JPH02265005A - 薄膜磁気ヘッド - Google Patents

薄膜磁気ヘッド

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JPH02265005A
JPH02265005A JP8484189A JP8484189A JPH02265005A JP H02265005 A JPH02265005 A JP H02265005A JP 8484189 A JP8484189 A JP 8484189A JP 8484189 A JP8484189 A JP 8484189A JP H02265005 A JPH02265005 A JP H02265005A
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JP
Japan
Prior art keywords
coil
layer
magnetic
thin film
magnetic head
Prior art date
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Pending
Application number
JP8484189A
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English (en)
Inventor
Nobuo Arai
信夫 新井
Masaaki Kurebayashi
榑林 正明
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Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、薄膜磁気ヘッドに係り、特に使用周波数の高
い高画質V TR、デジタル記録V ’I’ R等の高
密度記録再生を行うのに適した、薄膜コイルと薄膜磁気
コアを有する薄膜磁気ヘッドに関する。
〔従来の技術〕
磁気記録の高密度化に伴い、金属磁性材料のセンダスト
、アモルファス、パーマロイ等の高飽和磁束密度磁性金
属をコア材料とする薄膜磁気ヘッドの開発が進められて
いる。このような薄膜磁気ヘッドにおいては、高密度記
録にともない、記録及び再生効率の向上を目的とした磁
路長短縮のため、#膜形成技術を用いたバターニング等
により上記のような薄膜磁気ヘッドを形成する方法が用
いられている。
従来、薄膜形成技術により磁気コアやコイル等を形成す
るヘッドとしては、特開昭55−84020号公報に示
すように、コイルは1層のみで、コイル断面積が磁気ギ
ャップを離れるに従って大きくなっているものく第1例
)や、特開昭55=64623号公報に示ずように、多
層のコイルを具備したもの(第2例)が知られている。
〔発明が解決しようとする課題〕
上記従来技術の第1例では、コイルが1層のみであるた
め、磁路長を小さくするためにはコイルの巻線数を減ら
さなければならない。
一方、上記従来技術の第2例のものでは、コイルが多層
としであることから、磁路長を小さくした時にもコイル
の巻線数は、ある程度の数が得られる。しかし、薄膜コ
イルは、該コイルの断面積が小さいため、コイル巻線数
を増すとコイル導体抵抗が増加してしまい、再生アンプ
に接続した場合にインピーダンスノイズが増加し、S/
Nが劣化してしまう。
コイル巻線数を増し、コイル導体抵抗を小さくするには
、上記従来技術の第2例の多層コイルと第1例のコイル
断面積及びコイル導体幅を磁気ギャップから離れる程大
きくする技術を組合せることにより達成できると考えら
れる。
上記従来技術の組合せでは、多層化したコイルの導体抵
抗を小さくする目的で、磁路長とは無関係な位置でのコ
イル幅を大きくすることが知られている。
しかしながら、前述のような薄膜磁気ヘッドでは、使用
周波数が高くなると上下の位置関係にある、幅を拡げた
コイル間で浮遊容量を持つため、記録及び再生時の効率
が劣化してしまう。
以上のように従来技術では、使用周波数が高い場合の記
録及び再生効率劣化に対する配慮がされていなかった。
本発明の目的は、使用周波数が高い場合でも、記録及び
再生効率の劣化のない薄膜磁気ヘッドを提供することに
ある。
〔課題を解決するための手段〕
」二記目的は、複数層のコイルを有する薄膜磁気ヘッド
において、上下の位置関係にある多層化したコイルの上
下間距離を、上部コア、下部コア及び磁気ギャップで構
成される磁路内でd、l記磁気路内以外をd2とすると
d 1< d 2となるようにコイルを多層構成するこ
とにより達成される。
〔作 用〕
複数層のコイルを有する薄膜磁気ヘッドにおいて、上下
の位置関係にある多層構成したコイルの上下間の距離を
、磁路内でd、、 6J&路内以外をd2・ 3 ・ とするとd 1 < d zとなるようにコイルを多層
構成することにより、磁路長には無関係な磁路内以外の
多層構成した上下コイル間の距離を大きくすることがで
きるため、該上下コイル間の浮遊容量が低減できる。こ
のため使用周波数が高くなっても、上記コイル間浮遊容
量によるロスが低減するので、記録及び再生効率が劣化
することがなくなる。
〔実施例〕
以下、本発明の実施例を第1図〜第7図により説明する
。第1図は、本発明の第1の実施例である薄膜磁気ヘッ
ドの断面図を示した図、第7図はその要部斜視図である
。第1図において、1は上部コア、2は下部コア、3は
磁気ギャップ、4は非磁性基板、5aは上部コア1と下
部コア2及び磁気ギャップ3で構成される磁路内に配置
した2層目コイルのフロント部、6aは前記磁路内に配
置した1層目コイルのフロント部、5bは2層目コイル
のリア部、6bは1層目コイルのリア部をそれぞれ示し
ている。
また、図中の距離d1は、前記磁路内に配置し・ 4 た2層目コイルのフロント部5aと1層目コイルのフロ
ント部6aの間隔を、距離d2は、上記2層目コイルの
リア部5bと1層目コイルのリア部6bの間隔をそれぞ
れ示したものである。
また、第6図に従来技術を用いて製作した薄膜磁気ヘッ
ドの断面図を示した。
第6図に示した従来技術では、上部コア1と下部コア2
及び磁気ギャップ3で構成される磁路内に配置した2層
目コイルのフロント部5aと該磁路内に配置した1層目
コイルのフロント部6aとの距離d1は、2層目コイル
のリア部5bと1層目コイルのリア部6bとの距離d2
が等しい構成となっている。
一般に面積Aの平行な電極間の距離をd、真空での誘電
率をε0.比誘電率をε、上記電極間の容量をCとする
と、(1)式のような関係があることが知られている。
ε0° ε + A C=              ・・・・・・(1)
ここで、第6図の1層目及び2層目のリアコイルの対向
している部分の総面積を3.OX 100−7(”)1
層目及び2層目のコイル間の距離をd1d2=iX1.
O−買m)、真空中の誘電率を8.9×10−”(F−
m−’)、1層[1及び2層目のコイル間の絶縁物をS
−102又は、AQ201等として、その比誘電率を5
とすると、1層目及び2層[14のコイル間の浮遊容量
は約13pFとなり、高周波側で記録及び再生時の効率
劣化の原因となる。
しかし、本発明による第1−図のような構成とすること
で上記浮遊容量は激減する。
すなわち、2層「1コイルのフロン1へ部5aと1層1
4コイルのフロン1一部6 aとの間隔d、は前記の従
来技術と同様の間隔(ここでは1μmとした。)とし、
浮遊容量の大きな、磁路内以外、特に、1層「1及び2
層目のコイルのリア部の距離d2を大きくすることによ
り、上記浮遊容量を小さくすることができる。本実施例
では、該距離d、を6μmとすることにより、該浮遊容
量を約2pFと低減することができた。
気ヘッドの断面図である。
磁路内の1層目と2層目コイルの距離d1及びd、ば、
前記本発明の第1の実施例と同じ、d1=i μm、d
、=6 μmであるが、1層目及び2層目コイルリア部
の対向面積を減らす目的で、2層目のコイルのリア部5
aが14層目コイルのリア部6aの真−Lに位置しない
ような構成としたもので、上記のようなコイル多層構成
とすることで、】−層11及び2層目コイルリア部の対
向している部分の総面積は、従来技術及び第]実施例の
場合の半分、すなわち1゜5 x 10””(rn2)
とすることができる。
このため1層目及び2層目コイルリア部での浮遊容量は
、約11)Fとすることができた。
なお、本発明の第1の実施例及び第2実施例では、2層
構造のコイルのみを示したが、2層以上のコイル構造で
あっても本発明が有効なことは明らかである。
また、コイル巻数も、]1層目4ターン、2層目3ター
ンの7ターン構成としたが、特にこれに限・ 7 第:3図は、本発明の第33の実施例の薄膜磁気ヘラ1
くの断面図を示したものである。
磁路内の1層l−1と2層11のコイル間の距離d。
は1μmと前記実施例と同じであるが、2層目コイルリ
ア部5bのなす平面と1−層目コイルリア部6bのなず
平面とが角度Oをもつように各コイルが配置されている
もので、基板面を基準面(0’)とし、角度Oは、2層
目コイル側に傾けたものである。ここでは、]−層層目
コイルリア部bのなす平面と2層[]コイルリア部5b
のなず角Oを1−度と設定した。このような構成とする
ことで、」二部浮遊容量を約3 P l?どすることが
できた。
なお、コイルリア部5bと61〕が作る平面のかず角度
Oを本実施例では1度としたが、特にこの角度に限定さ
れるものではない。
また、コイルリア部51〕及び61)が作る面を本実施
例では平面としたが、曲面であっても、同様の効果が得
られることは明らかである。
第4図は本発明の第4の実施例を示したもので、本実施
例では、基板4のコイルリア部分に深さ3μm程度の溝
を設けることにより、2層目コイルリア部5 bど]層
目コイルリア部6bとの間隔を6μmとしたものである
」二部のようなコイルの構成とすることにより、該コイ
ル間の浮遊容量を2pFとすることができた。なお、本
実施例では、溝の深さを3μmとしたが、溝の深さは、
特にこの長さに限定されるものではない。
第5図は、本発明の第5の実施例を示したもので、本発
明の薄膜磁気ヘッドの断面図を示したものである。
本実施例では、コイルリア部が配置される基板部に傾斜
部を設け、2層目コイルリア部5bのなす平面と1−層
目コイルリア部6bのなす平面が角度Oをもつようにコ
イルを配置したものである。
本実施例では上記角度θを1度に設定した。上記のよう
なコイルの配置構成とすることにより】層目及び2層目
コイルリア部分での浮遊容量を約なお、基板部に設けた
傾斜部を本実施例では平面としたが曲面であっても同様
の効果が得られることは明らかである。
また、上記平面どうしがなす角度θを本実施例では1度
としたが、特にこの角度に限定されるものではない。
〔発明の効果〕
以上のように、本発明によれば、多層コイルの薄膜磁気
ヘッドにおいて、コイル幅の広いコイルリア部分での浮
遊容量が低減でき、高周波で、記録及び再生効率の劣化
のない薄膜磁気ヘッドを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の第1の実施例である薄膜磁気ヘッドの
断面図、第2図は本発明の第2の実施例である薄膜磁気
ヘッドの断面図、第3図は本発明の第3の実施例である
簿膜磁気ヘッドの断面図、第4図は本発明の第4の実施
例である薄膜磁気ヘッドの断面図、第5図は本発明の第
5の実施例である薄膜磁気ヘッドの断面図、第6図は、
従来技術の薄膜磁気ヘッドの断面図、第7図は本発明の
説明に供する薄膜磁気ヘラ1(の斜視図である。 1−・・・上記コア、2・・・下部コア、3・・・磁気
ギャップ、4・・・基板、5a・・2層目コイルのフロ
ン1〜部、5b・・2層目コイルのリア部、6a・・・
] Jffl l−1コイルのフロン1一部、6b・・
1層目コイルのリア部。 .12

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、基板上に下部磁性層、複数の導体コイル層、非磁性
    絶縁層、上部磁性層を配してなる薄膜磁気ヘッドにおい
    て、上下の位置関係にある多層構成したコイルの上下間
    の距離を、上部及び下部磁性層で構成される磁路内でd
    _1、磁路内以外でd_2とすると、d_1<d_2と
    なるようにコイルを多層構成したことを特徴とする薄膜
    磁気ヘッド。 2、多層構成したコイルで、下層コイルの中真位置と下
    層コイルの中真位置とが一致しないことを特徴とする請
    求項1記載の薄膜磁気ヘッド。
JP8484189A 1989-04-05 1989-04-05 薄膜磁気ヘッド Pending JPH02265005A (ja)

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