JPH02219301A - Ｐｉｎダイオードスイツチ - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明はＰＩＮダイオードスイッチに関するものであ
る。

〔従来の技術〕

第２図は従来の多分岐Ｐエベダイオードスイッチの一例
であり９図において（ａ）は流れるバイアス電流を変化
させることにより高周波抵抗を変化させるとさができる
ＰＩＮダイオード、（ｂ）は高周波信号漏洩防止のため
の高周波チョークコイル、（Ｃ）けＰＩＮダイオードの
バイアス電流の流出を防ぐためのコンデンサ、　ｆｄ）
、　（θ）は高周波信号用端子。

（ｆ）ｕｐ工Ｎダイオードのバイアス電流を流すための
バイアス端子、（ｇ）け誘ぽ体基板上に金属嘆で形成さ
れた導体線路、（ｈ）は導体線路の結合する結合部導体
である。

次に動作について説明する。ＰＩＮダイオード（８）は
順方向バイアス時には高周波信号に対し低抵抗を示し、
逆方向バイアス時には高周波信号に対し高抵抗を示す半
導体素子である。多分岐ＰＩＮダイオードスイッチは高
周波信号用端子（ｄｌのうち１つを選択し、高周波信号
用端子（ｅ）との間の線路上にあるＰＩＮダイオードす
べてに順バイアス電流が流れるようにバイアス端子（ｆ
＋にバイアス電圧を印加しそれと同時に上記以外のバイ
アス端子（ｆ）に逆方向バイアスを印加するときにより
、上記の選択された１経路のみ低損失で「也経路はすべ
て高損失で高周波信号が伝送され多分岐ＰＩＮダイオー
ドスイッチが形成される。

〔発明が解決しようとする課題〕

上記のような従来の多分岐ＰＩＮダイオードスイッチは
低損失状態の経路上で結合部導体部のインピーダンスが
導体線路のインピーダンスと異なり高周波信号がその部
分で反射され損失が増力口しまた。結合部導体における
入出力導体線路間の角度が選択する経路により異なるた
め損失の大きさが経路により不均一であり、さらに選択
された経路以外の経路においてＰＩＮダイオードの位置
により抵抗が号太とならず高周波信号が漏れるなどの課
題があった。

この発明はかかる課題を解決するためになされたもので
あり、ｉ＠合部導体のインピーダンスの整合をきるとと
もに結合部における入出力線路の角度による損失の犬へ
さの不均一を無（シ９選択された経路以外の経路による
高周波信号の漏れを減少させることを目的とする。

〔課題を解決するための手段〕

この発明に係るＰＩＮダイオードは導体線路の結合部導
体き同形状の部分をそれぞれのＰＩＮダイオード列から
なる回路上に結合部導体の中心から、伝送される高周波
信号の波長のＶ４　　の長さの位置に形成するときもに
上記部分において結合部導体での入出力線路間の角度と
同角度にて線路の方向がすべて平行さなるように曲げ、
さらに結合部及び同形状部分（ｌ！：ＰＩＮダイオード
列からなる回路の高周波信号端子側の導体線路の間にＰ
ＩＮタイオードを接続したものである。

〔作用〕

この発明において結合部導体と同形状の部分をＰＩＮダ
イオード列からなる回路上に結合部導体の中心から伝送
される高周波信号の波長の凡　の長さの位置に形成する
おともに上記部分において結合部導体での入出力線路間
の角度と同角度にて線路の方向がすべて平行きなるよう
に曲げることにより、結合部導体のインピーダンスの整
合をとるサキもに入出力線路間の角度による損失の不均
一を無くすときができ、さらに硅合部及び同形状部分き
ＰＩＮダイオード列からなる回路の高周波信号端子側の
導体線路の間にＰＩＮダイオードを接続することにより
ＰＩＮダイオードの間隔が伝送される高周波信号の波長
の４　の長さになるため９選択された線路以外の経路は
抵抗が巾大となり高−波信号の漏れを減少させるときが
できる。

〔実施例〕

第１図はこの発明の一実施例を示す図である。

ｌａｌ、　（ｂｌ、　（ｃｌ、　（ｄ）、　（ｅｌ、　
（ｆ）、　（ｇｌ、　（ｈ）は第２図の従来装置と同様
のものである。（ｉ）は（ｈ）と同形状の部分をＰＩＮ
ダイオード列からなる回路上に結合部（ｈｌの中心から
伝送される高周波信号の波長の＆　の長さの位置に形成
したものである。

上記のように構成されたＰＩＮダイオードスイッチにお
いてバイアス端子（ｆ＋の中より一つを選択し順バイア
ス電圧を印加すると、上記バイアス端子の接続された回
路の高周波信号用端子（ａ）と高周波信号用端子（ｅ）
との間の経路上のＰＩＮダイオードｆａ）に順バイアス
電流が流れ、ＰＩＮダイオード（８）は低抵抗きなり、
さらに結合部導体（ｈ）のインピーダンスは結合部導体
（ｈ）の中心から伝送される高周波信号の波長の４　の
長さの位置に結合部導体（ｈ）と同形状に形成された部
分（１）とその部分子ｉｌ　Ｋおいて、結合部導体（ｈ
＋での入出力線路間の角度と同じ角度ですべての導体線
路が平行きなるように曲げられた線路の形状により整合
がとられ、上記経路は結合部における入出力線路間の角
度によらず同種度の低損失きなる。同時に上記の選択さ
れたバイアス端子（ｄ）以外のバイアス端子（ｄ）に逆
バイアス電圧を印η口すると上記経路以外の経路上のＰ
ＩＮダイオードは逆バイアス電圧がかかり高損失となり
、さらに結合部導体及び同形状部分（１）とＰＩＮダイ
オード列からなる回路の高周波端子側の導体線路の間に
接続されたＰＩＮダイオードの間隔が伝送される高層＊
信号の波長の４　の長さと同じ短離であるために抵抗が
青火となり上記経路以外の経路は量大損失とな９．その
結果、高置波信号は選択する経路によらず均一な損失を
もって上記経路を主として伝送される。

〔発明の効果〕

この発明は以上説明したきおり導体線路の結合部導体と
同形状の部分を結合部導体の中心から伝送される高置波
信号の波長の乙　の長さの位置に形成しさらに、その部
分において線路を結合部導体における入出力線路の角度
と同角度ですべての線路が平行きなるように曲げ、結合
部導体及び同形状部分とＰＩＮダイオードからなる回路
の高周波信号端子側の導体線路との間にＰＩＮダイオー
ドを接続したので選択された経路では経路によらず同程
度に低損失となり、それ以外の経路では量大損失が得ら
れる効果がある。

【図面の簡単な説明】

第１図はこの発明の一実施例を示す図、第２図は従来装
置を示す図である。 図においてＩａ）けＰＩＮダイオード、（ｂ）は高周波
チョークコイル、（Ｃ）はコンデンサ、　（ｄ）、　（
ｅ）ｆｄＩ％ｍ波信号端子、（ｆ）はバイアス端子、（
ｇ）は導体線路。 （ｈ）け結合部導体、（１）は結合部導体と同形状部分
である。 なお１図中同一あるいけ相当部分には同一符号を付して
示しである。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. ＰＩＮダイオードを複数個導体線路を介して同方向に直
   列接続したＰＩＮダイオード列，そのＰＩＮダイオード
   列のカソード側にＰＩＮダイオードを流れる高周波信号
   に対し十分大きなインピーダンスを持つチョークコイル
   と十分小さなインピーダンスを持つコンデンサをそれぞ
   れの一端において接続し，このチョークコイルの他端を
   ＰＩＮダイオードのバイアス用端子とし，さらに上記コ
   ンデンサの他端を高周波信号用端子とした回路，また上
   記チョークコイルとコンデンサをそれぞれの一端におい
   て接続し，このチョークコイルの他端を接地し，さらに
   このコンデンサの他端を高周波信号用端子とした回路，
   前者の回路を複数個と後者の回路１つが高周波信号用端
   子側と反対の端において円形にした結合部導体にすべて
   の回路が等間隔になるよう対称に結合した多分岐ＰＩＮ
   ダイオードスイッチ，さらに複数個結合した前者の回路
   上に結合部導体の中心から伝送される高周波信号の波長
   の１／４の長さと同じ距離に結合部導体と同形状をした
   部分を形成し，この部分において前者の回路を後者の回
   路と平行になるような角度で回路を曲げ，さらに結合部
   導体及び前者の回路上のすべての結合部導体と同形状を
   した部分において前者の回路の高周波端子側の導体線路
   との間にＰＩＮダイオードを接続したことを特徴とする
   ＰＩＮダイオードスイッチ。