１Ａ
の表面を改質した改質層２と、その改質層２の上に被覆
された窒化クロムからなる窒化被膜３とから構成されて
いる。型基材１の成膜基礎面１Ａは、研削，研磨加工を
施し、表面粗度Ｒｍａｘ＝０．０６μｍ以下に仕上げら
れている。
す。本実施例の光学素子成形用型は図１に示すように超
硬合金から成る型基材１と、型基材１の成膜基礎面１Ａ
の表面を改質した改質層２と、その改質層２の上に被覆
された窒化クロムからなる窒化被膜３とから構成されて
いる。型基材１の成膜基礎面１Ａは、研削，研磨加工を
施し、表面粗度Ｒｍａｘ＝０．０６μｍ以下に仕上げら
れている。
【０００９】図２は、改質層２を形成する方法を示し、
成膜基礎面１ＡにＮイオン４を加速電圧９３ｋｅＶ、加
速電流２ｍＡ、注入量２×１０１７ｉｏｎ／ｃｍ２でイ
オン注入する。その後、図３に示すように型基材１を反
転して、その成膜基礎面１Ａをクロムからなる被膜材料
５に対向させる。そして被膜材料５にＮイオン４を加速
電圧９２ｋｅＶ、加速電流０．５ｍＡ、注入量１×１０
１５ｉｏｎ／ｃｍ２でイオン注入すると同時に、型基材
１の成膜基礎面１Ａの表面を改質した改質層２の上に、
スパッタ作用によりＣｒ- Ｎのスパッタ粒子６を成長さ
せ、ＣｒＮ膜３を形成する。形成したＣｒＮ膜の膜厚は
ｄ＝１．２μｍであり、ビッカース硬度はＨｖ＝１４１
０ｋｇｆ／ｍｍ２（２５ｇｆ荷重）、面粗度はＲｍａｘ
＝０．０６２で、研磨加工後と差がなかった。
成膜基礎面１ＡにＮイオン４を加速電圧９３ｋｅＶ、加
速電流２ｍＡ、注入量２×１０１７ｉｏｎ／ｃｍ２でイ
オン注入する。その後、図３に示すように型基材１を反
転して、その成膜基礎面１Ａをクロムからなる被膜材料
５に対向させる。そして被膜材料５にＮイオン４を加速
電圧９２ｋｅＶ、加速電流０．５ｍＡ、注入量１×１０
１５ｉｏｎ／ｃｍ２でイオン注入すると同時に、型基材
１の成膜基礎面１Ａの表面を改質した改質層２の上に、
スパッタ作用によりＣｒ- Ｎのスパッタ粒子６を成長さ
せ、ＣｒＮ膜３を形成する。形成したＣｒＮ膜の膜厚は
ｄ＝１．２μｍであり、ビッカース硬度はＨｖ＝１４１
０ｋｇｆ／ｍｍ２（２５ｇｆ荷重）、面粗度はＲｍａｘ
＝０．０６２で、研磨加工後と差がなかった。
【００１０】この光学素子成形用型を用いてＳＦ系光学
ガラスを２００００ショット以上連続成形したところ、
面粗度Ｒｍａｘ＝０．０５９μｍで、変化が認められ
ず、膜剥離もなく微小剥離から生じる微小焼き付きも発
生しなかった。
ガラスを２００００ショット以上連続成形したところ、
面粗度Ｒｍａｘ＝０．０５９μｍで、変化が認められ
ず、膜剥離もなく微小剥離から生じる微小焼き付きも発
生しなかった。
【実施例２】図４ないし図６は本発明の実施例２を示
す。図４に示すようにＳｉＣから成る型基材１１と、型
基材１１の成膜基礎面１１Ａの表面を改質した改質層１
２と、その改質層１２の上に被覆された窒化クロムから
なる窒化被膜１３とから構成されている。型基材１１の
成膜基礎面１１Ａは、研削，研磨加工を施し、表面粗度
Ｒｍａｘ＝０．０８μｍ以下に仕上げられている。この
炭化珪素の改質層１２を形成するため、図５に示すよう
に、成形膜礎面１１ＡにＮイオン１４を加速電圧９６ｋ
ｅＶ、加速電流２．４ｍＡ、注入量２×１０１７ｉｏｎ
／ｃｍ２でイオン注入する。その後、図６に示すように
型基材１１を反転して、その成膜基礎面１１Ａをクロム
からなる被膜材料１５に対向させ、被膜材料１５にＮイ
オン１４を加速電圧９４ｋｅＶ、加速電流０．６ｍＡ、
注入量２×１０１５ｉｏｎ／ｃｍ２でイオン注入すると
同時に、実施例１と同様にＣｒＮ膜１３を形成した。Ｃ
ｒＮ膜１３の膜厚はｄ＝１．１μｍであり、ビッカース
硬度はＨｖ＝１８６０ｋｇｆ／ｍｍ２、面粗度はＲｍａ
ｘ＝０．０７９で、研磨加工後と差がなかった。
す。図４に示すようにＳｉＣから成る型基材１１と、型
基材１１の成膜基礎面１１Ａの表面を改質した改質層１
２と、その改質層１２の上に被覆された窒化クロムから
なる窒化被膜１３とから構成されている。型基材１１の
成膜基礎面１１Ａは、研削，研磨加工を施し、表面粗度
Ｒｍａｘ＝０．０８μｍ以下に仕上げられている。この
炭化珪素の改質層１２を形成するため、図５に示すよう
に、成形膜礎面１１ＡにＮイオン１４を加速電圧９６ｋ
ｅＶ、加速電流２．４ｍＡ、注入量２×１０１７ｉｏｎ
／ｃｍ２でイオン注入する。その後、図６に示すように
型基材１１を反転して、その成膜基礎面１１Ａをクロム
からなる被膜材料１５に対向させ、被膜材料１５にＮイ
オン１４を加速電圧９４ｋｅＶ、加速電流０．６ｍＡ、
注入量２×１０１５ｉｏｎ／ｃｍ２でイオン注入すると
同時に、実施例１と同様にＣｒＮ膜１３を形成した。Ｃ
ｒＮ膜１３の膜厚はｄ＝１．１μｍであり、ビッカース
硬度はＨｖ＝１８６０ｋｇｆ／ｍｍ２、面粗度はＲｍａ
ｘ＝０．０７９で、研磨加工後と差がなかった。
【００１１】この光学素子成形用型を用いてＳＦ系光学
ガラスを２００００ショット以上連続成形したところ、
面粗度Ｒｍａｘ＝０．０７７μｍで、変化が認められ
ず、膜剥離もなく微小剥離から生じる微小焼き付きも発
生しなかった。なお、ＳｉＣからなる型基材に高周波ス
パッタリング成膜法を用いて、中間層としてのＣｒ膜を
第１層目に施し、Ｃｒ膜上にＣｒ- Ｎ膜を施し、更にＣ
ｒ- Ｎ膜上にＣｒ- Ｃ膜を施した従来例の成形用型を上
記実施例と同様の条件で成形に供した結果、成形面に１
００μｍ以上の微小剥離が生じてガラスの微小焼付きが
おこり、成形品も１００μｍ以上のクレーター状の欠陥
を生じた。
ガラスを２００００ショット以上連続成形したところ、
面粗度Ｒｍａｘ＝０．０７７μｍで、変化が認められ
ず、膜剥離もなく微小剥離から生じる微小焼き付きも発
生しなかった。なお、ＳｉＣからなる型基材に高周波ス
パッタリング成膜法を用いて、中間層としてのＣｒ膜を
第１層目に施し、Ｃｒ膜上にＣｒ- Ｎ膜を施し、更にＣ
ｒ- Ｎ膜上にＣｒ- Ｃ膜を施した従来例の成形用型を上
記実施例と同様の条件で成形に供した結果、成形面に１
００μｍ以上の微小剥離が生じてガラスの微小焼付きが
おこり、成形品も１００μｍ以上のクレーター状の欠陥
を生じた。
【００１２】
【発明の効果】本発明の光学素子成形用型の製造方法に
よれば、超硬合金あるいはセラミックスなどの型基材の
表層内部（すなわち、型基材に被膜を形成する際の成膜
基礎面の内部）に窒素イオンをイオン注入して該部を改
質しているので、この改質した層により、その上に被覆
形成される膜と型基材との密着性を極めて高くすること
ができる。また、本発明の光学素子成形用型によれば、
超硬合金あるいはセラミックスなどの型基材の表層内部
（すなわち、型基材に被膜を形成する際の成膜基礎面の
内部）に窒素イオンをイオン注入して、密着性を補助す
る窒化層を形成し、さらにイオン注入成膜法により密着
効率の高い窒化クロム膜を成長させるため，膜剥離面に
発生するガラスの焼き付きが無くなり、金型寿命が延命
化できる。
よれば、超硬合金あるいはセラミックスなどの型基材の
表層内部（すなわち、型基材に被膜を形成する際の成膜
基礎面の内部）に窒素イオンをイオン注入して該部を改
質しているので、この改質した層により、その上に被覆
形成される膜と型基材との密着性を極めて高くすること
ができる。また、本発明の光学素子成形用型によれば、
超硬合金あるいはセラミックスなどの型基材の表層内部
（すなわち、型基材に被膜を形成する際の成膜基礎面の
内部）に窒素イオンをイオン注入して、密着性を補助す
る窒化層を形成し、さらにイオン注入成膜法により密着
効率の高い窒化クロム膜を成長させるため，膜剥離面に
発生するガラスの焼き付きが無くなり、金型寿命が延命
化できる。
【図１】本発明の実施例１の断面図。
【図２】本発明の実施例１の製造工程の断面図。
【図３】本発明の実施例１の製造工程の断面図。
【図４】本発明の実施例２の断面図。
【図５】本発明の実施例２の製造工程の断面図。
【図６】本発明の実施例２の製造工程の断面図。
１ 型基材 ２ 窒化層 ３ 窒化クロム膜
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) C03B 11/00 C03B 40/02
Claims (2)
- 【請求項１】 型基材の成膜基礎面に窒素イオンをイオ
ン注入して該面を改質し、 次いで、型基材の向きを変えて前記成膜基礎面を被膜材
料に対向させ、 前記被膜材料に窒素イオンをイオン注入するとともに前
記改質した成膜基礎面に被膜材料のスパッタ粒子を成長
させて、型基材の成膜基礎面に成膜することを特徴とす
る光学素子成形用型の製造方法。 - 【請求項２】 型基材と、 この型基材の成膜基礎面内部に窒素イオンのイオン注入
により形成した、Ｃｒ酸化物を含まない窒化層と、 この窒化層上にイオン注入成膜により積層した窒化クロ
ム膜とを有することを特徴とする光学素子成形用型。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3292432A JP3049132B2 (ja) | 1991-10-11 | 1991-10-11 | 光学素子成形用型の製造方法および光学素子成形用型 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3292432A JP3049132B2 (ja) | 1991-10-11 | 1991-10-11 | 光学素子成形用型の製造方法および光学素子成形用型 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05105460A JPH05105460A (ja) | 1993-04-27 |
| JP3049132B2 true JP3049132B2 (ja) | 2000-06-05 |
Family
ID=17781719
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3292432A Expired - Fee Related JP3049132B2 (ja) | 1991-10-11 | 1991-10-11 | 光学素子成形用型の製造方法および光学素子成形用型 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3049132B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CA2184206C (en) * | 1995-08-29 | 2002-10-08 | Yasuaki Sakamoto | Molded glass plate produced by mold with modified surface |
-
1991
- 1991-10-11 JP JP3292432A patent/JP3049132B2/ja not_active Expired - Fee Related
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|---|---|
| JPH05105460A (ja) | 1993-04-27 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
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