JPH02225310A - 固体電解質およびその製造法 - Google Patents
固体電解質およびその製造法Info
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- JPH02225310A JPH02225310A JP1043759A JP4375989A JPH02225310A JP H02225310 A JPH02225310 A JP H02225310A JP 1043759 A JP1043759 A JP 1043759A JP 4375989 A JP4375989 A JP 4375989A JP H02225310 A JPH02225310 A JP H02225310A
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Classifications
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- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
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- Y02E60/10—Energy storage using batteries
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- Secondary Cells (AREA)
- Electric Double-Layer Capacitors Or The Like (AREA)
- Conductive Materials (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、固体電池、固体電気二重層キャパシタ、固体
エレクトロクロミックデイスプレィ等の固体電気化学素
子に利用されるリチウムイオン伝導性固体電解質および
その製造法に関する。
エレクトロクロミックデイスプレィ等の固体電気化学素
子に利用されるリチウムイオン伝導性固体電解質および
その製造法に関する。
従来の技術
最近、上記固体電気化学素子の1つである全固体リチウ
ム電池の開発研究が盛んに行なわれている。これは素子
が不燃性の固体で構成されるため、安全性が高く、高電
圧、高エネルギー密度の電池が期待できるためである。
ム電池の開発研究が盛んに行なわれている。これは素子
が不燃性の固体で構成されるため、安全性が高く、高電
圧、高エネルギー密度の電池が期待できるためである。
この電池の開発に際しては、イオン導電率あるいは分解
電圧が高<、シかも化学的安定性に富んだ優れたリチウ
ムイオン伝導性固体電解質が必要となる。
電圧が高<、シかも化学的安定性に富んだ優れたリチウ
ムイオン伝導性固体電解質が必要となる。
リチウムイオン伝導性固体電解質の代表的なものとして
、LiX(XはC1,Br+ I)に酸化アルミニウ
ムあるいは酸化ケイ素を加えたもの、あるいはLi5N
の様にイオン導電率は高いが分解電圧が低い(室温で
イオン導電率が10−3Ω−1cm” 分解電圧が0
.45V)もの、さらにリチウム酸素酸塩との複合塩で
あるL iI−mA l xTl 2−X (P Oa
) 3など多くの無機材料からなるものが知られており
、また有機材料を主体としたもの、例えば、ポリエチレ
ンオキサイドと過塩素酸リチウムからなる高分子錯体固
体電解質など様々なリチウムイオン伝導性固体電解質材
料が知られている。
、LiX(XはC1,Br+ I)に酸化アルミニウ
ムあるいは酸化ケイ素を加えたもの、あるいはLi5N
の様にイオン導電率は高いが分解電圧が低い(室温で
イオン導電率が10−3Ω−1cm” 分解電圧が0
.45V)もの、さらにリチウム酸素酸塩との複合塩で
あるL iI−mA l xTl 2−X (P Oa
) 3など多くの無機材料からなるものが知られており
、また有機材料を主体としたもの、例えば、ポリエチレ
ンオキサイドと過塩素酸リチウムからなる高分子錯体固
体電解質など様々なリチウムイオン伝導性固体電解質材
料が知られている。
発明が解決しようとする課題
リチウム固体電解質の内、リチウム酸素酸塩との複合塩
であるL I +4xA I xT I 2−8(PO
4)tは、室温で10−3Ω−’ c m”’に近いイ
オン導電率を示すが、ガラス化するとイオン導電率は、
10−60−’ c m−’程度にまで低下する。
であるL I +4xA I xT I 2−8(PO
4)tは、室温で10−3Ω−’ c m”’に近いイ
オン導電率を示すが、ガラス化するとイオン導電率は、
10−60−’ c m−’程度にまで低下する。
このイオン導電率は材料の合成の方法によりその値がば
らつき再現性が悪く、一定した品質のものを得ることが
困難であった。更に、この材料の電子導電率は、室温で
10−@Ω−’ c m−’と高いという問題を有して
いた。
らつき再現性が悪く、一定した品質のものを得ることが
困難であった。更に、この材料の電子導電率は、室温で
10−@Ω−’ c m−’と高いという問題を有して
いた。
課題を解決するための手段
本発明は、固体電解質粉末粒子や結晶粒子の粒径を小さ
クシ、また、粒度を均一にすることで、再現性が良く、
また高いイオン導電率のリチウムイオン伝導性固体電解
質を提供するものである。
クシ、また、粒度を均一にすることで、再現性が良く、
また高いイオン導電率のリチウムイオン伝導性固体電解
質を提供するものである。
さらに、この材料に金属酸化物を添加することにより電
子導電率の低いリチウムイオン伝導性固体電解質を提供
するものである。
子導電率の低いリチウムイオン伝導性固体電解質を提供
するものである。
また本発明は、固体電解質の微粉砕、非晶質固体電解質
のアニール処理による結晶成長の制御、あるいは固体電
解質微結晶を溶液力)ら合成するという特徴を有する製
造法である。
のアニール処理による結晶成長の制御、あるいは固体電
解質微結晶を溶液力)ら合成するという特徴を有する製
造法である。
作用
L 1 +、xA l xT 12−X (P 04)
sのリチウムイオンの伝導はその結晶の粒界領域で起
こる。
sのリチウムイオンの伝導はその結晶の粒界領域で起
こる。
このことより、この材料の粉末粒子や結晶粒子の粒径小
さくして結晶内に存在する粒界の量を増やしてイオン導
電率を向上させるとともに、材料粉末の粒度を制御する
ことにより高いイオン導電率を持つリチウムイオン伝導
性固体電解質を合成するものである。また、この材料に
絶縁体の金属酸化物を添加することにより、電子導電率
を低くすることができる。
さくして結晶内に存在する粒界の量を増やしてイオン導
電率を向上させるとともに、材料粉末の粒度を制御する
ことにより高いイオン導電率を持つリチウムイオン伝導
性固体電解質を合成するものである。また、この材料に
絶縁体の金属酸化物を添加することにより、電子導電率
を低くすることができる。
実施例
固体電解質のイオン伝導機構には大きく分けて、イオン
が固体電解質内部を通るバルク伝導と電解質の結晶と結
晶の間の粒界を通る粒界伝導によるものがある。イオン
伝導が前者の固体電解質の場合、そのイオン導電率は電
解質の粒径には大きく影響されないが、後者の場合は大
きく影響を受けることが予想される一L I +*xA
I XT 12−X (P 04)3の場合、イオン
伝導機構は粒界伝導によるものと考えられ、本材料のイ
オン伝導には最適な粒径の条件が存在するものと思われ
る。
が固体電解質内部を通るバルク伝導と電解質の結晶と結
晶の間の粒界を通る粒界伝導によるものがある。イオン
伝導が前者の固体電解質の場合、そのイオン導電率は電
解質の粒径には大きく影響されないが、後者の場合は大
きく影響を受けることが予想される一L I +*xA
I XT 12−X (P 04)3の場合、イオン
伝導機構は粒界伝導によるものと考えられ、本材料のイ
オン伝導には最適な粒径の条件が存在するものと思われ
る。
以下、本発明の詳細について実施例を基に説明する。
(実施例1)
LiaPO4+ A]*Os+TiO2+ NHa
HtPO4を所定量秤量し、混合機で充分混合した後、
白金ルツボに入れ900℃で2時間焼成した後、徐冷し
てL i +、aA 1@、sT i 1.? (P
Oa) sの結晶を合成した。この結晶を乳鉢とジェッ
ト・ミル粉砕機で粉砕し、重量平均粒径がそれぞれ23
μm。
HtPO4を所定量秤量し、混合機で充分混合した後、
白金ルツボに入れ900℃で2時間焼成した後、徐冷し
てL i +、aA 1@、sT i 1.? (P
Oa) sの結晶を合成した。この結晶を乳鉢とジェッ
ト・ミル粉砕機で粉砕し、重量平均粒径がそれぞれ23
μm。
12μm+ 7μm、 2μmの粉末を作成した。
導電率(イオン輸率がほとんど1であるため、以降イオ
ン導電率とする)は、それぞれの粉末材料の両側に電極
材料としてNbS2 と重量平均粒径2μmの粉末材料
を1: 1の重量比で混合したものを用い、4t/cm
2でベレット状に加圧成型し交流インピーダンス法によ
り測定した。その結果を第1図に示した。
ン導電率とする)は、それぞれの粉末材料の両側に電極
材料としてNbS2 と重量平均粒径2μmの粉末材料
を1: 1の重量比で混合したものを用い、4t/cm
2でベレット状に加圧成型し交流インピーダンス法によ
り測定した。その結果を第1図に示した。
この結果より、L f +、aA l a、aT i
+、v (P 0a)3のイオン導電率は、粒子の粒径
に依存し粒子径が約7μm以下になると1×10弓Ω−
’ c m−’以上の値を示すことがわかった。
+、v (P 0a)3のイオン導電率は、粒子の粒径
に依存し粒子径が約7μm以下になると1×10弓Ω−
’ c m−’以上の値を示すことがわかった。
また、A12’3に換えてBprOsrGa203.I
I〕*Ot+ T 120s+ S C20z+
YaO3+ L a20i+Cezos+ P
17203を用いて上記と同様の方法でLi+、2B
@、3Tl、、7(Pot)t+ Li+、aGaa
3T i+、7(POJ) s+L i+、* I n
i、aT i+、t (POa)z+ L i+、z
T Is、zT f+、t (POa)g+ L 1
1.3S Ca、3T i +、r (P O*) 3
1 L f +、5Yay3T i+、7(P□a)
3+ Lf+、5Las、3Ti+、7(PO4)2
1 Li+、3Ce@、3Ti+、t(PO4)t+
Li+、3Pr @、3T i 1.? (P O
j) 3を合成し、イオン導電率の粒子径による依存性
を調べた。その結果、粒子径が、10μm以下でイオン
導電率が大きく向上することが認められた。
I〕*Ot+ T 120s+ S C20z+
YaO3+ L a20i+Cezos+ P
17203を用いて上記と同様の方法でLi+、2B
@、3Tl、、7(Pot)t+ Li+、aGaa
3T i+、7(POJ) s+L i+、* I n
i、aT i+、t (POa)z+ L i+、z
T Is、zT f+、t (POa)g+ L 1
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3+ Lf+、5Las、3Ti+、7(PO4)2
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Li+、3Pr @、3T i 1.? (P O
j) 3を合成し、イオン導電率の粒子径による依存性
を調べた。その結果、粒子径が、10μm以下でイオン
導電率が大きく向上することが認められた。
(実施例2)
実施例1と同様にL 1zPOn+ A 1soi+
T +02、NH4H2POzを所定量秤量し、混
合機で充分混合した後、白金ルツボに入れ900°Cで
2時間焼成した後、徐冷してL i +、sA l s
、aT i 1.?(PO=)3の結晶を合成した。こ
の結晶粉末を白金のノズルに入れ、1000℃で溶融さ
せ、1000回/分で回転する双ローラの間に加圧ガス
を用いて射出しガラス状のL l +、sA 1 @、
3T i 1.?(Pot)tを作成した。このL t
+、3A l@、aT +5.? (PO−)3ガラ
スのイオン導電率は10−6Ω−’ c m−’程度と
低いものであった。
T +02、NH4H2POzを所定量秤量し、混
合機で充分混合した後、白金ルツボに入れ900°Cで
2時間焼成した後、徐冷してL i +、sA l s
、aT i 1.?(PO=)3の結晶を合成した。こ
の結晶粉末を白金のノズルに入れ、1000℃で溶融さ
せ、1000回/分で回転する双ローラの間に加圧ガス
を用いて射出しガラス状のL l +、sA 1 @、
3T i 1.?(Pot)tを作成した。このL t
+、3A l@、aT +5.? (PO−)3ガラ
スのイオン導電率は10−6Ω−’ c m−’程度と
低いものであった。
コノL i 1.3A ls、aT l 1.7 (P
0a)aガラスを昇降温速度200℃/時で100℃
おきに300〜700℃の範囲でそれぞれ1時間アニー
ル処理した後、それぞれのイオン導電率を測定した。そ
の結果を第2図に示した。
0a)aガラスを昇降温速度200℃/時で100℃
おきに300〜700℃の範囲でそれぞれ1時間アニー
ル処理した後、それぞれのイオン導電率を測定した。そ
の結果を第2図に示した。
アニール温度300℃で処理した試料では、粉末X線回
折パターンに大きなピークがなく、かなりの部分がガラ
ス献血であり、そのためイオン導電率も104Ω−’C
m−程度と低い値であった。
折パターンに大きなピークがなく、かなりの部分がガラ
ス献血であり、そのためイオン導電率も104Ω−’C
m−程度と低い値であった。
また、アニール温度600℃以上では結晶化が進み、結
晶粒径が大きくなり、そのためアニール温度が高くなる
とともにイオン導電率が低下した。
晶粒径が大きくなり、そのためアニール温度が高くなる
とともにイオン導電率が低下した。
イオン導電率は、アニール温度400〜500°Cで最
も高い約2X10”Ωすc m−’を示した。
も高い約2X10”Ωすc m−’を示した。
(実施例3)
所定量の塩化リチウム、四塩化チタン、塩化アルミニウ
ムを溶かしたエタノール(モレキュラシーブにより脱水
処理したもの)に所定量のリン酸を溶かした後、ドライ
アンモニアを通じてリン酸リチウム、 リン酸チタン、
リン酸アルミニウムを沈澱させ、ろ過した。この沈澱
物を4. OO″Cで仮焼し塩化アンモニウムを除去し
た後、500kg/cm2で加圧成型し700℃で2時
間焼成してLi 1.3A l i3T i 1.7(
P 04) xを合成した。
ムを溶かしたエタノール(モレキュラシーブにより脱水
処理したもの)に所定量のリン酸を溶かした後、ドライ
アンモニアを通じてリン酸リチウム、 リン酸チタン、
リン酸アルミニウムを沈澱させ、ろ過した。この沈澱
物を4. OO″Cで仮焼し塩化アンモニウムを除去し
た後、500kg/cm2で加圧成型し700℃で2時
間焼成してLi 1.3A l i3T i 1.7(
P 04) xを合成した。
このL i 1.3A l l+、3T i 1.?
(P 04) s粉末を走査型電子顕微鏡で観察した結
果、−次粒子の粒径は、1μm以下であり、室温でのイ
オン導電率は3 X 10−3Ω弓e m −1と高い
値を示した。
(P 04) s粉末を走査型電子顕微鏡で観察した結
果、−次粒子の粒径は、1μm以下であり、室温でのイ
オン導電率は3 X 10−3Ω弓e m −1と高い
値を示した。
次に、塩化アルミニウムを塩化ランタンに換えて上記と
同様の方法でL i +、3L aa、aT i 1.
7 (PO4)3を合成した。この L i +1 L
a l、3T i 1.7(POa)z粉末の一次粒
子の粒径は、1μm以下であり、室温でのイオン導電率
は9X10−’Ωcm伺であった。
同様の方法でL i +、3L aa、aT i 1.
7 (PO4)3を合成した。この L i +1 L
a l、3T i 1.7(POa)z粉末の一次粒
子の粒径は、1μm以下であり、室温でのイオン導電率
は9X10−’Ωcm伺であった。
(実施例4)
所定量(’)L 1sPcL、 A I PO4,T
Is (PO4)4と5モル%の高比表面積の酸化ア
ルミニウム(比表面積10〜20m2/g)を混合した
後、白金ルツボに入れ900°Cで2時間焼成した後、
徐冷して95Li+、3Ala、sTi+、t(POj
)3φ5Ale’sを合成した。
Is (PO4)4と5モル%の高比表面積の酸化ア
ルミニウム(比表面積10〜20m2/g)を混合した
後、白金ルツボに入れ900°Cで2時間焼成した後、
徐冷して95Li+、3Ala、sTi+、t(POj
)3φ5Ale’sを合成した。
この材料を粉砕し重量平均粒径それぞれ34μm、18
μm、 8μm、 3μmの粉末を作成しそれぞれ
のイオン導電率を測定した。その結果を第3図に示した
。
μm、 8μm、 3μmの粉末を作成しそれぞれ
のイオン導電率を測定した。その結果を第3図に示した
。
材料中に酸化アルミニウムを添加することにより結晶成
長が阻害され、結晶粒径が酸化アルミニウムを添加しな
いものに比べて小さいために粉末粒子径が大きくても高
いイオン導電率を示すことがわかった。
長が阻害され、結晶粒径が酸化アルミニウムを添加しな
いものに比べて小さいために粉末粒子径が大きくても高
いイオン導電率を示すことがわかった。
次に、上記と同様の方法で酸化アルミニウムに換えて、
酸化チタン、酸化ケイ素、酸化ジルコニウムを5モル%
添加したL i +、aA l a、sT i 1.7
(POz)zを合成し、上記と同様にイオン導電率の粒
径の依存性を調べた。その結果、これらの酸化物につい
てもL t +、sA 1 @、sT i +、t (
P 04)3の結晶成長を阻害するために、結晶粒径が
小さく粉末流死刑が大きくても高いイオン導7I!率を
示すことがわかった。
酸化チタン、酸化ケイ素、酸化ジルコニウムを5モル%
添加したL i +、aA l a、sT i 1.7
(POz)zを合成し、上記と同様にイオン導電率の粒
径の依存性を調べた。その結果、これらの酸化物につい
てもL t +、sA 1 @、sT i +、t (
P 04)3の結晶成長を阻害するために、結晶粒径が
小さく粉末流死刑が大きくても高いイオン導7I!率を
示すことがわかった。
(実施例5)
所定量のL taPOas A I PO4,T i
s (PO4)、に5. 1.0. 20. 40.
60モル%の高比表面積の酸化アルミニウム(比表面積
10〜20m2/g)をそれぞれ混合した後1.白金ル
ツボに入れ900℃で2時間焼成し、徐冷して酸化アル
ミニウムを添加したL i +、aA I 8.3T
t 1.? (P O*)3を合成した。それらの材料
をそれぞれ重量平均粒径8μm程度に粉砕し、そのイオ
ン導電率および電子導電率を測定した。その結果を第4
図に示した。
s (PO4)、に5. 1.0. 20. 40.
60モル%の高比表面積の酸化アルミニウム(比表面積
10〜20m2/g)をそれぞれ混合した後1.白金ル
ツボに入れ900℃で2時間焼成し、徐冷して酸化アル
ミニウムを添加したL i +、aA I 8.3T
t 1.? (P O*)3を合成した。それらの材料
をそれぞれ重量平均粒径8μm程度に粉砕し、そのイオ
ン導電率および電子導電率を測定した。その結果を第4
図に示した。
イオン導電率は、酸化アルミニウムを20モル%添加し
たもので最も高い値を示したが、電子導電率は、酸化ア
ルミニウムの添加量の増加にともない低下し、酸化アル
ミニウムを20モル%添加したもので約1桁低下した。
たもので最も高い値を示したが、電子導電率は、酸化ア
ルミニウムの添加量の増加にともない低下し、酸化アル
ミニウムを20モル%添加したもので約1桁低下した。
発明の効果
以上のように本発明になる固体電解質、また本発明の製
造法になる固体電解質は、再現性良く高いイオン導電率
を持つものであり、さらに金属酸化物を添加することに
より電子導電率を低下させることができる。
造法になる固体電解質は、再現性良く高いイオン導電率
を持つものであり、さらに金属酸化物を添加することに
より電子導電率を低下させることができる。
第1図は本発明の一実施例におけるリチウムイオン伝導
性固体電解質のイオン導電率と粒径の関係図、第2図は
L i +、sA l @、sT i 1.7 (P
04)aガラスのイオン導電率とアニール温度の関係図
、第3図は酸化アルミニウムを添加した材料のイオン導
電率と粒径の関係図、第4図はイオン導電率および電子
導電率と酸化アルミニウムの添加量の関係図である。 代理人の氏名 弁理士 粟野重孝 はか1名第1図 第2図 5 tO1527) 重量平均粒径ム机 3ρρ 5勿 アニ一ル渫度/ ’c π秒 第 図 ρ π S 皇量早均仁径す− 第 図 酸化アルミニツム添ガゴ量/モ、し3
性固体電解質のイオン導電率と粒径の関係図、第2図は
L i +、sA l @、sT i 1.7 (P
04)aガラスのイオン導電率とアニール温度の関係図
、第3図は酸化アルミニウムを添加した材料のイオン導
電率と粒径の関係図、第4図はイオン導電率および電子
導電率と酸化アルミニウムの添加量の関係図である。 代理人の氏名 弁理士 粟野重孝 はか1名第1図 第2図 5 tO1527) 重量平均粒径ム机 3ρρ 5勿 アニ一ル渫度/ ’c π秒 第 図 ρ π S 皇量早均仁径す− 第 図 酸化アルミニツム添ガゴ量/モ、し3
Claims (4)
- (1)結晶粒径10μm以下の一般式Li_1_+_x
M_xTi_2_−_x(PO_4)_3(MはB、A
l、Ga、In、Tl、Sc、Y、La、Ce、Pr)
で表わされる複合リン酸塩よりなることを特徴とする固
体電解質。 - (2)一般式Li_1_+_xM_xTi_2_−_x
(PO_4)_3(MはB、Al、Ga、In、Tl、
Sc、Y、La、Ce、Pr)で表わされる複合リン酸
塩に金属酸化物を添加したことを特徴とする請求項1記
載の固体電解質。 - (3)一般式Li_1_+_xMxTi_2_−_x(
PO_4)_3(MはB、Al、Ga、In、Tl、S
c、Y、La、Ce、Pr)で表わされる複合リン酸塩
を非晶質化した後、アニール処理したことを特徴とする
固体電解質の製造法。 - (4)リチウム塩、チタン塩、M(MはB、Al、Ga
、In、Tl、Sc、Y、La、Ce、Pr)塩を含む
エタノールにリン酸を加え、アルカリで中和してLi_
3PO_4、Ti_3(PO_4)_4の混合物を作成
し、この混合物を焼成し、一般式Li_1_+_xM_
xTi_2_−_x(PO_4)_3で表わされる複合
リン酸塩を合成したことを特徴とする固体電解質の製造
法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1043759A JPH02225310A (ja) | 1989-02-23 | 1989-02-23 | 固体電解質およびその製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1043759A JPH02225310A (ja) | 1989-02-23 | 1989-02-23 | 固体電解質およびその製造法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02225310A true JPH02225310A (ja) | 1990-09-07 |
Family
ID=12672691
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1043759A Pending JPH02225310A (ja) | 1989-02-23 | 1989-02-23 | 固体電解質およびその製造法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH02225310A (ja) |
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