JPH02248325A - 高純度五酸化タンタル - Google Patents
高純度五酸化タンタルInfo
- Publication number
- JPH02248325A JPH02248325A JP2029743A JP2974390A JPH02248325A JP H02248325 A JPH02248325 A JP H02248325A JP 2029743 A JP2029743 A JP 2029743A JP 2974390 A JP2974390 A JP 2974390A JP H02248325 A JPH02248325 A JP H02248325A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- tantalum
- tantalum pentoxide
- precipitate
- ppm
- powder
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 38
- PBCFLUZVCVVTBY-UHFFFAOYSA-N tantalum pentoxide Inorganic materials O=[Ta](=O)O[Ta](=O)=O PBCFLUZVCVVTBY-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 35
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims abstract description 23
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 claims abstract description 10
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims abstract description 7
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 4
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 4
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims abstract description 4
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 4
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 claims abstract description 4
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 4
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims abstract description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims abstract description 3
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 claims abstract description 3
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 3
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 10
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 7
- ZIRLXLUNCURZTP-UHFFFAOYSA-I tantalum(5+);pentahydroxide Chemical compound [OH-].[OH-].[OH-].[OH-].[OH-].[Ta+5] ZIRLXLUNCURZTP-UHFFFAOYSA-I 0.000 abstract description 6
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 abstract description 5
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 abstract description 4
- VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N Ammonium hydroxide Chemical compound [NH4+].[OH-] VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 3
- 238000010304 firing Methods 0.000 abstract description 3
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 abstract description 2
- 230000001376 precipitating effect Effects 0.000 abstract description 2
- 235000011114 ammonium hydroxide Nutrition 0.000 abstract 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract 1
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N ammonia Natural products N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 description 7
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 description 6
- 238000003801 milling Methods 0.000 description 5
- 239000011324 bead Substances 0.000 description 4
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000001354 calcination Methods 0.000 description 2
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 2
- 239000010955 niobium Substances 0.000 description 2
- 239000008188 pellet Substances 0.000 description 2
- 238000004663 powder metallurgy Methods 0.000 description 2
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 2
- 239000000047 product Substances 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- 229910052845 zircon Inorganic materials 0.000 description 2
- GFQYVLUOOAAOGM-UHFFFAOYSA-N zirconium(iv) silicate Chemical compound [Zr+4].[O-][Si]([O-])([O-])[O-] GFQYVLUOOAAOGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- -1 Aluminum Calcium Chromium Cobalt Copper Iron Niobium Silicon Titanium Tungsten Chemical compound 0.000 description 1
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 102100029360 Hematopoietic cell signal transducer Human genes 0.000 description 1
- 101000990188 Homo sapiens Hematopoietic cell signal transducer Proteins 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XGCDHPDIERKJPT-UHFFFAOYSA-N [F].[S] Chemical compound [F].[S] XGCDHPDIERKJPT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004814 ceramic processing Methods 0.000 description 1
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 1
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 1
- 150000004679 hydroxides Chemical class 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 1
- 238000004626 scanning electron microscopy Methods 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 230000000391 smoking effect Effects 0.000 description 1
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/002—Details
- H01G4/018—Dielectrics
- H01G4/06—Solid dielectrics
- H01G4/08—Inorganic dielectrics
- H01G4/10—Metal-oxide dielectrics
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01G—COMPOUNDS CONTAINING METALS NOT COVERED BY SUBCLASSES C01D OR C01F
- C01G35/00—Compounds of tantalum
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
- C01P2004/00—Particle morphology
- C01P2004/60—Particles characterised by their size
- C01P2004/61—Micrometer sized, i.e. from 1-100 micrometer
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
- C01P2004/00—Particle morphology
- C01P2004/60—Particles characterised by their size
- C01P2004/62—Submicrometer sized, i.e. from 0.1-1 micrometer
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
- C01P2006/00—Physical properties of inorganic compounds
- C01P2006/12—Surface area
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
- C01P2006/00—Physical properties of inorganic compounds
- C01P2006/20—Powder free flowing behaviour
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
- C01P2006/00—Physical properties of inorganic compounds
- C01P2006/80—Compositional purity
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
- Powder Metallurgy (AREA)
- Manufacture Of Metal Powder And Suspensions Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は高純度の五酸化タンタル及びその製造法に関す
る。
る。
五酸化タンタル（Ｔ ａ ｔｏ ｉ）は電子工学構成成
分（誘電体、圧電体、及び光電子工学の構成成分）を製
造するための重要な基礎材料である。五酸化タンタルの
純度要求はこの用途分野におレ−て特に高い。９９．９
％より高い純度が全体的に、通常の高さである。
分（誘電体、圧電体、及び光電子工学の構成成分）を製
造するための重要な基礎材料である。五酸化タンタルの
純度要求はこの用途分野におレ−て特に高い。９９．９
％より高い純度が全体的に、通常の高さである。
９９．９９％Ｔ ａ 、０ 、より高い純度品質の五酸
化タンタルは公知製造法例えばＥＰ−Ａ７０６４２また
は米国特許第４４９０３４０号記載の方法に基づいて取
得することができる。しかしながら、それらの粗粒子本
質の故に、粉末冶金またはセラミック加工はいくつかの
問題なしに実施することはできない。他方において、微
細粉砕された状態においてはそれらの流れ特性に欠陥が
ありそのため粉末冶金工程過程で構成成分中における不
均質性を引き起こす。五酸化タンタルを異なる種類の金
属酸化物との混合物の一成分として使用する場合は特に
、上記した従来技術に属する五酸化タンタルの性質は大
きい不利をもたらす。
化タンタルは公知製造法例えばＥＰ−Ａ７０６４２また
は米国特許第４４９０３４０号記載の方法に基づいて取
得することができる。しかしながら、それらの粗粒子本
質の故に、粉末冶金またはセラミック加工はいくつかの
問題なしに実施することはできない。他方において、微
細粉砕された状態においてはそれらの流れ特性に欠陥が
ありそのため粉末冶金工程過程で構成成分中における不
均質性を引き起こす。五酸化タンタルを異なる種類の金
属酸化物との混合物の一成分として使用する場合は特に
、上記した従来技術に属する五酸化タンタルの性質は大
きい不利をもたらす。
かくして本発明の目的は上記欠陥を有しない五酸化タン
タル粉末を提供することである。
タル粉末を提供することである。
今や、これらの要求は純度が９９．９９％よりも高く、
その流れ能力が５．０８ｍｍの排出開口において５０秒
よりも短い（ＩＳＯ［Ｌ単４４９０／１９７８による）
、五酸化タンタルにより卓越して満たされることが見出
された。本発明はそのような五酸化タンタルに関する。
その流れ能力が５．０８ｍｍの排出開口において５０秒
よりも短い（ＩＳＯ［Ｌ単４４９０／１９７８による）
、五酸化タンタルにより卓越して満たされることが見出
された。本発明はそのような五酸化タンタルに関する。
好ましい一態様において、本発明による五酸化タンタル
粉末の平均粒径は０．５μｍよりも小さい（走査電子顕
微鏡、ＳＥＭ”により測定）。特に好ましい一態様にお
いて、本発明による五酸化タンタル粉末は最高純度要求
を満たす。即ち、元素アルミニウム、カルシウム、クロ
ム、コバルト、銅、鉄、ニッケル、ニオブ、シリコン、
チタン、タングステン、ジルコン、フッ素及び硫黄の不
純物の合計含量は５０ｐｐｍよりも小°さく、そして不
純物の合計含量は３０ｐｐｍよりも小さいことさえ可能
である。
粉末の平均粒径は０．５μｍよりも小さい（走査電子顕
微鏡、ＳＥＭ”により測定）。特に好ましい一態様にお
いて、本発明による五酸化タンタル粉末は最高純度要求
を満たす。即ち、元素アルミニウム、カルシウム、クロ
ム、コバルト、銅、鉄、ニッケル、ニオブ、シリコン、
チタン、タングステン、ジルコン、フッ素及び硫黄の不
純物の合計含量は５０ｐｐｍよりも小°さく、そして不
純物の合計含量は３０ｐｐｍよりも小さいことさえ可能
である。
本発明による五酸化タンタル粉末は更にその非常に小さ
いフッ素含量によって特徴づけられる。
いフッ素含量によって特徴づけられる。
即ち、それは好ましくはフッ素含量２０ｐｐｍ以下、好
ましくはｌＯｐｐｍ以下、特に好ましくは５ｐｐｍ以下
を有する。
ましくはｌＯｐｐｍ以下、特に好ましくは５ｐｐｍ以下
を有する。
本発明による五酸化タンタル粉末の他の特徴はその比表
面積（ＤＩＮ６６１３１．窒素１ポイント法により測定
）が４ ｍ’／ｇより大きいことである。
面積（ＤＩＮ６６１３１．窒素１ポイント法により測定
）が４ ｍ’／ｇより大きいことである。
本発明はまた本発明による五酸化タンタルの製造法に関
する。これは本質的には公知の部分段階より成り、水酸
化タンタルの沈殿は、−殻内に普通の如く、水性アンモ
ニアを用いて行なわれる。
する。これは本質的には公知の部分段階より成り、水酸
化タンタルの沈殿は、−殻内に普通の如く、水性アンモ
ニアを用いて行なわれる。
しかしながら、一般の従来技術とは対照的に洗滌された
水酸化物は温度９００℃またはそれ以上（欧州特許第７
０６４２号）で鍜焼されるのではなく、好ましくは７０
０〜８００℃で■焼される。かくして本発明は、アンモ
ニアで沈殿された水酸化タンタルを温度７００〜８００
℃で■焼することによって本発明による五酸化タンタル
粉末を製造する方法に関する。ここで■焼炉中における
生成物の滞留時間は少くとも３．５時間が確保されるべ
きである。
水酸化物は温度９００℃またはそれ以上（欧州特許第７
０６４２号）で鍜焼されるのではなく、好ましくは７０
０〜８００℃で■焼される。かくして本発明は、アンモ
ニアで沈殿された水酸化タンタルを温度７００〜８００
℃で■焼することによって本発明による五酸化タンタル
粉末を製造する方法に関する。ここで■焼炉中における
生成物の滞留時間は少くとも３．５時間が確保されるべ
きである。
五酸化タンタル粒子ケーキの微細磨砕は、更に不活性材
料、好ましくはタンタルのシートで内張すされたビード
ミル中で行なわれるべきであり、そして焼結されたタン
タルのペレット（タンタルタブレット）、即ち円柱状に
成形されたタンタル金属物体、を用いて操作される。本
発明による方法の好ましい一態様において、円柱状タン
タル金属物体は直径５〜５０１１Ｉｍ及び長さ５〜５ｏ
ＩＩＩ１１ヲ有する。
料、好ましくはタンタルのシートで内張すされたビード
ミル中で行なわれるべきであり、そして焼結されたタン
タルのペレット（タンタルタブレット）、即ち円柱状に
成形されたタンタル金属物体、を用いて操作される。本
発明による方法の好ましい一態様において、円柱状タン
タル金属物体は直径５〜５０１１Ｉｍ及び長さ５〜５ｏ
ＩＩＩ１１ヲ有する。
取り出される磨砕材料は既に本発明にょる五酸化タンタ
ル粉末に相当する。
ル粉末に相当する。
本発明を下記実施例によって例示するが、これは本発明
を限定するものと認められるべきではない。
を限定するものと認められるべきではない。
実施例
酸性７フルオロタンタレート溶液からアンモニア沈殿に
よって沈殿されそして洗滌して塩を除いた水酸化タンタ
ル５ｋｇを■焼炉中７５０℃でｌＯ時間烟鍜焼た。平均
試料の分析は金属性及び非金属性の不純物の合計量＜５
０ ｐ ｐｍを与え、フッ素含量は２ｐｐｍ以下であっ
た。
よって沈殿されそして洗滌して塩を除いた水酸化タンタ
ル５ｋｇを■焼炉中７５０℃でｌＯ時間烟鍜焼た。平均
試料の分析は金属性及び非金属性の不純物の合計量＜５
０ ｐ ｐｍを与え、フッ素含量は２ｐｐｍ以下であっ
た。
平均粒径はＳＥＭに従い約２７７１１１であった。ａ焼
された生成物を次に実験室用ビードミル中へ摩砕用物体
のタンタル金属ペレットと共に導入し、容量４ａの摩砕
容器は内側をタンタルシートで内張りしＩ；ものであっ
た。燻焼された材料をローラーベンチ上で２０分間摩砕
した。ビードミル中への送給は摩砕用物体４ｋｇ及び五
酸化タンタル１ｋｇに設定した。
された生成物を次に実験室用ビードミル中へ摩砕用物体
のタンタル金属ペレットと共に導入し、容量４ａの摩砕
容器は内側をタンタルシートで内張りしＩ；ものであっ
た。燻焼された材料をローラーベンチ上で２０分間摩砕
した。ビードミル中への送給は摩砕用物体４ｋｇ及び五
酸化タンタル１ｋｇに設定した。
摩砕された材料の分析は、平均粒径０．４μｍ（ＳＥＭ
による）へと減少、比表面積６．２ ｍ２／ｇｓ及びフ
ッ素含量＜２ｐｐｍを示した。１５０４４９０に従い“
ホール・フローメーター″（“Ｈａｌｌｆｌｏｗｍｅｔ
ｅｒ”）で測定した結果、ホール流れ指数は排出開口２
．５ｍｍにおいて５０ｇの試料に対し１０５秒を与え、
そして５ｍｍの開口については２０秒の値を与えた。
による）へと減少、比表面積６．２ ｍ２／ｇｓ及びフ
ッ素含量＜２ｐｐｍを示した。１５０４４９０に従い“
ホール・フローメーター″（“Ｈａｌｌｆｌｏｗｍｅｔ
ｅｒ”）で測定した結果、ホール流れ指数は排出開口２
．５ｍｍにおいて５０ｇの試料に対し１０５秒を与え、
そして５ｍｍの開口については２０秒の値を与えた。
かくして得られた五酸化タンタルを走査電子顕微鏡のも
とで検査すると粉末粒子のすぐれた均−性及び等凸性を
示した。
とで検査すると粉末粒子のすぐれた均−性及び等凸性を
示した。
燻焼後及び摩砕後の五酸化タンタル粉末の分析結果を表
にまとめて示す。
にまとめて示す。
比較試料としてＨＣＳＴ社製の“ＨＰＯ−Ｔ ａ 、０
、”の型の五酸化タンタル粉末（ＨＰＯ）を用い比較
した。
、”の型の五酸化タンタル粉末（ＨＰＯ）を用い比較
した。
元素
アルミニウム
カルシウム
クロム
コバルト
銅
鉄
ニッケル
ニオブ
シリコン
チタン
タングステン
ジルコン
フッ素
硫黄
■焼材料
＜ｌｐｐｍ
＜ｌｐｐｍ
＜ｌｐｐｍ
＜ｌｐｐ＋＊
＜ｌｐｐｍ
＜ｌｐｐｍ
＜ｌｐｐｍ
＜ ５ｐｐｍ
＜３ｐｐｍ
＜ｉｐｐｍ
＜１ｐｐｎｅ
＜ｌｐｐｍ
２１）ｐｌｌｌ
（１０ｐｐｍ
摩砕材料
＜ｌｐｐｍ
＜ｌｐｐｍ
＜ｌｐｐ＋ｅ
＜ｌｐｐｍ
＜ｌｐｐｍ
＜ ｌｐｐｍ
（ｌｐｐｍ
＜５ｐｐｍ
＜ ３ｐｐ＋ｍ
＜１ｐｐＩＩＩ
＜ｌｐｐｍ
＜ １ｐｐｖａ
ｐｐｍ
０ｐｐｍ
ＨＣＳＴ−ＩＰｏ
ｐｐｍ
０ｐｐｍ
ｐｐｍ
ｐｐＷａ
ｐｐｍ
ｐｐｍ
ｐｐｍ
３０ｐｐｍ
４３ｐｐｏ＋
ｐｐｍ
ｐｐｍ
ｐｐｍ
１４１ｐｐ＋ａ
２ｐｐｍ
物理的性質：
粒径（Ｓ ＥＭ） ２．０μｍ ０．３μｍ
５ｍｍ比表面積 ２．１ｍ”／ｇ ６．２ｍ”／
ｇ ２．５ｍ”／ｇ（ＢＥＴ／ＤＩＮ ６６１３１
．Ｎ＊ ｌポイント法）ホール流れ指数：自由 ２０
／１０５ 自由流動（２，５１５，０ｍｍ）
流動 （秒） すＬなし 本発明の主なる特徴及び態様は以下の通りである。
５ｍｍ比表面積 ２．１ｍ”／ｇ ６．２ｍ”／
ｇ ２．５ｍ”／ｇ（ＢＥＴ／ＤＩＮ ６６１３１
．Ｎ＊ ｌポイント法）ホール流れ指数：自由 ２０
／１０５ 自由流動（２，５１５，０ｍｍ）
流動 （秒） すＬなし 本発明の主なる特徴及び態様は以下の通りである。
１、排出開口５．０８ｍｍにおいて５０秒よりも短かい
流れ能力を有することを特徴とする９９゜９９％よりも
高い純度の五酸化タンタル粉末。
流れ能力を有することを特徴とする９９゜９９％よりも
高い純度の五酸化タンタル粉末。
２、五酸化タンタル粉末の平均粒径が０．５μｍよりも
小さい（ＳＥＭで測定）ことを特徴とする上記第１項記
載の五酸化タンタル粉末。
小さい（ＳＥＭで測定）ことを特徴とする上記第１項記
載の五酸化タンタル粉末。
３、元素Ａ １２％ Ｃａ ％Ｃｒ １Ｃｏ、Ｃｕ、Ｆ
ｅ。
ｅ。
Ｎｉ、Ｎｂ％Ｓｉ、Ｔｉ％Ｗ、Ｚｒ、Ｆ及びＳの不純物
の合計含量が５０ｐｐｍよりも小さいことを特徴とする
上記第１項記載の五酸化タンタル粉末。
の合計含量が５０ｐｐｍよりも小さいことを特徴とする
上記第１項記載の五酸化タンタル粉末。
４、不純物の合計含量が３ｏｐｐｍよりも小さいことを
特徴とする上記第３項記載の五酸化タンタル粉末。
特徴とする上記第３項記載の五酸化タンタル粉末。
５、フッ素含量が２０ｐｐｍを超えないことを更に特徴
とする上記第１項記載の五酸化タンタル粉末。
とする上記第１項記載の五酸化タンタル粉末。
６、フッ素含量が１０ｐｐｍよりも大きくないことを特
徴とする上記第５項記載の五酸化タンタル粉末。
徴とする上記第５項記載の五酸化タンタル粉末。
７．７ツ素含量が５ｐｐｍを超えないことを特徴とする
上記第６項記載の五酸化タンタル粉末。
上記第６項記載の五酸化タンタル粉末。
８．４ｍ”／ｇよりも大きい比表面積を有することを更
に特徴とする上記第１項記載の五酸化タンクル。
に特徴とする上記第１項記載の五酸化タンクル。
９、アンモニアより水酸化タンタルを沈殿させそして沈
殿を７００°〜８００℃の温度で■焼することより成る
高純度五酸化タンタルの製造法。
殿を７００°〜８００℃の温度で■焼することより成る
高純度五酸化タンタルの製造法。
１０、＊焼された五酸化タンタルをビードミル中で円柱
形状のタンタル金属物体で摩砕する段階を更に含む上記
第９項記載の方法。
形状のタンタル金属物体で摩砕する段階を更に含む上記
第９項記載の方法。
１１、円柱状タンタル金属物体は直径約５〜５Ｑｍｒｒ
ｒ及び長さ約５〜５０ｍｍを有する上記第１０項記載の
方法。
ｒ及び長さ約５〜５０ｍｍを有する上記第１０項記載の
方法。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、排出開口５．０８ｍｍにおいて５０秒よりも短かい
流れ能力を有することを特徴とする９９．９９％よりも
高い純度の五酸化タンタル粉末。 ２、元素Ａｌ、Ｃａ、Ｃｒ、Ｃｏ、Ｃｕ、Ｆｅ、Ｎｉ、
Ｎｂ、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｗ、Ｚｒ、Ｆ及びＳの不純物の合計
含量が５０ｐｐｍよりも小さいことを特徴とする特許請
求の範囲第１項記載の五酸化タンタル粉末。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE3904292.8 | 1989-02-14 | ||
| DE3904292A DE3904292A1 (de) | 1989-02-14 | 1989-02-14 | Hochreines tantalpentoxid sowie verfahren zu dessen herstellung |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02248325A true JPH02248325A (ja) | 1990-10-04 |
Family
ID=6373989
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2029743A Pending JPH02248325A (ja) | 1989-02-14 | 1990-02-13 | 高純度五酸化タンタル |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5068097A (ja) |
| JP (1) | JPH02248325A (ja) |
| AU (1) | AU633047B2 (ja) |
| BE (1) | BE1002754A3 (ja) |
| BR (1) | BR9000642A (ja) |
| DD (1) | DD291978A5 (ja) |
| DE (1) | DE3904292A1 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005001920A (ja) * | 2003-06-10 | 2005-01-06 | Mitsui Mining & Smelting Co Ltd | 水酸化タンタル、水酸化ニオブ、酸化タンタル、酸化ニオブ、およびこれらの製造方法 |
| JP2007277091A (ja) * | 2007-07-27 | 2007-10-25 | Dowa Holdings Co Ltd | 酸化タンタルおよびその製造方法 |
| JP2008088055A (ja) * | 1995-10-12 | 2008-04-17 | Cabot Corp | 五酸化ニオブ及びタンタル化合物 |
| JP2009073675A (ja) * | 2007-09-18 | 2009-04-09 | Mitsui Mining & Smelting Co Ltd | 金属酸化物粉及びその製造方法 |
| JP2009167065A (ja) * | 2008-01-18 | 2009-07-30 | Mitsui Mining & Smelting Co Ltd | 酸化タンタル |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5635146A (en) * | 1995-11-30 | 1997-06-03 | Osram Sylvania Inc. | Method for the dissolution and purification of tantalum pentoxide |
| US5707599A (en) * | 1996-02-13 | 1998-01-13 | Santiam Electroactive Materials | Process for purifying tantalum oxide and other metal oxides |
| US6010676A (en) * | 1997-09-12 | 2000-01-04 | Osram Sylvania Inc. | Method for making a highly pure tantalum compound |
| US6348113B1 (en) | 1998-11-25 | 2002-02-19 | Cabot Corporation | High purity tantalum, products containing the same, and methods of making the same |
| JP3732199B2 (ja) * | 2001-12-27 | 2006-01-05 | 三井金属鉱業株式会社 | 酸化タンタル粉末又は酸化ニオブ粉末の製造方法 |
| CN114057227B (zh) * | 2021-12-15 | 2023-09-19 | 宁夏东方钽业股份有限公司 | 一种低碳高纯五氧化二钽粉末及其制备方法和用途 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63156013A (ja) * | 1986-12-17 | 1988-06-29 | Sumitomo Chem Co Ltd | 金属化合物中に含有された微量フツ素の除去方法 |
| JPH01176226A (ja) * | 1987-12-28 | 1989-07-12 | Central Glass Co Ltd | 酸化ニオブまたは酸化タンタルの改質方法 |
Family Cites Families (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE1018036B (de) * | 1955-10-25 | 1957-10-24 | Elektrometallurgie M B H Ges | Verfahren zur Gewinnung von reinen Tantal- und/oder Niobverbindungen |
| US2950966A (en) * | 1958-06-20 | 1960-08-30 | Nat Distillers Chem Corp | Recovery of tantalum values |
| US3909241A (en) * | 1973-12-17 | 1975-09-30 | Gte Sylvania Inc | Process for producing free flowing powder and product |
| JPS5110197A (en) * | 1974-07-16 | 1976-01-27 | Ishihara Sangyo Kaisha | Suisankaniobu mataha suisankatantaruno seizohoho |
| JPS5815032A (ja) * | 1981-07-17 | 1983-01-28 | Toshiba Corp | 五酸化タンタルの製造装置 |
| DE3428788C2 (de) * | 1983-08-11 | 1986-07-10 | Günter J. 8510 Fürth Bauer | Verfahren zum kontinuierlichen Herstellen von fluoridarmen Tantal- oder Niob-Pentoxiden |
| US4661423A (en) * | 1984-02-01 | 1987-04-28 | Tokyo Shibaura Denki Kabushiki Kaisha | Fuel cell electrolyte matrix and method for manufacturing the same |
| US4861747A (en) * | 1984-06-29 | 1989-08-29 | Exxon Research And Engineering Company | Catalysts comprising ruthenium on titania surface modified with group VA oxide of vanadium, niobium or tantalum |
| JPS61146717A (ja) * | 1984-12-18 | 1986-07-04 | Sumitomo Chem Co Ltd | タンタルの精製方法 |
| JPH0233654B2 (ja) * | 1985-07-26 | 1990-07-30 | Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho | Ta2o5*nh2oryushinoseizohoho |
| US4741894A (en) * | 1986-06-03 | 1988-05-03 | Morton Thiokol, Inc. | Method of producing halide-free metal and hydroxides |
| JPH01313333A (ja) * | 1988-06-13 | 1989-12-18 | Central Glass Co Ltd | 高純度水酸化ニオブまたは水酸化タンタルの製造方法 |
-
1989
- 1989-02-14 DE DE3904292A patent/DE3904292A1/de active Granted
-
1990
- 1990-02-02 US US07/473,731 patent/US5068097A/en not_active Expired - Lifetime
- 1990-02-07 BE BE9000142A patent/BE1002754A3/fr not_active IP Right Cessation
- 1990-02-12 DD DD90337784A patent/DD291978A5/de not_active IP Right Cessation
- 1990-02-13 BR BR909000642A patent/BR9000642A/pt not_active IP Right Cessation
- 1990-02-13 JP JP2029743A patent/JPH02248325A/ja active Pending
- 1990-02-14 AU AU49785/90A patent/AU633047B2/en not_active Ceased
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63156013A (ja) * | 1986-12-17 | 1988-06-29 | Sumitomo Chem Co Ltd | 金属化合物中に含有された微量フツ素の除去方法 |
| JPH01176226A (ja) * | 1987-12-28 | 1989-07-12 | Central Glass Co Ltd | 酸化ニオブまたは酸化タンタルの改質方法 |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008088055A (ja) * | 1995-10-12 | 2008-04-17 | Cabot Corp | 五酸化ニオブ及びタンタル化合物 |
| JP2011144110A (ja) * | 1995-10-12 | 2011-07-28 | Cabot Corp | 五酸化ニオブ及びタンタル化合物 |
| JP2005001920A (ja) * | 2003-06-10 | 2005-01-06 | Mitsui Mining & Smelting Co Ltd | 水酸化タンタル、水酸化ニオブ、酸化タンタル、酸化ニオブ、およびこれらの製造方法 |
| JP2007277091A (ja) * | 2007-07-27 | 2007-10-25 | Dowa Holdings Co Ltd | 酸化タンタルおよびその製造方法 |
| JP2009073675A (ja) * | 2007-09-18 | 2009-04-09 | Mitsui Mining & Smelting Co Ltd | 金属酸化物粉及びその製造方法 |
| JP2009167065A (ja) * | 2008-01-18 | 2009-07-30 | Mitsui Mining & Smelting Co Ltd | 酸化タンタル |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE3904292A1 (de) | 1990-08-16 |
| BE1002754A3 (fr) | 1991-05-28 |
| DD291978A5 (de) | 1991-07-18 |
| BR9000642A (pt) | 1991-01-15 |
| US5068097A (en) | 1991-11-26 |
| AU633047B2 (en) | 1993-01-21 |
| DE3904292C2 (ja) | 1991-01-17 |
| AU4978590A (en) | 1990-08-23 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4382812B2 (ja) | 高純度一酸化ニオブ（ＮｂＯ）の製造及びそれから作ったコンデンサ製品 | |
| JPH02248325A (ja) | 高純度五酸化タンタル | |
| JP2003518195A (ja) | 粉末混合物と複合粉末、その製造方法、及び複合材料におけるその使用 | |
| KR0140871B1 (ko) | 산화니오브 분말(Nb2O5) 및 이의 제조방법 | |
| KR20080045255A (ko) | 환원 방법 | |
| JP2007176789A (ja) | 炭酸バリウム粉末及びその製造方法 | |
| KR20150023674A (ko) | 텅스텐 소결체 스퍼터링 타깃 및 그 타깃을 사용하여 성막한 텅스텐막 | |
| KR100891061B1 (ko) | 금속 분말의 제조방법 및 금속 분말 | |
| EP3599221A1 (en) | Alpha alumina with high purity and high relative density, a method for its production and its use | |
| US20160314904A1 (en) | High specific capacitance capacitor-grade tantalum powder with improved electrical properties and process for making the same | |
| CN111097916B (zh) | 一种超细高纯铼粉的制备方法 | |
| US3515540A (en) | Mixed cobalt/tungsten carbide powders | |
| JP4374330B2 (ja) | 一酸化珪素系蒸着材料及びその製造方法 | |
| JP4475398B2 (ja) | パーティクル発生のきわめて少ない高純度金属Ｍｏ薄膜の形成を可能とするスパッタリング用高純度高密度金属Ｍｏ焼結ターゲットの製造方法 | |
| JP4345105B2 (ja) | スパッタリング用高純度金属Ｍｏ焼結ターゲットの製造に原料粉末として用いるのに適した高純度金属Ｍｏ粗粒粉末の製造方法 | |
| JPH1136006A (ja) | 均粒モリブデン粉及びその製造方法 | |
| JP3998972B2 (ja) | スパッタリング用タングステンターゲットの製造方法 | |
| Schicker et al. | wet milling of Fe/Al/Al2O3 and Fe2O3/Al/Al2O3 powder mixtures | |
| JP4345560B2 (ja) | スパッタリング用高純度金属Ｍｏ焼結ターゲットの製造に原料粉末として用いるのに適した高純度金属Ｍｏ粗粒粉末の製造方法 | |
| JPH11236631A (ja) | 固相還元法による微細ニッケル粉末の製造方法および該方法により得られた微細ニッケル粉末 | |
| TWI616545B (zh) | Strong magnetic material sputtering target | |
| JPS6016373B2 (ja) | ペロブスカイト型鉛含有複合酸化物の製造方法 | |
| JP4228223B2 (ja) | スパッタリング用高純度金属Ｍｏ焼結ターゲットの製造に原料粉末として用いるのに適した高純度金属Ｍｏ粗粒粉末 | |
| JP7557689B2 (ja) | 高強度Ｚｎ焼結体の製造方法 | |
| JPH0260611B2 (ja) |