JPH022144A - 半導体ウエハのプロービング方法 - Google Patents

半導体ウエハのプロービング方法

Info

Publication number
JPH022144A
JPH022144A JP14506788A JP14506788A JPH022144A JP H022144 A JPH022144 A JP H022144A JP 14506788 A JP14506788 A JP 14506788A JP 14506788 A JP14506788 A JP 14506788A JP H022144 A JPH022144 A JP H022144A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
wafer
marking
gas
chip
probe
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP14506788A
Other languages
English (en)
Inventor
Riyuuichi Takebuchi
竹渕 隆一
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tokyo Electron Ltd
Original Assignee
Tokyo Electron Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Electron Ltd filed Critical Tokyo Electron Ltd
Priority to JP14506788A priority Critical patent/JPH022144A/ja
Publication of JPH022144A publication Critical patent/JPH022144A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [発明の目的〕 (産業上の利用分野) 本発明は半導体ウェハのプロービング方法に関する。
(従来の技術) 半導体ウェハ(以下ウェハと略記する)を測定検査する
装置としてウェハプローブ装置(以下プローブ装置と略
記する)が存在している。
に記プローブ装置はウェハの各チップ毎に電極パッドと
、プローブ針とを電気的に接触させて測定するものであ
る。さらに、上記の41!1定結果の情報に基づいて、
不良チップに対してのみマーキングする工程がある。
即ち、ウェハに形成された多数の各チップの電極パッド
にプローブ針を接触させる際に、各チップに盛られたハ
ンダまたはバンブ等を削り取られてしまう場合がある。
この削り取られたハンダ等がプローブ針より離脱してウ
ェハ面に付着するので、この付着物を除去する手段とし
て上記プローブカードの下側に配置されているウェハを
時的に。
別の所に移して、上記プローブカードに気体を吹きつけ
て、このプローブカードの残渣を除去している。この公
知技術として特公昭61−1741号公報に記載したも
のがある。
上記公報によれば、プローブカードのプローブ針がウェ
ハと接触した際に、ウェハ面の電極パッドの銅薄片、ま
た、電極パッドに盛られた半田、及びバンプ等を堀り起
してしまい、先端部に付着されたものにエアーを吹きつ
けて、このエアー圧力でプローブ針から離脱させて除去
するものである。
また、上記プローブカードのプローブ針にエアーを吹き
つけると同時にウェハにも吹きつけて。
プロービングするものもある。
しかし、上記ウェハ面に付着体が生じるのは、上記プロ
ーブカードと、ウェハとの接触によってのみ発生するば
かりでなく、測定後、ウェハにマーキングする際にも付
着体が発生する。
即ち、ウェハの各チップをalll定したのち、特定チ
ップ、例えば不良チップに衝打して、削り傷を刻み、チ
ップ内の集積回路を物理的に破壊させるスクラッチマー
キングがある。
このスクラッチマーキングは、チップ上の物質が削りと
られるように剥離して、ウェハ面上に散らばった状態で
付着する。
上記ウェハ面にゴミが付着した状態で、ウェハを1チツ
プづつ歩進させて、プローブ針に接触させて順次測定し
ている。
(発明が解決しようとする課題) しかしながら、プローブカードのプローブ針をウェハに
接触させて、測定し、この測定結果にもとづいてスクラ
ッチマーキングでチップに削り傷を刻むマーキング方法
にあっては、この削りとられた削片がウェハ面上に敗ば
った状態で次のチップを測定することになる。
即ち、ウェハを1チツプ歩進させて次のチップにプロー
ブ針を接触させる際に、上記ウェハ面の削片にプローブ
針が触れて、適正な41す定を実施することができない
という問題があった。
また、プローブ針を破損させてしまうことがある。それ
ばかりでなく、集積度が高くなると削片によりチップ内
の集積回路を短絡させてしまう間も 題がある。
本発明の目的とするところは、上記した問題点について
鑑みなされたもので、マーキングする際に生じるゴミを
除去しながらマーキングするようにした半導体ウェハの
プロービング方法を提供することにある。
〔発明の構成〕
(a題を解決するための手段) 本発明は、複数の被検査素子を有した被検査体にプロー
ブ針を接触させて、測定したのち、不良被検査素子にマ
ーキングするプロービング方法において、上記被検査体
に不要な付着物を除去するための気体を噴出させながら
マーキングすることを特徴としている。
(作用効果) 本発明の方υ;によれば、 1lll+定される被検査
体表面に不要な付着物を除去するために気体を噴出させ
ながらマーキングするので、自然集結した塵が付着した
場合であってもすへて除去された状態で正確な測定及び
正確なマーキングが実施可能に改善できるようになった
さらに、被検査体と接触して、測定するプローブ針の寿
命を永く、使用することができるようになった。
従って、効率の良い、半導体ウェハに対するプローブピ
ングを行うことができる。
(実施例) 以下、本発明方法を半導体ウエハプローバに適用した一
実施例について図面を参照して説明する。
上記検査装置は、ウェハに形成されたウェハチップ(以
下、チップと略記する)を1チツプ毎に順次歩進させて
、電気的特性をdlす定する装置、例えばウエハプロー
バがある。
このウエハプローバはウェハの状態でチップに形成され
たffi極パッドにウェハ対向面に設けたプローブカー
ドのプローブ針を接触させて電気的特性を検査するもの
である。
このウエハプローバの構成を第6図を参照して説明する
上記ウエハプローバ(])は、ローダ部■のウェハカセ
ット0からウェハ0)を−枚づつ取り出し、プリアライ
メント後検査部0に移動される。
この検査部■には、ウェハ0)を載置する載置体0の載
置面■と対向面にプローブカード(8)がヘッドプレー
ト■)側に設けられている。
上記プローブカード(8)には、上記載置面■に載置さ
れたウェハ(イ)の電極パッドと対応した位置にプロー
ブ針(lO)が配置されている。
上記プローブ針(10)と、上記ウェハ0)とが相対的
に上下動駆動部(11)で−[−下動じて、互に接触す
るようになっている。
上記プローブ針(10)の固定端(12)近傍にはウェ
ハテスタ(13)を電気的に接続した信号線(14)が
設けられている。
」―記プローブカード(8)はリングインサート(15
)を介して、ヘッドプレー1− (9)の中空部(16
)に内設する如く配置されている。
上記リングインサート(15)の頂面または、このリン
グインサート(15)の近傍のヘッドプレート(9)の
頂面にスクラッチマーキング(17)の先端が載置面■
のウェハ0)面に斜交するように配置されている。
上記スクラッチマーキング(17)は、第5図で示すよ
うに、ウェハ0)面に衝止して、削傷が刻まれる先端部
(18)を有したワイア(19)の反対端に鉄芯プラン
ジャ(20)を設け、この鉄芯プランジャ(20)をソ
レノイド(21)の励磁により、ウェハ0)面方向に向
けて、衝止するようになっている。上記先端部(18)
はウェハ0)面の衝打した位置Aから、滑りB点及び最
終C点で滑りが停止するようになっている。
ここで、上記ソレノイド(21)が駆動しない時は、上
記鉄芯プランジャー(20)は、コイルスプリング(2
2)でウェハ0)面より潴れた位置に持ち上げられた状
態にある。
このような構成のウエハプローバ(1)において、ウェ
ハ0)面にプローブ針(10)を接触させてd111定
された情報に基づきスクラッチマーキング(17)を駆
動させて削傷を刻んでマーキングする。再び、ウェハ0
)を載置している載置体(9が歩進して、次のチップに
プローブ針(10)を接触させて順番に不良チップのあ
る場合には削侶を刻んでマーキングを施している。
本実施例の特徴的構成は、第1図に示すように。
測定した後、削傷を刻んでマーキングすることを繰返し
て行うマーキング方法であって、上記プローブ針(10
)に電極パッドを接触させる動作、及び削傷を刻んでマ
ーキングする動作中に付着体(23)がウェハ0)面に
付着しないようにしたマーキング方法にある。
上記マーキング方法は、ウェハ0)面に吹きつける如く
気体が噴出する噴射部(24)を設けたウエハプローバ
(1)について説明する。
上記ウエハブローバ(υは、ウェハ@)を載置するJi
J2置体0の一■一方部にプローブカード(8)を載置
面■と平行に設ける。
このプローブカード(8)と、載置面■との間に上記噴
射部(24)がウェハ(イ)面と平行に設けられ、ウェ
ハ(イ)面と斜交する如く気体が噴出するように構成さ
れている。
上記噴射部(24)は、第2図に示すように、主管例え
ば、内径61m鋼管(25)側面に直交方向に一列状態
で内径0.8nn+ のエアーノズル(26)を設け、
さらに、このエアーノズル(26)の近傍に放電針(2
7)を設けている。
上記鋼管(25)の気体供給口(28)には、フィルタ
ホルダー(29)が設けられている。
二二で、上記鋼管(25)の気体供給口(28)には、
高圧線(30)及び接地線(31)が設けられている。
上記フィルタホルダ(29)は、外部からの気体供給源
(32)にフレキシブルチューブ(33)で連結され、
上記フィルタホルダ(29)に気体が供給されるように
な−っている。
次に作用について説明する。
ローダ部■のウェハカセット(へ)から−枚のウェハ(
イ)を取り出しグリアライメン1〜後検査部■に搬送す
る。
この搬送された載置体0上の半導体ウェハは平面方向及
び周方向に駆動制御してアライメントしたのちに、プロ
ーブカード(8)のプローブ針(10)と接触して、ウ
ェハテスタ(13)によって初期チップを測定する。こ
の測定結果にもとつづいて5例えば、不良チップであれ
ばウェハテスタ(13)がスクラッチマーキングを駆動
するように駆動信号をウエハプローバω側に送(ffi
する。
上記ウエハプローバ■側では、上記送信信号を受信する
そして、上記ウェハ(/i)面にスクラッチマーキング
(17)によってマーキングが開始する。
本実施例の特徴的作用について説明する。上記ウエハプ
ローバ(υでは、予め記憶されているプログラムに従っ
て、上述した噴射部(24)を駆動させる。
上記駆動と同時に、スクラッチマーキング(17)をウ
ェハ(A)面に衝打する如く駆動する。この衝打によっ
て、上記ウェハ0)面から削片が掘り起され、このウェ
ハ0)面に付着する。
この付着した削片は、−ト記噴射部(24)のエアーノ
ズル(26)からウェハ0)面に向けて、イオン化され
た気体を吹きつけているので、ウェハ(/′i)面から
帯電した削片であっても、ウェハ0)面から、空圧力で
引き放して付着物のない表面にしてしまう。
次に、他のチップに上記プローブ針(10)が接触して
、同様に3111定することになる。
この測定において1例えば不良チップであれば前記と同
様にして、スクラッチマーキング(17)で、耐傷を刻
っている。そして上記と同様に付着物を吹き払い順次測
定し、マーキングするマーキング方法が可能となる。
上記実施例において、ウェハ0)に付着した削片を除去
させるために、このウェハ0)面にイオン化された気体
を吹きつけるように説明したが、静電気の帯電されない
ウェハであれば、気体、例えばエア、を吹きつけるよう
にしても良い。
本実施例において、ウェハ(4)と対向面に噴射部(1
7)をヘッドプレート(9)側に固定するように設けて
説明したが、第3図に示すように、上記ウェハ6)面と
平行を保って移動するように噴射部(24)を設けて、
マーキングしても良い。
即ち、上記噴射部(24)の気体が供給される一端を固
定具(34)で固着し、この固定具(34)の端をプー
リ(35)によって張架されたタイミングベルト(36
)に固定されたものである。上記プーリ(35)はV動
モータ(37)に連結されている。従って、上記噴射部
(24)は、気体を噴出しなからウェハ(イ)面を適宜
な速度で移動し、戻りは急速に行うようにしても良い。
この時の上記噴射部(24)の途中には、第4図に示す
ように、スクラッチマーキング(17)の先端部(18
)と!衝しないように迂回部(38)を設けても良い。
本実施例の効果は、イオン化された気体を吹きつけるよ
うにしたのでウェハ(イ)に静電気が帯電しても、上記
イオン化された気体によって中和され。
静電気が帯電した付着体であっても気体の噴出圧力で除
去することができる。
本実施例の他の効果は、スクラッチマーキング(17)
で被検査素子を衝打すると、この衝打によって削片がウ
ェハ而から堀り堀され、被検査素子の表面に付着される
ことになる。
上記被検査体面に付着した削片は、気体を吹きつけるよ
うに上記被検査体に噴出しているので、この被検査体面
から除去されることになる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明方法の実施例を説明するためのマーキン
グ部構造説明図。 第2図は、第1図の噴射部構造を拡大して示めす説明図
。 第3図は、第1図の噴射部を移動構造にした他の実施例
を説明するための噴射部説明図。 第4図は第3図の他の実施例を説明するための噴射部説
明図。 第5図は第1図のスクラッチマーキングによって、削片
が発生することを説明するためのスクラッチマーキング
構造説明図。 第6図は、第1図のマーキング方法をウエハプローバに
用いた一実施例の構成を説明するための全体説明図であ
る。 17、スクラッチマーキング 18、先端部      19.ワイア20、鉄芯ブラ
ジャー  21.ソレノイド22、コイルスプリング 
23.付着物24、噴射部      25.鋼 管2
6、エアーノズル   27.放電針28、気体供給口

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 複数の被検査素子を有した被検検査体にプローブ針を接
    触させて測定したのち、不良被検査素子にマーキングす
    るプロービング方法において、上記被検査体に不要な付
    着物を除去するための気体を噴出させながらマーキング
    することを特徴とする半導体ウェハのプロービング方法
JP14506788A 1988-06-13 1988-06-13 半導体ウエハのプロービング方法 Pending JPH022144A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP14506788A JPH022144A (ja) 1988-06-13 1988-06-13 半導体ウエハのプロービング方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP14506788A JPH022144A (ja) 1988-06-13 1988-06-13 半導体ウエハのプロービング方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH022144A true JPH022144A (ja) 1990-01-08

Family

ID=15376615

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP14506788A Pending JPH022144A (ja) 1988-06-13 1988-06-13 半導体ウエハのプロービング方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH022144A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06104321A (ja) * 1991-03-26 1994-04-15 Erich Reitinger 半導体ウエハー等のテスト装置
KR100806381B1 (ko) * 2006-12-29 2008-02-27 세크론 주식회사 웨이퍼 공급장치

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61208051A (ja) * 1985-03-12 1986-09-16 Nec Corp 縮少投影露光装置
JPS62221127A (ja) * 1986-03-24 1987-09-29 Nec Corp 半導体装置の検査装置

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61208051A (ja) * 1985-03-12 1986-09-16 Nec Corp 縮少投影露光装置
JPS62221127A (ja) * 1986-03-24 1987-09-29 Nec Corp 半導体装置の検査装置

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06104321A (ja) * 1991-03-26 1994-04-15 Erich Reitinger 半導体ウエハー等のテスト装置
KR100806381B1 (ko) * 2006-12-29 2008-02-27 세크론 주식회사 웨이퍼 공급장치

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6121058A (en) Method for removing accumulated solder from probe card probing features
US6056627A (en) Probe cleaning tool, probe cleaning method and semiconductor wafer testing method
JP3429995B2 (ja) クリーニング方法
KR0138754B1 (ko) 전기회로측정용 탐침의 접촉검지장치 및 이 접촉검지장치를 이용한 전기회로 측정장치
JPH0567652A (ja) プローブ装置
US11402426B2 (en) Inductive testing probe apparatus for testing semiconductor die and related systems and methods
JPH022144A (ja) 半導体ウエハのプロービング方法
JP2632894B2 (ja) プローブ装置
JPH01742A (ja) プローブ装置
JPH03163364A (ja) 素子試験装置
US7169469B2 (en) Particle-removing wafer
KR20050071117A (ko) 프로브 카드 니들의 세정시스템
JP2002365322A (ja) 帯電量計測装置と帯電量の計測方法、静電気放電検出装置とその検出方法
JP2006058157A (ja) プローブカード
JPS5821838A (ja) ウエハテストシステム
JP2767291B2 (ja) 検査装置
JPS62221127A (ja) 半導体装置の検査装置
JPS614969A (ja) プロ−ブ装置
KR100521441B1 (ko) 반도체 소자의 테스트 장치, 및 그 탐침 번트 방지방법
JPH022939A (ja) プローブ装置および検査方法
JP2002018733A (ja) クリーニングディスク
KR100835467B1 (ko) 프로브 카드의 공기 세정 장치
JPS62132332A (ja) ウエハプロ−バ−
JP2004031463A (ja) 半導体集積回路の検査方法
JPH0438847A (ja) ウエハプローバ