JPH02226780A - 半導体レーザの製造方法 - Google Patents
半導体レーザの製造方法Info
- Publication number
- JPH02226780A JPH02226780A JP4701489A JP4701489A JPH02226780A JP H02226780 A JPH02226780 A JP H02226780A JP 4701489 A JP4701489 A JP 4701489A JP 4701489 A JP4701489 A JP 4701489A JP H02226780 A JPH02226780 A JP H02226780A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- type
- gaas
- optical waveguide
- film thickness
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 16
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 12
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 claims abstract description 16
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 9
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims abstract description 8
- 238000005253 cladding Methods 0.000 claims description 28
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 4
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 abstract description 100
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 abstract description 28
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 abstract description 15
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 abstract description 8
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 abstract description 5
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 abstract description 3
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 12
- 229910000980 Aluminium gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 9
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 9
- 239000010408 film Substances 0.000 description 9
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 3
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 3
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 description 3
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 230000002745 absorbent Effects 0.000 description 1
- 239000002250 absorbent Substances 0.000 description 1
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、可飽和吸収層を有する半導体レーザの製造方
法に関するものである。
法に関するものである。
第４図（ａ）〜（Ｃ）は従来の半導体レーザの製造工程
を示す概観図である゛（第１０回ＩＥＥＥ半導体レーザ
国際会ｍ （１９８６年）の論文集、 Ｋ、Ｍａｔｓｕ
ｉ他。
を示す概観図である゛（第１０回ＩＥＥＥ半導体レーザ
国際会ｍ （１９８６年）の論文集、 Ｋ、Ｍａｔｓｕ
ｉ他。
Ｉｎｄｅｘ−Ｇｕｉｄｅｄ、 ＡｌＧａＡｓ Ｍｕ
ｌｔｉｑｕａｎＬｕｍ−Ｗｅｌｌ Ｌａ５ｅｒｓ Ｆ
ａｂｒｉｃａｔｅｄ ｂｙ ５ｔ−Ｉｎｄｕｃｅｄ Ｄ
ｉｓｏｒｄｅｒｉｎｇ）。
ｌｔｉｑｕａｎＬｕｍ−Ｗｅｌｌ Ｌａ５ｅｒｓ Ｆ
ａｂｒｉｃａｔｅｄ ｂｙ ５ｔ−Ｉｎｄｕｃｅｄ Ｄ
ｉｓｏｒｄｅｒｉｎｇ）。
図において、１はｎ形ＧａＡｓ基板、２はｎ形Ａ ｌ
ｏ、ｓ Ｇ ａ ｏ、ｓ Ａ Ｓ下側クラッド層、３は
アンドープ量子井戸（Ｍｕｌｔｉｑｕａｎｔｕｏ＋−Ｗ
ｅｌｌ）活性層（Ｇａ Ａ ｓ ８０人／Ａｌｏ、ｚ
Ｇａｏ、ｇ Ａｓ６０人、４井戸）、４はｐ形Ａ
１０．３ Ｇ ａ ｏ、７Ａ ｓ第１上側クラッド層、
５はＳｉドープＭＱＷ光導波層（ＧａＡｓ７０人／Ａ１
ｏ、ａ−Ｇａｏ、ｈ Ａｓ７０人、１５井戸）、６はｐ
形ＭＱＷＢｅ注入領域、７はｎ形Ａ Ａ ０． 。
ｏ、ｓ Ｇ ａ ｏ、ｓ Ａ Ｓ下側クラッド層、３は
アンドープ量子井戸（Ｍｕｌｔｉｑｕａｎｔｕｏ＋−Ｗ
ｅｌｌ）活性層（Ｇａ Ａ ｓ ８０人／Ａｌｏ、ｚ
Ｇａｏ、ｇ Ａｓ６０人、４井戸）、４はｐ形Ａ
１０．３ Ｇ ａ ｏ、７Ａ ｓ第１上側クラッド層、
５はＳｉドープＭＱＷ光導波層（ＧａＡｓ７０人／Ａ１
ｏ、ａ−Ｇａｏ、ｈ Ａｓ７０人、１５井戸）、６はｐ
形ＭＱＷＢｅ注入領域、７はｎ形Ａ Ａ ０． 。
Ｇａｏ、ｔＡｓ無秩序化領域、８はｐ形Ａｔ’ｏ、５Ｇ
ａｏ、ｓＡｓ第２上側クラッド層、９はｐ形ＧａＡＳコ
ンタクト層、１０はＢｅ集束性イオンビームである。
ａｏ、ｓＡｓ第２上側クラッド層、９はｐ形ＧａＡＳコ
ンタクト層、１０はＢｅ集束性イオンビームである。
次に、従来の半導体レーザの製造工程を説明する。まず
、第４図（ａ）のように、ＧａＡｓ基板ｌ上に下側クラ
ッド層２、量子井戸活性層３、第１上側クラッド層４、
ＳｔドープＭＱＷ光導波層５をそれぞれエピタキシャル
１成長する。
、第４図（ａ）のように、ＧａＡｓ基板ｌ上に下側クラ
ッド層２、量子井戸活性層３、第１上側クラッド層４、
ＳｔドープＭＱＷ光導波層５をそれぞれエピタキシャル
１成長する。
次に、同図（ｂ）に示すように、光導波路となるストラ
イブ状領域にＢｅ集束性イオンビーム１０を照射する。
イブ状領域にＢｅ集束性イオンビーム１０を照射する。
そして、同図（Ｃ）のように第２上側クラツド層８．９
形ＧａＡｓコンタクト層９をＳｉドープＭＱＷ光導波路
５上にエピタキシャル成長する。
形ＧａＡｓコンタクト層９をＳｉドープＭＱＷ光導波路
５上にエピタキシャル成長する。
その後、熱処理を行なうことにより、ＳｉドープＭＱＷ
光導波路５がＳｉ拡散のために無秩序化されてｎ形Ａｌ
１ｏ、２Ｇａｏ、１ Ａｓ無秩序化領域７となる。一方
、Ｂｅ集束性イオンビームを注入したストライブ状領域
は、注入したＢｅの効果により、ＭＱＷ光導波路が形成
される。
光導波路５がＳｉ拡散のために無秩序化されてｎ形Ａｌ
１ｏ、２Ｇａｏ、１ Ａｓ無秩序化領域７となる。一方
、Ｂｅ集束性イオンビームを注入したストライブ状領域
は、注入したＢｅの効果により、ＭＱＷ光導波路が形成
される。
このように従来の半導体レーザは、無秩序化領域７が電
流阻止層として働くため電流はｐ形ＭＱＷＢｅ注入領域
６に狭窄されると共に、量子井戸活性層３で発光した光
は、ｐ形ＭＱＷＢｅ注入領域６に導波されてレーザ発振
を行なうものである。
流阻止層として働くため電流はｐ形ＭＱＷＢｅ注入領域
６に狭窄されると共に、量子井戸活性層３で発光した光
は、ｐ形ＭＱＷＢｅ注入領域６に導波されてレーザ発振
を行なうものである。
また、従来の半導体レーザは、ＳｔドープＭＱＷ導波層
５へ直接Ｂｅ集束性イオンビーム１０を注入するために
、無秩序他領″＠７への１３ｅ集束性イオンビーム注入
深さの制御性が良好である。さらに、ＧａＡｓ １／Ａ
ＪＧａＡｓの多層からなる無秩序化領域７のＧａＡａ井
戸層上へｐ型Ａ！ＧａＡｓ第２上側クラッド層８、ｐ型
ＧａＡｓコンタクト層９が再成長可能であるため、Ａｌ
ＧａＡｓ上への再成長の場合のように酸化の問題がなく
、良質な再成長層が得られ、闇値電流が６５ｍＡのレー
ザ特性を得ている。
５へ直接Ｂｅ集束性イオンビーム１０を注入するために
、無秩序他領″＠７への１３ｅ集束性イオンビーム注入
深さの制御性が良好である。さらに、ＧａＡｓ １／Ａ
ＪＧａＡｓの多層からなる無秩序化領域７のＧａＡａ井
戸層上へｐ型Ａ！ＧａＡｓ第２上側クラッド層８、ｐ型
ＧａＡｓコンタクト層９が再成長可能であるため、Ａｌ
ＧａＡｓ上への再成長の場合のように酸化の問題がなく
、良質な再成長層が得られ、闇値電流が６５ｍＡのレー
ザ特性を得ている。
しかしながら従来の半導体レーザでは、再成長のための
表面層はＳｉドープＭＱＷ光導波層であるため、表面の
ＧａＡｓ井戸層の厚さは７０人と極めて薄（、多数枚の
基板にエピタキシャル成長を必要とする量産的な観点よ
り超薄膜の制御性を得ることが困難であるという欠点が
あった。
表面層はＳｉドープＭＱＷ光導波層であるため、表面の
ＧａＡｓ井戸層の厚さは７０人と極めて薄（、多数枚の
基板にエピタキシャル成長を必要とする量産的な観点よ
り超薄膜の制御性を得ることが困難であるという欠点が
あった。
また、図示していないが不純物拡散（例えば、Ｚｎ等）
を気相拡散で行なう場合は、第１クラッド層を介して直
接行なりていたため、不純物の拡散深さの制御が難しか
った。また、エツチングにより第１クラッド層上面が外
気に晒す必要があるため、表面に酸化膜を形成してしま
う欠点があった。
を気相拡散で行なう場合は、第１クラッド層を介して直
接行なりていたため、不純物の拡散深さの制御が難しか
った。また、エツチングにより第１クラッド層上面が外
気に晒す必要があるため、表面に酸化膜を形成してしま
う欠点があった。
本発明は上記のような欠点を解決するためになされたも
ので、膜厚の制御性及び拡散深さの制御を容易にして量
産性の向上を図る半導体レーザの製造方法を得ることを
目的とする。
ので、膜厚の制御性及び拡散深さの制御を容易にして量
産性の向上を図る半導体レーザの製造方法を得ることを
目的とする。
本発明に係る半導体試験装置は、結晶基板上に下クラッ
ド層、活性層、第１クラッド層、可飽和吸収層からなる
積層膜を形成する工程と、この積層膜に不純物を導入す
ることにより導波路を形成する工程と、可飽和吸収層の
上面に第２上クラツド層、コンタクト層を形成する工程
とを有している。
ド層、活性層、第１クラッド層、可飽和吸収層からなる
積層膜を形成する工程と、この積層膜に不純物を導入す
ることにより導波路を形成する工程と、可飽和吸収層の
上面に第２上クラツド層、コンタクト層を形成する工程
とを有している。
可飽和吸収層を形成することにより膜厚の制御性を容易
にする。
にする。
以下、本発明の実施例を図に従って説明する。
第１図は本発明に係る第１の実施例を示した半導体レー
ザの主要製造工程を示した概観図である。
ザの主要製造工程を示した概観図である。
図において、第４図と同一部分には同一符号を付する。
１１はＧａＡｓ可飽和吸収層である。
まず、第１図（ａ）のように、ＧａＡｓ基板ｌ上に下側
クラッド層２、量子井戸活性層３、第１上側クラッド層
４、ＳｉドープＭＱＷ光導波層５をそれぞれエピタキシ
ャル成長した後、５０〜２００人程度のＧ除去ｓ可飽和
吸収層１１をエピタキシャル成長する。
クラッド層２、量子井戸活性層３、第１上側クラッド層
４、ＳｉドープＭＱＷ光導波層５をそれぞれエピタキシ
ャル成長した後、５０〜２００人程度のＧ除去ｓ可飽和
吸収層１１をエピタキシャル成長する。
次に、同図（ｂ）に示すように、光導波路となるストラ
イブ状領域にＢｅ集束性イオンビーム１０を照射する。
イブ状領域にＢｅ集束性イオンビーム１０を照射する。
そして、同図（Ｃ）のように第２上側クラツド層８．
ｐ形ＧａＡｓコンタクト層９をＳｔドープＭＱＷ光導波
路５上にエピタキシャル成長する。
ｐ形ＧａＡｓコンタクト層９をＳｔドープＭＱＷ光導波
路５上にエピタキシャル成長する。
その後、熱処理を行なうことにより、無秩序化領域７及
びＭＱＷ光導波路を形成する。
びＭＱＷ光導波路を形成する。
このようにこの実施例では、５０から２００人の範囲で
自由に厚さの設定できるＧａＡｓ飽和吸収層１１を不純
物導入用及び再成長用の表面層として形成したので、膜
厚の制御性を容易にすることができる。
自由に厚さの設定できるＧａＡｓ飽和吸収層１１を不純
物導入用及び再成長用の表面層として形成したので、膜
厚の制御性を容易にすることができる。
次に、第２図（ａ）〜（ｅ）は本発明に係る第２の実施
例を示した半導体レーザの断面図である。
例を示した半導体レーザの断面図である。
同図のレーザは、ＧａＡｓを電流阻止層とし、このＧａ
Ａｓ層の光吸収効果により横モードを安定させて基本モ
ード発振を実現する内部電流狭窄レーザである。これは
、レーザ光出射端面付近の活性層を除き残りのレーザ発
振に寄与する部分の活性層に濃度５×１０１１０１ｌ１
″程度のＺｎのバンドテールを生じさせて、端面部のｎ
影領域に比べてｐ影領域のバンドギャップを狭くしたも
ので、ｐ影領域で発光した光は端面部のｎ影領域では吸
収を受けることはな（端面部の劣化が防止されるいわゆ
る窓構造を有するレーザである。
Ａｓ層の光吸収効果により横モードを安定させて基本モ
ード発振を実現する内部電流狭窄レーザである。これは
、レーザ光出射端面付近の活性層を除き残りのレーザ発
振に寄与する部分の活性層に濃度５×１０１１０１ｌ１
″程度のＺｎのバンドテールを生じさせて、端面部のｎ
影領域に比べてｐ影領域のバンドギャップを狭くしたも
ので、ｐ影領域で発光した光は端面部のｎ影領域では吸
収を受けることはな（端面部の劣化が防止されるいわゆ
る窓構造を有するレーザである。
図において、１０１はｎ形ＧａＡｓ基板、１０２はｎ形
ＡｌＧａＡｓ下側りラッド層、１０３はｎ形Ａｊ！Ｇａ
Ａｓ活性層、１０４はｐ形Ａｊ！ＧａＡｓ上側第１クラ
ッド層、１０５はｐ形ＧａＡｓ可飽和吸収層、１０６は
ｐ形ＡｌＧａＡｓエツチングストップ層、１０７はｎ形
ＧａＡ！！電流阻止層、１０８は端面部のｐｌＡｊｉＧ
ａＡｓエツチングストップ層、１０９はＺｎ拡散層、１
１０はｐ形ｆｉ、ｌＧａＡｓ第２上側クラッド層、１１
１はｐ形ＧａＡｓコンタクト層、１１２はホトレジスト
である。
ＡｌＧａＡｓ下側りラッド層、１０３はｎ形Ａｊ！Ｇａ
Ａｓ活性層、１０４はｐ形Ａｊ！ＧａＡｓ上側第１クラ
ッド層、１０５はｐ形ＧａＡｓ可飽和吸収層、１０６は
ｐ形ＡｌＧａＡｓエツチングストップ層、１０７はｎ形
ＧａＡ！！電流阻止層、１０８は端面部のｐｌＡｊｉＧ
ａＡｓエツチングストップ層、１０９はＺｎ拡散層、１
１０はｐ形ｆｉ、ｌＧａＡｓ第２上側クラッド層、１１
１はｐ形ＧａＡｓコンタクト層、１１２はホトレジスト
である。
また、第３図（ａ）〜（６）は第２図（ｅ）のｐｍ−■
断面構造を第２図（ａ）〜（ｅ）の工程順に示した概観
図である。以下、これらの図について説明する。
断面構造を第２図（ａ）〜（ｅ）の工程順に示した概観
図である。以下、これらの図について説明する。
まず、第２図（ａ）及び第３図（ａ）のように、ｎ形Ｇ
ａＡｓ基板１０１上にｎ形ＡｌＧａＡｓ活性層１０３を
含むｎＹ３ＧａＡｓ電流阻止層１０７までの多層膜をエ
ピタキシャル成長する。
ａＡｓ基板１０１上にｎ形ＡｌＧａＡｓ活性層１０３を
含むｎＹ３ＧａＡｓ電流阻止層１０７までの多層膜をエ
ピタキシャル成長する。
次に、第２図（ｂ）及び第３図（ｂ）のように、ｎ形Ｇ
ａＡｓ電流阻止層１０７に写真製版法により選択的に化
学的エツチングを施して溝を形成する。
ａＡｓ電流阻止層１０７に写真製版法により選択的に化
学的エツチングを施して溝を形成する。
そして、第２図（ｃ）及び第３図（ｃ）のように、写真
製版法によりホトレジスト１１２のマスクを施してレー
ザの内側のｐ形／’ｌ！ＧａＡｓエツチングストップ層
１０６を化学的エツチングにより除き、端面部のｐ形Ａ
ｌＧａＡｓエツチングストップ層１０８を形成する。そ
して、端面部のｐ形ＡｌＧａＡｓエツチングストップ層
１０Ｂ上のホトレジスト１１２を除去する。
製版法によりホトレジスト１１２のマスクを施してレー
ザの内側のｐ形／’ｌ！ＧａＡｓエツチングストップ層
１０６を化学的エツチングにより除き、端面部のｐ形Ａ
ｌＧａＡｓエツチングストップ層１０８を形成する。そ
して、端面部のｐ形ＡｌＧａＡｓエツチングストップ層
１０Ｂ上のホトレジスト１１２を除去する。
その後、第２図（ｄ）及び第３図（ｄ）のように、石英
管を用いた閉管法による気相拡散等によりＺｎ拡散を施
し、Ｚｎ拡散層１０９をｎ形ＡｌＧａＡｓ活性層１０３
に到達させる。このとき、第３図（ｄ）に見られるよう
に、端面部ではｐ形ＡｌＧａＡｓエツチングストップ層
１０８分の厚さ（０゜１μｍ程度）を利用してＺｎ拡散
層１０９をｎ形ＡｌＧａＡｓ活性層１０３の直前で止め
ることができる。
管を用いた閉管法による気相拡散等によりＺｎ拡散を施
し、Ｚｎ拡散層１０９をｎ形ＡｌＧａＡｓ活性層１０３
に到達させる。このとき、第３図（ｄ）に見られるよう
に、端面部ではｐ形ＡｌＧａＡｓエツチングストップ層
１０８分の厚さ（０゜１μｍ程度）を利用してＺｎ拡散
層１０９をｎ形ＡｌＧａＡｓ活性層１０３の直前で止め
ることができる。
最後に、第２図（１３）及び第３図（ｅ）のようにｐ形
Ａｊ！ＧａＡｓ第２上側クラッド層１１０ 、ｐ形Ｇａ
Ａｓコンタクト層１１１を形成してレーザ構造を得る。
Ａｊ！ＧａＡｓ第２上側クラッド層１１０ 、ｐ形Ｇａ
Ａｓコンタクト層１１１を形成してレーザ構造を得る。
このように、本束施例では、０．３〜０．５μｍのｐ形
ＡＪＧａＡｓ上側第１クラッド層１０４上のｐ形ＧａＡ
ｓ可飽和吸収層１０５からＺｎを拡散してｎ形ＡｌＧａ
Ａｓ活性層１０３へＺｎ拡散層を到達させることができ
るので、０．５μｍ程度の拡散深さの制御が容易となる
。
ＡＪＧａＡｓ上側第１クラッド層１０４上のｐ形ＧａＡ
ｓ可飽和吸収層１０５からＺｎを拡散してｎ形ＡｌＧａ
Ａｓ活性層１０３へＺｎ拡散層を到達させることができ
るので、０．５μｍ程度の拡散深さの制御が容易となる
。
また、上側第１クラッド層１０４上面が外気に晒される
ことがないため、酸化のない表面に第２の上面クラッド
層１１０等を成長させることが出来る。
ことがないため、酸化のない表面に第２の上面クラッド
層１１０等を成長させることが出来る。
さらに、端面部のｐ形ＡｌＧａＡｓエツチングストップ
層１０８とｐ形ＧａＡｓ可飽和吸収層１０５との段差を
約０．１ μｍを利用して端面部ｎ形Ａ７！ＧａＡｓ活
性層１０３をＺｎの未拡散領域とする窓領域を容易に形
成することができる。
層１０８とｐ形ＧａＡｓ可飽和吸収層１０５との段差を
約０．１ μｍを利用して端面部ｎ形Ａ７！ＧａＡｓ活
性層１０３をＺｎの未拡散領域とする窓領域を容易に形
成することができる。
以上説明したように本発明は、可飽和吸収層を形成する
ことにより、再成長のための表面層を厚（することがで
きるため、膜厚の制御性を容易にすることができる０例
えば、可飽和吸収層の膜厚を５０人〜２００ 人の範囲
で調節することにより、量産における生産性を向上する
ことができる。
ことにより、再成長のための表面層を厚（することがで
きるため、膜厚の制御性を容易にすることができる０例
えば、可飽和吸収層の膜厚を５０人〜２００ 人の範囲
で調節することにより、量産における生産性を向上する
ことができる。
また、気相拡散で不純物を導入する場合、第１クラッド
層上面が外気に晒されることがないため、酸化膜を形成
すること無く第２上クラッド層等を成長させることがで
きる。
層上面が外気に晒されることがないため、酸化膜を形成
すること無く第２上クラッド層等を成長させることがで
きる。
第１図は本発明に係る第１の実施例を示した半導体レー
ザの主要製造工程を示した概観図、第２図（ａ）〜（ｅ
）は本発明に係る第２の実施例を示した半導体レーザの
断面図、第３図（ａ）〜（＋３）は第２図（１３）のｍ
−ｍ断面構造を第２図（ａ）〜（ｅ）の工程順に示した
概観図、第４図（ａ）〜（ｃ）は従来の半導体レーザの
製造工程を示す概観図である。 １・・・ｎ形ＧａＡｓ基板、２・・・下側クラッド層、
３・・・アンドープ量子井戸活性層、４・・・第１上側
クラッド層、５・・・ＳｉドープＭＱＷ光導波層、６・
・・ｐ形ＭＱＷＢｅ注入領域、７・・・無秩序化領域、
８・・・第２上側クラッド層、９・・・ｐ形ＧａＡｓコ
ンタクト層、ｌＯ・・・Ｂｅ集束性イオンビーム、１１
・・・ＧａＡｓ可飽和吸収層。 第２図 第１図 第３図
ザの主要製造工程を示した概観図、第２図（ａ）〜（ｅ
）は本発明に係る第２の実施例を示した半導体レーザの
断面図、第３図（ａ）〜（＋３）は第２図（１３）のｍ
−ｍ断面構造を第２図（ａ）〜（ｅ）の工程順に示した
概観図、第４図（ａ）〜（ｃ）は従来の半導体レーザの
製造工程を示す概観図である。 １・・・ｎ形ＧａＡｓ基板、２・・・下側クラッド層、
３・・・アンドープ量子井戸活性層、４・・・第１上側
クラッド層、５・・・ＳｉドープＭＱＷ光導波層、６・
・・ｐ形ＭＱＷＢｅ注入領域、７・・・無秩序化領域、
８・・・第２上側クラッド層、９・・・ｐ形ＧａＡｓコ
ンタクト層、ｌＯ・・・Ｂｅ集束性イオンビーム、１１
・・・ＧａＡｓ可飽和吸収層。 第２図 第１図 第３図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 結晶基板上に下クラッド層、活性層、第１クラッド層、
可飽和吸収層からなる積層膜を形成する工程と、 この積層膜に不純物を導入することにより導波路を形成
する工程と、 前記可飽和吸収層の上面に第２上クラッド層、コンタク
ト層を形成する工程とを有することを特徴とする半導体
レーザの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4701489A JPH02226780A (ja) | 1989-02-28 | 1989-02-28 | 半導体レーザの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4701489A JPH02226780A (ja) | 1989-02-28 | 1989-02-28 | 半導体レーザの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02226780A true JPH02226780A (ja) | 1990-09-10 |
Family
ID=12763316
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4701489A Pending JPH02226780A (ja) | 1989-02-28 | 1989-02-28 | 半導体レーザの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02226780A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008530774A (ja) * | 2005-02-07 | 2008-08-07 | サントル、ナショナール、ド、ラ、ルシェルシュ、シアンティフィク、（セーエヌエルエス） | 局所的な埋込み絶縁体を形成するためのプレナー酸化方法 |
-
1989
- 1989-02-28 JP JP4701489A patent/JPH02226780A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008530774A (ja) * | 2005-02-07 | 2008-08-07 | サントル、ナショナール、ド、ラ、ルシェルシュ、シアンティフィク、（セーエヌエルエス） | 局所的な埋込み絶縁体を形成するためのプレナー酸化方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2752423B2 (ja) | 化合物半導体へのＺｎ拡散方法 | |
| JPH0196980A (ja) | 半導体レーザ素子及びその製造方法 | |
| JPH02129986A (ja) | 半導体レーザ装置及びその製造方法 | |
| JPH01143285A (ja) | 半導体超格子の無秩序化方法及び半導体レーザ装置 | |
| JPH05175609A (ja) | ＡｌＧａＩｎＰ系半導体発光装置の製造方法 | |
| JPH02226780A (ja) | 半導体レーザの製造方法 | |
| JP2564813B2 (ja) | Ａ▲ｌ▼ＧａＩｎＰ半導体発光素子 | |
| JPH01227485A (ja) | 半導体レーザ装置 | |
| JPH05129721A (ja) | 半導体レーザー及びその製造方法 | |
| JP2502835B2 (ja) | 半導体レ―ザおよびその製造方法 | |
| KR100278623B1 (ko) | 반도체 레이저 소자 및 제조방법 | |
| JP2869875B2 (ja) | 光集積回路の製造方法 | |
| JPS60164383A (ja) | 半導体レ−ザの製造方法 | |
| JPS61184894A (ja) | 半導体光素子 | |
| JPH03112186A (ja) | ＡｌＧａＩｎＰ可視光半導体レーザ | |
| JPH0258288A (ja) | 半導体レーザ | |
| JPS63151094A (ja) | 半導体レ−ザ装置 | |
| JPH01166592A (ja) | 半導体レーザ素子 | |
| JPS62166583A (ja) | 分布帰還型半導体レ−ザ | |
| JPH05121828A (ja) | 半導体レーザ | |
| JPH02172288A (ja) | 半導体レーザ装置 | |
| JPS63169785A (ja) | 半導体レ−ザの製造方法 | |
| JPS61231792A (ja) | 半導体素子の製造方法 | |
| JPH0271577A (ja) | 半導体レーザ装置 | |
| JPH02275689A (ja) | 半導体レーザ |