JPH0438847A - ウエハプローバ - Google Patents

ウエハプローバ

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Publication number
JPH0438847A
JPH0438847A JP2146740A JP14674090A JPH0438847A JP H0438847 A JPH0438847 A JP H0438847A JP 2146740 A JP2146740 A JP 2146740A JP 14674090 A JP14674090 A JP 14674090A JP H0438847 A JPH0438847 A JP H0438847A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
wafer
suction
dust
prober
circuit chip
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2146740A
Other languages
English (en)
Inventor
Tadashi Obikane
正 帯金
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tokyo Electron Yamanashi Ltd
Original Assignee
Tokyo Electron Yamanashi Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Electron Yamanashi Ltd filed Critical Tokyo Electron Yamanashi Ltd
Priority to JP2146740A priority Critical patent/JPH0438847A/ja
Publication of JPH0438847A publication Critical patent/JPH0438847A/ja
Pending legal-status Critical Current

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  • Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
  • Measuring Leads Or Probes (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [発明の目的] (産業上の利用分野) 本発明はウエハプローバに関する。
(従来の技術) 従来より、LSI等の半導体集積回路ではウェハ上に形
成されている半導体回路の電気的特性をウエハブローバ
により検査することが行われており、この検査は例えば
基板(カード)やマニピュレータに付けられたプローブ
針を用いて行われる。
第2図には、ウェハに形成された集積回路の検査を説明
するための図が示されており、図(a)に示されるよう
に、半導体ウェハ10には例えば図示A内のLSIの回
路チップ12がマトリクス状に複数個形成されている。
そして、図示Aの回路チップ12を検査する場合には図
(b)に示されるように、プローブカード14に取付け
られたプローブ針16を回路チップ12の入出力端子1
28に押付けて所定の圧力にて接触(オーバードライブ
)させ、上記プローブ針16に接続された不図示のテス
ターによって電気的特性の検査が行われている。
(発明が解決しようとする課題) ところで、従来のウエハブローバにおいては、上述した
プローブ針16がオーバードライブにより入出力端子1
2aに押付けられるので、この入出力端子12aの部分
が削れてゴミ(不純物)が発生することになり、このゴ
ミがその他の原因により生しるゴミも加わって、プロー
ブ針16の接触状態を悪化させて検査の障害となる。
そこで、従来ては第2図(b)に示されるように、ウェ
ハ]0に向けてダウンフロー100を発生させること等
によって、検査の支障となるゴミを吹き飛ばすようにし
ている。
しかしながら、このダウンフロー100によってゴミを
吹き飛ばす方式では、飛散したゴミが落ちてきて再イ」
着するので、完全にゴミを除去することができず、検査
が正確に行われないという問題があった。また、ゴミの
付着により製品の歩留まりを悪化させるという問題があ
った。
本発明は上記問題点に鑑みなされたもので、その目的は
、検査時のウェハ上の不純物を完全に除去して、正確な
検査を実現できるウエハブローバを提供することにある
[発明の構成] (課題を解決するための手段) 上記[1的を達成するために、本発明は、ウェハ上に形
成されたチップの端子に触針をコンタクトして、チップ
の電気的特性を検査するウエハプローバにおいて、上記
触針とウェハとの接触により発生した不純物を吸引する
吸引手段を設けたことを特徴とする。
(作 用) 上記構成によれば、ウェハ上に存在する不純物すなわち
ゴミは、吸引手段によって吸引されてプローバ外に排出
されることになり、ブローバ内には停滞してウェハ上に
再付着することがない。
従って、触針のコンタクトによるチップの電気的特性が
正確に検査される。
(実施例) 以下、本発明の実施例について図面を参照しながら具体
的に説明する。
第1図には、実施例に係るウエハブローバの構成が示さ
れており、図示されるように、ウェハ10は昇降可能で
かつX−Y方向に移動できるX−Yテーブル18上に載
置される。そして、このX−Yテーブル]8の上方に、
触針であるプローブ針16を備えたプローブカード14
が図示しないカードホルダーにより支持固定されており
、上記X−Yテーブル18を移動させることにより、ウ
ェハ10に形成された回路チップ〕2の所定の入出力端
子を上記プローブ針16にコンタクトさせることができ
る。
そして、実施例では上記プローブカード14において、
プローブ針16が配置されている中心開口部14aの上
部に吸引ノズル20を配設しており、この吸引ノズル2
0はアーム22に支持されると共に、バキュームチュー
ブ24を介して真空ポンプ(図示せず)が接続される。
上記アーム22は吸引ノズル20を上下させ、吸引時に
接近させ、中心開口部14aから退避させることができ
る。すなわち、一般にプローブ針16を所定の回路チッ
プ12に位置合わせする場合には、マイクロスコープを
用いて上記中心開口部14aからウェハ10上を観察す
ることにより行われることになるので、このマイクロス
コープによる位[Aわせ等のために退避させ、実施例で
は吸引ノズル20を必要なときにセットできるようにす
る。
また、上記吸引ノズル20による不純物の吸づは、バキ
ュームチューブ24に接続されている不図示の吸引装置
により行われ、この吸引装置は例えばプローブ針16の
コンタクト直前から検査後まで作動させることができる
次に作用について説明する。
回路チップ12の電気的特性の検査を行う場合には、ま
ずX−Yテーブルコ8がX方向及びY方向に駆動され、
ウェハ10の所定の回路チップ12をプローブカード1
4のプローブ針16の真下に移動させる。そして、X−
Yテーブル18は上昇駆動され、上記プローブ針16の
入出力端子がプローブ針16に接触し、更にオーバード
ライブによりプローブ針16に入出力端子を押付け、端
子表面を触針かひっかき表面の自然酸化膜を除去して電
気的接触が維持される。このとき、ひっかきによる塵が
発生する。
上記のような動作中に、本発明の吸引手段が動作するこ
とになるが、実施例では例えばプローブ針16が回路チ
ップ12に接触する直前に図示しない吸引装置をオン制
御し、上記回路チップ12の入出力端子が削れてウェハ
10の表面に付着し。
ているゴミ (不純物)を吸引ノズル20から吸引する
。この吸引は、電気的特性検査が終了してXYテーブル
18によりウェハ10が離されるまで行われ、吸引した
ゴミはウエハブローバの外部へ排出されており、これに
よってウェハ10上のゴミは完全に除去され、電気的特
性検査を正確に行うことができる。
また、上記の吸引は、吸引開始から短い所定時間後に終
了さゼるようにしてもよく、吸引効率やその他のプロセ
ス条件に合わせて任意に設定することができる。
更に、プローブ針16の回路チップ12への位置合せを
マイクロスコープにて行う場合には、アーム22にて吸
引ノズル20を中心開口14aから退避させ、位置合わ
せ終了後に再び吸引ノズル20を元の位置に戻すことも
てき、また吸引ノズル20を最初から退避させておき、
位置合わせを終了した後に中心開口14aに配置するよ
うにしてもよい。
上記実施例では、吸引手段の吸引ノズル20をプローブ
カード14の中心開口部14aに配設したが、プローブ
カートコ4の周縁部に固定配置することもできる。この
場合は、電気的特性検査が終了した回路チップ上のゴミ
を吸引することて、測定チップ上へのゴミの飛散を防止
することができる。
また、上記吸引ノズル20は現在測定中のテブル以外の
他のテーブルの上方に配置することもでき、この場合は
測定か終了したウエノ\10を移動すせた後、このウエ
ノ\上のゴミを吸引することで、ゴミの除去を行うこと
ができる。
[発明の効果] 以上説明したように、本発明によれば、吸弓手段を設け
、触針とウニl\とのコンタクトにより発生した不純物
を吸引するようにしたので、ウェハ上のゴミをウエハブ
ローバ内から完全に除去することができ、プローブ針の
接触不良をなく(7て電気的特性の検査を正確に行うこ
とが可能となる。
この結果、製品の歩留まりも改善されるという効果があ
る。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の実施例に係るウエハブローバの構成を
示す図、 第2図は従来における回路チップの検査を説明するため
の図であり、図(a)はつ1ハの構成を示す図、図(b
)はプローブ針が回路チップに接触する直前を示す図で
ある。 10・・ウェハ、12・・回路チップ、14・・プロー
ブカード、14a・・中心開口部、16・・プローブ針
、18・・・X−Yテーブル、20・・・吸引ノズル、
22・・アーム、24・・バキュームチューブ。 第1図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)ウェハ上に形成されたチップの端子に触針をコン
    タクトして、チップの電気的特性を検査するウエハプロ
    ーバにおいて、 上記触針とウェハとの接触により発生した不純物を吸引
    する吸引手段を設けたことを特徴とするウエハプローバ
JP2146740A 1990-06-04 1990-06-04 ウエハプローバ Pending JPH0438847A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2146740A JPH0438847A (ja) 1990-06-04 1990-06-04 ウエハプローバ

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2146740A JPH0438847A (ja) 1990-06-04 1990-06-04 ウエハプローバ

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH0438847A true JPH0438847A (ja) 1992-02-10

Family

ID=15414524

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JP2146740A Pending JPH0438847A (ja) 1990-06-04 1990-06-04 ウエハプローバ

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JP (1) JPH0438847A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006235119A (ja) * 2005-02-23 2006-09-07 Seiko Instruments Inc 微小加工装置及び微小ワーク加工方法

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006235119A (ja) * 2005-02-23 2006-09-07 Seiko Instruments Inc 微小加工装置及び微小ワーク加工方法
JP4692960B2 (ja) * 2005-02-23 2011-06-01 セイコーインスツル株式会社 微小加工装置及び微小ワーク加工方法

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