JP3808920B2 - 光学素子成形型 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、加熱・軟化したガラス素材を押圧成形して光学素子を得る際の光学素子成形型に関する。
【0002】
【従来の技術】
従来、押圧成形する際に用いる光学素子成形型として、例えば特開平5ー170459号公報に記載される発明がある。
上記発明は、WまたはMo基合金よりなる型母材の成形面にTiN,TiC,TiCNからなる上層薄膜をイオンプレーティング法により被覆している。成形面にTiN,TiC,TiCNを被覆することにより、成形面を容易に光学鏡面に加工して成形面の粗面化を防いでいる。
【0003】
また、成形型成形面(以下、型成形面という)にイオン注入によって表面改質を用いた例としては、例えば特開平3ー88731号公報記載の発明がある。
上記発明は、SiC等のSi系セラミックスにより形成された型成形面にイオンプレーティング法によりCr膜を生成する。その後、イオン注入によってNイオンを注入することによりSi酸化層,Si窒化層,Cr酸化物を含むCr窒化層からなる混合層を形成する。さらに、型基材側からCr−N膜,Cr−C膜の順でイオンビームスパッタ法により成膜する。この方法により、型成形面表面をCr−C膜とし、光学ガラス素材の離型性を得ている。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、前記各従来技術においては以下のような欠点があった。
すなわち、特開平5ー170459号公報記載の発明においては、成形面にイオンプレーティングの前処理として行われる洗浄が不十分であったりすると、その部分の被覆層と基材との接着強度が充分でなく、成形途中において被覆層の部分的脱落が生じることがあり、ガラスの型への張り付きや成形レンズの面精度不良を引き起こすことがある。
【0005】
また、特開平3ー88731号公報記載の発明においては、イオンビームスパッタ法によりCr−N膜およびCr−C膜を生成するための前処理である洗浄が不十分であると、やはりその部分の膜と基材の密着強度が不十分であるため、部分的な膜の脱落が起こることがある。
【0006】
請求項1〜4の課題は、型成形面の機能性向上処理を容易にし、ガラスとの離型性に優れ且つその機能性を長期間維持できる光学素子成形型を提供することにある。
【0007】
【課題を解決するための手段】
請求項1の発明は、まず型成形面上にイオン注入法を用いてCrとCを注入する。注入されたイオンは型基材を構成する元素と衝突し、減速されて成形面表面近傍で停止する。連続的に注入することで型成形面表面はCrおよびCを多く含む層へと変化していく。注入量および注入するイオンのエネルギーを制御することにより、成形面表面はCr:C=3:2の組成比になる。
【0008】
以上のようにCrおよびCのイオンを注入すると、加速されたイオンが型基材の成形面表面に衝突し、基材内部に侵入する。この時、注入するCrイオン・Cイオンの量およびイオンの持つエネルギーを調整することによって、型基材の成形面表面付近をCr:C=3:2の組成にすることが出来る。また、イオンを注入する際に成形面表面へ付着物が残留していた場合、衝突するイオンによってその付着物は弾かれて成形面表面から排除される。
【0009】
加熱軟化したガラス素材を上記成形型で押圧成形すると、ガラス素材は型の成形面によって成形される。成形完了後、成形されたガラス素材(以下、成形品という)を離型させるが、その際、型成形面表面のCr−C層がガラスに対して離型性がよいので、成形品を簡単に離型できる。また、型成形面表面のCr−C層は型基材との境目がないため、離型時の引き剥がし力によって脱落することはない。
【0010】
請求項2の発明は、型成形面上にCrおよびCのうちのどちらか一方を成膜した後、他方をイオン化して注入する。注入するイオンは先に成膜した層の厚さよりも深く入り込むように加速電圧を調整する。注入したイオンによる衝突エネルギーで、先に成膜された層の原子は弾きとばされ、型基材内部へと移動する。この現象により、型基材と先に成膜された層の境界面が消え、組成が連続的に変化する境界領域となる。注入するイオンの量およびエネルギーを制御することにより、型成形面の組成がCr:C=3:2となる。
【0011】
以上のようにCrおよびCのうちのどちらか一方を型基材の成形面に成膜すると、成膜層と型基材とは性質の異なる素材が面状の界面を境に接合された形となっている。そこへ他方の元素をイオン化してイオン注入法により表面から注入すると、注入されたイオンと型基材および成膜層の原子とがぶつかり合い、その衝撃で原子が移動し、成膜層を形成している原子が型基材との界面を越えて型基材中へ侵入する。
【0012】
その結果、明確な界面は無くなり、型基材と成膜層とは組成の違いはあるものの、その境目は連続的に組成が変化する一体型の型となる。成膜層を成膜するにあたっての前処理として行う洗浄で、型基材成形面に付着物の残留等が僅かに残っていても、注入されたイオンによる界面のミキシングによって、その不良部分も型基材と一体化となるため、強度上の問題は無くなる。
【0013】
加熱軟化したガラス素材を上記成形型で押圧成形すると、ガラス素材は型の成形面によって成形される。成形完了後に成形品を離型させるが、その際、型成形面表面のCr−C層がガラスに対して離型性がよいので、成形品を簡単に離型できる。また、型成形面表面のCr−C層も完全にCr:C=3:2となっているため、請求項1と比べて更に成形品の離型性が良い。さらに、型基材とCr−C層との境界面がないため、離型時の引き剥がし力によって脱落することはない。
【0014】
請求項3の発明は、型成形面上にCrおよびCのうちのどちらか一方を成膜しながら他方をイオン化して注入する。型成形面上に付着した成膜層の原子は、付着後、注入原子に衝突されて型基材内部へと移動する。これを継続的に起こすことによって成膜層と型基材との境界面が無くなり、組成が連続的に変化する境界領域となる。注入するイオンの量およびエネルギーを制御することにより、成形面の組成がCr:C=3:2となる。
【0015】
以上のように、CrおよびCのうちのどちらか一方を型基材の成形面上に成膜しながら他方をイオン化してイオン注入法で成形面に注入する。この時、成膜層の原子は成膜の進行と同時に注入されたイオンの衝突によって型基材中へ侵入するため、成膜層と型基材との界面が無くなる。また、表面処理の前処理として行う洗浄で僅かな付着物の残留が発生しても、注入イオンの衝突エネルギーによる界面のミキシングで成膜層と型基材とが一体化するため、強度上の問題は無くなる。
【0016】
加熱軟化したガラス素材を上記成形型で押圧成形すると、ガラス素材は型の成形面によって成形される。成形完了後に成形品を離型させるが、その際、型成形面表面のCr−C層がガラスに対して離型性がよいので、成形品を簡単に離型できる。また、型成形面表面のCr−C層も完全にCr:C=3:2となっており、且つCr−C層と型基材との境界面はよくミキシングされているので、離型時の引き剥がし力に対して非常に強く、離型力によって脱落することはない。
【0017】
【発明の実施の形態】
(実施例1)
図1〜図4は本実施例を示し、図1はイオン注入装置の概略構成図、図2は断面図、図3は部分断面図、図4は成形装置の概略構成図である。
図1に示すように、本実施例で用いたイオン注入装置は、原料ガス1または原料固体2をオーブン3で加熱してガス化する。このガス化したイオン源をフィラメント7でイオン化して陽極4で加速器10へ導き、加速器10で電圧をかけて加速する。その後、マグネット8で進行方向を変え、Y−スキャナー11およびX−スキャナー12で進行方向を微調節してターゲット13上の型基材14へ衝突させる構成である。
【0018】
次に、図2および図3に示すように、予め成形面を所望形状に研削・研磨したSiC型基材14の成形面17にCVD法により結晶軸を合わせた多結晶SiC層15を約30μmの厚さで設け、SiC層表面18を研磨して鏡面とした。この型成形面17上のSiC層表面18に、前記したイオン注入装置を用い、注入イオン16としてCrイオンを加速電圧50keV,注入量1×1018ion/cm2 で、Cイオンを加速電圧15keV,注入量2×1017ion/cm2 でオン注入し、Cr−C層27の形成された成形型22を得る。
【0019】
成形型22に形成されたCr−C層27は、SiC層表面18から約40nmの深さがあり、組成はほぼCr:C=3:2の単層である。そこから約80nmの深さまでの範囲でCr−CとSiCとの組成が傾斜的に入れ替わっている。また、イオンを注入する際、成形面表面に付着物が残留していた場合でも、衝突するイオンによってその付着物は弾かれて成形面表面から排除される。
【0020】
次に、図4に示すような成形装置を用いて成形を行った。
この成形装置の成形型には本実施例で得られた一対の成形型22が使用されている。一対の成形型22の内、上型22aは成形室25の内部上面に固定され、下型22bは主軸23上に固定されている。主軸23は図示省略した動作を制御されている駆動源により上下動自在に支持されている。
図4中の左右方向へ移動自在な搬送アーム21に載置されたプリフォーム20は加熱装置24内に搬送される。プリフォーム20は加熱装置24内で図示省略した制御装置にて出力を調整されたヒーター19により加熱軟化された後、搬送アーム21により一対の成形型22a,22b間に搬送される。
【0021】
加熱軟化されたプリフォーム20を一対の成形型22a,22bで押圧成形すると、プリフォーム20は成形型22のSiC成形面16のCr−C層27によって成形され、形状が作られる。成形が完了すると、成形品26を離型させるが、その際、Cr−C層27はガラスに対して離型性が良いので、成形品を簡単に離型できる。さらに、Cr−C層27は、SiC層15との境目が無く、離型時の引き剥がし力によって脱落することがない。
硝材にショットSF11を用いて成形を行った結果、10000回成形してもガラスの張り付きが無く、かつ型成形面の粗れも殆ど起こらなかった。
【0022】
本実施例によれば、ガラスの張り付きが起こらず、かつ型成形面が粗れず、高精度な光学素子を量産することができる。
【0023】
(実施例2)
図5は本実施例で用いる装置を示す部分断面図である。
本実施例は、前記実施例1における型成形面へのイオン注入層作成法および使用するイオン注入装置の一部が異なるものであり、他の構成は同一な構成部分から成るもので、同一構成部分には同一番号を付してその説明を省略する。
本実施例では図2および図3を併用して説明する。
【0024】
本実施例で用いる装置は、成形型の表面処理をするためのものであり、図1に示した装置にIBSターゲット28とイオンガン29とを設け、イオンビームスパッタ(IBS)法で型基材14の表面をコーティングするものである。
【0025】
予め成形面を所望形状に研削・研磨したSiC型基材14の成形面へCVD法により、結晶軸を合わせた多結晶SiC層15を約30μmの厚さで設け、その表面を研磨して鏡面とした。この型基材14を図5に示す装置内へ挿入し、型成形面にイオンビームスパッタ法によりアノード電流0.3A,加速電圧700kV,Arガスの圧力1×10-4Torr、基盤温度400℃でCr層を3μmの厚さに設ける。そして、装置内を1×10-6Torr以下まで減圧し、Cイオンを加速電圧15keV,注入量2×1017ion/cm2 でイオン注入してCr−C層27を形成する。
【0026】
形成されたCr−C層27は約40nmの深さがあり、組成はほぼCr:C=3:2の単層である。そこから約80nmの深さまでの範囲でCr−CとSiCとの組成が傾斜的に入れ替わっている。初めは成膜層と型基材とが、性質の異なる素材が面状の界面を境に接合された形となっているが、そこへ他方の元素をイオン化してイオン注入法により表面から注入すると、注入されたイオンと型基材・成膜層の原子とがぶつかり合い、その衝撃で原子が移動し、成膜層を形成している原子が型基材との界面を越えて型基材中へ侵入する。その結果、明確な界面はなくなり、型基材と成膜層とは組成の違いがあるもののその境目がない複合体となる。
他の作用は前記実施例1と同様であり、その説明を省略する。
【0027】
本実施例によれば、前記実施例1の効果に加え、型表面のCr−C層も完全にCr:C=3:2の単層となっているため、成形品の離型性が更に良くなる。また、型基材とCr−C層との境界面がないため、離型時の引き剥がし力によって脱落することがない。
【0028】
(実施例3)
本実施例は、前記実施例2における型成形面へのイオン注入層作成法が異なるもので、他の構成は同一な構成部分から成るものであり、その説明を省略する。
本実施例では図5を用いて説明する。
【0029】
予め所望の形状に研削・研磨したSiC型基材の成形面にCr層を成膜しつつCイオンを注入する。
Cr層の成膜は、図5中のイオンガン29を用いてアノード電流0.4A,加速電圧1kV,Arの圧力1×10-4Torr,基盤温度500℃で行った。
Cイオンの注入は、加速電圧15keV,注入量2×1017ion/cm2 で行った。
【0030】
Crの成膜層が形成され始まると同時にCイオンの注入を始めると、型基材の成形面表面に付着したCr原子にCイオンが衝突し、Cr原子・Cイオンが型基材中へ打ち込まれる。そのため、成膜層と型基材との界面はCイオンによってミキシングされ、界面のない複合体となる。表面処理を行う前処理の洗浄時に僅かな付着物が残留していたとしても、ミキシングによって原子が混ぜ合わされるので強度的な問題はなくなる。
他の作用は前記実施例2と同様であり、その説明を省略する。
【0031】
本実施例によれば、前記実施例2の効果に加え、Cr−C層とSiC層との境界領域を深さ方向により大きく形成することができる。因って、強度および耐久性をより高くすることができ、型成形面の面粗れが起こらない。
【0032】
【発明の効果】
請求項1の効果は、ガラスの張り付きが起こらず、かつ型成形面があれず、高精度な光学素子を量産することができる。請求項2の効果は、請求項1の効果に加え、成形された光学素子の成形型からの離型性が更に良くなる。請求項3の効果は、請求項2の効果に加え、型成形面の面粗れが起こらない。請求項4の効果は、請求項1〜3のそれぞれの効果に加え、更に成形品の離型性が良くなる。
【図面の簡単な説明】
【図1】実施例1を示す概略構成図である。
【図2】実施例1を示す断面図である。
【図3】実施例1を示す部分断面図である。
【図4】実施例1を示す概略構成図である。
【図5】実施例2を示す部分断面図である。
【符号の説明】
14 型基材
15 SiC層
16 注入イオン
17 型成形面
18 SiC層表面
19 ヒーター
20 プリフォーム
21 搬送アーム
22 成形型
23 主軸
24 加熱装置
25 成形室
26 成形品
27 Cr−C層
Claims (4)
- ガラスよりなる光学素子を押圧成形する際に用いる光学素子成形型において、イオン注入法により型基材の成形面にCrおよびCを注入し、Cr−C層を形成したことを特徴とする光学素子成形型。
- ガラスよりなる光学素子を押圧成形する際に用いる光学素子成形型において、型基材の成形面にCおよびCrのうちのどちらか一方を成膜した後、該成膜層に他方をイオン注入法により注入し、Cr−C層を形成したことを特徴とする光学素子成形型。
- ガラスよりなる光学素子を押圧成形する際に用いる光学素子成形型において、型基材の成形面にCおよびCrのうちのどちらか一方を成膜しつつ、他方をイオン注入法により注入し、Cr−C層を形成したことを特徴とする光学素子成形型。
- 前記Cr−C層が、Cr:C=3:2の組成であることを特徴とする請求項1〜3のいずれか一項に記載の光学素子成形型。
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