JP2002141702A - 半導体移相器 - Google Patents
半導体移相器Info
- Publication number
- JP2002141702A JP2002141702A JP2000334435A JP2000334435A JP2002141702A JP 2002141702 A JP2002141702 A JP 2002141702A JP 2000334435 A JP2000334435 A JP 2000334435A JP 2000334435 A JP2000334435 A JP 2000334435A JP 2002141702 A JP2002141702 A JP 2002141702A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- coplanar line
- input
- output
- pattern
- line pattern
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
- Waveguide Switches, Polarizers, And Phase Shifters (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 小型でかつ設定位相精度の周波数
依存性が少ない半導体移相器を得る。 【解決手段】 半導体基板上の第１の入出力コプ
レナー線路パターンと第２の入出力コプレナー線路パタ
ーン間に第３のコプレナー線路パターンとツイストされ
た第４のコプレナー線路パターンを設け、第１の入出力
コプレナー線路パターンから入力し第２の入出力コプレ
ナー線路パターンに出力するマイクロ波信号の伝搬経路
を第１〜第４のＦＥＴにより第３のコプレナー線路パタ
ーン側からツイストされた第４のコプレナー線路パター
ン側に切換える構成としたものである。
依存性が少ない半導体移相器を得る。 【解決手段】 半導体基板上の第１の入出力コプ
レナー線路パターンと第２の入出力コプレナー線路パタ
ーン間に第３のコプレナー線路パターンとツイストされ
た第４のコプレナー線路パターンを設け、第１の入出力
コプレナー線路パターンから入力し第２の入出力コプレ
ナー線路パターンに出力するマイクロ波信号の伝搬経路
を第１〜第４のＦＥＴにより第３のコプレナー線路パタ
ーン側からツイストされた第４のコプレナー線路パター
ン側に切換える構成としたものである。
Description
【０００１】
【発明の属する技術】この発明は、シリコン、ガリウム
ひ素（以下ＧａＡｓと称す）等の半導体基板に形成した
電界効果トランジスタ（以下ＦＥＴという）等をスイッ
チとして用い、同一の半導体基板に形成したコプレナー
線路の経路を切換えてマイクロ波の信号を移相する半導
体移相器に関するものである。
ひ素（以下ＧａＡｓと称す）等の半導体基板に形成した
電界効果トランジスタ（以下ＦＥＴという）等をスイッ
チとして用い、同一の半導体基板に形成したコプレナー
線路の経路を切換えてマイクロ波の信号を移相する半導
体移相器に関するものである。
【０００２】図５に従来の線路切換え形の半導体移相器
の構造例を示す。図において、１は半導体基板、６はＦ
ＥＴのドレイン電極（若しくはソース電極）、７はＦＥ
Ｔのソース電極（若しくはドレイン電極）、８はＦＥＴ
のゲート電極、９は前記ドレイン電極６、ソース電極
７、ゲート電極８を有するＦＥＴ、１０はバイアス用抵
抗、１１はバイアス用パッド、１２は上記バイアス用抵
抗１０及びバイアス用パッド１１で構成されるバイアス
回路、２６は半導体基板１の裏面に形成されたグランド
パターン、２７は第１の入出力用マイクロストリップ線
路パターン、２８は第２の入出力用マイクロストリップ
線路パターン、２９は基準位相用マイクロストリップ線
路パターン、３０は位相設定用マイクロストリップ線路
パターンである。
の構造例を示す。図において、１は半導体基板、６はＦ
ＥＴのドレイン電極（若しくはソース電極）、７はＦＥ
Ｔのソース電極（若しくはドレイン電極）、８はＦＥＴ
のゲート電極、９は前記ドレイン電極６、ソース電極
７、ゲート電極８を有するＦＥＴ、１０はバイアス用抵
抗、１１はバイアス用パッド、１２は上記バイアス用抵
抗１０及びバイアス用パッド１１で構成されるバイアス
回路、２６は半導体基板１の裏面に形成されたグランド
パターン、２７は第１の入出力用マイクロストリップ線
路パターン、２８は第２の入出力用マイクロストリップ
線路パターン、２９は基準位相用マイクロストリップ線
路パターン、３０は位相設定用マイクロストリップ線路
パターンである。
【０００３】尚、ＦＥＴ９のゲート電極８には、バイア
ス回路１２よりゲートバイアス電圧を印加してＦＥＴ１
０をスイッチ動作させ、その時、ＦＥＴ９のドレイン電
圧、ソース電圧を直流的に同電位とするためにドレイン
電極６、ソース電極７を通常接地して用いるが、そのた
めのバイアス回路の図示は省略してある。
ス回路１２よりゲートバイアス電圧を印加してＦＥＴ１
０をスイッチ動作させ、その時、ＦＥＴ９のドレイン電
圧、ソース電圧を直流的に同電位とするためにドレイン
電極６、ソース電極７を通常接地して用いるが、そのた
めのバイアス回路の図示は省略してある。
【０００４】図６は図５に示した従来の線路が切換え形
の半導体移相器の動作説明図である。図において３１は
第１の入出力マイクロストリップ線路、３２は第２の入
出力マイクロストリップ線路、３３は基準位相用マイク
ロストリップ線路、３４は設定位相用マイクロストリッ
プ線路、３５は単極双投スイッチ（以下ＳＰＤＴスイッ
チと称す）である。
の半導体移相器の動作説明図である。図において３１は
第１の入出力マイクロストリップ線路、３２は第２の入
出力マイクロストリップ線路、３３は基準位相用マイク
ロストリップ線路、３４は設定位相用マイクロストリッ
プ線路、３５は単極双投スイッチ（以下ＳＰＤＴスイッ
チと称す）である。
【０００５】次に動作について説明する。今ドレイン電
圧、ソース電圧を直流的に同電位、例えばＯＶとする
と、ゲート電圧をＯＶとピンチオフ電圧以下とに切換え
ることにより、ＦＥＴ９のドレイン電極６とソース電極
７間は通過遮断のスイッチ動作をする。従って第１のＦ
ＥＴ９ａと第２のＦＥＴ９ｂをペアとして用い、それぞ
れのゲート電極８ａ、８ｂのどちらか一方をＯＶ、他方
をピンチオフ以下の電圧を印加し、同時に互いのバイア
ス電圧を切換えれば、ＳＰＤＴスイッチとして動作し、
図６の３５ａに示す第１のＳＰＤＴスイッチに相当す
る。
圧、ソース電圧を直流的に同電位、例えばＯＶとする
と、ゲート電圧をＯＶとピンチオフ電圧以下とに切換え
ることにより、ＦＥＴ９のドレイン電極６とソース電極
７間は通過遮断のスイッチ動作をする。従って第１のＦ
ＥＴ９ａと第２のＦＥＴ９ｂをペアとして用い、それぞ
れのゲート電極８ａ、８ｂのどちらか一方をＯＶ、他方
をピンチオフ以下の電圧を印加し、同時に互いのバイア
ス電圧を切換えれば、ＳＰＤＴスイッチとして動作し、
図６の３５ａに示す第１のＳＰＤＴスイッチに相当す
る。
【０００６】同様に第３のＦＥＴ９ｃ、第４のＦＥＴ９
ｄのペアは、図６の第２のＳＰＤＴスイッチ３５ｂに相
当する。同様に図５の第１の入出力用マイクロストリッ
プ線路パターン２７は図６の第１の入出力用マイクロス
トリップ線路３３に、図５の第２のマイクロストリップ
線路パターン２８は図６の第２の入出力用マイクロスト
リップ線路３２に相当し、図５の基準位相用マイクロス
トリップ線路パターン２９は図６の基準位相用マイクロ
ストリップ線路３３に、図５の設定位相用マイクロスト
リップ線路パターン３０は図６の設定位相用マイクロス
トリップ線路３４に相当する。
ｄのペアは、図６の第２のＳＰＤＴスイッチ３５ｂに相
当する。同様に図５の第１の入出力用マイクロストリッ
プ線路パターン２７は図６の第１の入出力用マイクロス
トリップ線路３３に、図５の第２のマイクロストリップ
線路パターン２８は図６の第２の入出力用マイクロスト
リップ線路３２に相当し、図５の基準位相用マイクロス
トリップ線路パターン２９は図６の基準位相用マイクロ
ストリップ線路３３に、図５の設定位相用マイクロスト
リップ線路パターン３０は図６の設定位相用マイクロス
トリップ線路３４に相当する。
【０００７】図６において、第１の入出力マイクロスト
リップ線路３１より入力したマイクロ波信号は第１のＳ
ＰＤＴスイッチ３５ａ、基準位相用マイクロストリップ
線路３３、第２のＳＰＤＴスイッチ３５ｂを通過し、第
２の入出力マイクロストリップ線路３２に出力する。
リップ線路３１より入力したマイクロ波信号は第１のＳ
ＰＤＴスイッチ３５ａ、基準位相用マイクロストリップ
線路３３、第２のＳＰＤＴスイッチ３５ｂを通過し、第
２の入出力マイクロストリップ線路３２に出力する。
【０００８】ここで、両ＳＰＤＴスイッチ３５ａ、３５
ｂにて、マイクロ波信号の伝搬経路を設定位相用マイク
ロストリップ線路３４側に切換えることにより、マイク
ロ波信号の位相を伝搬経路の電気長差分だけ移相するこ
とができる。
ｂにて、マイクロ波信号の伝搬経路を設定位相用マイク
ロストリップ線路３４側に切換えることにより、マイク
ロ波信号の位相を伝搬経路の電気長差分だけ移相するこ
とができる。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】従来の線路が切換え形
の半導体移相器は以上のように構成され、前述の動作原
理を基にしているため、設定位相を大きくする程、周波
数変化に伴う設定位相誤差が大きくなり、また図５に示
す設定位相用マイクロストリップ線路パターン３０を長
くする必要があるため、回路構成の大型化を招くなどの
課題があった。
の半導体移相器は以上のように構成され、前述の動作原
理を基にしているため、設定位相を大きくする程、周波
数変化に伴う設定位相誤差が大きくなり、また図５に示
す設定位相用マイクロストリップ線路パターン３０を長
くする必要があるため、回路構成の大型化を招くなどの
課題があった。
【００１０】この発明は、上記のような課題を解消する
ためになされたものであり、小形で、設定位相精度の周
波数依存性が少なく１８０度移相できる半導体移相器を
得ることを目的とする。
ためになされたものであり、小形で、設定位相精度の周
波数依存性が少なく１８０度移相できる半導体移相器を
得ることを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】第１の発明の半導体移相
器は、第１の入出力用コプレナー線路と第２の入出力用
コプレナー線路間に設けられた、第３のコプレナー線路
とツイストされた第４のコプレナー線路と、上記第１の
入出力用コプレナー線路あるいは第２の入出力用コプレ
ナー線路から上記第２の入出力用コプレナー線路あるい
は第１の入出力コプレナー線路へのマイクロ波信号の伝
搬経路を、上記第３のコプレナー線路側からツイストさ
れた第４のコプレナー線路側へ切換えるスイッチイング
手段とを具備したものである。
器は、第１の入出力用コプレナー線路と第２の入出力用
コプレナー線路間に設けられた、第３のコプレナー線路
とツイストされた第４のコプレナー線路と、上記第１の
入出力用コプレナー線路あるいは第２の入出力用コプレ
ナー線路から上記第２の入出力用コプレナー線路あるい
は第１の入出力コプレナー線路へのマイクロ波信号の伝
搬経路を、上記第３のコプレナー線路側からツイストさ
れた第４のコプレナー線路側へ切換えるスイッチイング
手段とを具備したものである。
【００１２】第２の発明の半導体移相器は、上記スイッ
チイング手段として上記第１の入出力用コプレナー線路
と第３のコプレナー線路に接続される第１のスイッチ、
上記第１の入出力用コプレナー線路と第４のコプレナー
線路に接続される第２のスイッチ、上記第２の入出力用
コプレナー線路と第３のコプレナー線路に接続される第
３のスイッチ、上記第２の入出力用コプレナー線路と第
４のコプレナー線路に接続される第４のスイッチを用い
たものである。
チイング手段として上記第１の入出力用コプレナー線路
と第３のコプレナー線路に接続される第１のスイッチ、
上記第１の入出力用コプレナー線路と第４のコプレナー
線路に接続される第２のスイッチ、上記第２の入出力用
コプレナー線路と第３のコプレナー線路に接続される第
３のスイッチ、上記第２の入出力用コプレナー線路と第
４のコプレナー線路に接続される第４のスイッチを用い
たものである。
【００１３】第３の発明の半導体移相器は、上記第１〜
第４のスイッチとして、電界効果トランジスタ又はダイ
オードを用いたものである。
第４のスイッチとして、電界効果トランジスタ又はダイ
オードを用いたものである。
【００１４】第４の発明の半導体移相器は、半導体基板
と、該半導体基板上に形成された第１及び第２の入出力
用コプレナー線路パターンと、上記半導体基板上の上記
第１及び第２の入出力用コプレナー線路パターン間に形
成された第３のコプレナー線路パターンと、上記半導体
基板上の上記第１及び第２の入出力用コプレナー線路パ
ターン間に形成された、エアブリッジ等でツイストされ
た第４のコプレナー線路パターンと、ドレイン電極（若
しくはソース電極）が上記第１の入出力用コプレナー線
路パターンの中心導体パターンの一端と接続され、ソー
ス電極（若しくはドレイン電極）が上記第３のコプレナ
ー線路パターンの一端の中心導体パターンと接続された
第１の電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）と、ドレイン電
極が上記第１の入出力用コプレナー線路パターンの中心
導体と接続され、ソース電極が上記ツイストされた第４
のコプレナー線路パターンの一端の中心導体パターンと
接続された第２のＦＥＴと、ドレイン電極が上記第２の
入出力用コプレナー線路パターンの中心導体パターンの
一端と接続され、ソース電極が上記第３のコプレナー線
路パターンの他端の中心導体のパターンと接続された第
３のＦＥＴと、ドレイン電極が上記第２の入出力用コプ
レナー線路パターンの中心導体パターンの一端と接続さ
れ、ソース電極が上記ツイストされた第４のコプレナー
線路パターンの他端の中心導体パターンと接続された第
４のＦＥＴとを備えたものである。
と、該半導体基板上に形成された第１及び第２の入出力
用コプレナー線路パターンと、上記半導体基板上の上記
第１及び第２の入出力用コプレナー線路パターン間に形
成された第３のコプレナー線路パターンと、上記半導体
基板上の上記第１及び第２の入出力用コプレナー線路パ
ターン間に形成された、エアブリッジ等でツイストされ
た第４のコプレナー線路パターンと、ドレイン電極（若
しくはソース電極）が上記第１の入出力用コプレナー線
路パターンの中心導体パターンの一端と接続され、ソー
ス電極（若しくはドレイン電極）が上記第３のコプレナ
ー線路パターンの一端の中心導体パターンと接続された
第１の電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）と、ドレイン電
極が上記第１の入出力用コプレナー線路パターンの中心
導体と接続され、ソース電極が上記ツイストされた第４
のコプレナー線路パターンの一端の中心導体パターンと
接続された第２のＦＥＴと、ドレイン電極が上記第２の
入出力用コプレナー線路パターンの中心導体パターンの
一端と接続され、ソース電極が上記第３のコプレナー線
路パターンの他端の中心導体のパターンと接続された第
３のＦＥＴと、ドレイン電極が上記第２の入出力用コプ
レナー線路パターンの中心導体パターンの一端と接続さ
れ、ソース電極が上記ツイストされた第４のコプレナー
線路パターンの他端の中心導体パターンと接続された第
４のＦＥＴとを備えたものである。
【００１５】第５の発明の半導体移相器は、半導体基板
と、該半導体基板上に形成された第１及び第２の入出力
用コプレナー線路パターンと、上記半導体基板上の上記
第１及び第２の入出力用コプレナー線路パターン間に形
成された第３のコプレナー線路パターンと、上記半導体
基板上の上記第１及び第２の入出力用コプレナー線路パ
ターン間に形成されたエアブリッジ等でツイストされた
第４のコプレナー線路パターンと、アノード電極（若し
くはカソード電極）が上記第１の入出力用コプレナー線
路パターンの中心導体パターンの一端と接続され、カソ
ード電極（若しくはアノード電極）が上記第３のコプレ
ナー線路パターンの一端の中心導体パターンと接続され
た第１のダイオードと、アノード電極が上記第１の入出
力用コプレナー線路パターンの中心導体と接続され、カ
ソード電極が上記ツイストされた第４のコプレナー線路
パターンの一端の中心導体パターンと接続された第２の
ダイオードと、アノード電極が上記第２の入出力用コプ
レナー線路パターンの中心導体パターンの一端と接続さ
れ、カソード電極が上記第３のコプレナー線路パターン
の他端の中心導体のパターンと接続された第３のダイオ
ードと、アノード電極が上記第２の入出力用コプレナー
線路パターンの中心導体パターンの一端と接続され、カ
ソード電極が上記ツイストされた第４のコプレナー線路
パターンの他端の中心導体パターンと接続された第４の
ダイオードとを備えたものである。
と、該半導体基板上に形成された第１及び第２の入出力
用コプレナー線路パターンと、上記半導体基板上の上記
第１及び第２の入出力用コプレナー線路パターン間に形
成された第３のコプレナー線路パターンと、上記半導体
基板上の上記第１及び第２の入出力用コプレナー線路パ
ターン間に形成されたエアブリッジ等でツイストされた
第４のコプレナー線路パターンと、アノード電極（若し
くはカソード電極）が上記第１の入出力用コプレナー線
路パターンの中心導体パターンの一端と接続され、カソ
ード電極（若しくはアノード電極）が上記第３のコプレ
ナー線路パターンの一端の中心導体パターンと接続され
た第１のダイオードと、アノード電極が上記第１の入出
力用コプレナー線路パターンの中心導体と接続され、カ
ソード電極が上記ツイストされた第４のコプレナー線路
パターンの一端の中心導体パターンと接続された第２の
ダイオードと、アノード電極が上記第２の入出力用コプ
レナー線路パターンの中心導体パターンの一端と接続さ
れ、カソード電極が上記第３のコプレナー線路パターン
の他端の中心導体のパターンと接続された第３のダイオ
ードと、アノード電極が上記第２の入出力用コプレナー
線路パターンの中心導体パターンの一端と接続され、カ
ソード電極が上記ツイストされた第４のコプレナー線路
パターンの他端の中心導体パターンと接続された第４の
ダイオードとを備えたものである。
【００１６】
【発明の実施の形態】実施の形態１ 以下この発明の実施の形態１を図について説明する。図
１にこの発明による半導体移相器の構造例を示す。図に
おいて２は第１の入出力用コプレナー線路パターン、３
は第２の入出力用コプレナー線路パターン、４は第３の
コプレナー線路パターン、５はツイストされた第４のコ
プレナー線路パターン、１３は上記コプレナー線路の外
導体同士を接続するためのエアブリッジ、１４は第４の
コプレナー線路パターン５をツイストするためのエアブ
リッジである。
１にこの発明による半導体移相器の構造例を示す。図に
おいて２は第１の入出力用コプレナー線路パターン、３
は第２の入出力用コプレナー線路パターン、４は第３の
コプレナー線路パターン、５はツイストされた第４のコ
プレナー線路パターン、１３は上記コプレナー線路の外
導体同士を接続するためのエアブリッジ、１４は第４の
コプレナー線路パターン５をツイストするためのエアブ
リッジである。
【００１７】尚、図１においてＦＥＴ９のゲート電極８
にはバイアス回路１２よりゲートバイアス電圧を印加し
てＦＥＴ９をスイッチ動作させ、その時ＦＥＴ９のドレ
イン電圧、ソース電圧は直流的に同電位とするためドレ
イン電極６、ソース電極７は通常接地して用いるがその
ためのバイアス回路の図示は省略している。
にはバイアス回路１２よりゲートバイアス電圧を印加し
てＦＥＴ９をスイッチ動作させ、その時ＦＥＴ９のドレ
イン電圧、ソース電圧は直流的に同電位とするためドレ
イン電極６、ソース電極７は通常接地して用いるがその
ためのバイアス回路の図示は省略している。
【００１８】図２、図３は図１に示した半導体移相器の
動作説明図である。図において、１５は第１の入出力用
コプレナー線路、１６は第２の入出力用コプレナー線
路、１７は第３のコプレナー線路、１８はツイストされ
た第３のコプレナー線路、１９はＳＰＤＴスイッチであ
る。
動作説明図である。図において、１５は第１の入出力用
コプレナー線路、１６は第２の入出力用コプレナー線
路、１７は第３のコプレナー線路、１８はツイストされ
た第３のコプレナー線路、１９はＳＰＤＴスイッチであ
る。
【００１９】次に動作について説明する。今ドレイン電
圧、ソース電圧を直流的に同電位例えばＯＶとすると、
ゲート電圧をＯＶとピンチオフ電圧以下とに切換えるこ
とにより、ＦＥＴ９のドレイン電極６とソース電極７間
は通過／遮断のスイッチ動作をする。従って第１のＦＥ
Ｔ９ａと第２のＦＥＴ９ｂをペアとして用いそれぞれの
ゲート電極８ａ、８ｂのどちらか一方をＯＶ、他方をピ
ンチオフ以下の電圧を印加し、同時に互いのバイアス電
圧を切換えれば、ＳＰＤＴスイッチとして動作し、図２
の１９ａに示す第１のＳＰＤＴスイッチに相当する。
圧、ソース電圧を直流的に同電位例えばＯＶとすると、
ゲート電圧をＯＶとピンチオフ電圧以下とに切換えるこ
とにより、ＦＥＴ９のドレイン電極６とソース電極７間
は通過／遮断のスイッチ動作をする。従って第１のＦＥ
Ｔ９ａと第２のＦＥＴ９ｂをペアとして用いそれぞれの
ゲート電極８ａ、８ｂのどちらか一方をＯＶ、他方をピ
ンチオフ以下の電圧を印加し、同時に互いのバイアス電
圧を切換えれば、ＳＰＤＴスイッチとして動作し、図２
の１９ａに示す第１のＳＰＤＴスイッチに相当する。
【００２０】同様に第３のＦＥＴ９ｃ、第４のＦＥＴ９
ｄのペアは図２の第２のＳＰＤＴスイッチ１９ｂに相当
する。同様に図１の第１の入出力用コプレナー線路パタ
ーン２は図２の第１の入出力用コプレナー線路１５に、
図１の第２の入出力用コプレナー線路パターン３は図２
の第２の入出力用コプレナー線路１６に相当し、図１の
第３のコプレナー線路パターン４は図２の第３のコプレ
ナー線路１７に、図１のツイストされた第４のコプレナ
ー線路パターン５は、図２のツイストされた第４のコプ
レナー線路１８に相当する。
ｄのペアは図２の第２のＳＰＤＴスイッチ１９ｂに相当
する。同様に図１の第１の入出力用コプレナー線路パタ
ーン２は図２の第１の入出力用コプレナー線路１５に、
図１の第２の入出力用コプレナー線路パターン３は図２
の第２の入出力用コプレナー線路１６に相当し、図１の
第３のコプレナー線路パターン４は図２の第３のコプレ
ナー線路１７に、図１のツイストされた第４のコプレナ
ー線路パターン５は、図２のツイストされた第４のコプ
レナー線路１８に相当する。
【００２１】図２は第１の入出力用コプレナー線路１５
と第２の入出力用コプレナー線路１６とがＳＰＤＴスイ
ッチ１９ａ、１９ｂにより第１のコプレナー線路１７側
と接続されている状態を示し、図３はツイストされた第
４のコプレナー線路１８側と接続された状態を示す。→
はホットとリターン電流の向きを示している。第１の入
出力用コプレナー線路１５から入力し、第２の入出力用
コプレナー線路１６に出力するマイクロ波信号の位相
は、伝搬経路を第３のコプレナー線路１７側からツイス
トされた第４のコプレナー線路１８側に切換えることに
より１８０度移相することができる。
と第２の入出力用コプレナー線路１６とがＳＰＤＴスイ
ッチ１９ａ、１９ｂにより第１のコプレナー線路１７側
と接続されている状態を示し、図３はツイストされた第
４のコプレナー線路１８側と接続された状態を示す。→
はホットとリターン電流の向きを示している。第１の入
出力用コプレナー線路１５から入力し、第２の入出力用
コプレナー線路１６に出力するマイクロ波信号の位相
は、伝搬経路を第３のコプレナー線路１７側からツイス
トされた第４のコプレナー線路１８側に切換えることに
より１８０度移相することができる。
【００２２】実施の形態２図４にこの発明による半導体
移相器の他の構造例を示す。図において２０はダイオー
ドのアノード電極、２１はダイオードのカソード電極、
２２は上記アノード電極２０、カソード電極２１を有す
るダイオード、２３はバイアス用抵抗、２４はバイアス
パッド、２５はバイアス用抵抗２３、バイアスパッド２
４よりなるバイアス回路である。
移相器の他の構造例を示す。図において２０はダイオー
ドのアノード電極、２１はダイオードのカソード電極、
２２は上記アノード電極２０、カソード電極２１を有す
るダイオード、２３はバイアス用抵抗、２４はバイアス
パッド、２５はバイアス用抵抗２３、バイアスパッド２
４よりなるバイアス回路である。
【００２３】次に動作について説明する。今アノード電
極２０とカソード電極２１間の電圧を順方向と逆方向電
圧に切換えることにより、ダイオード２２のアノード電
極２０とカソード電極２１間は通過／遮断のスイッチ動
作をする。従ってダイオード２２ａ、２２ｂとダイオー
ド２２ｃ、２２ｄそれぞれをペアで用いるとそれぞれ図
２、図３に示すＳＰＤＴスイッチ１９ａと１９ｂに相当
し実施の形態１で述べた動作原理と同一となり第１の入
出力用コプレナー線路１５から入力し、第２の入出力用
コプレナー線路１６に出力するマイクロ波信号の位相を
１８０度移相することができる。
極２０とカソード電極２１間の電圧を順方向と逆方向電
圧に切換えることにより、ダイオード２２のアノード電
極２０とカソード電極２１間は通過／遮断のスイッチ動
作をする。従ってダイオード２２ａ、２２ｂとダイオー
ド２２ｃ、２２ｄそれぞれをペアで用いるとそれぞれ図
２、図３に示すＳＰＤＴスイッチ１９ａと１９ｂに相当
し実施の形態１で述べた動作原理と同一となり第１の入
出力用コプレナー線路１５から入力し、第２の入出力用
コプレナー線路１６に出力するマイクロ波信号の位相を
１８０度移相することができる。
【００２４】なお、スイッチング手段としてスイッチン
グ用トランジスタでも構成可能となりスイッチング速
度、低損失、高耐電力等様々な要求条件に応じて使い分
けられる。
グ用トランジスタでも構成可能となりスイッチング速
度、低損失、高耐電力等様々な要求条件に応じて使い分
けられる。
【００２５】
【発明の効果】この発明における半導体移相器は、第１
の入出力コプレナー線路から入力し第２の入出力コプレ
ナー線路に出力するマイクロ波信号の伝搬経路を、スイ
ッチング手段により第３のコプレナー線路側からツイス
トされた第４のコプレナー線路側へ切換えるようにして
いるため小型でかつ設定位相精度の周波数依存性が少な
くできる効果がある。
の入出力コプレナー線路から入力し第２の入出力コプレ
ナー線路に出力するマイクロ波信号の伝搬経路を、スイ
ッチング手段により第３のコプレナー線路側からツイス
トされた第４のコプレナー線路側へ切換えるようにして
いるため小型でかつ設定位相精度の周波数依存性が少な
くできる効果がある。
【図１】 この発明の実施の形態１による半導体移相器
の構造例である。
の構造例である。
【図２】 この発明の実施の形態１の動作説明図であ
る。
る。
【図３】 この発明の実施の形態１の動作説明図であ
る。
る。
【図４】 この発明の実施の形態２による半導体移相器
の構造例である。
の構造例である。
【図５】 従来の線路切換え形の半導体移相器の構造例
である。
である。
【図６】 従来の線路切換え形の半導体移相器の動作説
明図である。
明図である。
１ 半導体基板、２ 第１の入出力用コプレナー線路パ
ターン、３ 第２の入出力用コプレナー線路パターン、
４ 第３のコプレナー線路パターン、５ ツイストされ
た第４のコプレナー線路パターン、６ ドレイン電極、
７ ソース電極、８ ゲート電極、９ ＦＥＴ、１０
バイアス用抵抗、１１ バイアスパッド、１２ バイアス
回路、１３ エアブリッジ、１４ エアブリッジ、１５
第１の入出力用コプレナー線路、１６ 第２の入出力用
コプレナー線路、１７ 第３のコプレナー線路、１８ ツ
イストされた第４のコプレナー線路、１９ ＳＰＤＴス
イッチ、２０ アノード電極、２１ カソード電極、２２
ダイオード、２３ バイアス用抵抗、２４ バイアスパ
ッド、２５ バイアス回路。
ターン、３ 第２の入出力用コプレナー線路パターン、
４ 第３のコプレナー線路パターン、５ ツイストされ
た第４のコプレナー線路パターン、６ ドレイン電極、
７ ソース電極、８ ゲート電極、９ ＦＥＴ、１０
バイアス用抵抗、１１ バイアスパッド、１２ バイアス
回路、１３ エアブリッジ、１４ エアブリッジ、１５
第１の入出力用コプレナー線路、１６ 第２の入出力用
コプレナー線路、１７ 第３のコプレナー線路、１８ ツ
イストされた第４のコプレナー線路、１９ ＳＰＤＴス
イッチ、２０ アノード電極、２１ カソード電極、２２
ダイオード、２３ バイアス用抵抗、２４ バイアスパ
ッド、２５ バイアス回路。
Claims (5)
- 【請求項１】第１の入出力用コプレナー線路と第２の入
出力用コプレナー線路間に設けられた、第３のコプレナ
ー線路とツイストされた第４のコプレナー線路と、上記
第１の入出力用コプレナー線路あるいは第２の入出力用
コプレナー線路から上記第２の入出力用コプレナー線路
あるいは第１の入出力コプレナー線路へのマイクロ波信
号の伝搬経路を、上記第３のコプレナー線路側からツイ
ストされた第４のコプレナー線路側へ切換えるスイッチ
とを具備したことを特徴とする半導体移相器。 - 【請求項２】 上記スイッチは、上記第１の入出力用コ
プレナー線路と第３のコプレナー線路に接続される第１
のスイッチ、上記第１の入出力用コプレナー線路と第４
のコプレナー線路に接続される第２のスイッチ、上記第
２の入出力用コプレナー線路と第３のコプレナー線路に
接続される第３のスイッチ、上記第２の入出力用コプレ
ナー線路と第４のコプレナー線路に接続される第４のス
イッチを有することを特徴とする請求項１記載の半導体
移相器。 - 【請求項３】 上記スイッチとして、電界効果トランジ
スタ又はダイオードを用いたことを特徴とする請求項１
又は２記載の半導体移相器。 - 【請求項４】 半導体基板と、該半導体基板上に形成さ
れた第１及び第２の入出力用コプレナー線路パターン
と、上記半導体基板上の上記第１及び第２の入出力用コ
プレナー線路パターン間に形成された第３のコプレナー
線路パターンと、上記半導体基板上の上記第１及び第２
の入出力用コプレナー線路パターン間に形成された、エ
アブリッジ等でツイストされた第４のコプレナー線路パ
ターンと、ドレイン電極（若しくはソース電極）が上記
第１の入出力用コプレナー線路パターンの中心導体パタ
ーンの一端と接続され、ソース電極（若しくはドレイン
電極）が上記第３のコプレナー線路パターンの一端の中
心導体パターンと接続された第１の電界効果トランジス
タ（ＦＥＴ）と、ドレイン電極が上記第１の入出力用コ
プレナー線路パターンの中心導体と接続され、ソース電
極が上記ツイストされた第４のコプレナー線路パターン
の一端の中心導体パターンと接続された第２のＦＥＴ
と、ドレイン電極が上記第２の入出力用コプレナー線路
パターンの中心導体パターンの一端と接続され、ソース
電極が上記第３のコプレナー線路パターンの他端の中心
導体のパターンと接続された第３のＦＥＴと、ドレイン
電極が上記第２の入出力用コプレナー線路パターンの中
心導体パターンの一端と接続され、ソース電極が上記ツ
イストされた第４のコプレナー線路パターンの他端の中
心導体パターンと接続された第４のＦＥＴとを備えてい
ることを特徴とする半導体移相器。 - 【請求項５】 半導体基板と、該半導体基板上に形成さ
れた第１及び第２の入出力用コプレナー線路パターン
と、上記半導体基板上の上記第１及び第２の入出力用コ
プレナー線路パターン間に形成された第３のコプレナー
線路パターンと、上記半導体基板上の上記第１及び第２
の入出力用コプレナー線路パターン間に形成されたエア
ブリッジ等でツイストされた第４のコプレナー線路パタ
ーンと、アノード電極（若しくはカソード電極）が上記
第１の入出力用コプレナー線路パターンの中心導体パタ
ーンの一端と接続され、カソード電極（若しくはアノー
ド電極）が上記第３のコプレナー線路パターンの一端の
中心導体パターンと接続された第１のダイオードと、ア
ノード電極が上記第１の入出力用コプレナー線路パター
ンの中心導体と接続され、カソード電極が上記ツイスト
された第４のコプレナー線路パターンの一端の中心導体
パターンと接続された第２のダイオードと、アノード電
極が上記第２の入出力用コプレナー線路パターンの中心
導体パターンの一端と接続され、カソード電極が上記第
３のコプレナー線路パターンの他端の中心導体のパター
ンと接続された第３のダイオードと、アノード電極が上
記第２の入出力用コプレナー線路パターンの中心導体パ
ターンの一端と接続され、カソード電極が上記ツイスト
された第４のコプレナー線路パターンの他端の中心導体
パターンと接続された第４のダイオードとを備えている
ことを特徴とする半導体移相器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000334435A JP2002141702A (ja) | 2000-11-01 | 2000-11-01 | 半導体移相器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000334435A JP2002141702A (ja) | 2000-11-01 | 2000-11-01 | 半導体移相器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002141702A true JP2002141702A (ja) | 2002-05-17 |
Family
ID=18810353
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000334435A Pending JP2002141702A (ja) | 2000-11-01 | 2000-11-01 | 半導体移相器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002141702A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7710216B2 (en) | 2005-09-26 | 2010-05-04 | Nec Corporation | Balun circuit and integrated circuit device |
| RU2631904C1 (ru) * | 2016-10-18 | 2017-09-28 | Акционерное общество "Всероссийский научно-исследовательский институт "Градиент" (АО "ВНИИ "Градиент") | Перестраиваемый фазовращатель свч |
-
2000
- 2000-11-01 JP JP2000334435A patent/JP2002141702A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7710216B2 (en) | 2005-09-26 | 2010-05-04 | Nec Corporation | Balun circuit and integrated circuit device |
| RU2631904C1 (ru) * | 2016-10-18 | 2017-09-28 | Акционерное общество "Всероссийский научно-исследовательский институт "Градиент" (АО "ВНИИ "Градиент") | Перестраиваемый фазовращатель свч |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR100260329B1 (ko) | 반도체 장치 | |
| US7893749B2 (en) | High frequency switch circuit having reduced input power distortion | |
| JPH03145801A (ja) | 高分離性受動スイッチ | |
| US6320476B1 (en) | Millimeter-band semiconductor switching circuit | |
| JP3216419B2 (ja) | 移相器 | |
| US9716304B2 (en) | Multi-octave 180 degree phase bit | |
| JP2002141702A (ja) | 半導体移相器 | |
| JP4087354B2 (ja) | ４×４スイッチおよび８×８スイッチ | |
| JP2001177303A (ja) | 半導体移相器 | |
| JP2962771B2 (ja) | 移相器 | |
| JPH0119761B2 (ja) | ||
| JP4040600B2 (ja) | ２×２スイッチおよび４×４スイッチ | |
| JP3647712B2 (ja) | 移相器 | |
| JP3989916B2 (ja) | スイッチマトリックス | |
| JPS63123202A (ja) | スイツチドライン形移相器 | |
| JP3848894B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JP2000349502A (ja) | 高周波スイッチ装置 | |
| JP3342791B2 (ja) | 高周波単極双投スイッチ | |
| JPH0722802A (ja) | 伝送線路スイッチ | |
| US4853658A (en) | Microwave phase shifters | |
| JP4146367B2 (ja) | スイッチ回路 | |
| JP2002280811A (ja) | マイクロ波回路 | |
| JP3071985B2 (ja) | スイッチ装置 | |
| JPH01305601A (ja) | 半導体移相器 | |
| JP2522629Y2 (ja) | 線路切り換え型１８０度移相器 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| RD01 | Notification of change of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7421 Effective date: 20040701 |
|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20040825 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20060309 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20060322 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20060718 |