JPH02256635A - フェニルビシクロヘキサン誘導体 - Google Patents
フェニルビシクロヘキサン誘導体Info
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- JPH02256635A JPH02256635A JP1234685A JP23468589A JPH02256635A JP H02256635 A JPH02256635 A JP H02256635A JP 1234685 A JP1234685 A JP 1234685A JP 23468589 A JP23468589 A JP 23468589A JP H02256635 A JPH02256635 A JP H02256635A
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Landscapes
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- Liquid Crystal Substances (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、電気光学的表示材料として有用なフェニルビ
シクロヘキサン誘導体に関する。
シクロヘキサン誘導体に関する。
液晶表示セルの代表的なものにジー・エイチ・バイルマ
イヤー(G、H,Heilmeier )等(Appl
。
イヤー(G、H,Heilmeier )等(Appl
。
Phys、Letters、 、ll 、 46 (1
968))によって提案された動的散乱効果型セル(ダ
イナミック・スキャッタリング・モード・セル)または
エム・シャツ) (M、 5chadt)等〔^pp1
.Phya、Letters+ 」L*127 (19
71))によって提案された電界効果型セル(フィール
ド・エフェクト・モード・セル)またはジー・エイチ・
バイルマイヤー((1;、 H。
968))によって提案された動的散乱効果型セル(ダ
イナミック・スキャッタリング・モード・セル)または
エム・シャツ) (M、 5chadt)等〔^pp1
.Phya、Letters+ 」L*127 (19
71))によって提案された電界効果型セル(フィール
ド・エフェクト・モード・セル)またはジー・エイチ・
バイルマイヤー((1;、 H。
Heilmeier )等(Appl、Phys、Le
tters、 」L、 91(196B) )によって
提案されたゲスト・ホスト型セル等がある。
tters、 」L、 91(196B) )によって
提案されたゲスト・ホスト型セル等がある。
これらの液晶表示セルに用いられる液晶材料には種々の
特性が要求されるが、室温を含む広い温度範囲でネマチ
ック相を有することは各種表示セルに共通して要求され
ている重要な特性である。
特性が要求されるが、室温を含む広い温度範囲でネマチ
ック相を有することは各種表示セルに共通して要求され
ている重要な特性である。
このような特性を有する実用可能な液晶材料の多くは、
通常、室温付近にネマチック相を有する化合物と室温よ
り高い温度領域にネマチック相を有する化合物から成る
数種又はそれ以上の成分を混合することによって調製さ
れる。現在実用的に使用される上記の如き混合液晶の多
(は、少なくとも一30℃〜+65℃の全温度範囲に亘
ってネマチック相を有することが要求されているが液晶
表示セルの応用製品の多様化に伴ない、ネマチック液晶
温度範囲を更に高温側に拡張した液晶材料が要望されて
おり、このため、最近では特にネマチック相−等方性液
体相転移温度(N−I点)の高いネマチック液晶化合物
が必要とされている。
通常、室温付近にネマチック相を有する化合物と室温よ
り高い温度領域にネマチック相を有する化合物から成る
数種又はそれ以上の成分を混合することによって調製さ
れる。現在実用的に使用される上記の如き混合液晶の多
(は、少なくとも一30℃〜+65℃の全温度範囲に亘
ってネマチック相を有することが要求されているが液晶
表示セルの応用製品の多様化に伴ない、ネマチック液晶
温度範囲を更に高温側に拡張した液晶材料が要望されて
おり、このため、最近では特にネマチック相−等方性液
体相転移温度(N−I点)の高いネマチック液晶化合物
が必要とされている。
さらにG 、 Bauerによって、Mob Crys
t 、 Liq。
t 、 Liq。
Cryst、JLL、 45(1981)に報告されて
いるように、セル外観を損う原因となるセル表面での干
渉縞の発生を防止するために、セルに充填される液晶材
料の屈折率の異方性(Δn)とセルにおける液晶層の厚
さ(d)μ−の積を成る特定の値に設定する必要がある
。実用的に使用される液晶表示セルではΔn−dの値が
0.5.1.0.1.6又は2.2のいずれかに設定さ
れている0通常、Δn−dの値を0、5に設定した場合
、視角特性が良くなるという特徴があり、Δn−dの値
を1.0,1.6又は2.2に設定した場合、正面から
のコントラストが良くなるという特徴がある。従って、
どの方向からも見やすい視角特性を重視する液晶表示セ
ルの場合は、Δn−dの値を0.5に設定し、特に正面
からのコントラストを重視する液晶表示セルの場合は、
Δn−dの値を1.0.1.6又は2.2に設定するの
が普通である。
いるように、セル外観を損う原因となるセル表面での干
渉縞の発生を防止するために、セルに充填される液晶材
料の屈折率の異方性(Δn)とセルにおける液晶層の厚
さ(d)μ−の積を成る特定の値に設定する必要がある
。実用的に使用される液晶表示セルではΔn−dの値が
0.5.1.0.1.6又は2.2のいずれかに設定さ
れている0通常、Δn−dの値を0、5に設定した場合
、視角特性が良くなるという特徴があり、Δn−dの値
を1.0,1.6又は2.2に設定した場合、正面から
のコントラストが良くなるという特徴がある。従って、
どの方向からも見やすい視角特性を重視する液晶表示セ
ルの場合は、Δn−dの値を0.5に設定し、特に正面
からのコントラストを重視する液晶表示セルの場合は、
Δn−dの値を1.0.1.6又は2.2に設定するの
が普通である。
一方、実用的に使用されている液晶表示セルにおける液
晶層の厚さは、通常、6〜10μ−の限定された範囲で
成る値に設定されるため、Δn・dの値を0.5に設定
する場合は、Δnの値の小さな液晶材料が必要となり、
Δn−dの値を1.0.1、6又は2.2に設定する場
合は、逆に、Δnの値の大きな液晶材料が必要となる。
晶層の厚さは、通常、6〜10μ−の限定された範囲で
成る値に設定されるため、Δn・dの値を0.5に設定
する場合は、Δnの値の小さな液晶材料が必要となり、
Δn−dの値を1.0.1、6又は2.2に設定する場
合は、逆に、Δnの値の大きな液晶材料が必要となる。
このように、液晶表示セルの表示特性に応じてΔnの値
が小さい液晶材料とΔnの値が大きい液晶材料が必要と
される。
が小さい液晶材料とΔnの値が大きい液晶材料が必要と
される。
通常N−1点の高いネマチック液晶化合物の中にはΔn
の値が小さいものが少なく、この両方の要求を満足する
液晶化合物を提供することが難しいとされている。
の値が小さいものが少なく、この両方の要求を満足する
液晶化合物を提供することが難しいとされている。
このような要求に応えるために、特開昭57−1653
28号公報には、4−置換ビシクロヘキシル4′−置換
ベンゼンの如き200℃前後にN−1点を有し、Δnの
小さい化合物が提案されている。
28号公報には、4−置換ビシクロヘキシル4′−置換
ベンゼンの如き200℃前後にN−1点を有し、Δnの
小さい化合物が提案されている。
しかしながら、これらの化合物は、実用的に汎用されて
いるネマチック混合液晶に対して溶解性が悪いという欠
点を有している。このため低温で結晶が析出し、あるい
はスメクチック相が現出するという好ましからざる性賞
を有している。
いるネマチック混合液晶に対して溶解性が悪いという欠
点を有している。このため低温で結晶が析出し、あるい
はスメクチック相が現出するという好ましからざる性賞
を有している。
本発明が解決しようとする課題は、高いN−1点を有し
、Δnが小さいという特徴をもち、かつ汎用されている
ネマチック混合液晶に対する溶解性に優れた新規な液晶
化合物を提供することにある。
、Δnが小さいという特徴をもち、かつ汎用されている
ネマチック混合液晶に対する溶解性に優れた新規な液晶
化合物を提供することにある。
本発明は上記課題を解決するために
一般式
〔式中、R1は炭素原子数1〜10の直鎖状アルキル基
を表わし、R2は炭素原子数1〜7の直鎖状アルキル基
を表わし、nは1〜5を表わす。
を表わし、R2は炭素原子数1〜7の直鎖状アルキル基
を表わし、nは1〜5を表わす。
シクロヘキサン環は全てトランス配置である。〕で表わ
される化合物を提供する。
される化合物を提供する。
本発明に係る式(1,)の化合物は、次の製造方法に従
って製造することができる。
って製造することができる。
第2段階
↓
(上記反応式における、R’、R”、nは式(I)にお
けるR’R”、nと同様の意味をもつ。)第1段階−式
(II)の化合物をジメチルスルホキサイドの如き極性
溶媒中で、カリウム−1−ブトキサイドの如き強塩基の
存在下、式(III)のベンジルアルコールと室温上反
応させて、式(IV)の化合物を製造する。
けるR’R”、nと同様の意味をもつ。)第1段階−式
(II)の化合物をジメチルスルホキサイドの如き極性
溶媒中で、カリウム−1−ブトキサイドの如き強塩基の
存在下、式(III)のベンジルアルコールと室温上反
応させて、式(IV)の化合物を製造する。
第2段階−式(IV)の化合物を、無水テトラヒドロフ
ラン(以下、THFという。)中で金属マグネシウムと
1〜2時間反応させて、式(V)の化合物を製造する。
ラン(以下、THFという。)中で金属マグネシウムと
1〜2時間反応させて、式(V)の化合物を製造する。
第3段階−式(V)の化合物の溶液に、式(、VI)の
化合物の無水THF溶液を20〜25°Cで加えた後、
2時間反応させる。反応終了後、9%塩酸を加えた後、
通常の処理を施して、式(■)の化合物を製造する。
化合物の無水THF溶液を20〜25°Cで加えた後、
2時間反応させる。反応終了後、9%塩酸を加えた後、
通常の処理を施して、式(■)の化合物を製造する。
第4段階−式(■)の化合物をトルエンに溶解し、硫酸
水素カリウムを触媒量加え、5〜6時間除水しながら、
加熱還流する。
水素カリウムを触媒量加え、5〜6時間除水しながら、
加熱還流する。
反応混合物を冷却した後、溶媒層を飽和食塩水で水洗し
、乾燥した後、゛溶媒を減圧留去する。反応粗生成物を
エタノールの如きアルコール系溶媒から再結晶させて精
製して、式(■)の化合物を製造する。
、乾燥した後、゛溶媒を減圧留去する。反応粗生成物を
エタノールの如きアルコール系溶媒から再結晶させて精
製して、式(■)の化合物を製造する。
第5段階−式(■)の化合物をエタノールの如きアルコ
ール中で、ラネーニッケルを触媒として、接触還元させ
て、式(IX)の化合物を製造する。
ール中で、ラネーニッケルを触媒として、接触還元させ
て、式(IX)の化合物を製造する。
第6段階−式(IX)の化合物を無水THFに溶解し、
ナトリウムハイドライドを触媒として、ヨウ化アルキル
と反応させる。反応混合物に9%塩酸を加えて、過剰の
触媒を分解した後、トルエンで抽出、水洗、乾燥した後
、溶媒を減圧留去し、反応粗生成物をエタノールの如き
アルコール系溶媒から再結晶させて精製して、式(I)
の化合物を製造する。
ナトリウムハイドライドを触媒として、ヨウ化アルキル
と反応させる。反応混合物に9%塩酸を加えて、過剰の
触媒を分解した後、トルエンで抽出、水洗、乾燥した後
、溶媒を減圧留去し、反応粗生成物をエタノールの如き
アルコール系溶媒から再結晶させて精製して、式(I)
の化合物を製造する。
斯くして製造された本発明に係わる式(1)の化合物の
代表的なものの転移温度を第1表に掲げた。
代表的なものの転移温度を第1表に掲げた。
/
第1表
(表中、Cは結晶相、Nはネマチック相、Sはスメクチ
ック相、■は等方性液体相を夫々表わす。)本発明に係
わる式(I)の化合物は、極弱い正または弱い負の誘電
率の異方性を有するネマチック液晶化合物であり、従っ
て例えば、負又は弱い正の誘電率の異方性を有する他の
ネマチック液晶化合物との混合物の状態で動的光散乱型
表示セルの材料として使用することができ、また強い正
の誘電率の異方性を有する他のネマチック液晶化合物と
の混合物の状態で電界効果型表示セルの材料として使用
することができる。
ック相、■は等方性液体相を夫々表わす。)本発明に係
わる式(I)の化合物は、極弱い正または弱い負の誘電
率の異方性を有するネマチック液晶化合物であり、従っ
て例えば、負又は弱い正の誘電率の異方性を有する他の
ネマチック液晶化合物との混合物の状態で動的光散乱型
表示セルの材料として使用することができ、また強い正
の誘電率の異方性を有する他のネマチック液晶化合物と
の混合物の状態で電界効果型表示セルの材料として使用
することができる。
このように、式(I)の化合物と混合して使用すること
のできる好ましい代表例としては、例えば4−iff換
安息香酸4′−置換フェニルエステル、4−置換シクロ
ヘキサンカルボン酸4′−置換フェニルエステル、4−
置換シクロヘキサンカルボン酸4′−置換ビフェニルエ
ステル、4−(4−置換シクロヘキサンカルボニルオキ
シ)安息香酸4′−置換フェニルエステル、4−(4−
置換シクロヘキシル)安息香酸4′−置換フェニルエス
テル、4−(4−置換シクロヘキシル)安息香酸4’−
i1換シクロヘキシルエステル、4−を換4’−置換ビ
フェニル、4−置換フェニルー4′−置換シクロヘキサ
ン、4−置換41−置換ターフエニル、4装置IAビフ
ェニル4′−置換シクロヘキサン、2−(4−置換フェ
ニル)−5−置換ビリミジンなどを挙げることができる
。
のできる好ましい代表例としては、例えば4−iff換
安息香酸4′−置換フェニルエステル、4−置換シクロ
ヘキサンカルボン酸4′−置換フェニルエステル、4−
置換シクロヘキサンカルボン酸4′−置換ビフェニルエ
ステル、4−(4−置換シクロヘキサンカルボニルオキ
シ)安息香酸4′−置換フェニルエステル、4−(4−
置換シクロヘキシル)安息香酸4′−置換フェニルエス
テル、4−(4−置換シクロヘキシル)安息香酸4’−
i1換シクロヘキシルエステル、4−を換4’−置換ビ
フェニル、4−置換フェニルー4′−置換シクロヘキサ
ン、4−置換41−置換ターフエニル、4装置IAビフ
ェニル4′−置換シクロヘキサン、2−(4−置換フェ
ニル)−5−置換ビリミジンなどを挙げることができる
。
第2表は、(1)本発明に係わる式(I)の化合物と、
(2)式(1)の化合物の化学構造に類似しており、か
つ混合液晶のN−1点を上昇させる目的で使用されてい
る材料の中で特に優れた公知化合物(a)、(ロ)、(
C)の各々を、ネマチック液晶材料として現在母体液晶
として実用的に汎用されている混合液晶(A)に溶解し
、−20℃で結晶の析出もしくはスメクチック相の現出
のない最大重量%(すなわち−20℃での熔解性)を求
め、その時の混合液晶のN−1点とΔnの値を掲示した
ものである。
(2)式(1)の化合物の化学構造に類似しており、か
つ混合液晶のN−1点を上昇させる目的で使用されてい
る材料の中で特に優れた公知化合物(a)、(ロ)、(
C)の各々を、ネマチック液晶材料として現在母体液晶
として実用的に汎用されている混合液晶(A)に溶解し
、−20℃で結晶の析出もしくはスメクチック相の現出
のない最大重量%(すなわち−20℃での熔解性)を求
め、その時の混合液晶のN−1点とΔnの値を掲示した
ものである。
尚、混合液晶(A)は
及び
から成るものである。
また、化合物(a)は式
化合物(ロ)は式
(特開昭57−165328号)
化合物(C)は式
%式%)
(関東化学■の市販品)
で各々表わされるものである。化合物(姐(ロ)および
(ロ)の転移温度を第3表に示した。
(ロ)の転移温度を第3表に示した。
第2表の本発明の阻1の化合物と公知の類イ以化合物(
a)、 (b)、 (C)の対比から明らかなように、
本発明に係る式(1)の化合物は、実用的に汎用されて
いる混合液晶に溶解性が良好で容易にN−1点を高くせ
しめることができ、Δnをさほど上昇させないことが理
解できる。化合物(a)とΦ)は溶解性が悪く、N−1
点を実用的に上昇することができず、化合物(b)はN
−1点を上昇することはできるが、Δnを顕著に上昇し
てしまうことが理解できる。
a)、 (b)、 (C)の対比から明らかなように、
本発明に係る式(1)の化合物は、実用的に汎用されて
いる混合液晶に溶解性が良好で容易にN−1点を高くせ
しめることができ、Δnをさほど上昇させないことが理
解できる。化合物(a)とΦ)は溶解性が悪く、N−1
点を実用的に上昇することができず、化合物(b)はN
−1点を上昇することはできるが、Δnを顕著に上昇し
てしまうことが理解できる。
実施例1
式 nocu t@ の化合物10.8g(0,10
モル) をジメチルスルホキサイド150ni、に溶解させた後
、カリウム−も−ブトキサイド15 g (0,13モ
ル)を無水THF100mfに懸濁させた溶液を加え、
室温で30分間反応させた。次に、式Br+CHzBr
の化合物20g(0,080モル)を無水THF50n
+4!に溶解させた溶液を20分間で滴下した後、室温
で3時間攪拌した。反応終了後、氷水300mj2に反
応混合物を加え、酢酸エチル200mfで2回抽出し、
水洗、乾燥した後、溶媒を減圧留去し、得られた粗生成
物をエタノールから再結晶させて精製して、下記化合物
18g(0,066モル)を得た。
モル) をジメチルスルホキサイド150ni、に溶解させた後
、カリウム−も−ブトキサイド15 g (0,13モ
ル)を無水THF100mfに懸濁させた溶液を加え、
室温で30分間反応させた。次に、式Br+CHzBr
の化合物20g(0,080モル)を無水THF50n
+4!に溶解させた溶液を20分間で滴下した後、室温
で3時間攪拌した。反応終了後、氷水300mj2に反
応混合物を加え、酢酸エチル200mfで2回抽出し、
水洗、乾燥した後、溶媒を減圧留去し、得られた粗生成
物をエタノールから再結晶させて精製して、下記化合物
18g(0,066モル)を得た。
次に、金属マグネシウム0.9g(0,037グラム原
子)を無水THF10mfに加え、上記化合物8.7
g (0,033モル)を無水THF20 麟lに溶解
させた溶液を10分間かけて滴下した後、室温で2時間
反応させて、下記化合物を含有する反応液を得た。
子)を無水THF10mfに加え、上記化合物8.7
g (0,033モル)を無水THF20 麟lに溶解
させた溶液を10分間かけて滴下した後、室温で2時間
反応させて、下記化合物を含有する反応液を得た。
次に、式n−CJ7(HΣ−CとOの化合物4.5g(
0,020モル)を無水THF20mfに溶解させた溶
液を、上記反応液に10分間かけて滴下し、その後、2
時間室温で反応させた0反応終了後、反応混合物を9%
塩酸100mAに加え、トルエンで抽出、水洗、乾燥し
た後、溶媒は減圧留去して、下記化合物を得た。
0,020モル)を無水THF20mfに溶解させた溶
液を、上記反応液に10分間かけて滴下し、その後、2
時間室温で反応させた0反応終了後、反応混合物を9%
塩酸100mAに加え、トルエンで抽出、水洗、乾燥し
た後、溶媒は減圧留去して、下記化合物を得た。
H
上記化合物をトルエン200mfに溶解し、p−トルエ
ンスルホン酸0.5gを加え、除水装置を用いて除水し
ながら3時間加熱還流させた0反応終了後、有機層を2
回水洗、乾燥後、溶媒を減圧留去し、残渣をエタノール
から再結晶させて精製して、下記化合物6.7g(0,
017モル)を得た。
ンスルホン酸0.5gを加え、除水装置を用いて除水し
ながら3時間加熱還流させた0反応終了後、有機層を2
回水洗、乾燥後、溶媒を減圧留去し、残渣をエタノール
から再結晶させて精製して、下記化合物6.7g(0,
017モル)を得た。
上記化合物6.7 g (0,017モル)をエタノー
ル150a+fに溶解させ、ラネーニッケルを触媒とし
て水素圧5 kg/dで4時間接触還元させた。
ル150a+fに溶解させ、ラネーニッケルを触媒とし
て水素圧5 kg/dで4時間接触還元させた。
触媒を除去後、溶媒を減圧留去して得られた残渣をメタ
ノールから再結晶させて精製して、下記化合物3.2
g (0,010モル)を得た。
ノールから再結晶させて精製して、下記化合物3.2
g (0,010モル)を得た。
上記化合物2g(0,0064モル)をジメチルスルホ
キサイド30+++j!に溶解させた溶液に、カリウム
−t−ブトキサイド0.93g(0,0083モル)を
加え、室温で30分間攪拌した後、ヨウ化メチルIg(
0,0070モル)を加えて、室温で2時間反応させた
0反応終了後、反応液に水50鵬lを加え、酢酸エチル
50sj!で2回抽出した後、水洗、乾燥後、溶媒を減
圧留去して得られた残渣をエタノールから再結晶させて
精製して、下記化合物1.5 g (0,0045モル
)を得た。
キサイド30+++j!に溶解させた溶液に、カリウム
−t−ブトキサイド0.93g(0,0083モル)を
加え、室温で30分間攪拌した後、ヨウ化メチルIg(
0,0070モル)を加えて、室温で2時間反応させた
0反応終了後、反応液に水50鵬lを加え、酢酸エチル
50sj!で2回抽出した後、水洗、乾燥後、溶媒を減
圧留去して得られた残渣をエタノールから再結晶させて
精製して、下記化合物1.5 g (0,0045モル
)を得た。
るネマチック混合液晶に溶解性が良い。
従って、本発明に係わる式(1)の化合物を、実用的に
汎用されているネマチック混合液晶に混合することによ
って、N−1点の高い、Δnの比較的小さい実用液晶を
作製することができる。
汎用されているネマチック混合液晶に混合することによ
って、N−1点の高い、Δnの比較的小さい実用液晶を
作製することができる。
本発明に係わる式(I)の化合物は、高温駆動特性及び
視角特性に優れた液晶表示セルの材料として有用である
。
視角特性に優れた液晶表示セルの材料として有用である
。
代理人 弁理士 高 橋 勝 利
転移温度 39°C(C→5)159°C(
C,−3) 167°C(N、−1) 〔発明の効果〕
C,−3) 167°C(N、−1) 〔発明の効果〕
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ 〔式中、R^1は炭素原子数1〜10の直鎖状アルキル
基を表わし、R^2は炭素原子数1〜7の直鎖状アルキ
ル基を表わし、nは1〜5を表わす。 シクロヘキサン環は全てトランス配置である。〕で表わ
される化合物。 2、nが1である請求項1記載の化合物。 3、R^1がn−プロピル基であり、R^2がメチル基
である請求項2記載の化合物。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1234685A JPH02256635A (ja) | 1988-12-14 | 1989-09-12 | フェニルビシクロヘキサン誘導体 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP31423988 | 1988-12-14 | ||
JP63-314239 | 1988-12-14 | ||
JP1234685A JPH02256635A (ja) | 1988-12-14 | 1989-09-12 | フェニルビシクロヘキサン誘導体 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02256635A true JPH02256635A (ja) | 1990-10-17 |
Family
ID=26531696
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1234685A Pending JPH02256635A (ja) | 1988-12-14 | 1989-09-12 | フェニルビシクロヘキサン誘導体 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH02256635A (ja) |
-
1989
- 1989-09-12 JP JP1234685A patent/JPH02256635A/ja active Pending
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