JPH02246506A - 電流搬送回路 - Google Patents
電流搬送回路Info
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- JPH02246506A JPH02246506A JP2035972A JP3597290A JPH02246506A JP H02246506 A JPH02246506 A JP H02246506A JP 2035972 A JP2035972 A JP 2035972A JP 3597290 A JP3597290 A JP 3597290A JP H02246506 A JPH02246506 A JP H02246506A
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G05—CONTROLLING; REGULATING
- G05F—SYSTEMS FOR REGULATING ELECTRIC OR MAGNETIC VARIABLES
- G05F3/00—Non-retroactive systems for regulating electric variables by using an uncontrolled element, or an uncontrolled combination of elements, such element or such combination having self-regulating properties
- G05F3/02—Regulating voltage or current
- G05F3/08—Regulating voltage or current wherein the variable is dc
- G05F3/10—Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics
- G05F3/16—Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics being semiconductor devices
- G05F3/20—Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics being semiconductor devices using diode- transistor combinations
- G05F3/26—Current mirrors
- G05F3/262—Current mirrors using field-effect transistors only
-
- G—PHYSICS
- G05—CONTROLLING; REGULATING
- G05F—SYSTEMS FOR REGULATING ELECTRIC OR MAGNETIC VARIABLES
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- G05F3/10—Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics
- G05F3/16—Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics being semiconductor devices
- G05F3/20—Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics being semiconductor devices using diode- transistor combinations
- G05F3/24—Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics being semiconductor devices using diode- transistor combinations wherein the transistors are of the field-effect type only
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F1/00—Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
- H03F1/56—Modifications of input or output impedances, not otherwise provided for
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
- H03F3/34—DC amplifiers in which all stages are DC-coupled
- H03F3/343—DC amplifiers in which all stages are DC-coupled with semiconductor devices only
- H03F3/345—DC amplifiers in which all stages are DC-coupled with semiconductor devices only with field-effect devices
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明は低インピーダンス入力端子の電流を受けて高イ
ンピーダンス出力端子の同一または関連する値の出力電
流を発生する回路であって、他端が電圧供給源に接続さ
れた第2ダイオード接続トランジスタおよび前記入力端
子間に主電流導通通路が接続された第1トランジスタと
、他端が基準電位供給用入力端子に接続された第4ダイ
オード接続トランジスタおよび前記電圧供給端子間に主
電流搬送通路が接続された第3トランジスタと、制御電
極が前記第2および第3トランジスタの制御電極に接続
され、主電流導通通路が前記供給電圧および出力端子間
に接続され、前記第1および第4トランジスタの制御電
極が接地された第5トランジスタとを具える電流搬送回
路に関するものである。
ンピーダンス出力端子の同一または関連する値の出力電
流を発生する回路であって、他端が電圧供給源に接続さ
れた第2ダイオード接続トランジスタおよび前記入力端
子間に主電流導通通路が接続された第1トランジスタと
、他端が基準電位供給用入力端子に接続された第4ダイ
オード接続トランジスタおよび前記電圧供給端子間に主
電流搬送通路が接続された第3トランジスタと、制御電
極が前記第2および第3トランジスタの制御電極に接続
され、主電流導通通路が前記供給電圧および出力端子間
に接続され、前記第1および第4トランジスタの制御電
極が接地された第5トランジスタとを具える電流搬送回
路に関するものである。
(従来の技術)
この種の電流搬送回路は米国特許筒3.582.689
号明細書から既知であり、かつ、第1生成電流搬送回路
、即ち、CC1として一般に既知である。
号明細書から既知であり、かつ、第1生成電流搬送回路
、即ち、CC1として一般に既知である。
(発明が解決しようとする課題)
この回路によれば、基準電圧を供給する入力端子が入力
電流と同一電流をとり、その結果、基準電圧を一定に保
持するのが困難となり、従って、電流入力側の入力イン
ピーダンスが上昇するようになる欠点がある。また第2
生成電流搬送回路、即ち、CC2も既知であるが、これ
は一般に演算増幅器を用いて形成されている。これがた
め回路が複雑となるとともに高電圧供給源を必要とする
。
電流と同一電流をとり、その結果、基準電圧を一定に保
持するのが困難となり、従って、電流入力側の入力イン
ピーダンスが上昇するようになる欠点がある。また第2
生成電流搬送回路、即ち、CC2も既知であるが、これ
は一般に演算増幅器を用いて形成されている。これがた
め回路が複雑となるとともに高電圧供給源を必要とする
。
本発明は比較的簡単な形状の電流入力側の低インピーダ
ンスの電流搬送回路を提供することをその目的とする。
ンスの電流搬送回路を提供することをその目的とする。
(課題を解決するための手段)
本発明は低インピーダンス入力端子の電流を受けて高イ
ンピーダンス出力端子の同一または関連する値の出力電
流を発生する回路であって、他端が電圧供給源に接続さ
れた第2ダイオード接続トランジスタおよび前記入力端
子間に主電流導通通路が接続された第1トランジスタと
、他端が基準電位供給用入力端子に接続された第4ダイ
オード接続トランジスタおよび前記電圧供給端子間に主
電流搬送通路が接続された第3トランジスタと、制御電
極が前記第2および第3トランジスタの制御電極に接続
され、主電流導通通路が前記供給電圧および出力端子間
に接続され、前記第1および第4トランジスタの制御電
極が接地された第5トランジスタとを具える電流搬送回
路において、前記第4トランジスタを流れる電流を打消
す打消電流を内部的に発生する手段を設けて、前記入力
端子に電流がほぼ流れないようにしたことを特徴とする
。
ンピーダンス出力端子の同一または関連する値の出力電
流を発生する回路であって、他端が電圧供給源に接続さ
れた第2ダイオード接続トランジスタおよび前記入力端
子間に主電流導通通路が接続された第1トランジスタと
、他端が基準電位供給用入力端子に接続された第4ダイ
オード接続トランジスタおよび前記電圧供給端子間に主
電流搬送通路が接続された第3トランジスタと、制御電
極が前記第2および第3トランジスタの制御電極に接続
され、主電流導通通路が前記供給電圧および出力端子間
に接続され、前記第1および第4トランジスタの制御電
極が接地された第5トランジスタとを具える電流搬送回
路において、前記第4トランジスタを流れる電流を打消
す打消電流を内部的に発生する手段を設けて、前記入力
端子に電流がほぼ流れないようにしたことを特徴とする
。
前記打消電流を内部的に発生する手段は、制御電極が前
記第2トランジスタの制御電極に接続され、前記打消電
流を発生するように接続された第6トランジスタと、前
記打消電流を前記第4トランジスタに供給する手段とを
具えるようにする。
記第2トランジスタの制御電極に接続され、前記打消電
流を発生するように接続された第6トランジスタと、前
記打消電流を前記第4トランジスタに供給する手段とを
具えるようにする。
前記打消電流を供給する手段は電流ミラー回路を具える
ようにする。前記トランジスタを電界効果トランジスタ
とする。
ようにする。前記トランジスタを電界効果トランジスタ
とする。
電流搬送回路はインピーダンスレベルが著しく相違する
2つのポート間に電流を搬送する回路である。電流搬送
器はxyzで示し得る3ポートを有する3ポ一ト回路網
である。この回路網の終端特性はその関連する入力端子
により3ポートの出力を与えるハイブリッドマトリック
スによって表わすことができる。第1生成電流搬送器(
CCI)に対しては1次に示す関係が成立する。
2つのポート間に電流を搬送する回路である。電流搬送
器はxyzで示し得る3ポートを有する3ポ一ト回路網
である。この回路網の終端特性はその関連する入力端子
により3ポートの出力を与えるハイブリッドマトリック
スによって表わすことができる。第1生成電流搬送器(
CCI)に対しては1次に示す関係が成立する。
また、第2生成電流搬送器(CC2)に対しては次に示
す関係が成立する。
す関係が成立する。
電流搬送器およびその実行に関する池の情報はIEEE
サーキット アンドシステムスマガジン第3巻、第1号
、1981年、第10〜14頁にラメラシュカマ−が発
表した論文“カレント コンベヤーズ:アレビューオブ
ザステート オブ、ザ アート”から得ることができる
。上記文献に記載されているように、ポートXおよび2
間の伝達特性は入力端子Xにおける見かけの短絡回路を
有する電流制御電流源の伝達特性である。ポートzにお
ける出力インピーダンスは、カスコード接続のような技
術、従って、入出力インピーダンス間の差を大きくする
ことにより極めて高くすることができる。入力インピー
ダンスを極めて低くする(見かけの短絡回路)ことによ
って、電流搬送器への入力端子が加算ノードを形成する
際、電流加算を一層正確とすることができる。
サーキット アンドシステムスマガジン第3巻、第1号
、1981年、第10〜14頁にラメラシュカマ−が発
表した論文“カレント コンベヤーズ:アレビューオブ
ザステート オブ、ザ アート”から得ることができる
。上記文献に記載されているように、ポートXおよび2
間の伝達特性は入力端子Xにおける見かけの短絡回路を
有する電流制御電流源の伝達特性である。ポートzにお
ける出力インピーダンスは、カスコード接続のような技
術、従って、入出力インピーダンス間の差を大きくする
ことにより極めて高くすることができる。入力インピー
ダンスを極めて低くする(見かけの短絡回路)ことによ
って、電流搬送器への入力端子が加算ノードを形成する
際、電流加算を一層正確とすることができる。
(実施例)
第1図はp−チャネル電界効果トランジスタT1のソー
ス電極に接続されたX入力端子である入力端子1を有す
る第1生成電流搬送回路を示す。電界効果トランジスタ
T1のドレイン電極をn−チャネル電界効果トランジス
タT2のドレイン電極およびゲート電極に接続し、その
ソース電極を接地する。電界効果トランジスタT2のゲ
ート電極を他の2つのn−チャネル電界効果トランジス
タT3およびT4のゲート電極に接続し、そのソース電
極をそれぞれ接地する。電界効果トランジスタT3のド
レイン電極をp−チャネル電界効果トランジスタT5の
ドレイン電極およびゲート電極に接続し、そのソース電
極をX入力端子である入力端子2に接続する。電界効果
トランジスタT5のゲート電極を電界効果トランジスタ
T1のゲート電極に接続し、電界効果トランジスタT4
のドレイン電極を2入力端子である出力端子3に接続す
る。
ス電極に接続されたX入力端子である入力端子1を有す
る第1生成電流搬送回路を示す。電界効果トランジスタ
T1のドレイン電極をn−チャネル電界効果トランジス
タT2のドレイン電極およびゲート電極に接続し、その
ソース電極を接地する。電界効果トランジスタT2のゲ
ート電極を他の2つのn−チャネル電界効果トランジス
タT3およびT4のゲート電極に接続し、そのソース電
極をそれぞれ接地する。電界効果トランジスタT3のド
レイン電極をp−チャネル電界効果トランジスタT5の
ドレイン電極およびゲート電極に接続し、そのソース電
極をX入力端子である入力端子2に接続する。電界効果
トランジスタT5のゲート電極を電界効果トランジスタ
T1のゲート電極に接続し、電界効果トランジスタT4
のドレイン電極を2入力端子である出力端子3に接続す
る。
作動に当たり、入力端子1に入力電流を供給し、入力端
子2にバイアス電圧を供給し、入力電流に比例する値の
出力電流を出力端子3に発生する。
子2にバイアス電圧を供給し、入力電流に比例する値の
出力電流を出力端子3に発生する。
この場合の比例定数は電界効果トランジスタT2および
T4の設計値に依存する。入力端子1の電圧は入力端子
2に供給される電圧に等しくする。入力端子(X入力端
子)は電流を吸引し、従って、入力端子2に接続された
電圧源によって理想的には入力端子2の電圧レベルを乱
すことなく、この電流を供給し、入力端子1(X入力端
子)の入力電圧を一定に保持し得るようにする。
T4の設計値に依存する。入力端子1の電圧は入力端子
2に供給される電圧に等しくする。入力端子(X入力端
子)は電流を吸引し、従って、入力端子2に接続された
電圧源によって理想的には入力端子2の電圧レベルを乱
すことなく、この電流を供給し、入力端子1(X入力端
子)の入力電圧を一定に保持し得るようにする。
第2図は次式で示す第2生成電流搬送機能を呈する本発
明による電流搬送回路を示す。
明による電流搬送回路を示す。
第2図に示す電流搬送回路の入力端子100はX入力端
子に対応し、端子102はX入力端子に対応する。この
入力端子100を電流源103とp−チャネル電界効果
トランジスタT101のソース電極103との接続点に
接続する。電流源103の他端を正の給電ライン104
に接続し、電界効果トランジスタT101のドレイン電
極をn−チャネル電界効果トランジスタTlO2のドレ
イン電極に接続する。電界効果トランジスタTlO2の
ソース電極を負の給電ライン105に接続し、電界効果
トランジスタT105のドレイン電極をそのゲート電極
に接続するとともに池のn −チャネル電界効果トラン
ジスタT103のゲート電極にも接続する。電界効果ト
ランジスタT103のソース電極を負の給電ライン10
5に接続し、この電界効果トランジスタT103のドレ
イン電極をP−チャネル電界効果トランジスタT104
のドレイン電極に接続し、この電界効果トランジスタT
104のソース電極を入力端子102に接続する。電界
効果トランジスタT101のゲート電極を電界効果トラ
ンジスタT104のゲート電極およびドレイン電極に接
続する。池の2つのn−チャネル電界効果トランジスタ
T105およびT106はそのゲート電極を電界効果ト
ランジスタTlO2のゲート電極に接続し、そのソース
電極を負の給電ライン105に接続する。電界効果トラ
ンジスタT105のドレイン電極を出力端子101に接
続するとともに電流源106を経て正の給電ライン10
4に接続する。電界効果トランジスタT106のドレイ
ン電極をp−チャネル電界効果トランジスタT107の
ドレイン電極に接続し、この電界効果トランジスタT1
07のソース電極を正の給電ライン104に接続する。
子に対応し、端子102はX入力端子に対応する。この
入力端子100を電流源103とp−チャネル電界効果
トランジスタT101のソース電極103との接続点に
接続する。電流源103の他端を正の給電ライン104
に接続し、電界効果トランジスタT101のドレイン電
極をn−チャネル電界効果トランジスタTlO2のドレ
イン電極に接続する。電界効果トランジスタTlO2の
ソース電極を負の給電ライン105に接続し、電界効果
トランジスタT105のドレイン電極をそのゲート電極
に接続するとともに池のn −チャネル電界効果トラン
ジスタT103のゲート電極にも接続する。電界効果ト
ランジスタT103のソース電極を負の給電ライン10
5に接続し、この電界効果トランジスタT103のドレ
イン電極をP−チャネル電界効果トランジスタT104
のドレイン電極に接続し、この電界効果トランジスタT
104のソース電極を入力端子102に接続する。電界
効果トランジスタT101のゲート電極を電界効果トラ
ンジスタT104のゲート電極およびドレイン電極に接
続する。池の2つのn−チャネル電界効果トランジスタ
T105およびT106はそのゲート電極を電界効果ト
ランジスタTlO2のゲート電極に接続し、そのソース
電極を負の給電ライン105に接続する。電界効果トラ
ンジスタT105のドレイン電極を出力端子101に接
続するとともに電流源106を経て正の給電ライン10
4に接続する。電界効果トランジスタT106のドレイ
ン電極をp−チャネル電界効果トランジスタT107の
ドレイン電極に接続し、この電界効果トランジスタT1
07のソース電極を正の給電ライン104に接続する。
p−チャネル電界効果トランジスタ108はそのソース
電極を正の給電ライン104に接続し、そのドレイン電
極を入力端子102に接続し、そのゲート電極を電界効
果トランジスタT107のゲート電極およびドレイン電
極に接続する。基準電圧発生器110はp−チャネル電
界効果トランジスタT109を具え、そのソース電極を
正の給電ライン104に接続し、そのドレイン電極をp
−チャネル電界効果トランジスタT110のソース電極
に接続する。電界効果トランジスタT110のドレイン
電極を電流源107を経て負の給電ライン105に接続
する。電界効果トランジスタT109のゲート電極を電
界効果トランジスタT110のゲート電極およびドレイ
ン電極に接続する。電界効果トランジスタT109のド
レイン電極および電界効果トランジスタT110のソー
ス電極を入力端子102に接続するとともにこれにより
基準電圧発生器110の出力端子を形成する。電流源1
03.106および107は電流jを発生するように配
列し、これにより入力電流iが入力ダイオードを逆バイ
アスすることなく、はぼ±jの範囲を有するとともに出
力端子101に関連する出力電流を生ぜしめ得るように
する。
電極を正の給電ライン104に接続し、そのドレイン電
極を入力端子102に接続し、そのゲート電極を電界効
果トランジスタT107のゲート電極およびドレイン電
極に接続する。基準電圧発生器110はp−チャネル電
界効果トランジスタT109を具え、そのソース電極を
正の給電ライン104に接続し、そのドレイン電極をp
−チャネル電界効果トランジスタT110のソース電極
に接続する。電界効果トランジスタT110のドレイン
電極を電流源107を経て負の給電ライン105に接続
する。電界効果トランジスタT109のゲート電極を電
界効果トランジスタT110のゲート電極およびドレイ
ン電極に接続する。電界効果トランジスタT109のド
レイン電極および電界効果トランジスタT110のソー
ス電極を入力端子102に接続するとともにこれにより
基準電圧発生器110の出力端子を形成する。電流源1
03.106および107は電流jを発生するように配
列し、これにより入力電流iが入力ダイオードを逆バイ
アスすることなく、はぼ±jの範囲を有するとともに出
力端子101に関連する出力電流を生ぜしめ得るように
する。
作動に当たり、入力端子100に入力電流iを供給する
と、和の電流i+jが、電界効果トランジスタT101
を経てダイオード接続の電界効果トランジスタTlO2
に供給され、この電界効果トランジスタTlO2は電界
効果トランジスタT103. T105およびT106
と相俟って多重出力電流ミラー回路を構成する。
と、和の電流i+jが、電界効果トランジスタT101
を経てダイオード接続の電界効果トランジスタTlO2
に供給され、この電界効果トランジスタTlO2は電界
効果トランジスタT103. T105およびT106
と相俟って多重出力電流ミラー回路を構成する。
この例では、これら電界効果トランジスタTlO2,T
103、 T105およびT106は幾何学的に同一に
構成し、従って、和の電流i+jをこれら電界効果トラ
ンジスタの各々のドレイン電極に生ぜしめるようにする
。
103、 T105およびT106は幾何学的に同一に
構成し、従って、和の電流i+jをこれら電界効果トラ
ンジスタの各々のドレイン電極に生ぜしめるようにする
。
これらトランジスタの幾何学的形状を適宜にスケーリン
グすることによりスケールされた電流を発生させること
ができる。電界効果トランジスタT10Gにより発生し
た出力電流を電界効果トランジスタT107およびT1
08により形成された電流ミラー回路の入力ブランチに
供給して和の電流i+jを端子102に供給し得るよう
にする。この電流は、電界効果トランジスタT103お
よびT104を具える電流通路が必要とする電流であり
、従って、端子102への電流の流入または端子102
からの電流の流出が生じないようにする。
グすることによりスケールされた電流を発生させること
ができる。電界効果トランジスタT10Gにより発生し
た出力電流を電界効果トランジスタT107およびT1
08により形成された電流ミラー回路の入力ブランチに
供給して和の電流i+jを端子102に供給し得るよう
にする。この電流は、電界効果トランジスタT103お
よびT104を具える電流通路が必要とする電流であり
、従って、端子102への電流の流入または端子102
からの電流の流出が生じないようにする。
電界効果トランジスタT109およびT110並びに電
流源107は、チャネル/幅長さ比が電界効果トランジ
スタT110のチャネル/幅長さ比の1/3となるよう
に電界効果トランジスタT109を形成することにより
、正の給電ライン104の電圧よりも低い電圧Vd5s
を発生する基準電圧源回路配置110を構成する。これ
がため、電界効果トランジスタT107およびT108
により形成される電流ミラー回路を作動せしめるととも
に、電圧範囲の残部が入力端子100に得られるに充分
な電圧を得るものとすると、電流搬送回路に最大電圧を
得ることができる。この電圧発生回路配置は、電流搬送
回路の主要部分ではなく、池の任意の電圧発生回路配置
と置換することができる。電界効果トランジスタT10
6. T107およびT108により形成され端子10
2に結合された電圧源から必要とされる電流を供給する
ループを設けることによって、X入力端子と等価の入力
端子100、y入力端子と等価の端子102および2出
力端子と等価の出力端子101を有する第2生成電流搬
送器にかかる回路を変換することができる。
流源107は、チャネル/幅長さ比が電界効果トランジ
スタT110のチャネル/幅長さ比の1/3となるよう
に電界効果トランジスタT109を形成することにより
、正の給電ライン104の電圧よりも低い電圧Vd5s
を発生する基準電圧源回路配置110を構成する。これ
がため、電界効果トランジスタT107およびT108
により形成される電流ミラー回路を作動せしめるととも
に、電圧範囲の残部が入力端子100に得られるに充分
な電圧を得るものとすると、電流搬送回路に最大電圧を
得ることができる。この電圧発生回路配置は、電流搬送
回路の主要部分ではなく、池の任意の電圧発生回路配置
と置換することができる。電界効果トランジスタT10
6. T107およびT108により形成され端子10
2に結合された電圧源から必要とされる電流を供給する
ループを設けることによって、X入力端子と等価の入力
端子100、y入力端子と等価の端子102および2出
力端子と等価の出力端子101を有する第2生成電流搬
送器にかかる回路を変換することができる。
所望に応じ、電流搬送回路の性能を増大する他の種々の
変形または変更を行うことができる。これらの変形には
、大きな電圧の必要性および“エレクトロニクス”(1
983年6月16日)にルディ ファンデル プラッシ
エが発表した論文“ダイナミックエレメント マッチン
グプッッ トリムレス コンバータオンチップ”に記載
された電流ミラー回路のダイナミック 素子整合を犠牲
にして装置の幾何学的な誤りを補償する際に電流再生の
精度を増大するソース縮退抵抗を設けることが含まれる
。
変形または変更を行うことができる。これらの変形には
、大きな電圧の必要性および“エレクトロニクス”(1
983年6月16日)にルディ ファンデル プラッシ
エが発表した論文“ダイナミックエレメント マッチン
グプッッ トリムレス コンバータオンチップ”に記載
された電流ミラー回路のダイナミック 素子整合を犠牲
にして装置の幾何学的な誤りを補償する際に電流再生の
精度を増大するソース縮退抵抗を設けることが含まれる
。
また、電界効果トランジスタTlO2,T103. T
105およびT106により形成される電流ミラー回路
はカスコード接続されたトランジスタから形成し、電流
搬送回路の出力インピーダンスを更に増大し得るように
する。更に、この電流搬送回路は米国特許第3、582
.689号明細書に記載されたようなバイポーラトラン
ジスタによって形成することもできる。
105およびT106により形成される電流ミラー回路
はカスコード接続されたトランジスタから形成し、電流
搬送回路の出力インピーダンスを更に増大し得るように
する。更に、この電流搬送回路は米国特許第3、582
.689号明細書に記載されたようなバイポーラトラン
ジスタによって形成することもできる。
本発明は上述した実施例にのみ限定されるものではな(
、要旨を変えない範囲内で種々の変形や変更を行うこと
ができる。
、要旨を変えない範囲内で種々の変形や変更を行うこと
ができる。
第1図は既知の第1生成電流搬送回路の構成を示す回路
図、 第2図は本発明電流搬送回路の構成を示す回路図である
。 〜・1・ 1.2−・・ 入力端子 3 ・・・ 出力端子 100 ・・・ 入力端子 101 ・・・ 端子 102 ・・一端子 103.106.107 ・・・ 電流源104
・・・ 正の給電ライン 105 ・・・ 負の給電ライン 110 ・・・ 基準電圧源 T1〜T5 ・・・ トランジスタ
図、 第2図は本発明電流搬送回路の構成を示す回路図である
。 〜・1・ 1.2−・・ 入力端子 3 ・・・ 出力端子 100 ・・・ 入力端子 101 ・・・ 端子 102 ・・一端子 103.106.107 ・・・ 電流源104
・・・ 正の給電ライン 105 ・・・ 負の給電ライン 110 ・・・ 基準電圧源 T1〜T5 ・・・ トランジスタ
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、低インピーダンス入力端子の電流を受けて高インピ
ーダンス出力端子の同一または関連する値の出力電流を
発生する電流搬送回路であって、他端が電圧供給源に接
続された第2ダイオード接続トランジスタおよび前記入
力端子間に主電流導通通路が接続された第1トランジス
タと、他端が基準電位供給用入力端子に接続された第4
ダイオード接続トランジスタおよび前記電圧供給端子間
に主電流搬送通路が接続された第3トランジスタと、制
御電極が前記第2および第3トランジスタの制御電極に
接続され、主電流導通通路が前記供給電圧および出力端
子間に接続され、前記第1および第4トランジスタの制
御電極が接地された第5トランジスタとを具える電流搬
送回路において、前記第4トランジスタを流れる電流を
打消す打消電流を内部的に発生する手段を設けて、前記
入力端子に電流がほぼ流れないようにしたことを特徴と
する電流搬送回路。 2、前記打消電流を内部的に発生する手段は、制御電極
が前記第2トランジスタの制御電極に接続され、前記打
消電流を発生するように接続された第6トランジスタと
、前記打消電流を前記第4トランジスタに供給する手段
とを具えることを特徴とする請求項1に記載の電流搬送
回路。 3、前記打消電流を供給する手段は電流ミラー回路を具
えることを特徴とする請求項2に記載の電流搬送回路。 4、前記トランジスタを電界効果トランジスタとするこ
とを特徴とする請求項1〜3の何れかの項に記載の電流
搬送回路。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
GB8903705A GB2228384A (en) | 1989-02-17 | 1989-02-17 | Current conveyor circuit |
GB8903705.5 | 1989-02-17 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02246506A true JPH02246506A (ja) | 1990-10-02 |
Family
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Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2035972A Pending JPH02246506A (ja) | 1989-02-17 | 1990-02-16 | 電流搬送回路 |
Country Status (5)
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---|---|
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EP (1) | EP0383397B1 (ja) |
JP (1) | JPH02246506A (ja) |
DE (1) | DE69021903T2 (ja) |
GB (1) | GB2228384A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP2002299971A (ja) * | 2001-03-28 | 2002-10-11 | Council Scient Ind Res | 低電圧、低電力および高性能のii型電流コンベヤのための模擬回路レイアウト |
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US9268441B2 (en) | 2011-04-05 | 2016-02-23 | Parade Technologies, Ltd. | Active integrator for a capacitive sense array |
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IT201700034042A1 (it) | 2017-03-28 | 2018-09-28 | St Microelectronics Srl | Circuito current conveyor differenziale, dispositivo, apparecchiatura e procedimento corrispondenti |
IT201700034026A1 (it) | 2017-03-28 | 2018-09-28 | St Microelectronics Srl | Circuito current conveyor, dispositivo, apparecchiatura e procedimento corrispondenti |
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1989
- 1989-02-17 GB GB8903705A patent/GB2228384A/en not_active Withdrawn
-
1990
- 1990-02-13 DE DE69021903T patent/DE69021903T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1990-02-13 EP EP90200326A patent/EP0383397B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1990-02-13 US US07/479,304 patent/US5055719A/en not_active Expired - Fee Related
- 1990-02-16 JP JP2035972A patent/JPH02246506A/ja active Pending
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DE69021903D1 (de) | 1995-10-05 |
GB2228384A (en) | 1990-08-22 |
EP0383397A2 (en) | 1990-08-22 |
EP0383397A3 (en) | 1991-07-10 |
US5055719A (en) | 1991-10-08 |
DE69021903T2 (de) | 1996-04-18 |
EP0383397B1 (en) | 1995-08-30 |
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