JPH1136006A - 均粒モリブデン粉及びその製造方法 - Google Patents

均粒モリブデン粉及びその製造方法

Info

Publication number
JPH1136006A
JPH1136006A JP12749098A JP12749098A JPH1136006A JP H1136006 A JPH1136006 A JP H1136006A JP 12749098 A JP12749098 A JP 12749098A JP 12749098 A JP12749098 A JP 12749098A JP H1136006 A JPH1136006 A JP H1136006A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
molybdenum
molybdenum powder
powder
raw material
density
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP12749098A
Other languages
English (en)
Other versions
JP3368420B2 (ja
Inventor
Mitsuru Tsuchiya
満 土屋
Shigeki Koyama
茂樹 小山
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tokyo Tungsten Co Ltd
Original Assignee
Tokyo Tungsten Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Tungsten Co Ltd filed Critical Tokyo Tungsten Co Ltd
Priority to JP12749098A priority Critical patent/JP3368420B2/ja
Publication of JPH1136006A publication Critical patent/JPH1136006A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3368420B2 publication Critical patent/JP3368420B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Abstract

(57)【要約】 【課題】 電子部品等のメタライズ層に用いることがで
きる凝集のない均粒モリブデン粉と、それを容易に製造
する方法とを提供すること。 【解決手段】 F.S.S.S(μm)/BET(μ
m)で表す凝集係数が1.5以下で、粒径22μm以下
であること均粒モリブデン粉を得るために、モリブデン
中間原料に、Kを250〜510ppm/Moで含むか
又はKを250〜750ppm/Mo及びPを70〜1
70ppm/Mo含むようにドープして還元する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、高融点金属である
モリブデン粉及びその製造方法に関し、詳しくは、電子
部品のメタライズ層等に用いる均粒モリブデン粉及びそ
の製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】アルミナ(Al2 3 )等の酸化物セラ
ミックに対するメタライズ法としては、厚膜法、薄膜
法、メッキ法、及び高融点金属焼つけ法などがある。こ
れらのメタライズ法としては、例えば、タングステン
(W)、モリブデン(Mo)等の高融点金属に、ガラス
および結合材、溶剤を添加してペーストとし、セラミッ
クス上に塗布し焼付けすることが一般的に知られてい
る。
【0003】最近、このようにして形成されたメタライ
ズ層の電気抵抗の低下やセラミックスとの密着強度を高
めるために、メタライズ用のペースト(インク)中の単
位体積あたりのタングステン粉やモリブデン粉の含有量
を多くするため、均粒化や粉の単位体積あたりの重量
(充填密度)の増加する要求がある。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】一般に、モリブデン粉
は、モリブデン酸アンモニウムまたは三酸化モリブデン
等の原料を二段還元することにより得られる。しかし、
得られたモリブデン粉は凝集してしまうという欠点があ
る。このモリブデン粉の凝集を防ぐためには、二段還元
の温度をなるべく低い温度で還元することが望ましい。
しかし、還元温度が低いと二酸化モリブデンの形骸がそ
のまま残り、モリブデン粉の粒子が丸くならない。ま
た、温度を高くしていくとモリブデン粉には、どうして
も凝集が生じてしまう。
【0005】これに対して、一段還元で生じた二酸化モ
リブデンを、粉砕することによりモリブデン粉の凝集を
少なくすることは可能であるが、凝集を完全に無くすこ
とはできない。
【0006】また、モリブデン粉を粉砕することによっ
て、凝集を無くそうとしても、モリブデン粉は柔らかい
ため粉砕されず延びてしまい鱗片状になってしまうため
均粒粉を得ることができない。
【0007】そこで、本発明の技術的課題は、電子部品
等のメタライズ層に用いることができる凝集のない均粒
モリブデン粉と、それを容易に製造する方法とを提供す
ることにある。
【0008】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、モリブデ
ン粉の凝集を極力無くし均粒化するために、一段還元で
生成する二酸化モリブデンの形状をなるべく丸く、そし
て均粒化する。そうすることにより、この二酸化モリブ
デンを還元して得られるモリブデン粉も凝集が少なく均
粒化されたものが得られるが、更に、出来上がったMo
粉の密度を高くすべく検討を行い本発明をなすに至った
ものである。
【0009】本発明によれば、タングステン・モリブデ
ン工業会規格TMS1101による見かけ密度の測定方
法で、見かけ密度が2.2以上、タップ密度の測定方法
で4.5以上の密度を有することを特徴とする均粒モリ
ブデン粉が得られる。
【0010】また、本発明によれば、前記均粒モリブデ
ン粉において、前記各測定方法によるモリブデン粉の粒
度分布において、22μmを超えるものが無く、且つ、
F.S.S.S(μm)/BET(μm)で表わす凝集
係数が1.5以下であることを特徴とするモリブデン粉
が得られる。
【0011】また、本発明によれば、モリブデン酸化
物、例えば、MoO2 にKを250〜510ppm/M
oもしくは、Kを250〜750ppm/MoとPを7
0〜170ppm/Mo以上ドープして還元することに
より、タングステン・モリブデン工業会規格TMS11
01による見かけ密度の測定方法で見かけ密度が2.2
以上、タップ密度の測定方法で4.5以上の密度を有す
ることを特徴とする均粒モリブデン粉が得られる。
【0012】また、本発明によれば、前記均粒モリブデ
ン粉において、前記各測定方法によって得られたモリブ
デン粉の粒度分布において、22μmを超えるものが無
く、且つ、F.S.S.S(μm)/BET(μm)で
表わす凝集係数が1.5以下であることを特徴とする均
粒モリブデン粉が得られる。
【0013】さらに、本発明によれば、前記いずれかに
記載の均粒モリブデン粉を製造する方法であって、モリ
ブデン原料又はモリブデン中間原料に、Kを250〜5
10ppm/Moで含むか又はKを250〜750pp
m/Mo及びPを70〜170ppm/Mo含むように
ドープするドープ工程と、前記モリブデン原料又はモリ
ブデン中間原料を還元する還元工程とを備え、前記ドー
プ工程及び前記還元工程の内のいずれか一方が他方の後
工程であることを特徴とする均粒モリブデン粉の製造方
法が得られる。ここで、本発明において、モリブデン原
料とは、三酸化モリブデン及びモリブデン酸アンモニウ
ム等を呼び、モリブデン中間原料とは、MoO2 のよう
なモリブデン酸化物を呼ぶ。
【0014】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て説明する。
【0015】まず、本発明の実施の形態による均粒モリ
ブデン粉の製造の概要について説明する。本発明の一方
法においては、モリブデン酸アンモニウムまたは三酸化
モリブデンからなるモリブデン原料にK(カリウム)ま
たはK(カリウム)とP(燐)をドープし還元を行う。
こうすると、一段還元後の二酸化モリブデンの一次粒子
が球状に近いものになり、また粉砕されやすいものにな
る。そのため、粉砕後の二酸化モリブデンは均粒に近い
球状のものになる。これを二段還元することにより凝集
の極めて少ない球状で均粒のモリブデン粉が得られる。
こうして得られたモリブデン粉は粒度分布を比較すると
粗大粒がない。
【0016】また、本発明の他の方法において、モリブ
デン原料(モリブデン酸アンモニユームまたは三酸化モ
リブデン)を還元しMoO2 を生成し粉砕均粒化する。
こうして得たMoO2 をK(カリウム)またはK(カリ
ウム)とP(燐)を溶解した水の中に入れスラリーとす
る。このスラリーを加熱し水分を飛ばしドープされたM
oO2 とする。これを二段還元しその後、解砕すること
により凝集の極めて少ない球状で均粒のモリブデン粉で
密度の高いものが得られる。こうして得られたモリブデ
ン粉は粒度分布を比較すると、前述の例と同様に粗大粒
がない。
【0017】次に、本発明の実施の形態による均粒モリ
ブデン粉の製造について更に具体的に説明する。
【0018】(第1の実施の形態)まず、モリブデン酸
アンモニウムに水に溶かした硝酸カリウムと燐酸カリウ
ムをドープし、モリブデン酸アンモニウム中にK(カリ
ウム)とP(燐)が下記表1になるように調整した。
【0019】
【表1】
【0020】上記表1で示される原料を用い、水素中5
50℃で一段還元を行い二酸化モリブデンを得た。これ
を粉砕機で粉砕し二段還元用の二酸化モリブデンとし
た。この二酸化モリブデンを用い、水素中1000℃で
二段還元を行いモリブデン粉を得た。得られたモリブデ
ン粉の特性を下記表2に示す。
【0021】
【表2】
【0022】この時の凝集の強さを凝集係数=F.S.
S.S(μm)(Fisher sub-sievesizerによる法)/
BET(μm))(Brunaur, Emmet, Tellerの式によ
る)で表わすと次の表3のようになり、明らかにK、又
はKとPとをドープして還元されたモリブデン粉は凝集
が少ない。
【0023】
【表3】
【0024】また、得られたモリブデン粉の粒度分布を
図1に示す。図1から明らかなように、K又はKとPと
をドープして還元したモリブデン粉は、ドープしないも
のに比べ粗大粒が少なく、分布の状態もシャープであ
る。
【0025】(第2の実施の形態)三酸化モリブデンに
第1の実施の形態と同様な方法でKとPをドープし、下
記表4のような含有量に調整した。
【0026】
【表4】
【0027】上記表4に示される原料を用い、水素中5
50℃で一段還元を行い、二酸化モリブデンを得た。こ
れを粉砕機で粉砕し二段還元用の二酸化モリブデンとし
た。さらにこの二酸化モリブデンを用い水素中1000
℃で二段還元を行いモリブデン粉を得た。このモリブデ
ン粉の特性を下記表5に示す。
【0028】
【表5】
【0029】上記表5に示されるように、三酸化モリブ
デン原料の場含もモリブデン酸アンモニウムと同様に明
らかに、K又はKとPをドープして還元されたモリブデ
ン粉は凝集が少ない。
【0030】また、得られたモリブデン粉の粒度分布を
図2に示す。図2から明らかなように、モリブデン酸ア
ンモニウム原料の場含と同様、K、又はKとPとをドー
プして還元したモリブデン粉は、ドープしないものに比
べ粗大粒が少なく、分布の状態もシャープである。
【0031】(第3の実施の形態)硝酸カリウムまた
は、燐酸カリウムもしくは両方を水に溶かし、その中に
モリデン酸アンモニームを還元・粉砕して得たMoO2
を入れスラリーとし、撹拌しながら乾燥し、K(カリウ
ム)とP(燐)が、下記表6の組成になるように調整し
た。
【0032】
【表6】
【0033】これらを用い、水素中1100℃で二段還
元を行いモリブデン粉を得た。得られたモリブデン粉を
衝撃粉砕橿により解砕して得たMo粉の特性を下記表7
に示す。
【0034】
【表7】
【0035】この時の凝集の強さを凝集係数=F.S.
S.S(μm)/BET(μm)で表わすと下記表8の
ようになり、明らかにKまたはKとPをドープして還元
されたモリブデン粉は凝集が少ない。
【0036】
【表8】
【0037】得られたモリブデン粉の粒度分布を図3に
示す。
【0038】また、得られたをMo粉のタングステン・
モリブデン工業会規格TMS 1101により測定し
た、見かけ密度とタッブ密度を下記表9に示す。
【0039】
【表9】
【0040】その結果、KまたはKとPドープして還元
したモリブデン粉は、ドープしないものに比べ粗大粒が
少なく、分布の状態もシャープで、また、見かけ密度・
タッブ密度とも高いことが判明した。
【0041】(第4の実施の形態)三酸化モリブデン還
元・粉砕して得たMoO2 を前記第3の実施の形態と同
様な方法でKとPをドープし、下記表10のような含有
量に調整した。
【0042】
【表10】
【0043】これらを用い、水素中1100℃で二段還
元を行いモリブデン粉を得た。得られたモリブデン粉を
衝撃粉砕機により解砕して得たMo粉の特性を下記表1
1に示す。また、得られたMo粉の粒度分布を図4に示
す。
【0044】
【表11】
【0045】また、得られたをMo粉のタングステン・
モリブデン工業会規格TMS1101により測定した、
見かけ密度とタップ密度を下記表12に示す。
【0046】
【表12】
【0047】その結果、三酸化モリブデン原料から作っ
たMoO2 に、KまたはKとPドープして還元したモリ
ブデン粉は、ドープしないものに比べ粗大粒が少なく、
分布の状態もシャープで、また、見かけ密度・タッブ密
度とも高い。
【0048】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
凝集の少ないモリブデン粉により、メタライズ層のモリ
ブデン充填密度が高くなり、メタライズ層の電気抵抗値
を低下させることができる均粒モリブデン粉を提供する
ことができる。
【0049】また、本発明によれば、還元用のモリブデ
ン原料に、K、又は、KとPをドープするだけで、均粒
で粒度分布が狭いモリブデン粉が容易に得ることができ
る均粒モリブデン粉の製造方法を提供することができ
る。
【0050】また、本発明によれば、モリブデン酸アン
モニウム又は三酸化モリブデン等のモリブデン原料又は
モリブデン酸化物、例えば、MoO2 からなるモリブデ
ン中間原料に水に溶かしたKやPをドープし出来たMo
粉を解砕するだけでだけで、他の工程は通常のモリブデ
ン還元工程と変わらず、均粒で粒度分布が狭く密度の高
く、凝集の少なく、また、粗大粒の無い均粒モリブデン
粉が得られ、メタライズ層を印刷するペースト中のMo
濃度が高くなり、その結果としてメタライズ層のモリブ
デン充填密度が高くなり、メタライズ層の電気抵抗値を
低減することができる均粒モリブデン粉の製造方法を提
供することができる。
【0051】また、本発明によれば、HIPやCIPを
用いMo単味やMo化含物を作る場合、単位体積当たり
に充填できる粉の量が多くなるため、効率の良い均粒モ
リブデン粉の製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1の実施の形態によるモリブデン粉
の粒度分布を示す図である。
【図2】本発明の第2の実施の形態によるモリブデン粉
の粒度分布を示す図である。
【図3】本発明の第3の実施の形態によるモリブデン粉
の粒度分布を示す図である。
【図4】本発明の第4の実施の形態によるモリブデン粉
の粒度分布を示す図である。

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 タングステン・モリブデン工業会規格T
    MS1101による見かけ密度の測定方法で、見かけ密
    度が2.2以上、タップ密度の測定方法で4.5以上の
    密度を有することを特徴とする均粒モリブデン粉。
  2. 【請求項2】 請求項1記載の均粒モリブデン粉におい
    て、前記各測定方法によるモリブデン粉の粒度分布にお
    いて、22μmを超えるものが無く、且つ、F.S.
    S.S(μm)/BET(μm)で表わす凝集係数が
    1.5以下であることを特徴とする均粒モリブデン粉。
  3. 【請求項3】 モリブデン酸化物にKを250〜510
    ppm/Moもしくは、Kを250〜750ppm/M
    oとPを70〜170ppm/Mo以上ドープして還元
    することにより、タングステン・モリブデン工業会規格
    TMS1101による見かけ密度の測定方法で見かけ密
    度が2.2以上、タップ密度の測定方法で4.5以上の
    密度を有することを特徴とする均粒モリブデン粉。
  4. 【請求項4】 請求項3記載の均粒モリブデン粉におい
    て、前記各測定方法によって得られたモリブデン粉の粒
    度分布において、22μmを超えるものが無く、且つ、
    F.S.S.S(μm)/BET(μm)で表わす凝集
    係数が1.5以下であることを特徴とする均粒モリブデ
    ン粉。
  5. 【請求項5】 請求項3又は4記載の均粒モリブデン粉
    を製造する方法であって、モリブデン原料又はモリブデ
    ン中間原料に、Kを250〜510ppm/Moで含む
    か又はKを250〜750ppm/Mo及びPを70〜
    170ppm/Mo含むようにドープするドープ工程
    と、前記モリブデン原料又はモリブデン中間原料を還元
    する還元工程とを備え、前記ドープ工程及び前記還元工
    程の内のいずれか一方が他方の後工程であることを特徴
    とする均粒モリブデン粉の製造方法。
JP12749098A 1997-05-22 1998-05-11 均粒モリブデン粉及びその製造方法 Expired - Lifetime JP3368420B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP12749098A JP3368420B2 (ja) 1997-05-22 1998-05-11 均粒モリブデン粉及びその製造方法

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP9-132225 1997-05-22
JP13222597 1997-05-22
JP12749098A JP3368420B2 (ja) 1997-05-22 1998-05-11 均粒モリブデン粉及びその製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH1136006A true JPH1136006A (ja) 1999-02-09
JP3368420B2 JP3368420B2 (ja) 2003-01-20

Family

ID=26463445

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP12749098A Expired - Lifetime JP3368420B2 (ja) 1997-05-22 1998-05-11 均粒モリブデン粉及びその製造方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP3368420B2 (ja)

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2011004887A1 (ja) * 2009-07-09 2011-01-13 株式会社東芝 高純度モリブデン粉末およびその製造方法
CN104439266A (zh) * 2014-12-12 2015-03-25 金堆城钼业股份有限公司 一种大粒度钼粉的制备方法
CN105290416A (zh) * 2015-11-15 2016-02-03 丹阳市蓝锐粉末合金制品有限公司 一种高钨工具钢粉末的直接生产方法
JP5861839B2 (ja) * 2010-09-30 2016-02-16 日立金属株式会社 モリブデンターゲットの製造方法
CN109848431A (zh) * 2019-02-27 2019-06-07 金堆城钼业股份有限公司 一种细钼粉的制备方法
CN114682785A (zh) * 2022-04-06 2022-07-01 郑州大学 碳非接触还原三氧化钼制备钼粉的方法
CN114833349A (zh) * 2022-07-04 2022-08-02 成都虹波实业股份有限公司 一种低钾大粒度钼粉的制造方法
CN115261634A (zh) * 2022-07-25 2022-11-01 金堆城钼业股份有限公司 一种低钾钼基体、制备方法及应用
WO2023063204A1 (ja) * 2021-10-13 2023-04-20 株式会社アライドマテリアル モリブデンを含む粉末

Cited By (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102470437A (zh) * 2009-07-09 2012-05-23 株式会社东芝 高纯度钼粉末及其制造方法
JP5773869B2 (ja) * 2009-07-09 2015-09-02 株式会社東芝 高純度モリブデン粉末の製造方法
WO2011004887A1 (ja) * 2009-07-09 2011-01-13 株式会社東芝 高純度モリブデン粉末およびその製造方法
JP5861839B2 (ja) * 2010-09-30 2016-02-16 日立金属株式会社 モリブデンターゲットの製造方法
US9689067B2 (en) 2010-09-30 2017-06-27 Hitachi Metals, Ltd. Method for producing molybdenum target
CN104439266B (zh) * 2014-12-12 2016-07-06 金堆城钼业股份有限公司 一种大粒度钼粉的制备方法
CN104439266A (zh) * 2014-12-12 2015-03-25 金堆城钼业股份有限公司 一种大粒度钼粉的制备方法
CN105290416A (zh) * 2015-11-15 2016-02-03 丹阳市蓝锐粉末合金制品有限公司 一种高钨工具钢粉末的直接生产方法
CN109848431A (zh) * 2019-02-27 2019-06-07 金堆城钼业股份有限公司 一种细钼粉的制备方法
WO2023063204A1 (ja) * 2021-10-13 2023-04-20 株式会社アライドマテリアル モリブデンを含む粉末
CN114682785A (zh) * 2022-04-06 2022-07-01 郑州大学 碳非接触还原三氧化钼制备钼粉的方法
CN114833349A (zh) * 2022-07-04 2022-08-02 成都虹波实业股份有限公司 一种低钾大粒度钼粉的制造方法
CN114833349B (zh) * 2022-07-04 2023-01-31 成都虹波实业股份有限公司 一种低钾大粒度钼粉的制造方法
CN115261634A (zh) * 2022-07-25 2022-11-01 金堆城钼业股份有限公司 一种低钾钼基体、制备方法及应用
CN115261634B (zh) * 2022-07-25 2024-02-06 金堆城钼业股份有限公司 一种低钾钼基体、制备方法及应用

Also Published As

Publication number Publication date
JP3368420B2 (ja) 2003-01-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6238456B1 (en) Tantalum powder, method for producing same powder and sintered anodes obtained from it
JP4267699B2 (ja) 解凝集タンタル粉末及びその調製方法、並びに凝集タンタル粉末
JP5198121B2 (ja) 炭化タングステン粉末、炭化タングステン粉末の製造方法
JP2010174377A (ja) 窒素化ニオブ粉末及びニオブ電解キャパシター
KR20160069447A (ko) 금속 분말, 그 제조 방법, 및 이를 이용한 성형품의 제조 방법
KR20060096180A (ko) 고순도 니오브 일산화물의 제조 및 이로부터의 커패시터의제조
JPH1136006A (ja) 均粒モリブデン粉及びその製造方法
KR20150023674A (ko) 텅스텐 소결체 스퍼터링 타깃 및 그 타깃을 사용하여 성막한 텅스텐막
JPWO2006062186A1 (ja) ニッケル粉及びその製造方法並びに導電性ペースト
JP4771544B2 (ja) SiO焼結体の製造方法
JPWO2008032437A1 (ja) 炭化タングステン粉末とその製造方法、およびそれを用いた超硬材料と工具
JP6368448B1 (ja) 炭化タングステン粉末
JP4345105B2 (ja) スパッタリング用高純度金属Mo焼結ターゲットの製造に原料粉末として用いるのに適した高純度金属Mo粗粒粉末の製造方法
JP2006348348A (ja) 一酸化珪素系蒸着材料及びその製造方法
JP4475398B2 (ja) パーティクル発生のきわめて少ない高純度金属Mo薄膜の形成を可能とするスパッタリング用高純度高密度金属Mo焼結ターゲットの製造方法
JP2006169547A (ja) 加圧焼結用のMo合金粉末の製造方法およびスパッタリング用ターゲット材の製造方法
JP4406120B2 (ja) 炭化タングステン粉末
CN110317053B (zh) 溅射靶部件及其制造方法
JP4345560B2 (ja) スパッタリング用高純度金属Mo焼結ターゲットの製造に原料粉末として用いるのに適した高純度金属Mo粗粒粉末の製造方法
JPH03173704A (ja) スパッタリング用ターゲットの製造方法
JPH05147916A (ja) 微細なタングステン系炭化物粉末の製造法
JPH04371536A (ja) TiAl系金属間化合物粉末の製造方法
JP2003055761A (ja) スパッタリングターゲット、その製造方法および電子部品
KR102249422B1 (ko) 다공성 은 분말 및 이의 제조방법
JPH05147909A (ja) 窒化アルミニウム粉末の製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20021002

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081115

Year of fee payment: 6

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091115

Year of fee payment: 7

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101115

Year of fee payment: 8

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101115

Year of fee payment: 8

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111115

Year of fee payment: 9

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111115

Year of fee payment: 9

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121115

Year of fee payment: 10

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131115

Year of fee payment: 11

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

EXPY Cancellation because of completion of term