JPH02210442A - Ｌｅｄアレイを含む高分解能ハーフトーンドット発生システム及びその方法 - Google Patents
Ｌｅｄアレイを含む高分解能ハーフトーンドット発生システム及びその方法Info
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- JPH02210442A JPH02210442A JP1228176A JP22817689A JPH02210442A JP H02210442 A JPH02210442 A JP H02210442A JP 1228176 A JP1228176 A JP 1228176A JP 22817689 A JP22817689 A JP 22817689A JP H02210442 A JPH02210442 A JP H02210442A
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Classifications
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- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N1/00—Scanning, transmission or reproduction of documents or the like, e.g. facsimile transmission; Details thereof
- H04N1/04—Scanning arrangements, i.e. arrangements for the displacement of active reading or reproducing elements relative to the original or reproducing medium, or vice versa
- H04N1/19—Scanning arrangements, i.e. arrangements for the displacement of active reading or reproducing elements relative to the original or reproducing medium, or vice versa using multi-element arrays
- H04N1/191—Scanning arrangements, i.e. arrangements for the displacement of active reading or reproducing elements relative to the original or reproducing medium, or vice versa using multi-element arrays the array comprising a one-dimensional array, or a combination of one-dimensional arrays, or a substantially one-dimensional array, e.g. an array of staggered elements
- H04N1/1911—Simultaneously or substantially simultaneously scanning picture elements on more than one main scanning line, e.g. scanning in swaths
- H04N1/1916—Simultaneously or substantially simultaneously scanning picture elements on more than one main scanning line, e.g. scanning in swaths using an array of elements displaced from one another in the main scan direction, e.g. a diagonally arranged array
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-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
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-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
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- H04N1/19515—Scanning picture elements spaced apart from one another in at least one direction in two directions
-
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- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N1/00—Scanning, transmission or reproduction of documents or the like, e.g. facsimile transmission; Details thereof
- H04N1/40—Picture signal circuits
- H04N1/405—Halftoning, i.e. converting the picture signal of a continuous-tone original into a corresponding signal showing only two levels
- H04N1/4055—Halftoning, i.e. converting the picture signal of a continuous-tone original into a corresponding signal showing only two levels producing a clustered dots or a size modulated halftone pattern
- H04N1/4058—Halftoning, i.e. converting the picture signal of a continuous-tone original into a corresponding signal showing only two levels producing a clustered dots or a size modulated halftone pattern with details for producing a halftone screen at an oblique angle
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Color, Gradation (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Facsimile Heads (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、カラースキャナにおいて用いるための高分解
能ドツト発生システム、そしてより特定すれば、発光ダ
イオード（Ｌ Ｅ Ｄ）アレイを含むドツト発生システ
ム及びそのアレイを制御するためのシステムに関するも
のである。
能ドツト発生システム、そしてより特定すれば、発光ダ
イオード（Ｌ Ｅ Ｄ）アレイを含むドツト発生システ
ム及びそのアレイを制御するためのシステムに関するも
のである。
発明の背景及び目的
多色印刷工程においては、印刷される各カラインキに対
応する印刷プレートを形成するため、カラーハーフトー
ン分解を生成することが必要である。伝統的な４色印刷
工程においては、シアン、マゼンタ、イエロー、及びブ
ラックのプロセスインキを印刷するのに対応する印刷プ
レートを形成すべくシアン、マゼンタ、イエロー、及び
ブラックのハーフトーン分解を発生することが必要であ
る。
応する印刷プレートを形成するため、カラーハーフトー
ン分解を生成することが必要である。伝統的な４色印刷
工程においては、シアン、マゼンタ、イエロー、及びブ
ラックのプロセスインキを印刷するのに対応する印刷プ
レートを形成すべくシアン、マゼンタ、イエロー、及び
ブラックのハーフトーン分解を発生することが必要であ
る。
ハーフトーン分解は原始的にはカラーフィルタと、所望
のピッチ及び角度を有するハーフトーンスクリーンとを
介して原画アートワーク像を感光フィルム上に投射する
ことによりカメラ機構内において実行される。このカメ
ラ操作手順は種々の技術に関する実質的な訓練を要求す
るとともに、長い工程時間及び誤動作を伴いやすいもの
である。電子画像処理技術の出現により、カラーハーフ
トーン分解は電子カラースキャナへの方途を与えるもの
である。電子カラースキャナにおいて原画アートワーク
は典型的に一線毎及び−画素毎に走査され、電子制御さ
れた光ビームはシミュレトされたハーフトーン分解像を
感光フィルム上に露出させるものである。電子カラー補
正、鈍縁（ｕｎｓｈａｒｐ ）敏マスク及び下地色除去
は共通に行われ、当然ながら、ハーフトーンスクリンの
効果は電子的に再現されなければならない。
のピッチ及び角度を有するハーフトーンスクリーンとを
介して原画アートワーク像を感光フィルム上に投射する
ことによりカメラ機構内において実行される。このカメ
ラ操作手順は種々の技術に関する実質的な訓練を要求す
るとともに、長い工程時間及び誤動作を伴いやすいもの
である。電子画像処理技術の出現により、カラーハーフ
トーン分解は電子カラースキャナへの方途を与えるもの
である。電子カラースキャナにおいて原画アートワーク
は典型的に一線毎及び−画素毎に走査され、電子制御さ
れた光ビームはシミュレトされたハーフトーン分解像を
感光フィルム上に露出させるものである。電子カラー補
正、鈍縁（ｕｎｓｈａｒｐ ）敏マスク及び下地色除去
は共通に行われ、当然ながら、ハーフトーンスクリンの
効果は電子的に再現されなければならない。
最新のカラースキャナは市場で優位に立とうとすれば、
高分解能のハーフトーン像を形成できなければならない
。実際上、これは多数の高分解能“マイクロドツト″又
は“ドツテル”′を露光させて各ハーフトーンドツトを
形成するものである。
高分解能のハーフトーン像を形成できなければならない
。実際上、これは多数の高分解能“マイクロドツト″又
は“ドツテル”′を露光させて各ハーフトーンドツトを
形成するものである。
最新の高品質スキャナは一般にレーザ式ドント発土器を
用い、これによって例えば２５００マイクロドツト／イ
ンチ以上の高分解能マイクロドツトを発生するものであ
る。レーザはその多数の形式において、整色性フィルム
を露光させるのに適したスペクトルの青及び線領域にお
いて動作するため、満足に用いられるもので、レーザは
濃縮された大強度の光ビームを生成すべく制御される。
用い、これによって例えば２５００マイクロドツト／イ
ンチ以上の高分解能マイクロドツトを発生するものであ
る。レーザはその多数の形式において、整色性フィルム
を露光させるのに適したスペクトルの青及び線領域にお
いて動作するため、満足に用いられるもので、レーザは
濃縮された大強度の光ビームを生成すべく制御される。
しなしながら、レーザは走査ドツト発生器中に組入れる
ことがコスト的に困難である。さらに、レーザは制限さ
れた小数の露出ビームのみを生成し得ることが見い出さ
れている。このようにしてレーザドツト発生器を組み入
れた高品質スキャナは極めて高価となり、実際上は約８
〜１０の露出ビームに制限される。
ことがコスト的に困難である。さらに、レーザは制限さ
れた小数の露出ビームのみを生成し得ることが見い出さ
れている。このようにしてレーザドツト発生器を組み入
れた高品質スキャナは極めて高価となり、実際上は約８
〜１０の露出ビームに制限される。
低価格の写真植字及び走査などを行うための比較的低分
解能の走査用プリントヘッドは、感光材料を露出するた
めにＬＥＤを用いている。例えば、エブナーに与えられ
たパ高速、低価格文字プリンタ″と題する米国特許第４
．３７８．１４９号、同じくエブナーに与えられた゛’
ＬＥＤ光学繊雄型文字プリンタ”と題する米国特許第４
，３４２５０４号、ラペイヤーに与えられたパ電気光学
的プリンティングシステム“と題する米国特許第３．９
５２，３１１号、ブフエイファーに与えられた″レコー
ダ“と題する米国特許第４．０９６゜４８６号、同じく
プフェイファーに与えられた“ルコーディング装置″と
題する米国特許第４゜１６７ ６８７号及びステファニ
ーに与えられた″゛高速印字システム゛と題する米国特
許第３，８５０、５１７号の各明細書等に記載された通
りである。ごく最近では、モノリシックＬＥＤアレイが
用いられている。これは例えば、タカスに与えれた“”
ＬＥＤダイオードアレイを用いた光学的プリントヘッド
“と題する米国特許第４，７３４−．７１４号及びアバ
スに与えられた゛グレースケール光学像を発生するため
の発光ダイオードアレイ″と題する米国特許第４．６４
４．３４２号を参照されたい。“発光ダイオードアレイ
装置及び画像転送システム゛と題する英国特許願第２，
０９９，２２１号は１インチ当たり１０００個までの発
光領域を有する１又は２列のモノリシックＬＥＤアレイ
を開示している。
解能の走査用プリントヘッドは、感光材料を露出するた
めにＬＥＤを用いている。例えば、エブナーに与えられ
たパ高速、低価格文字プリンタ″と題する米国特許第４
．３７８．１４９号、同じくエブナーに与えられた゛’
ＬＥＤ光学繊雄型文字プリンタ”と題する米国特許第４
，３４２５０４号、ラペイヤーに与えられたパ電気光学
的プリンティングシステム“と題する米国特許第３．９
５２，３１１号、ブフエイファーに与えられた″レコー
ダ“と題する米国特許第４．０９６゜４８６号、同じく
プフェイファーに与えられた“ルコーディング装置″と
題する米国特許第４゜１６７ ６８７号及びステファニ
ーに与えられた″゛高速印字システム゛と題する米国特
許第３，８５０、５１７号の各明細書等に記載された通
りである。ごく最近では、モノリシックＬＥＤアレイが
用いられている。これは例えば、タカスに与えれた“”
ＬＥＤダイオードアレイを用いた光学的プリントヘッド
“と題する米国特許第４，７３４−．７１４号及びアバ
スに与えられた゛グレースケール光学像を発生するため
の発光ダイオードアレイ″と題する米国特許第４．６４
４．３４２号を参照されたい。“発光ダイオードアレイ
装置及び画像転送システム゛と題する英国特許願第２，
０９９，２２１号は１インチ当たり１０００個までの発
光領域を有する１又は２列のモノリシックＬＥＤアレイ
を開示している。
前述の如き、従来技術が存在するにもかかわらず高品質
のカラー走査のために必要な高分解能及び大強度におい
てマイクロドツトを発生し得るような適当なＬＥＤドツ
ト発生源は未だ存在しない。実際には、バーマンに与え
られた゛放射線感応記録媒体上に像を生ずるだめの方法
゛と題する米国特許第４．．３６５．２７５号のみがカ
ラースキャナにおいてＬＥＤ光源を用いることに関する
何等かの試みを記載している。バーマンは個々のＬＥＤ
光源からの光を光学繊維を介してマトリクスアレイに導
こうとするものであり、マトリクスアレイは露出ヘッド
においで光学的に縮小される。バーマンは１平方インチ
当たり２２．５００ドツトの領域を得ようとするもので
あるが、開示されたシステム自体は実質的に市場に出ま
わったものとしては知られていない。
のカラー走査のために必要な高分解能及び大強度におい
てマイクロドツトを発生し得るような適当なＬＥＤドツ
ト発生源は未だ存在しない。実際には、バーマンに与え
られた゛放射線感応記録媒体上に像を生ずるだめの方法
゛と題する米国特許第４．．３６５．２７５号のみがカ
ラースキャナにおいてＬＥＤ光源を用いることに関する
何等かの試みを記載している。バーマンは個々のＬＥＤ
光源からの光を光学繊維を介してマトリクスアレイに導
こうとするものであり、マトリクスアレイは露出ヘッド
においで光学的に縮小される。バーマンは１平方インチ
当たり２２．５００ドツトの領域を得ようとするもので
あるが、開示されたシステム自体は実質的に市場に出ま
わったものとしては知られていない。
これに反し、今日までのカラースキャナ産業は受入れ可
能なカラースキャニング及び色分解を最適化するものと
してＬＥＤ光源を用いたものではなかった。そして、む
しろ製造上の困難性、不調和な光出力及びＬＥＤにより
従来普通に発生するものであった赤色光に応答する感光
物質の種類が少ないことなどのような周知のＬＥＤ光源
の欠点は、ＬＥＤ装置を高品質カラースキャナドツト発
生器における光源として用いるには不適当である、とい
うカラースキャナ業界の一般的認識を生じていた。赤色
光に応答する感光材の改良は種々になされてきたが、今
日までの処、カラースキャナにおける使用に向けられた
信頼性ある高分解能及び大強度のＬＥＤ光源は存在しな
い。
能なカラースキャニング及び色分解を最適化するものと
してＬＥＤ光源を用いたものではなかった。そして、む
しろ製造上の困難性、不調和な光出力及びＬＥＤにより
従来普通に発生するものであった赤色光に応答する感光
物質の種類が少ないことなどのような周知のＬＥＤ光源
の欠点は、ＬＥＤ装置を高品質カラースキャナドツト発
生器における光源として用いるには不適当である、とい
うカラースキャナ業界の一般的認識を生じていた。赤色
光に応答する感光材の改良は種々になされてきたが、今
日までの処、カラースキャナにおける使用に向けられた
信頼性ある高分解能及び大強度のＬＥＤ光源は存在しな
い。
さらに、ハーフトーンスクリーンの効果はハーフトーン
ドツトの゛ドツト密度プロフィール“′を記憶し、三角
法による回転アドレス値を用いて前述したドツト密度プ
ロフィールから個々のマイクロドツト密度値を引き出し
、さらに、そのマイクロドツト密度値を画像信号上に重
ねてマイクロドツト露出を行うべきか否かを判定するこ
とにより電子的に模擬することができる。これについて
は、例えばランスマンに与えられた米国特許第３、９６
１．１３２号を参照されたい。さらに、三角法アドレス
回転は、アドレス値を順次増分処理することによっても
達せられることが知られている。これに一ついては、ゲ
ールに与えられた米国特許第４．４９９．４８９号を参
照されたい。ローゼンフィールドに与えられた米国特許
第４．３９０゜９９６号及び同第４．４５６．９２４号
もまた、三角法転置アドレスを用いた記憶ドツト密度プ
ロフィールのアドレス指示及び読出しに関するものであ
る。しかしながら、ハーフトーンスクリーンを電子的に
発生するための前述したシステムは、概してレーザビー
ム露出装置に関するものであり、より特定すれば、単一
ドツト発生器で単一のレーザ露出ビームを制御するよう
にしたシステムに関するものである。例えば、ゲールの
米国特許は回転ドラムの周囲を一巡する走査線方向にお
いて、走査露出を実行する単一レーザビームを制御する
ためのアドレスシーケンスシステムを開示している。こ
のゲールの米国特許はＬＥＤの配列うインより発生され
る多重ビームを含む多重露出ビームを示唆するものであ
るが、このような多重ビームシステムのためには複数の
スクリーン発生器が必要であることを教示している（同
米国特許明細書第１２欄、第２８〜３１頁）。
ドツトの゛ドツト密度プロフィール“′を記憶し、三角
法による回転アドレス値を用いて前述したドツト密度プ
ロフィールから個々のマイクロドツト密度値を引き出し
、さらに、そのマイクロドツト密度値を画像信号上に重
ねてマイクロドツト露出を行うべきか否かを判定するこ
とにより電子的に模擬することができる。これについて
は、例えばランスマンに与えられた米国特許第３、９６
１．１３２号を参照されたい。さらに、三角法アドレス
回転は、アドレス値を順次増分処理することによっても
達せられることが知られている。これに一ついては、ゲ
ールに与えられた米国特許第４．４９９．４８９号を参
照されたい。ローゼンフィールドに与えられた米国特許
第４．３９０゜９９６号及び同第４．４５６．９２４号
もまた、三角法転置アドレスを用いた記憶ドツト密度プ
ロフィールのアドレス指示及び読出しに関するものであ
る。しかしながら、ハーフトーンスクリーンを電子的に
発生するための前述したシステムは、概してレーザビー
ム露出装置に関するものであり、より特定すれば、単一
ドツト発生器で単一のレーザ露出ビームを制御するよう
にしたシステムに関するものである。例えば、ゲールの
米国特許は回転ドラムの周囲を一巡する走査線方向にお
いて、走査露出を実行する単一レーザビームを制御する
ためのアドレスシーケンスシステムを開示している。こ
のゲールの米国特許はＬＥＤの配列うインより発生され
る多重ビームを含む多重露出ビームを示唆するものであ
るが、このような多重ビームシステムのためには複数の
スクリーン発生器が必要であることを教示している（同
米国特許明細書第１２欄、第２８〜３１頁）。
したがって、本発明の一つの目的は、感光膜面上に高分
解能マイクロドツトを生成し得る比較的低価格のハーフ
トーンドツト発生器を提供することである。
解能マイクロドツトを生成し得る比較的低価格のハーフ
トーンドツト発生器を提供することである。
本発明の別の目的は、感光膜面上に高分解能のマイクロ
ドツト像を生成し得るようなＬＥＤ光源を含むハーフト
ーンドツト発生器を提供することである。
ドツト像を生成し得るようなＬＥＤ光源を含むハーフト
ーンドツト発生器を提供することである。
本発明のさらに別の目的は、高品質カラースキャナのた
めのドツト発生システムにおいて用いるに適した露出光
源としての小型及び軽量のＬＥＤアレイを提供すること
である。
めのドツト発生システムにおいて用いるに適した露出光
源としての小型及び軽量のＬＥＤアレイを提供すること
である。
本発明のさらに別の目的は、多重マイクロドツト露出ビ
ームを生成するためのＬＥＤアレイドツト発生システム
を提供することである。
ームを生成するためのＬＥＤアレイドツト発生システム
を提供することである。
本発明のさらに別の目的は、ドツト発生システムを提供
すること、及び感光フィルム上にスクリーン処理された
ハーフトーン像を露出させるための多重露出ビームを発
生するＬ Ｅ Ｄアレイの動作を制御する方法を提供す
ることである。
すること、及び感光フィルム上にスクリーン処理された
ハーフトーン像を露出させるための多重露出ビームを発
生するＬ Ｅ Ｄアレイの動作を制御する方法を提供す
ることである。
本発明のいま一つの目的は、ドツト発生システムを提供
すること、及び単一ドツト発生器による多重ＬＥＤ露出
ビームを制御するための方法を提供することである。
すること、及び単一ドツト発生器による多重ＬＥＤ露出
ビームを制御するための方法を提供することである。
上述した目的並びに他の極めて望ましく、かつ顕著な結
果は、本発明においてカラースキャナ中で用いるに適し
た軽量、かつ小型のＬＥＤドツト発生システムにより、
高分解能の分離像を生成することによって達することが
できる。
果は、本発明においてカラースキャナ中で用いるに適し
た軽量、かつ小型のＬＥＤドツト発生システムにより、
高分解能の分離像を生成することによって達することが
できる。
発明の要約
本発明によれば、ＬＥＤ行列を互い違いに、いわゆるス
タガ配置としたＬＥＤアレイを含む多重ビームハーフト
ーンドツト発生システムが提供される。ＬＥＤアレイに
おけるＬＥＤ動作を制御して多重ビームマイクロドツト
露出を形成するためには、１個のドツト発生器が好まし
く用いられる。
タガ配置としたＬＥＤアレイを含む多重ビームハーフト
ーンドツト発生システムが提供される。ＬＥＤアレイに
おけるＬＥＤ動作を制御して多重ビームマイクロドツト
露出を形成するためには、１個のドツト発生器が好まし
く用いられる。
好ましいＬＥＤマイクロチップアレイは各列が６個のＬ
ＥＤからなり、各列の対応するＬ Ｅ Ｄが互い違いと
なるようにした４列スタガ配置を有する。ＬＥＤは共通
接続手段として作用する基板内において周知の態様で形
成されている。基板上には各ＬＥＤ孔（区画）を包囲す
る第１の絶縁層及び個々の電極が被覆され、各ＬＥＤ孔
を包囲し、かつこれと接触する一つの電極はＬＥＤアレ
イ駆動回路と接触するようにモノリシックチップの外周
に独特のパターンにおいて導かれる。略述すれば、頂上
及び底辺の列におけるＬＥＤのための電極はそれぞれ図
の上方及び下方に導かれて、チップ頂上辺及び下底辺上
に配置された接点に到達し、中間列の各３個のＬ Ｅ
Ｄ電極はチップの両側辺における接点に導かれる。この
独特な電極配列はＬＥＤ交互配列形状と相俟って効果的
な熱放散に寄与し、高分解能マイクロドツトのための大
強度露出を効果的に達するものである。電極層上には第
２の絶縁層が配置される。Ｌ Ｅ Ｄからの光が基板を
通じてＬＥＤの側面に露出することにより生ずる不所望
の光学的変動を防止するため、ＬＥＤアレイの全体には
金属化マスク層が設けられる。第２の絶縁層はその金属
化マスク層を電極から電気的に絶縁するためのものであ
る。
ＥＤからなり、各列の対応するＬ Ｅ Ｄが互い違いと
なるようにした４列スタガ配置を有する。ＬＥＤは共通
接続手段として作用する基板内において周知の態様で形
成されている。基板上には各ＬＥＤ孔（区画）を包囲す
る第１の絶縁層及び個々の電極が被覆され、各ＬＥＤ孔
を包囲し、かつこれと接触する一つの電極はＬＥＤアレ
イ駆動回路と接触するようにモノリシックチップの外周
に独特のパターンにおいて導かれる。略述すれば、頂上
及び底辺の列におけるＬＥＤのための電極はそれぞれ図
の上方及び下方に導かれて、チップ頂上辺及び下底辺上
に配置された接点に到達し、中間列の各３個のＬ Ｅ
Ｄ電極はチップの両側辺における接点に導かれる。この
独特な電極配列はＬＥＤ交互配列形状と相俟って効果的
な熱放散に寄与し、高分解能マイクロドツトのための大
強度露出を効果的に達するものである。電極層上には第
２の絶縁層が配置される。Ｌ Ｅ Ｄからの光が基板を
通じてＬＥＤの側面に露出することにより生ずる不所望
の光学的変動を防止するため、ＬＥＤアレイの全体には
金属化マスク層が設けられる。第２の絶縁層はその金属
化マスク層を電極から電気的に絶縁するためのものであ
る。
実際上、軽量及び小型ＬＥＤマイクロチップアレイは色
分解スキャナの露出面に対向した搬送キャリジ上に、関
連する光学素子と共に取付けられる。なるへくなら、Ｌ
ＥＤマイクロチップアレイは回転露出ドラムの表面に対
向して取付けられ、好ましく構成されたドツト発生シス
テムに従って選択的に付勢されることにより、２，８０
０ドツト／インチを上回るマイクロドツト分解能を達す
ることができる。さらに、本発明によれば、ドツト発生
器は全ＬＥＤの状態を制御するためにＬＥＤチップアレ
イに接続された単一のドツト発生システムを含んでいる
。スキャナはまた、原画アートワークを走査して各色分
解のための画像値を発生ずるための原画アートワーク入
力スキャナを含んでいる。
分解スキャナの露出面に対向した搬送キャリジ上に、関
連する光学素子と共に取付けられる。なるへくなら、Ｌ
ＥＤマイクロチップアレイは回転露出ドラムの表面に対
向して取付けられ、好ましく構成されたドツト発生シス
テムに従って選択的に付勢されることにより、２，８０
０ドツト／インチを上回るマイクロドツト分解能を達す
ることができる。さらに、本発明によれば、ドツト発生
器は全ＬＥＤの状態を制御するためにＬＥＤチップアレ
イに接続された単一のドツト発生システムを含んでいる
。スキャナはまた、原画アートワークを走査して各色分
解のための画像値を発生ずるための原画アートワーク入
力スキャナを含んでいる。
本発明のドツト発生システム及びＬＥＤアレイ制御方法
によれば、所定の色分解のための走査画像値は、高速メ
モリ（ＲＡＭ）中にアドレス可能にストアされたハーフ
トーンドツト密度プロフィールアレイ（Ｄ Ｄ Ｐ Ａ
）から呼び出されたマイクロドツト密度値と比較され、
対応するマイクロドツトがＬＥＤアレイ上の一つのＬＥ
Ｄを活性化することにより露光されるべきか否かの判定
がなされる。Ｘ及びｙＤＤＰＡアドレスパラメータを増
分処理するとともに、走査進行中のＤＤＰＡアドレスの
移動合計又は現在合計（ランニングトータル）を維持す
るためには、ビットスライスが設けられる。ビットスラ
イスは各ハーフトーン分解毎のマイクロドツトライン増
分値、フライバック増分値、走査増分値、及び移動アド
レスト−タルストアすることができるオンボードメモリ
付の３２ビット加算器により単純に構成することができ
る。ハーフトーン分解の露出走査中において、ビットス
ライスはマイクロドツト露出ラインにわたってＤＤＰＡ
現在アドレスを順次増分処理するものであるが、そのア
ドレスの生成は露出ドラムの回転方向に直交した方向、
すなわちドラム軸方向のマイクロドツトラインにおける
各マイクロドツトに対応したマイクロドツト密度値を前
期ＤＤＰＡから取出すために行われ、この値はＬＥＤア
レイ上の活性化ＬＥＤ数となる。ＤＤＰＡから取出され
た各マイクロドツト密度値は画像値と比較され、この比
較によりアレイ中の各ＬＥＤがマイクロドツトライン上
のマイクロドツトを露出さぜるべく付勢されるか否かを
判定する。ＤＤＰＡアドレスかマイクロドツトラインに
わたって逐次処理された後、ビットスライスはＤＤＰＡ
現在合計アドレスを“フライバック”増分だけ増分処理
することにより、露出ドラム上で露出されるべき次のマ
イクロドツトラインの最初のマイクロドツトに対応する
ＤＤＰＡアドレスをもたらす。アドレス増分処理はこの
態様においてマイクロドツト毎に、及びマイクロドツト
ライン毎に続行され、この処理はドラムを一巡する円周
方向における走査線露出の終了まで行われ、その時点で
ビットスライスは出発ＤＤＰＡアドレスを゛走査線“増
分値だけ増分処理し、このＤＤＰＡアドレスをドラム軸
方向における次の走査ラインの第１のマイクロドツトラ
イン中の第１のマイクロドツトに対応させる。ＤＤＰＡ
アドレス処理はこの態様においてマイクロドツト毎、マ
イクロドツトライン毎、及び走査ライン毎の増分処理を
続行する。この処理は所定の色分解走査が完了するまで
行われる。
によれば、所定の色分解のための走査画像値は、高速メ
モリ（ＲＡＭ）中にアドレス可能にストアされたハーフ
トーンドツト密度プロフィールアレイ（Ｄ Ｄ Ｐ Ａ
）から呼び出されたマイクロドツト密度値と比較され、
対応するマイクロドツトがＬＥＤアレイ上の一つのＬＥ
Ｄを活性化することにより露光されるべきか否かの判定
がなされる。Ｘ及びｙＤＤＰＡアドレスパラメータを増
分処理するとともに、走査進行中のＤＤＰＡアドレスの
移動合計又は現在合計（ランニングトータル）を維持す
るためには、ビットスライスが設けられる。ビットスラ
イスは各ハーフトーン分解毎のマイクロドツトライン増
分値、フライバック増分値、走査増分値、及び移動アド
レスト−タルストアすることができるオンボードメモリ
付の３２ビット加算器により単純に構成することができ
る。ハーフトーン分解の露出走査中において、ビットス
ライスはマイクロドツト露出ラインにわたってＤＤＰＡ
現在アドレスを順次増分処理するものであるが、そのア
ドレスの生成は露出ドラムの回転方向に直交した方向、
すなわちドラム軸方向のマイクロドツトラインにおける
各マイクロドツトに対応したマイクロドツト密度値を前
期ＤＤＰＡから取出すために行われ、この値はＬＥＤア
レイ上の活性化ＬＥＤ数となる。ＤＤＰＡから取出され
た各マイクロドツト密度値は画像値と比較され、この比
較によりアレイ中の各ＬＥＤがマイクロドツトライン上
のマイクロドツトを露出さぜるべく付勢されるか否かを
判定する。ＤＤＰＡアドレスかマイクロドツトラインに
わたって逐次処理された後、ビットスライスはＤＤＰＡ
現在合計アドレスを“フライバック”増分だけ増分処理
することにより、露出ドラム上で露出されるべき次のマ
イクロドツトラインの最初のマイクロドツトに対応する
ＤＤＰＡアドレスをもたらす。アドレス増分処理はこの
態様においてマイクロドツト毎に、及びマイクロドツト
ライン毎に続行され、この処理はドラムを一巡する円周
方向における走査線露出の終了まで行われ、その時点で
ビットスライスは出発ＤＤＰＡアドレスを゛走査線“増
分値だけ増分処理し、このＤＤＰＡアドレスをドラム軸
方向における次の走査ラインの第１のマイクロドツトラ
イン中の第１のマイクロドツトに対応させる。ＤＤＰＡ
アドレス処理はこの態様においてマイクロドツト毎、マ
イクロドツトライン毎、及び走査ライン毎の増分処理を
続行する。この処理は所定の色分解走査が完了するまで
行われる。
好ましくはＤＤＰＡ現在合計アドレスのオーバフローは
無視される。これはＤＤＰＡが対称性を有し、アドレス
の残りの部分が、生成されるべき次の対称性ハーフトー
ンドツト内のアドレスに効果的に対応するからである。
無視される。これはＤＤＰＡが対称性を有し、アドレス
の残りの部分が、生成されるべき次の対称性ハーフトー
ンドツト内のアドレスに効果的に対応するからである。
比較論理は、ＤＤＰＡから呼び出された各マイクロドツ
ト密度を、走査された原画アートワークから得られた補
正済画像値と比較し、これによってハーフトーン分解に
おいて対応するマイクロドツトを露出するためにＬＥＤ
を活性化すべきか否かが判定される。ＤＤＰＡ内にはな
るべくなら、負のマイクロドツト密度値がストアされ、
比較論理はこの負のマイクロドツト密度値を正の画像値
に加算し、対応するＬ Ｅ Ｄが活性化されるべきか否
かを判定するためにその和が参照される。
ト密度を、走査された原画アートワークから得られた補
正済画像値と比較し、これによってハーフトーン分解に
おいて対応するマイクロドツトを露出するためにＬＥＤ
を活性化すべきか否かが判定される。ＤＤＰＡ内にはな
るべくなら、負のマイクロドツト密度値がストアされ、
比較論理はこの負のマイクロドツト密度値を正の画像値
に加算し、対応するＬ Ｅ Ｄが活性化されるべきか否
かを判定するためにその和が参照される。
比較論理は所定のマイクロドツトにおいて露出を行うべ
きか否か、すなわち対応するＬＥＤが活性化されるべき
か否を指示する単一のデータビットを出力する。直並列
変換器は比較論理から得られた露出データを累加して、
ＬＥＤアレイ上において用いられるＬＥＤ数に等しい長
さのワードを構成する。すなわち、Ｌ Ｅ Ｄ数は回転
露出ドラム上の単一のマイクロドツト露出ラインにおけ
るマイクロドツト数に等しい。
きか否か、すなわち対応するＬＥＤが活性化されるべき
か否を指示する単一のデータビットを出力する。直並列
変換器は比較論理から得られた露出データを累加して、
ＬＥＤアレイ上において用いられるＬＥＤ数に等しい長
さのワードを構成する。すなわち、Ｌ Ｅ Ｄ数は回転
露出ドラム上の単一のマイクロドツト露出ラインにおけ
るマイクロドツト数に等しい。
ＬＥＤアレイは単一のＬＥＤラインのみから構成された
ものではないため、直並列変換器から受信されたマイク
ロドツト露出データの１ワードから単一のマイクロドツ
トラインを露出させるためにはスタガ補償論理が用いら
れ、スタガＬＥＤ配列における各ＬＥＤの調整駆動を行
うものである。スタガ補償論理はＬＥＤの第１列に対応
する露出データビットを遅延させることなくそのアレイ
に接続された出力バッファに転送する。しかしながら、
第２列以降のスタガＬＥＤ列に対応する露出データビッ
トは出力バッファ及びＬ Ｅ Ｄアレイに転送されてか
ら一定周期だけ遅延される。この遅延時間は、各スタガ
ＬＥＤ列が、対応する露出データに応答して第１列のＬ
Ｅ Ｄが付勢されるドラム面上の位置と整列するまで
露出ドラムを回転させるに必要な時間である。好ましく
は出力バッファ及びＬＥＤは異なったマイクロドツトラ
インに対応する各ＬＥＤ列毎にデータビットを受信し、
これによってＬ Ｅ Ｄアレイの各列は単一のストロー
クパルス中に異なったマイクロドツトラインの異なった
部分を露出するものである。
ものではないため、直並列変換器から受信されたマイク
ロドツト露出データの１ワードから単一のマイクロドツ
トラインを露出させるためにはスタガ補償論理が用いら
れ、スタガＬＥＤ配列における各ＬＥＤの調整駆動を行
うものである。スタガ補償論理はＬＥＤの第１列に対応
する露出データビットを遅延させることなくそのアレイ
に接続された出力バッファに転送する。しかしながら、
第２列以降のスタガＬＥＤ列に対応する露出データビッ
トは出力バッファ及びＬ Ｅ Ｄアレイに転送されてか
ら一定周期だけ遅延される。この遅延時間は、各スタガ
ＬＥＤ列が、対応する露出データに応答して第１列のＬ
Ｅ Ｄが付勢されるドラム面上の位置と整列するまで
露出ドラムを回転させるに必要な時間である。好ましく
は出力バッファ及びＬＥＤは異なったマイクロドツトラ
インに対応する各ＬＥＤ列毎にデータビットを受信し、
これによってＬ Ｅ Ｄアレイの各列は単一のストロー
クパルス中に異なったマイクロドツトラインの異なった
部分を露出するものである。
クロック発生器はスタガ補償論理により導入された遅延
時間、出力バッファからＬＥＤアレイへの露光データの
送出、ストロークパルスによるＬＥＤアレイの活性化、
及び新たな画像値を得るだめの画像値源への信号の送出
を制御するものである。ビットスライス制御装置は出カ
バソファをモニタしてＤＤＰＡ−、ＲＡＭのアドレス指
定及びマイクロドツト密度値を直並列変換器の受入れ可
能な画像値に対して比較することを調整するものである
。すなわち、出力バッファからＬＥＤアレイへの露光デ
ータ語の送出はスタガ補償論理から出力バッファへ、及
び直並列変換器からスタガ補償論理へのワード送出をも
トリガ（付勢）するものである。かくして出力バッファ
からＬＥＤアレイへのデータ送出は直並列変換器が比較
論理から新たなデータを受入れる可能性を指示する。
時間、出力バッファからＬＥＤアレイへの露光データの
送出、ストロークパルスによるＬＥＤアレイの活性化、
及び新たな画像値を得るだめの画像値源への信号の送出
を制御するものである。ビットスライス制御装置は出カ
バソファをモニタしてＤＤＰＡ−、ＲＡＭのアドレス指
定及びマイクロドツト密度値を直並列変換器の受入れ可
能な画像値に対して比較することを調整するものである
。すなわち、出力バッファからＬＥＤアレイへの露光デ
ータ語の送出はスタガ補償論理から出力バッファへ、及
び直並列変換器からスタガ補償論理へのワード送出をも
トリガ（付勢）するものである。かくして出力バッファ
からＬＥＤアレイへのデータ送出は直並列変換器が比較
論理から新たなデータを受入れる可能性を指示する。
本発明によるＬＥＤドツト発生システムは高分解能ハー
フトーン分解露光を提供することができる廉価な多重ビ
ームＬＥＤ露出光源を好ましく提供するものである。ま
た、超小型ＬＥＤアレイの新規の配置形状は、各ＬＥＤ
からの高強度露光を、効果的な熱放散を都合よく伴って
達成するものである。本発明に従って駆動されるＬＥＤ
ドツト発生システムにおいて顕著なことは、多重ビーム
ＬＥＤアレイが単一の電子ドツト発生器により制御され
るため、ドツト発生器の価格及び複雑性をさらに減少さ
せるものである。さらに、本発明によるＬ Ｅ Ｄドツ
ト発生システムは、高品質色分解スキャナにおいて従来
より用いられてきたような高価で大型、かつ複雑なレー
ザ光源を用いる必要をなくしたという重要な特徴を有す
る。
フトーン分解露光を提供することができる廉価な多重ビ
ームＬＥＤ露出光源を好ましく提供するものである。ま
た、超小型ＬＥＤアレイの新規の配置形状は、各ＬＥＤ
からの高強度露光を、効果的な熱放散を都合よく伴って
達成するものである。本発明に従って駆動されるＬＥＤ
ドツト発生システムにおいて顕著なことは、多重ビーム
ＬＥＤアレイが単一の電子ドツト発生器により制御され
るため、ドツト発生器の価格及び複雑性をさらに減少さ
せるものである。さらに、本発明によるＬ Ｅ Ｄドツ
ト発生システムは、高品質色分解スキャナにおいて従来
より用いられてきたような高価で大型、かつ複雑なレー
ザ光源を用いる必要をなくしたという重要な特徴を有す
る。
以上、本発明を概説したが、本発明の変形例については
図面を参照して以下詳細に説明するとする。
図面を参照して以下詳細に説明するとする。
好ましい実施例の詳細な説明
本発明によれば、多重露出ビームを発生するために単一
のドツト発生器により制御ＬＥＤマイクロチップアレイ
を含むＬＥＤドツト発生システムが構成される。
のドツト発生器により制御ＬＥＤマイクロチップアレイ
を含むＬＥＤドツト発生システムが構成される。
第１図は本発明のドツト発生システムにおいて用いられ
るＬＥＤマイクロチップアレイの好ましい配列を示す平
面図である。好ましいＬＥＤアレイ（１０）は各々が６
個のＬＥＤからなる４列のスタガ列を有する。各ＬＥＤ
は約５×８ミクロンの大きさであり、同列内のＬＥＤ間
の中心間隔は約３６ミクロンとされている。アレイに関
する露出面の別の走査線方向は矢印Ａで示す通りである
。第２図はマスク、すなわち第２絶縁層を除去した状態
の好ましいＬＥＤアレイ平面図であり、従来知られてい
なかった熱消散効率及び超小型ＬＥＤの小間隔配列を達
成した好ましいＬＥＤ電極配置を示すものである。第３
図は第１図の３−３線に沿って描かれた単一Ｌ Ｅ Ｄ
（１２）の部分断面図であり、第４図はＬ Ｅ Ｄ
（１２）の斜視図である。第５図は回転露出ドラムの表
面に対向してＬＥＤアレイを配置し、そのドラム面上に
結像するようにした好ましいスキャナ配置を示す立面図
である。第６図はＬＥＤアレイの付勢制御を行うための
ドツト発生器制御システムを示すブロック線図である。
るＬＥＤマイクロチップアレイの好ましい配列を示す平
面図である。好ましいＬＥＤアレイ（１０）は各々が６
個のＬＥＤからなる４列のスタガ列を有する。各ＬＥＤ
は約５×８ミクロンの大きさであり、同列内のＬＥＤ間
の中心間隔は約３６ミクロンとされている。アレイに関
する露出面の別の走査線方向は矢印Ａで示す通りである
。第２図はマスク、すなわち第２絶縁層を除去した状態
の好ましいＬＥＤアレイ平面図であり、従来知られてい
なかった熱消散効率及び超小型ＬＥＤの小間隔配列を達
成した好ましいＬＥＤ電極配置を示すものである。第３
図は第１図の３−３線に沿って描かれた単一Ｌ Ｅ Ｄ
（１２）の部分断面図であり、第４図はＬ Ｅ Ｄ
（１２）の斜視図である。第５図は回転露出ドラムの表
面に対向してＬＥＤアレイを配置し、そのドラム面上に
結像するようにした好ましいスキャナ配置を示す立面図
である。第６図はＬＥＤアレイの付勢制御を行うための
ドツト発生器制御システムを示すブロック線図である。
また、第７図はストアされたドツト密度プロフィールア
レイを図解するものであり、第８図は本発明のドツト発
生システムにおいて用いられるスタガ補償論理を示すブ
ロック線図である。
レイを図解するものであり、第８図は本発明のドツト発
生システムにおいて用いられるスタガ補償論理を示すブ
ロック線図である。
特に、第３及び４図を参照すれば、個々のＬＥＤ （１
２）の構造が示されている。共通導体（１６）と接触す
る” Ｎ ”型材料の基板（１４）は、その基板内に発
光Ｐ型矩形゛ウェル″（井戸）領域（１８）を形成する
ための発光” Ｐ ”型不純物をドープ接合されている
。第１絶縁層（２０）はＰ型ウェル領域（１８）を囲繞
するＮ型面上に被覆されている。この絶縁層（２０）は
各Ｐ型ウェル領域（１８）より大きくないサイズの矩形
開口を有し、これによってＮ型基板（１４）のすべての
部分が露出しないようにする。
２）の構造が示されている。共通導体（１６）と接触す
る” Ｎ ”型材料の基板（１４）は、その基板内に発
光Ｐ型矩形゛ウェル″（井戸）領域（１８）を形成する
ための発光” Ｐ ”型不純物をドープ接合されている
。第１絶縁層（２０）はＰ型ウェル領域（１８）を囲繞
するＮ型面上に被覆されている。この絶縁層（２０）は
各Ｐ型ウェル領域（１８）より大きくないサイズの矩形
開口を有し、これによってＮ型基板（１４）のすべての
部分が露出しないようにする。
電極（２２）はウェル領域（１８）内に向かって突出し
、その中のＰ型物質と接触する。電極（２２）は好まし
くはウェル領域の両側部における少くとも２点でＰ型ウ
ェルと接触する。この場合、電極（２２）とウェル領域
（１８）内のＰ型物質との間に効果的な電気接触を確立
することが重要である。電極（２２）はウェル領域に対
する接点部以外では絶縁層（２０）により基板（１４）
から電気的に絶縁される。この第２の絶縁層（２４）が
電極（２２）の頂面上に被覆される。第２の絶縁層には
各矩形ウェルを囲繞し、かつこれらを露出させるための
矩形開口が形成される。第２の絶縁層（２４）は電極（
２２）の実質的な全面を覆い、特にウェル領域（１８）
を囲繞する第１電極領域の外周域を含む面を覆うもので
ある。
、その中のＰ型物質と接触する。電極（２２）は好まし
くはウェル領域の両側部における少くとも２点でＰ型ウ
ェルと接触する。この場合、電極（２２）とウェル領域
（１８）内のＰ型物質との間に効果的な電気接触を確立
することが重要である。電極（２２）はウェル領域に対
する接点部以外では絶縁層（２０）により基板（１４）
から電気的に絶縁される。この第２の絶縁層（２４）が
電極（２２）の頂面上に被覆される。第２の絶縁層には
各矩形ウェルを囲繞し、かつこれらを露出させるための
矩形開口が形成される。第２の絶縁層（２４）は電極（
２２）の実質的な全面を覆い、特にウェル領域（１８）
を囲繞する第１電極領域の外周域を含む面を覆うもので
ある。
第２の絶縁層（２４）上には金属化マスク層（２６）が
被覆される。マスク層（２６）はウェル領域（１８）、
スなわちＬＥＤにおいて迷光が発生し、それが基板（１
４）の側部に通過することを阻止するに十分な不透明性
を有する。マスクは第２絶縁層（２２）により電極から
電気的に絶縁されるものであり、第２絶縁層における開
口を包囲する矩形開口を有する。
被覆される。マスク層（２６）はウェル領域（１８）、
スなわちＬＥＤにおいて迷光が発生し、それが基板（１
４）の側部に通過することを阻止するに十分な不透明性
を有する。マスクは第２絶縁層（２２）により電極から
電気的に絶縁されるものであり、第２絶縁層における開
口を包囲する矩形開口を有する。
マスク層の開口はなるべくなら電極（２２）の周縁より
小さくして効果的なマスキングを達成するものである。
小さくして効果的なマスキングを達成するものである。
マスク層及びある範囲における電極は基板を横向きに進
むようなＬＥＤアレイ領域（１８）内の発光がアレイの
上方から見えないようにするものである。この態様にお
いて迷光が抑制され、ウェル内ＬＥＤのからの光のみが
アレイ上方より視認できるようにする。ＬＥＤマイクロ
チップ製造分野における当業者は前述の態様に従って本
発明のおけるアレイの製造技術を容易に認識し得るであ
ろう。
むようなＬＥＤアレイ領域（１８）内の発光がアレイの
上方から見えないようにするものである。この態様にお
いて迷光が抑制され、ウェル内ＬＥＤのからの光のみが
アレイ上方より視認できるようにする。ＬＥＤマイクロ
チップ製造分野における当業者は前述の態様に従って本
発明のおけるアレイの製造技術を容易に認識し得るであ
ろう。
第４図の斜視図に示す通り、ＬＥＤアレイ領域（１８）
は第１の絶縁層（２０）、電極（２２）、第２の絶縁層
（２４）及びマスク層（２６）により囲繞された状態で
アレイ上から観察可能である。ＬＥＤウェル領域が電極
（２２）からこのウェル領域（１８）及び基板（１４）
を通じて共通導体（１６）に流れる電流により付勢され
ると、ＬＥＤウェル（１８）はアレイ上から観察可能な
高強度の光を放出し、このときマスク層（２６）は基板
を通じてウェル領域の側部に伝搬される何等かの迷光を
覆い廻すものである。
は第１の絶縁層（２０）、電極（２２）、第２の絶縁層
（２４）及びマスク層（２６）により囲繞された状態で
アレイ上から観察可能である。ＬＥＤウェル領域が電極
（２２）からこのウェル領域（１８）及び基板（１４）
を通じて共通導体（１６）に流れる電流により付勢され
ると、ＬＥＤウェル（１８）はアレイ上から観察可能な
高強度の光を放出し、このときマスク層（２６）は基板
を通じてウェル領域の側部に伝搬される何等かの迷光を
覆い廻すものである。
第１及び２図に示す通り、これまでの説明に従って形成
されたＬＥＤのスタガ配列は、本発明に従って構成され
たドツト発生システムにおいて使用するための高分解能
ＬＥＤアレイを提供し、高品質の色分解を伴った露光を
生ずるものである。好ましいＬＥＤアレイは各々が６個
のＬＥＤを含む等間隔で平行配置された４列（３０）、
（３２）、（３４）、（３６）からなっている。したが
って、アレイの全体的な形状は平行四辺形となる。各Ｌ
ＥＤの露出した発光ウェル領域は約８ミクロンの長さに
５ミクロンの幅を掛けた大きさであり、各列内のＬＥＤ
中心間隔は約３６ミクロンである。好ましくはすべての
列は等間隔に配置され、これによって隣接した二側に属
する対応ＬＥＤの中心間隔は約９０ミクロンである。
されたＬＥＤのスタガ配列は、本発明に従って構成され
たドツト発生システムにおいて使用するための高分解能
ＬＥＤアレイを提供し、高品質の色分解を伴った露光を
生ずるものである。好ましいＬＥＤアレイは各々が６個
のＬＥＤを含む等間隔で平行配置された４列（３０）、
（３２）、（３４）、（３６）からなっている。したが
って、アレイの全体的な形状は平行四辺形となる。各Ｌ
ＥＤの露出した発光ウェル領域は約８ミクロンの長さに
５ミクロンの幅を掛けた大きさであり、各列内のＬＥＤ
中心間隔は約３６ミクロンである。好ましくはすべての
列は等間隔に配置され、これによって隣接した二側に属
する対応ＬＥＤの中心間隔は約９０ミクロンである。
第２図には本発明のＬＥＤアレイの新規の電極パターン
を示すために、金属化マスク層又は第２絶縁層を除去し
た状態において第１図のＬＥＤアレイが描かれている。
を示すために、金属化マスク層又は第２絶縁層を除去し
た状態において第１図のＬＥＤアレイが描かれている。
図示の通り、図の上端における第１列（３０） ノＬ
Ｅ Ｄ （１００）、（１０４）、（１０８）、（１１
２）、（１１６）、（１２０）のための電極リード（３
７）は、図におけるマイクロチップアレイの上縁に設け
られた電気接点（３８）に向かって上向きに引き出すレ
ル。第２ 列（３２） ｉ： オイテハＬ Ｅ Ｄ （
１０１）、（１２１）に対応する電極（４０）、（４２
）はそれぞれアレイの両側における接点（４１）、（４
３）に向かって引き出さレル。マタ、コノ列ノ中央Ｌ
Ｅ Ｄ （１０９）、（１１３）ｉ：対応する電極（４
８）、（５０）は第１及び第２列間を上向き及び外向き
に延びてアレイの両側における接点（４９）、（５１）
に対してそれぞれ引き出される。また、第２列における
中間（中央と両側との間）ＬＥ Ｄ （１（１５）、（
１１７）に対応する電極（５６）、（５８）は第２及び
第３列間を下向き及び外向きに延びて、それぞれアレイ
の両側に設けられた接点（５７）、（５９）に達するよ
うに引き出される。
Ｅ Ｄ （１００）、（１０４）、（１０８）、（１１
２）、（１１６）、（１２０）のための電極リード（３
７）は、図におけるマイクロチップアレイの上縁に設け
られた電気接点（３８）に向かって上向きに引き出すレ
ル。第２ 列（３２） ｉ： オイテハＬ Ｅ Ｄ （
１０１）、（１２１）に対応する電極（４０）、（４２
）はそれぞれアレイの両側における接点（４１）、（４
３）に向かって引き出さレル。マタ、コノ列ノ中央Ｌ
Ｅ Ｄ （１０９）、（１１３）ｉ：対応する電極（４
８）、（５０）は第１及び第２列間を上向き及び外向き
に延びてアレイの両側における接点（４９）、（５１）
に対してそれぞれ引き出される。また、第２列における
中間（中央と両側との間）ＬＥ Ｄ （１（１５）、（
１１７）に対応する電極（５６）、（５８）は第２及び
第３列間を下向き及び外向きに延びて、それぞれアレイ
の両側に設けられた接点（５７）、（５９）に達するよ
うに引き出される。
同様にして、第３列（３４）のＬ Ｅ Ｄ （１０２）
、（１２２）に対応する電極（６４）、（６６）はアレ
イの両側における接点（６５）、（６７）に達するよう
に直接外向きに弓き出される。また、第３列の中間Ｌ
Ｅ Ｄ （１０６）、（１１８）に対応する電極（７２
）、（７４）はアレイの両側における接点（７３）、（
７５）に達するようそれぞれ上向き及び外向きに引き出
され、さらに、中央ＬＥＤ （１１０）、（１１４）に
対応する（８０）、（８２）は接点（８１）、（８３）
に向かって下向き及び外向きに引き出される。最後に、
最下列である第４列（３６）のＬＥＤ（１０３）、（１
０７）、（１１１）、（１１５）、（１１９）、（１２
３）のための電極リード（８８）はチップの下端縁に沿
って配列された接点（８９）に達するよう下向きに引き
出される。
、（１２２）に対応する電極（６４）、（６６）はアレ
イの両側における接点（６５）、（６７）に達するよう
に直接外向きに弓き出される。また、第３列の中間Ｌ
Ｅ Ｄ （１０６）、（１１８）に対応する電極（７２
）、（７４）はアレイの両側における接点（７３）、（
７５）に達するようそれぞれ上向き及び外向きに引き出
され、さらに、中央ＬＥＤ （１１０）、（１１４）に
対応する（８０）、（８２）は接点（８１）、（８３）
に向かって下向き及び外向きに引き出される。最後に、
最下列である第４列（３６）のＬＥＤ（１０３）、（１
０７）、（１１１）、（１１５）、（１１９）、（１２
３）のための電極リード（８８）はチップの下端縁に沿
って配列された接点（８９）に達するよう下向きに引き
出される。
上述したアレイ幾何学は本発明に従って構成されたドツ
ト発生用露光システムと組み合わせて用いるのに特に適
しており、これによってこのＬＥＤアレイに対置された
回転露出ドラム（１２６）は表面上に支持された感光材
シート上にハーフトーン分解像を露光させることができ
る。この場合、ＬＥＤアレイは回転ドラムの表面に平行
に移動し得るものである（第５図参照）。このスタガア
レイは８〜１０本のビームしか発生し得ない典型的な従
来型レーザシステムとは異なり、最大２４本までの露光
ビームを発生することができ、これらビームのすべては
単一のドツト発生システムにより制御されるものである
。当然ながら、ＬＥＤ個々とＬＥＤ列の種々の組合せを
用いて異なった数のビーム及び異なった形状のビーム配
列を発生することもできる。さらに、ＬＥＤアレイは本
発明の範囲内において平面などのような他の形式の露光
面に対向して可動的に支持することができる。
ト発生用露光システムと組み合わせて用いるのに特に適
しており、これによってこのＬＥＤアレイに対置された
回転露出ドラム（１２６）は表面上に支持された感光材
シート上にハーフトーン分解像を露光させることができ
る。この場合、ＬＥＤアレイは回転ドラムの表面に平行
に移動し得るものである（第５図参照）。このスタガア
レイは８〜１０本のビームしか発生し得ない典型的な従
来型レーザシステムとは異なり、最大２４本までの露光
ビームを発生することができ、これらビームのすべては
単一のドツト発生システムにより制御されるものである
。当然ながら、ＬＥＤ個々とＬＥＤ列の種々の組合せを
用いて異なった数のビーム及び異なった形状のビーム配
列を発生することもできる。さらに、ＬＥＤアレイは本
発明の範囲内において平面などのような他の形式の露光
面に対向して可動的に支持することができる。
以下、本発明のドツト発生システムについては、回転露
出ドラムに対向して配置された４列６行の２４素子ＬＥ
Ｄアレイに関して説明する。ここでは″活性化“ＬＥＤ
なる用語は露光において使用すへく付勢されたＬＥＤを
意味し、しかも゛活性化ＬＥＤ”′と記載するときのＬ
ＥＤは使用すべく活性化されたアレイ上のすべてのＬＥ
Ｄ数よりは少ないものとする。
出ドラムに対向して配置された４列６行の２４素子ＬＥ
Ｄアレイに関して説明する。ここでは″活性化“ＬＥＤ
なる用語は露光において使用すへく付勢されたＬＥＤを
意味し、しかも゛活性化ＬＥＤ”′と記載するときのＬ
ＥＤは使用すべく活性化されたアレイ上のすべてのＬＥ
Ｄ数よりは少ないものとする。
スタガ幾何学はきわめて厳密であり、基本マイクロドツ
ト分解能を変えることなくマイクロドツトサイズ及び形
状の正確な制御を許容するものである。隣接走査線間の
ピンチは必要な出力速度及び画像分解能などのような因
子により決定される。しかしながら、本発明によれば、
全ＬＥＤの選択的な活性化又はより少数のＬ Ｅ Ｄの
副次的な組合せを選択的に活性化することにより、一定
速度において粗大なピッチ又は微細なピッチを達成する
ことが可能である。各ＬＥＤの基本分解能は不変であり
、それは例えば同一走査中においてテキスト及びグラフ
ィックスが異なった分解能で露出されるべき場合に利益
的である。これは限られた数の露出用ビームを用いるレ
ーザドツト発生器によっては実現できないことである。
ト分解能を変えることなくマイクロドツトサイズ及び形
状の正確な制御を許容するものである。隣接走査線間の
ピンチは必要な出力速度及び画像分解能などのような因
子により決定される。しかしながら、本発明によれば、
全ＬＥＤの選択的な活性化又はより少数のＬ Ｅ Ｄの
副次的な組合せを選択的に活性化することにより、一定
速度において粗大なピッチ又は微細なピッチを達成する
ことが可能である。各ＬＥＤの基本分解能は不変であり
、それは例えば同一走査中においてテキスト及びグラフ
ィックスが異なった分解能で露出されるべき場合に利益
的である。これは限られた数の露出用ビームを用いるレ
ーザドツト発生器によっては実現できないことである。
各ビームの走査速度及び／又は基本分解能は走査線ピッ
チを変更するためには変換しなければならない。
チを変更するためには変換しなければならない。
好ましいアレイ幾何学はドラム型色分解スキャナのため
のドツト発生用露光システムにおいて顕著な利点を生ず
るものである。まず、Ｌ Ｅ Ｄは例えば１インチ当た
り２８００マイクロドツトを上回るような高分解能色分
解走査を許容し得る微小マイクロドツトを露光させるに
十分な小サイズである。比較的微細な分解能は比較的単
純な光学的リダクション（光学的処理）を用いることに
より達せられる。第二に、好ましいアレイ幾何学は強力
な露出光源を得るために各ＬＥＤに大電力密度で、例え
ば１０ミリアンペア程度給電し、かつこれを付勢するよ
うな大電力容量を可能にするものである。第三に、４×
６スタガアレイはＬＥＤＯ付勢を、本発明のシステムに
従った走査中においてタイミング制御し、これにより最
大２４までの直−隣接マイクロドツトからなる連続した
マイクロドツトラインを露光し得るものである。すなわ
ち、これ以後に説明するドツト発生制御システムは各ス
タガ列の付勢を制御することにより、アレイに関する露
出走査ドラム面の変位を対応する露出データを伴う次の
列の活性化までに約９０ミクロン程度許容するものであ
る。
のドツト発生用露光システムにおいて顕著な利点を生ず
るものである。まず、Ｌ Ｅ Ｄは例えば１インチ当た
り２８００マイクロドツトを上回るような高分解能色分
解走査を許容し得る微小マイクロドツトを露光させるに
十分な小サイズである。比較的微細な分解能は比較的単
純な光学的リダクション（光学的処理）を用いることに
より達せられる。第二に、好ましいアレイ幾何学は強力
な露出光源を得るために各ＬＥＤに大電力密度で、例え
ば１０ミリアンペア程度給電し、かつこれを付勢するよ
うな大電力容量を可能にするものである。第三に、４×
６スタガアレイはＬＥＤＯ付勢を、本発明のシステムに
従った走査中においてタイミング制御し、これにより最
大２４までの直−隣接マイクロドツトからなる連続した
マイクロドツトラインを露光し得るものである。すなわ
ち、これ以後に説明するドツト発生制御システムは各ス
タガ列の付勢を制御することにより、アレイに関する露
出走査ドラム面の変位を対応する露出データを伴う次の
列の活性化までに約９０ミクロン程度許容するものであ
る。
したがって、スタガ列及び対応するドツト発生制御シス
テムを有するＬＥＤアレイを含む本発明のドツト発生シ
ステムは、電極及び／又はＬＥＤ間における熱的及び電
気的な干渉に支配されるであろうＬ Ｅ Ｄの至近間隔
配置を有する１又は２以上の列を不要とするものである
。実際上は、大きさ５×８ミクロンのＬＥＤを２４個用
いた直線的アレイが構成されるとしても、Ｌ Ｅ Ｄ及
び電極リードは必然的に近接するため、熱的及び／又は
電気的な干渉を生ずることになる。
テムを有するＬＥＤアレイを含む本発明のドツト発生シ
ステムは、電極及び／又はＬＥＤ間における熱的及び電
気的な干渉に支配されるであろうＬ Ｅ Ｄの至近間隔
配置を有する１又は２以上の列を不要とするものである
。実際上は、大きさ５×８ミクロンのＬＥＤを２４個用
いた直線的アレイが構成されるとしても、Ｌ Ｅ Ｄ及
び電極リードは必然的に近接するため、熱的及び／又は
電気的な干渉を生ずることになる。
第５図に示す通り、Ｉ、ＥＤアレイ（１０）はカラスキ
ャナにおける回転露出ドラムの表面に対向して支持され
ている。より特定すれば、ＬＥＤアレイ（１０）は適当
な接続関係を有する基板（１２４） Ｊ二に取り付けら
れ、レンズ（ｉ、 ２８ ）により収束されたアレイの
像は回転節円ドラム（１２６）のフィルム支持面上に結
像される。
ャナにおける回転露出ドラムの表面に対向して支持され
ている。より特定すれば、ＬＥＤアレイ（１０）は適当
な接続関係を有する基板（１２４） Ｊ二に取り付けら
れ、レンズ（ｉ、 ２８ ）により収束されたアレイの
像は回転節円ドラム（１２６）のフィルム支持面上に結
像される。
以下に詳述する通り、本発明のドツト発生システム及び
方法においては、列（３０）、（３２）、（３４）、（
３６）におけるＬＥＤの活性化は各列が実質上回転露出
ドラムの同一位置において映像化され、２４マイクロド
ツトまでの単一列を露出するように制御される。
方法においては、列（３０）、（３２）、（３４）、（
３６）におけるＬＥＤの活性化は各列が実質上回転露出
ドラムの同一位置において映像化され、２４マイクロド
ツトまでの単一列を露出するように制御される。
第６図はＬＥＤアレイ（１０）を制御するための好まし
いドツト発生システム（１３０）をブロック線図におい
て示している。ドツト発生システム（１３０）はアドレ
ス可能なマイクロドツト密度値をストアするドツト密度
プロフィールアレイ用ランダムアクセスメモリ （”Ｄ
ＤＰＡ ＲＡＭ” ）（１３２）とＶＭＥバス（１３
８） 、及びビットスライスコントローラ（１４０）を
介してビットスライス（１３６）に供給する各色分解の
ためのインクリメントアドレス値を発生するマイクロプ
ロセッサ（１３４）とを含んでいる。以下に詳述する通
り、インクリメントアドレス値は各ハーフトーンの上に
重ねられるべきスクリーンピンチ及び角度からなるスク
リーンパラメータ、及びＬＥＤアレイのラインからライ
ンへの活性化順序を考慮したものである。比較論理（１
４２）はビットスライス（１３６）によりアドレスされ
たＤＤＰＡ−ＲＡＭからのマイクロドツト密度値を受信
し、各マイクロドツト密度値をデータバッファ（１４４
）から受信された画像データと比較する。画像データは
１色の１画素に対応する。マイクロドツト密度値の、画
素値との比較に基づいて、比較論理は各ＬＥＤがハーフ
トーンフィルム上にマイクロドツトを露光させるへ＜パ
オン″に転じられるべきか否かを判定する。比較論理は
直並列変換器（１４６）に対する各マイクロドツトのた
めに露出指示ビットを供給する。直並列変換器（１４６
）はこれらの露出指示をビット長においてＬＥＤアレイ
（１０）の゛活性化”ＬＥＤ数に等しい語となるように
累加する。すなわち、好ましいＬ Ｅ Ｄアレイは２４
個のＬＥＤを含むとしても、それはアレイ中の全ＬＥＤ
より少数が使用され、残りのＬＥＤは″非活性化″もし
くは休止状態にとどまることを意味している。
いドツト発生システム（１３０）をブロック線図におい
て示している。ドツト発生システム（１３０）はアドレ
ス可能なマイクロドツト密度値をストアするドツト密度
プロフィールアレイ用ランダムアクセスメモリ （”Ｄ
ＤＰＡ ＲＡＭ” ）（１３２）とＶＭＥバス（１３
８） 、及びビットスライスコントローラ（１４０）を
介してビットスライス（１３６）に供給する各色分解の
ためのインクリメントアドレス値を発生するマイクロプ
ロセッサ（１３４）とを含んでいる。以下に詳述する通
り、インクリメントアドレス値は各ハーフトーンの上に
重ねられるべきスクリーンピンチ及び角度からなるスク
リーンパラメータ、及びＬＥＤアレイのラインからライ
ンへの活性化順序を考慮したものである。比較論理（１
４２）はビットスライス（１３６）によりアドレスされ
たＤＤＰＡ−ＲＡＭからのマイクロドツト密度値を受信
し、各マイクロドツト密度値をデータバッファ（１４４
）から受信された画像データと比較する。画像データは
１色の１画素に対応する。マイクロドツト密度値の、画
素値との比較に基づいて、比較論理は各ＬＥＤがハーフ
トーンフィルム上にマイクロドツトを露光させるへ＜パ
オン″に転じられるべきか否かを判定する。比較論理は
直並列変換器（１４６）に対する各マイクロドツトのた
めに露出指示ビットを供給する。直並列変換器（１４６
）はこれらの露出指示をビット長においてＬＥＤアレイ
（１０）の゛活性化”ＬＥＤ数に等しい語となるように
累加する。すなわち、好ましいＬ Ｅ Ｄアレイは２４
個のＬＥＤを含むとしても、それはアレイ中の全ＬＥＤ
より少数が使用され、残りのＬＥＤは″非活性化″もし
くは休止状態にとどまることを意味している。
直並列変換器からの並列露出データ語はスタガ補償論理
（１４８）に供給され、この論理回路はＬ ＥＤアレイ
のスタガ列構造及び露出ドラムの回転速度を考慮して、
妥当な遅延時間を生じ、Ｌ Ｅ Ｄの各列がドラム（１
２６）の面上における実質上同一の点で活性化されるよ
うにし、これによりハーフトーンフィルム上には直並列
変換器からの一つの露出データ語に応答してマイクロド
ツトの単一ラインが露出される。これらの遅延露出信号
はスタガ補償論理（１４．８ ）により、出力バッファ
（１５０）及びＬ Ｅ Ｄアレイ（１０）に送られる。
（１４８）に供給され、この論理回路はＬ ＥＤアレイ
のスタガ列構造及び露出ドラムの回転速度を考慮して、
妥当な遅延時間を生じ、Ｌ Ｅ Ｄの各列がドラム（１
２６）の面上における実質上同一の点で活性化されるよ
うにし、これによりハーフトーンフィルム上には直並列
変換器からの一つの露出データ語に応答してマイクロド
ツトの単一ラインが露出される。これらの遅延露出信号
はスタガ補償論理（１４．８ ）により、出力バッファ
（１５０）及びＬ Ｅ Ｄアレイ（１０）に送られる。
クロック発生器（１５２）は出力バッファ（１５０）か
らＬＥＤアレイへのデータ転送のタイミングを監視し、
ＬＥＤアレイを活性化するためのストロークパルスを付
勢し、システムが画像データの次の画素を入力データバ
ッファ（１４ ４．’）にロードされるべき待機状態と
なったとき、これを指示する信号を伝達する。当然なが
ら、出力の直線化はシステム中の１又は２以上の信号、
例えばデータバッファ（１４４）の出力信号に適用され
るべき１又は２以上の出力信号を含むこと等による周知
の態様において適用される。
らＬＥＤアレイへのデータ転送のタイミングを監視し、
ＬＥＤアレイを活性化するためのストロークパルスを付
勢し、システムが画像データの次の画素を入力データバ
ッファ（１４ ４．’）にロードされるべき待機状態と
なったとき、これを指示する信号を伝達する。当然なが
ら、出力の直線化はシステム中の１又は２以上の信号、
例えばデータバッファ（１４４）の出力信号に適用され
るべき１又は２以上の出力信号を含むこと等による周知
の態様において適用される。
本発明の好ましい実施例において、ＤＤＰＡＲＡＭは各
マイクロドツトに対応する１２ビット密度値をストアす
る静止ラムのためにストアされた１２８Ｘ１２８プログ
ラム論理アレイである。
マイクロドツトに対応する１２ビット密度値をストアす
る静止ラムのためにストアされた１２８Ｘ１２８プログ
ラム論理アレイである。
−例として第７図ＤＤＰＡーＲＡＭ内にストアされた四
角形ドツト密度プロフィール（１５４）を示している。
角形ドツト密度プロフィール（１５４）を示している。
図示の通り、ハーフトーンドツトはアレイの中心部に中
心共通ゼロ（１５６）を有するｘ，ｙ座標系を用いる。
心共通ゼロ（１５６）を有するｘ，ｙ座標系を用いる。
説明の便宜上、ゼロ密度値はドツトプロフィール（ １
．５ ６ ）の極端センタにおいて発生し、最大密度値
” Ｄ ”はドントプロイールの各極端センタ（１５８
）において発生する。この四角形ハーフトーンドツトの
例の場合、５０パ一セント密度値では菱形（１６０）に
沿って存在する。当然ながら、他のハーフトーン形状及
び１２ビットのデータ以外のビット数を有するストア密
度値も適当である。やがて明らかになることであるが、
負のマイクロドツト密度値はＤＤＰＡ−ＲＡＭ（１３２
）内に好ましくストアされる。
．５ ６ ）の極端センタにおいて発生し、最大密度値
” Ｄ ”はドントプロイールの各極端センタ（１５８
）において発生する。この四角形ハーフトーンドツトの
例の場合、５０パ一セント密度値では菱形（１６０）に
沿って存在する。当然ながら、他のハーフトーン形状及
び１２ビットのデータ以外のビット数を有するストア密
度値も適当である。やがて明らかになることであるが、
負のマイクロドツト密度値はＤＤＰＡ−ＲＡＭ（１３２
）内に好ましくストアされる。
本発明においては与えられたハーフトーン分解のための
ＤＤＰＡ −ＲＡＭの全アドレス指定は所定のシーケン
スにおいてインクリメントアドレス値を連続的に加える
ことにより都合よく達成されるということが見い出され
ている。かくしてビットスライスはアレイ中の全ＬＥＤ
が単一列において配列されたもの、すなわちマイクロド
ツトの単一列が１本の直線アレイにより露出されるもの
とする。どれらの条件下において、次の図表は回転ドラ
ムの軸及び円周に対する各マイクロドツトライン及び走
査線の関係を表わすものである。
ＤＤＰＡ −ＲＡＭの全アドレス指定は所定のシーケン
スにおいてインクリメントアドレス値を連続的に加える
ことにより都合よく達成されるということが見い出され
ている。かくしてビットスライスはアレイ中の全ＬＥＤ
が単一列において配列されたもの、すなわちマイクロド
ツトの単一列が１本の直線アレイにより露出されるもの
とする。どれらの条件下において、次の図表は回転ドラ
ムの軸及び円周に対する各マイクロドツトライン及び走
査線の関係を表わすものである。
マイクロドツトライン２ １２３４・・・Ｎ
１２３４・・・Ｎマイクロドツトライン３ １２
３４・・・Ｎ １２３４・・・Ｎ走査線の終端 図の通り、各マイクロドツトラインはドラム面を軸方向
に横切って延び、アレイ（１０）における活性化ＬＥＤ
数に対応する。多数のマイクロドツトラインは円周方向
において走査線の終端までの範囲を占め、多数の走査線
は走査終端までの範囲を占める。
１２３４・・・Ｎマイクロドツトライン３ １２
３４・・・Ｎ １２３４・・・Ｎ走査線の終端 図の通り、各マイクロドツトラインはドラム面を軸方向
に横切って延び、アレイ（１０）における活性化ＬＥＤ
数に対応する。多数のマイクロドツトラインは円周方向
において走査線の終端までの範囲を占め、多数の走査線
は走査終端までの範囲を占める。
一走査内の１本のマイクロドツトラインの各マイクロド
ツトを横切るスタートＤＤＰＡ ＲＡＭアドレスをイ
ンクリメント（増分）処理し、同走査線における次のマ
イクロドツトラインの第１マイクロドツトに達するフラ
イバックを導入し、さらにスタートＤＤＰＡアドレスに
対し走査線前進インクリメントを順次に導入することに
より、いずれか与えられた走査を通じてＤＤＰＡ −Ｒ
ＡＭ （１３２）の単純で正確、かつ高速にアドレス指
定を行うことができる。好ましい方法によれば、マイク
ロプロセッサ（１３４）は各ハーフトーン色分解のため
にマイクロドツト、フライバック及び走査線インクリメ
ントアドレス値を計算するとともに、これらのインクリ
メント値を露光走査開始前にビットスライス（１３６）
に伝達する。当然ながら、単純な三角関数により、対応
するインクリメントアドレス値への各分解のために例え
ばスクリーンピッチ及び角度などのような所望のスクリ
ーンパラメータを編入することが可能であり、これによ
ってＤＤＰＡアドレスインクリメントは選択的なスクリ
ーン角を編入することができる。
ツトを横切るスタートＤＤＰＡ ＲＡＭアドレスをイ
ンクリメント（増分）処理し、同走査線における次のマ
イクロドツトラインの第１マイクロドツトに達するフラ
イバックを導入し、さらにスタートＤＤＰＡアドレスに
対し走査線前進インクリメントを順次に導入することに
より、いずれか与えられた走査を通じてＤＤＰＡ −Ｒ
ＡＭ （１３２）の単純で正確、かつ高速にアドレス指
定を行うことができる。好ましい方法によれば、マイク
ロプロセッサ（１３４）は各ハーフトーン色分解のため
にマイクロドツト、フライバック及び走査線インクリメ
ントアドレス値を計算するとともに、これらのインクリ
メント値を露光走査開始前にビットスライス（１３６）
に伝達する。当然ながら、単純な三角関数により、対応
するインクリメントアドレス値への各分解のために例え
ばスクリーンピッチ及び角度などのような所望のスクリ
ーンパラメータを編入することが可能であり、これによ
ってＤＤＰＡアドレスインクリメントは選択的なスクリ
ーン角を編入することができる。
マイクロドツトラインの各マイクロドツト間の距離に対
応するマイクロドツトラインインクリメントアドレスｄ
ｘ、 ｄｙは次の通りに表現され、かつ計算される。
応するマイクロドツトラインインクリメントアドレスｄ
ｘ、 ｄｙは次の通りに表現され、かつ計算される。
Ｌｐｉ Ｘ Ｎ
フライバック距離に対応するアドレスインクリメントは
次の如く表現され、かつ計算される。
次の如く表現され、かつ計算される。
ｆｘ ＝Ｓ ｐｌ ｘｃ０８ Ａ （Ｎ １ ）
ａＸｐｉ 最後に、一つの走査線の第１マイクロト・ソトラインに
おける最初のマイクロドツトから、次の走査線の第１マ
イクロドツトラインにおける最初のマイクロドツトライ
ンまでの距離に対応する走査線インクリメント値は次の
通りに表現され、かつ計算される。
ａＸｐｉ 最後に、一つの走査線の第１マイクロト・ソトラインに
おける最初のマイクロドツトから、次の走査線の第１マ
イクロドツトラインにおける最初のマイクロドツトライ
ンまでの距離に対応する走査線インクリメント値は次の
通りに表現され、かつ計算される。
同じく、同一走査線において１本のマイクロドツトライ
ンの最終マイクロドツトと次のマイクロドツトラインの
最初のマイクロドツトとの間のｌｘ Ｓｐｉ Ｘ
ｃｏｓ Ａ ｐｉ ここに、 ５ｐｉ＝１インチ当たりの数で表わされた必要なハーフ
トーンスクリーン周期 Ｌｐｌ−出力における１インチ当たりの走査線数 Ｎ ＝１本のマイクロドツトラインを横切るマイクロ
ドツトビーム数、これはまた アレイ上の活性化ＬＥＤ数に等しい。
ンの最終マイクロドツトと次のマイクロドツトラインの
最初のマイクロドツトとの間のｌｘ Ｓｐｉ Ｘ
ｃｏｓ Ａ ｐｉ ここに、 ５ｐｉ＝１インチ当たりの数で表わされた必要なハーフ
トーンスクリーン周期 Ｌｐｌ−出力における１インチ当たりの走査線数 Ｎ ＝１本のマイクロドツトラインを横切るマイクロ
ドツトビーム数、これはまた アレイ上の活性化ＬＥＤ数に等しい。
Ｄｐｉ−ドラム円周方向における１インチ当たりのマイ
クロドツト要素数 Ａ −要求されるスクリーン角 マイクロプロセッサ（１３４）は各色分解のタメノイン
クリメント値ｄｘ、 ｄｙ、 ｆｘ、 ｆｙ、 ｌｘ、
ｌｙを都合よく計算し、かつこれらのインクリメント
アドレス値を走査線の進展に伴ってビットスライス（１
３６）に供給する。かくして走査露光に先立ち、ビット
スライス（１３６）は各ハーフトーン分解のためのすべ
てのインクリメントアドレスパラメータの記憶値を有し
、Ｄ Ｄ Ｐ Ａ −ＲＡＭ（１３２）はアドレス可能
なマイクロドツト密度値を収容する。
クロドツト要素数 Ａ −要求されるスクリーン角 マイクロプロセッサ（１３４）は各色分解のタメノイン
クリメント値ｄｘ、 ｄｙ、 ｆｘ、 ｆｙ、 ｌｘ、
ｌｙを都合よく計算し、かつこれらのインクリメント
アドレス値を走査線の進展に伴ってビットスライス（１
３６）に供給する。かくして走査露光に先立ち、ビット
スライス（１３６）は各ハーフトーン分解のためのすべ
てのインクリメントアドレスパラメータの記憶値を有し
、Ｄ Ｄ Ｐ Ａ −ＲＡＭ（１３２）はアドレス可能
なマイクロドツト密度値を収容する。
各走査露光の開始におけるビ・ントスライス（１３６）
はアドレスｘ＝ｏ、ｙ＝ｏにおいてスタートする。逐次
アドレス段階においてビットスライス（１３６）はイン
クリメント値ｄｘ、 ｄｙを加算し、マイクロドツト列
を通じて走査するためのアドレスシーケンスを決定する
。これらの値は（Ｎ−１）回加えられ、その後でビット
スライス（１３６）は列フライバック値ｆｘＳｆｙを加
算して同一走査線内の次のマイクロドツトラインのため
のアドレス走査を開始させるものである。ＤＤＰＡ−Ｒ
ＡＭアドレスは一つの走査線において、その終端に達す
るまでマイクロドツトラインにおける各マイクロト・ソ
トのために逐次決定される。しかる後、ビットスライス
（１３６）は走査線インクリメント値ｌｘ、 ｌｙをい
ずれか与えられた走査線における第１のマイクロドツト
ラインの最初のマイクロドツトに対応するスタートＤＤ
ＰＡアドレスに加算し、これによって次の走査線の第１
のマイクロドツトラインにおける最初のマイクロドツト
に対応したＤＤＰＡＲＡＭアドレスに対して増分処理を
行う。各走査線の各マイクロドツトラインのための逐次
的なアドレス指定は、この態様においてこの走査線の終
了まで継続される。
はアドレスｘ＝ｏ、ｙ＝ｏにおいてスタートする。逐次
アドレス段階においてビットスライス（１３６）はイン
クリメント値ｄｘ、 ｄｙを加算し、マイクロドツト列
を通じて走査するためのアドレスシーケンスを決定する
。これらの値は（Ｎ−１）回加えられ、その後でビット
スライス（１３６）は列フライバック値ｆｘＳｆｙを加
算して同一走査線内の次のマイクロドツトラインのため
のアドレス走査を開始させるものである。ＤＤＰＡ−Ｒ
ＡＭアドレスは一つの走査線において、その終端に達す
るまでマイクロドツトラインにおける各マイクロト・ソ
トのために逐次決定される。しかる後、ビットスライス
（１３６）は走査線インクリメント値ｌｘ、 ｌｙをい
ずれか与えられた走査線における第１のマイクロドツト
ラインの最初のマイクロドツトに対応するスタートＤＤ
ＰＡアドレスに加算し、これによって次の走査線の第１
のマイクロドツトラインにおける最初のマイクロドツト
に対応したＤＤＰＡＲＡＭアドレスに対して増分処理を
行う。各走査線の各マイクロドツトラインのための逐次
的なアドレス指定は、この態様においてこの走査線の終
了まで継続される。
ビットスライス（１３６）の各々がオンボードメモリに
接続された３２ビット加算器を含む好ましい実施例にお
いて、３２ビットの加算は各インクリメントメモリアド
レスを計算するために実行される。しかしながら、典型
的にはＤＤＰＡ−ＲＡＭ（１４２）のためのアドレス語
長はより短いものである。例えば、ＤＤＰＡ−ＲＡＭア
ドレス語長は１２ビットとなり得る。インクリメント処
理されたアドレス値をＤＤＰＡアドレス長さと一致させ
るためには、インクリメントアドレス値の最有意デイジ
ットのみが次のアドレス値を示すために用いられる。し
かしながら、全３２ビットは正確を期すため、引き続い
て行われるインクリメント加算において含まれるように
継続する。さらに、ドツト密度プロフィールアレイが対
称性及び反復性を有するため、何等かのオーバフロービ
ットは無視される。これはインクリメントアドレス値が
電磁スクリーンの次のハーフトーンドツトに入ったとい
うことを単純に指示するからである。
接続された３２ビット加算器を含む好ましい実施例にお
いて、３２ビットの加算は各インクリメントメモリアド
レスを計算するために実行される。しかしながら、典型
的にはＤＤＰＡ−ＲＡＭ（１４２）のためのアドレス語
長はより短いものである。例えば、ＤＤＰＡ−ＲＡＭア
ドレス語長は１２ビットとなり得る。インクリメント処
理されたアドレス値をＤＤＰＡアドレス長さと一致させ
るためには、インクリメントアドレス値の最有意デイジ
ットのみが次のアドレス値を示すために用いられる。し
かしながら、全３２ビットは正確を期すため、引き続い
て行われるインクリメント加算において含まれるように
継続する。さらに、ドツト密度プロフィールアレイが対
称性及び反復性を有するため、何等かのオーバフロービ
ットは無視される。これはインクリメントアドレス値が
電磁スクリーンの次のハーフトーンドツトに入ったとい
うことを単純に指示するからである。
比較論理（１４２）は、好ましくは加算器又は減算器及
びそれによる和又は差がゼロより大きいか又は小さいか
を判定するためのコンパレータからなっている。比較論
理は好ましくは、ＤＤＰＡＲＡ Ｍ （１３２）からの
負のマイクロドツト密度値及びバッファ（１４４）から
の正の画像値を受信し、これら二つの値を加算するため
の加算器を含む１２ビットデイジタルコンパレータから
なっている。
びそれによる和又は差がゼロより大きいか又は小さいか
を判定するためのコンパレータからなっている。比較論
理は好ましくは、ＤＤＰＡＲＡ Ｍ （１３２）からの
負のマイクロドツト密度値及びバッファ（１４４）から
の正の画像値を受信し、これら二つの値を加算するため
の加算器を含む１２ビットデイジタルコンパレータから
なっている。
画像及びマイクロドツト密度値の和がゼロより大きいか
又はこれに等しいとき、すなわち画像値が呼び出された
マイクロドツト密度値より大きいとき、比較論理はＬＥ
Ｄが対応するマイクロドツトを露光させることに対応し
て活性化されるべきことを決定する。しかしながら、和
が負であること、すなわち画像値が呼び出されたマイク
ロドツト密度値より小さい場合には、比較論理は対応す
るマイクロドツトために何等の露光も実行しないことを
決定する。１個のマイクロドツトに対応する各ＬＥＤの
ために、比較論理（１４２）はＬＥＤが゛オン°゛に転
じられるべきか否かを指示する単一ビットデータを送出
する。
又はこれに等しいとき、すなわち画像値が呼び出された
マイクロドツト密度値より大きいとき、比較論理はＬＥ
Ｄが対応するマイクロドツトを露光させることに対応し
て活性化されるべきことを決定する。しかしながら、和
が負であること、すなわち画像値が呼び出されたマイク
ロドツト密度値より小さい場合には、比較論理は対応す
るマイクロドツトために何等の露光も実行しないことを
決定する。１個のマイクロドツトに対応する各ＬＥＤの
ために、比較論理（１４２）はＬＥＤが゛オン°゛に転
じられるべきか否かを指示する単一ビットデータを送出
する。
１または２以上の直並列変換器（１４６）を比較論理（
１４２）から受信した露出データの単一ビ、ソトを、ア
レイ（１０）上の活性化ＬＥＤ数に対応する長さをもっ
た単一の露出データ語に変換する。−例として、直並列
変換器（１４６）は８個のＬＥＤがアレイ（１０）上で
用いられるために活性化されたとき、８ビットの露出デ
ータを累算及び伝達し、１２個のＬＥＤがアレイ（１０
）上で用いられるために活性化されたときは１−２ビッ
トデータ語を累算及び伝達する。
１４２）から受信した露出データの単一ビ、ソトを、ア
レイ（１０）上の活性化ＬＥＤ数に対応する長さをもっ
た単一の露出データ語に変換する。−例として、直並列
変換器（１４６）は８個のＬＥＤがアレイ（１０）上で
用いられるために活性化されたとき、８ビットの露出デ
ータを累算及び伝達し、１２個のＬＥＤがアレイ（１０
）上で用いられるために活性化されたときは１−２ビッ
トデータ語を累算及び伝達する。
第６図を参照すると、直並列変換器（１４６）はデータ
バッファ（１４４）に連結されている。好ましくはバッ
ファ（１４４）により受信され、かつストアされた画像
値は何等かの露出されるへき画像が存在するか否かを指
示する２ビットデータをも収容しており、もしなければ
、これらのビットは対応する画像領域が完全に露光され
るべきか又は空白状態にとどめられるかを指示するもの
である。このデータは直並列変換器（１４６）により監
視され、露光されるべき画像が存在しない場合、この直
並列変換器からは出力データか強制的に８される。
バッファ（１４４）に連結されている。好ましくはバッ
ファ（１４４）により受信され、かつストアされた画像
値は何等かの露出されるへき画像が存在するか否かを指
示する２ビットデータをも収容しており、もしなければ
、これらのビットは対応する画像領域が完全に露光され
るべきか又は空白状態にとどめられるかを指示するもの
である。このデータは直並列変換器（１４６）により監
視され、露光されるべき画像が存在しない場合、この直
並列変換器からは出力データか強制的に８される。
すなわち直並列変換器（１４６）より送出された露出デ
ータ語はアレイ（１０）におけるすべてのＬ Ｅ Ｄを
要求通りにオン又はオフに転する。これは例えば広い領
域が完全に露光され、もしくは空白状態にとどめられる
ことを許容するという上で、本発明における有利な特徴
をなしている。画像データの露出は、より広い領域又は
他の゛強制゛領域が完成された直後において回復される
という利点を有する。
ータ語はアレイ（１０）におけるすべてのＬ Ｅ Ｄを
要求通りにオン又はオフに転する。これは例えば広い領
域が完全に露光され、もしくは空白状態にとどめられる
ことを許容するという上で、本発明における有利な特徴
をなしている。画像データの露出は、より広い領域又は
他の゛強制゛領域が完成された直後において回復される
という利点を有する。
この点までにおいて本発明のドツト発生システムはあた
かも直並列変換器（１４６）により送出された露出デー
タ語がＬＥＤの単一ラインに直接対応し、かつこれを活
性化するために用いられることにより、マイクロドツト
の真っ直ぐなラインを露出させるものとして論述された
。しかしながら、好ましいＬＥＤアレイは幾つかのＬＥ
Ｄスタガ列からなっている。その結果、露出データ語は
アレイ配置と一致するように伝達されなければならない
。これはスタガＬ Ｅ Ｄ列に対応する露出データビッ
トの送出が対応する露出データビットに応答してそれら
の各スタガ列が付勢され、回転ドラム面の同一位置にお
いて生ずるようにタイミング調整されることを要求する
。略述すれば、ＬＥＤの活性化は第１列が露出ドラムの
一転においてオンに転しられ、これに続く各スタガ列は
回転ドラム上の同一点における対応した露出データに応
答してオンに転じられるようにタイミング調整されなけ
ればならない。
かも直並列変換器（１４６）により送出された露出デー
タ語がＬＥＤの単一ラインに直接対応し、かつこれを活
性化するために用いられることにより、マイクロドツト
の真っ直ぐなラインを露出させるものとして論述された
。しかしながら、好ましいＬＥＤアレイは幾つかのＬＥ
Ｄスタガ列からなっている。その結果、露出データ語は
アレイ配置と一致するように伝達されなければならない
。これはスタガＬ Ｅ Ｄ列に対応する露出データビッ
トの送出が対応する露出データビットに応答してそれら
の各スタガ列が付勢され、回転ドラム面の同一位置にお
いて生ずるようにタイミング調整されることを要求する
。略述すれば、ＬＥＤの活性化は第１列が露出ドラムの
一転においてオンに転しられ、これに続く各スタガ列は
回転ドラム上の同一点における対応した露出データに応
答してオンに転じられるようにタイミング調整されなけ
ればならない。
この結果を得るため、スタガ補償論理（１４８）は対応
する露出データがＬＥＤア１ノイにおける第２の後続し
たＬＥＤスタガ列に送出されるまでに妥当な遅延時間を
発生する。
する露出データがＬＥＤア１ノイにおける第２の後続し
たＬＥＤスタガ列に送出されるまでに妥当な遅延時間を
発生する。
第１図を参照すると、直並列変換器（６６）から受信さ
れた露出データの第１ビットはＬ Ｅ Ｄ （１００）
に対応する第２ビットはＬ Ｅ Ｄ （１０１）に対応
し、第３ビットはＬ Ｅ Ｄ （１０２）に、そして同
様に多くのＬＥＤが活性化され、かつ制御される。直並
列変換器から受信された単一の露出データ語に関連して
スタガ補償論理（１４８）はＬ Ｅ Ｄ （３０）の第
１列に対応する露出データビットを出力バッファ（１５
０）に、そして遅延を伴わないでアレイ（１０）に直ち
に送出するものである。しかしながら、スタガ補償論理
は第２のＬＥＤ列（３２）に対応する露■デタビットの
送出を時間周期ｄｔだけ遅延させる。ここに、ｄｔは回
転ドラムを、第２のＬ Ｅ Ｄ列がドラム面上において
第１のＬＥＤ列が対応する非遅延データにより活性化さ
れた点と整列するまで回転させるために必要な時間長さ
に等しい。同様なより長い遅延時間は対応する露出デー
タビットを第３及び第４のスタガ列に伝達するまでに導
入される。当然ながら、ＬＥＤの列間におけるスタガ間
隔は一定であり露出ドラムは一定速度において回転し、
その結果、第３のＬ Ｅ Ｄ列に対応するデータのため
の遅延時間は２ｄ、ｔとなり、第４の列に対応するデー
タのための遅延時間は３ｄｔとなる。
れた露出データの第１ビットはＬ Ｅ Ｄ （１００）
に対応する第２ビットはＬ Ｅ Ｄ （１０１）に対応
し、第３ビットはＬ Ｅ Ｄ （１０２）に、そして同
様に多くのＬＥＤが活性化され、かつ制御される。直並
列変換器から受信された単一の露出データ語に関連して
スタガ補償論理（１４８）はＬ Ｅ Ｄ （３０）の第
１列に対応する露出データビットを出力バッファ（１５
０）に、そして遅延を伴わないでアレイ（１０）に直ち
に送出するものである。しかしながら、スタガ補償論理
は第２のＬＥＤ列（３２）に対応する露■デタビットの
送出を時間周期ｄｔだけ遅延させる。ここに、ｄｔは回
転ドラムを、第２のＬ Ｅ Ｄ列がドラム面上において
第１のＬＥＤ列が対応する非遅延データにより活性化さ
れた点と整列するまで回転させるために必要な時間長さ
に等しい。同様なより長い遅延時間は対応する露出デー
タビットを第３及び第４のスタガ列に伝達するまでに導
入される。当然ながら、ＬＥＤの列間におけるスタガ間
隔は一定であり露出ドラムは一定速度において回転し、
その結果、第３のＬ Ｅ Ｄ列に対応するデータのため
の遅延時間は２ｄ、ｔとなり、第４の列に対応するデー
タのための遅延時間は３ｄｔとなる。
説明の便宜−に、第１図の参照数字（１００）〜（１１
１）に対応する１２個のＬ Ｅ Ｄは活性化されてマイ
クロドツトラインを露出すべく制御され、スタガ補償論
理は露出データ語の第１、第５及び第９露出データビッ
トを出力バッファ（１５０）に遅延を伴うことなく直接
伝達する。第２、第６及び第１０露出テータビットは出
力バッファ（１５０）に伝達されるまでに一定の時間だ
け遅延させられる。第３、第７及び第１１一番データビ
ットは出力バッファ（１５０）に伝達される前において
一定時間２ｄｔだけ遅延し、さらに第４、第８及び第１
２番データビットは出力バッファ（１５０）に伝達され
る前において一定時間３ｄｔ遅延させられる。
１）に対応する１２個のＬ Ｅ Ｄは活性化されてマイ
クロドツトラインを露出すべく制御され、スタガ補償論
理は露出データ語の第１、第５及び第９露出データビッ
トを出力バッファ（１５０）に遅延を伴うことなく直接
伝達する。第２、第６及び第１０露出テータビットは出
力バッファ（１５０）に伝達されるまでに一定の時間だ
け遅延させられる。第３、第７及び第１１一番データビ
ットは出力バッファ（１５０）に伝達される前において
一定時間２ｄｔだけ遅延し、さらに第４、第８及び第１
２番データビットは出力バッファ（１５０）に伝達され
る前において一定時間３ｄｔ遅延させられる。
スタガ補償論理（１４８）はデータが遅延されるべきＬ
ＥＤ列に対応する先入−先出（”ＦＩＦＯ”）レジスタ
の絹からなるように試みられる。この実施例は第８図に
示す通り、直並列変換器（６６）から受信された１２ビ
ットデータを表わすものである。スタガ補償論理（１４
８）は自力バッファ（１５０）に第１、第５及び第９ビ
ットを送出する。第２、第６及び第１０ビットはＦＩＦ
Ｏ−Ａにストアされ、かつ時間ｄｔ経過後において自力
バッファ（１５０）に伝達される。第３、第７及び第１
１ビットはＦＩＦＯ−Ｂ内にストアされ、時間２ｄｔ経
過後において出力バッファ（１５０）に伝達される。同
様に、第４、第及び第１２ビットはＦＩＦＯ−Ｃ内にス
トアされる。時間周期３ｄ、を経過後において出力バッ
ファ（１５０）に伝達される。
ＥＤ列に対応する先入−先出（”ＦＩＦＯ”）レジスタ
の絹からなるように試みられる。この実施例は第８図に
示す通り、直並列変換器（６６）から受信された１２ビ
ットデータを表わすものである。スタガ補償論理（１４
８）は自力バッファ（１５０）に第１、第５及び第９ビ
ットを送出する。第２、第６及び第１０ビットはＦＩＦ
Ｏ−Ａにストアされ、かつ時間ｄｔ経過後において自力
バッファ（１５０）に伝達される。第３、第７及び第１
１ビットはＦＩＦＯ−Ｂ内にストアされ、時間２ｄｔ経
過後において出力バッファ（１５０）に伝達される。同
様に、第４、第及び第１２ビットはＦＩＦＯ−Ｃ内にス
トアされる。時間周期３ｄ、を経過後において出力バッ
ファ（１５０）に伝達される。
スタガ補償論理（１４８）の選択的な実施例において、
第１、第５及び第９ビットは遅延を伴うことなく出力バ
ッファ（１５０）に伝達される。直並列変換器から受信
された完全露出データはアドレス可能なメモリ内にスト
アされる。ｄｔに対応する多数のクロックサイクルの経
過後において、第２、第６及び第１０ビットはメモリか
ら読み出され、出力バッファ（１５０）に伝達される。
第１、第５及び第９ビットは遅延を伴うことなく出力バ
ッファ（１５０）に伝達される。直並列変換器から受信
された完全露出データはアドレス可能なメモリ内にスト
アされる。ｄｔに対応する多数のクロックサイクルの経
過後において、第２、第６及び第１０ビットはメモリか
ら読み出され、出力バッファ（１５０）に伝達される。
時間周期２ｄｔに対応するさらに多数のクロックサイク
ルが経過した後、第３、第７及び第１１ビットデータが
メモリから読み出され、かつ出力バッファ（１，５０）
に伝達する。最後に、時間周期３ｄｔに対応する多数の
クロックサイクルが経過すると、第４、第８及び第１１
ビットがメモリから読み出されて出力バッファ（１５０
）に伝達される。
ルが経過した後、第３、第７及び第１１ビットデータが
メモリから読み出され、かつ出力バッファ（１，５０）
に伝達する。最後に、時間周期３ｄｔに対応する多数の
クロックサイクルが経過すると、第４、第８及び第１１
ビットがメモリから読み出されて出力バッファ（１５０
）に伝達される。
以−ヒ述べた説明から容易に理解される通り、スタガ補
償論理は直並列変換器から受信された露出データ語とは
全く異なったＬＥＤアレイ露出命令語を出力バッファ（
１５，０）に対して構成し、かつ送出する。前進走査中
において、スタガ補償論理はドラム面の一マイクロドツ
トラインのための露出データに対応する露出データ語を
受信する。そして、スタガ補償論理は第１． Ｌ Ｅ
Ｄ列のための非遅延化露出データと、その第１列の露出
が完了した後における第２、第３及び第４のＬＥＤ列の
ための遅延化露出データからなる変調露出データ語を発
生する。したがって、ＬＥＤアレイは前進走査中におい
て感光材料上に４本の異なったマイクロドツト列の四つ
の異なった部分を同時に露光させるものである。
償論理は直並列変換器から受信された露出データ語とは
全く異なったＬＥＤアレイ露出命令語を出力バッファ（
１５，０）に対して構成し、かつ送出する。前進走査中
において、スタガ補償論理はドラム面の一マイクロドツ
トラインのための露出データに対応する露出データ語を
受信する。そして、スタガ補償論理は第１． Ｌ Ｅ
Ｄ列のための非遅延化露出データと、その第１列の露出
が完了した後における第２、第３及び第４のＬＥＤ列の
ための遅延化露出データからなる変調露出データ語を発
生する。したがって、ＬＥＤアレイは前進走査中におい
て感光材料上に４本の異なったマイクロドツト列の四つ
の異なった部分を同時に露光させるものである。
出力バッファ（１５０）はスタガ補償論理（１４８）か
ら変調露出データ語を受信し、変調露出命令データをク
ロック発生器（１５２）からのクロックパルスに応答し
てＬＥＤアレイ（１０）に送出する。
ら変調露出データ語を受信し、変調露出命令データをク
ロック発生器（１５２）からのクロックパルスに応答し
てＬＥＤアレイ（１０）に送出する。
クロック発生器（１５２）はスタガ補償論理（１４８）
、出力バッファ（１５０）、ＬＥＤアレイ（１０）及び
画像値データ源に接続される。したがって、クロック発
生器は出力バッファ（１５０）からアレイ（１０）への
データ送出タイミングを制御して、このアレイにストロ
ークパルスを直接供給し、それによりアレイを出力バッ
ファ（１５０）から受信した変調露出データに応答して
付勢するものである。クロックはスタガ補償論理のタイ
ミングシーケンス及びスタガ補償論理から出力バッファ
（１５０）への新たな露出命令語の各送出をも制御する
ものである。さらに、クロック発生器はこのドツト発生
システムが新たな画像値をデータバッファ（１４４）中
にロドすべき待機状態となるたびに画像データ源に対し
て−パルスを送るものである。当然ながら、マイクロド
ツトのサイズは画像データの一走査画素より十分少さい
ため、バッファ（１４４）にストアされた同一の画像値
はＤＤＰＡ−ＲＡＭ（１３２）から呼び出されるマイク
ロドツト密度値と何回も比較される。その結果、画像デ
ータ源へのクロック発生器信号は一画像値を用いた所定
回数の比較が実行された後において送り出される。
、出力バッファ（１５０）、ＬＥＤアレイ（１０）及び
画像値データ源に接続される。したがって、クロック発
生器は出力バッファ（１５０）からアレイ（１０）への
データ送出タイミングを制御して、このアレイにストロ
ークパルスを直接供給し、それによりアレイを出力バッ
ファ（１５０）から受信した変調露出データに応答して
付勢するものである。クロックはスタガ補償論理のタイ
ミングシーケンス及びスタガ補償論理から出力バッファ
（１５０）への新たな露出命令語の各送出をも制御する
ものである。さらに、クロック発生器はこのドツト発生
システムが新たな画像値をデータバッファ（１４４）中
にロドすべき待機状態となるたびに画像データ源に対し
て−パルスを送るものである。当然ながら、マイクロド
ツトのサイズは画像データの一走査画素より十分少さい
ため、バッファ（１４４）にストアされた同一の画像値
はＤＤＰＡ−ＲＡＭ（１３２）から呼び出されるマイク
ロドツト密度値と何回も比較される。その結果、画像デ
ータ源へのクロック発生器信号は一画像値を用いた所定
回数の比較が実行された後において送り出される。
第６図に示す通り、ビットスライスコントローラ（１４
０）は出力バッファ（１５０）を監視してＤＤＰＡ −
ＲＡＭのアドレス指定が出力バッファ（１５０）のタイ
ミングと一致するようにさせる。出力バッファ（１５０
）からの露出命令データの送出はスタガ補償論理（１４
８）から出力バッファ（１５０）へ、すなわち直並列変
換器（１４６）からスタガ補償論理（１４８）へのデー
タ送出から決定されるものであるため、出力バッファ（
１５０）より送出されるデータのタイミングは直並列変
換器が比較論理（１４２）から新たな露出ビットを受信
し得る可能性を指示するものである。したがって、ビッ
トスライスコントローラによる出力バッファの監視はビ
ットスライス（１３６）が付加的なりＤＰＡ−ＲＡＭア
ドレス指定を行い、かつ直並列変換器（１４６）を補充
すべく密度値比較を行うための妥当なタイミングを指示
するものである。
０）は出力バッファ（１５０）を監視してＤＤＰＡ −
ＲＡＭのアドレス指定が出力バッファ（１５０）のタイ
ミングと一致するようにさせる。出力バッファ（１５０
）からの露出命令データの送出はスタガ補償論理（１４
８）から出力バッファ（１５０）へ、すなわち直並列変
換器（１４６）からスタガ補償論理（１４８）へのデー
タ送出から決定されるものであるため、出力バッファ（
１５０）より送出されるデータのタイミングは直並列変
換器が比較論理（１４２）から新たな露出ビットを受信
し得る可能性を指示するものである。したがって、ビッ
トスライスコントローラによる出力バッファの監視はビ
ットスライス（１３６）が付加的なりＤＰＡ−ＲＡＭア
ドレス指定を行い、かつ直並列変換器（１４６）を補充
すべく密度値比較を行うための妥当なタイミングを指示
するものである。
最後に、ディジタルドツト発生システムの直線的な応答
を補償するために１又は２以上の出力直線化ルックアッ
プテーブルが要求される。−例として、このような直線
化ルックアップテーブルは画像データバッファ及び／又
は出力バッファに接続され、これにより直線的な露出信
号を補償するものとする。
を補償するために１又は２以上の出力直線化ルックアッ
プテーブルが要求される。−例として、このような直線
化ルックアップテーブルは画像データバッファ及び／又
は出力バッファに接続され、これにより直線的な露出信
号を補償するものとする。
実際の動作において、ＤＤＰＡ−ＲＡＭ（１３２）はス
タートアップにおいてマイクロプロセッサ（１３４）よ
りＶＭＥ−バス（１３８）、ビットスライスコントロー
ラ（１４０）及び所望のハーフトーンドツトプロフィー
ルに対応する負のマイクロドツト密度値を有するビット
スライス（１３６）を介してアドレス可能にロードされ
る。走査の開始に先立ち、マイクロプロセッサはマイク
ロドツトラインのインクリメントアドレス値ｄｘ、 ｄ
ｙ、マイクロドツトラインのフライバックインクリメン
ト値ｆｘ、、ｆｙ、及び走査線前進インクリメントアド
レス値ｌｘ、 ｌｙを計算して、これらの値をＸ及びｙ
ビットスライス（１３６）に伝達し、これにストアさせ
る。
タートアップにおいてマイクロプロセッサ（１３４）よ
りＶＭＥ−バス（１３８）、ビットスライスコントロー
ラ（１４０）及び所望のハーフトーンドツトプロフィー
ルに対応する負のマイクロドツト密度値を有するビット
スライス（１３６）を介してアドレス可能にロードされ
る。走査の開始に先立ち、マイクロプロセッサはマイク
ロドツトラインのインクリメントアドレス値ｄｘ、 ｄ
ｙ、マイクロドツトラインのフライバックインクリメン
ト値ｆｘ、、ｆｙ、及び走査線前進インクリメントアド
レス値ｌｘ、 ｌｙを計算して、これらの値をＸ及びｙ
ビットスライス（１３６）に伝達し、これにストアさせ
る。
走査中において、ビットスライスコントローラ（１４０
）の指令を受けたビットスライス（１３６）はＤＤＰＡ
−ＲＡＭアドレス値を初期ストアアドレスに順次ｄｘ、
ｄｙを加えることにより、マイクロドツトラインにわ
たってインクリメント（増分処理）する。マイクロドツ
トラインが完了した後、すなわちＬＥＤアレイの終端に
達するようにｄｘ、、 ｄｙのＮ−１回加算を導くこと
により、ビットスライスはＤＤＰＡ−ＲＡＭアドレスを
同一走査線における次の列の最初のマイクロドツトにフ
ライバックするため、ｆｘ、 ｆｙだけインクリメント
する。１本の走査線が完了した後、ビットスライス（１
３６）はＤＤＰＡスタートアドレスｌｘ、 ｌｙを加え
ることにより、ＤＤＰＡ−ＲＡＭアドレスを次の走査線
の第１マイクロドツトラインにおける最初のマイクロド
ツトから増分処理する。このようなインクリメントアド
レス指定は、１ハーフトーン露光走査が終了するまで行
われる。全４種類のハーフトーン分解のためのインクリ
メントアドレス値及びセパレートランニングアドレスは
ビットスライス（１３６）内にストアされるため、ドツ
ト発生システムは露出ドラムの回転中において容易に個
々のハーフトーン露出を切換走査していくことにより、
１片のフィルム上での多色分解を生ずることができる。
）の指令を受けたビットスライス（１３６）はＤＤＰＡ
−ＲＡＭアドレス値を初期ストアアドレスに順次ｄｘ、
ｄｙを加えることにより、マイクロドツトラインにわ
たってインクリメント（増分処理）する。マイクロドツ
トラインが完了した後、すなわちＬＥＤアレイの終端に
達するようにｄｘ、、 ｄｙのＮ−１回加算を導くこと
により、ビットスライスはＤＤＰＡ−ＲＡＭアドレスを
同一走査線における次の列の最初のマイクロドツトにフ
ライバックするため、ｆｘ、 ｆｙだけインクリメント
する。１本の走査線が完了した後、ビットスライス（１
３６）はＤＤＰＡスタートアドレスｌｘ、 ｌｙを加え
ることにより、ＤＤＰＡ−ＲＡＭアドレスを次の走査線
の第１マイクロドツトラインにおける最初のマイクロド
ツトから増分処理する。このようなインクリメントアド
レス指定は、１ハーフトーン露光走査が終了するまで行
われる。全４種類のハーフトーン分解のためのインクリ
メントアドレス値及びセパレートランニングアドレスは
ビットスライス（１３６）内にストアされるため、ドツ
ト発生システムは露出ドラムの回転中において容易に個
々のハーフトーン露出を切換走査していくことにより、
１片のフィルム上での多色分解を生ずることができる。
選択的に、ビットスライスは一つのハーフトーン分解露
出の完了時においてマイクロプロセッサの再計算手続及
びインクリメントアドレス値のロードを要することなく
次のハーフトーン露出を直ちに開始することができる。
出の完了時においてマイクロプロセッサの再計算手続及
びインクリメントアドレス値のロードを要することなく
次のハーフトーン露出を直ちに開始することができる。
比較論理（１４２）はＤ Ｄ Ｐ Ａ −ＲＡＭ（１３
２）から受信されたマイクロドツト密度値をデータバッ
ファ（１４４）から受信される画像値と比較する。これ
は好ましくは負のマイクロドツト密度値を正の画像値に
加算し、かつその和を監視することにより行われる。比
較論理は１マイクロドツト、したがって、ＩＬＥＤに対
応するオン又はオフを表わす単一ビットを直並列変換器
（１，４６）に伝達する。直並列変換器は比較論理から
供給された露８データのビットを累算してＬＥＤアレイ
上の活性化ＬＥＤ数、したがって、単一の露出ストロー
ク中において露出されるべきマイクロドツト数に対応す
る長さの露出データ語を形成する。スタガ補償論理（１
４８）は直並列変換器（１４６）からの露出データ語を
受信して後続した第２のスタガＬ Ｅ Ｄ列内のＬＥＤ
に対応するビットに対して適当な遅延時間を設定する。
２）から受信されたマイクロドツト密度値をデータバッ
ファ（１４４）から受信される画像値と比較する。これ
は好ましくは負のマイクロドツト密度値を正の画像値に
加算し、かつその和を監視することにより行われる。比
較論理は１マイクロドツト、したがって、ＩＬＥＤに対
応するオン又はオフを表わす単一ビットを直並列変換器
（１，４６）に伝達する。直並列変換器は比較論理から
供給された露８データのビットを累算してＬＥＤアレイ
上の活性化ＬＥＤ数、したがって、単一の露出ストロー
ク中において露出されるべきマイクロドツト数に対応す
る長さの露出データ語を形成する。スタガ補償論理（１
４８）は直並列変換器（１４６）からの露出データ語を
受信して後続した第２のスタガＬ Ｅ Ｄ列内のＬＥＤ
に対応するビットに対して適当な遅延時間を設定する。
スタガ補償論理は出力バッファ（１５０）に対してＬＥ
Ｄアレイにより露出されるべき異なったマイクロドツト
ラインの４部分までのために、露出データを含む変調さ
れた露出語を伝達する。クロック発生器（１５２）はス
タガ補償論理（１４８）により導入された遅延時間のた
めの基準値を発生し、出力バッファ（１５０）からアレ
イ（１０）への露出データの送出、ＬＥＤアレイの活性
化、並びに処理及び露出されるべき正の画像値を得るた
めにドツト発生システム（１３０）から画像値供給源に
８される要求の送出を制御するものである。ビットスラ
イスコントローラ（１４０）はビットスライス（１３０
）によるアドレスシーケンスのタイミングを調整するた
めに出力バッファ（１５０）の出力を監視するとともに
、特に直並列変換器を再び満たすためにマイクロドツト
密度値の比較を行う。
Ｄアレイにより露出されるべき異なったマイクロドツト
ラインの４部分までのために、露出データを含む変調さ
れた露出語を伝達する。クロック発生器（１５２）はス
タガ補償論理（１４８）により導入された遅延時間のた
めの基準値を発生し、出力バッファ（１５０）からアレ
イ（１０）への露出データの送出、ＬＥＤアレイの活性
化、並びに処理及び露出されるべき正の画像値を得るた
めにドツト発生システム（１３０）から画像値供給源に
８される要求の送出を制御するものである。ビットスラ
イスコントローラ（１４０）はビットスライス（１３０
）によるアドレスシーケンスのタイミングを調整するた
めに出力バッファ（１５０）の出力を監視するとともに
、特に直並列変換器を再び満たすためにマイクロドツト
密度値の比較を行う。
本発明の特定の実施例は以上説明した通りであるが、本
発明は全体としてそれに限定されるものではない。した
がって、当業者は特許請求の範囲において記載された本
発明の精神及び範囲から逸脱することな〈実施例に対す
る種々の変形、置換及び付加を施すことが可能である。
発明は全体としてそれに限定されるものではない。した
がって、当業者は特許請求の範囲において記載された本
発明の精神及び範囲から逸脱することな〈実施例に対す
る種々の変形、置換及び付加を施すことが可能である。
例えば、本発明においては実施例の４×６スタガ列構成
以外にも種々の分配における２４個以上又は２４個以下
のＬＥＤマイクロチップアレイを用いることが可能であ
る。
以外にも種々の分配における２４個以上又は２４個以下
のＬＥＤマイクロチップアレイを用いることが可能であ
る。
第１図は本発明のドツト発生システムに従って構成され
た好ましいＬＥＤアレイの平面図、第２図は第１図に示
したＬ Ｅ Ｄアレイからマスク層及び第２絶縁層を除
去した状態のＬＥＤアレイを示す平面図、 第３図は第１図に示したアレイ中の１個のＬＥＤの構造
を示す３−３矢視部分断面図、第４図は１個のＬＥＤの
斜視図、 第５図は回転露出ドラムの表面に対向して配置されたＬ
ＥＤアレイ及びレンズによりドラム面上に投射された像
を示す立面図、 第６図はＬ Ｅ Ｄアレイを制御するためのドツト発生
システムを示すブロック線図、 第７図はストアされたドツト密度プロフィールアレイを
示す線図、 第８図は本発明のドツト発生システムに従って構成され
たスタガ補償論理の一実施例を示すブロック線図である
。
た好ましいＬＥＤアレイの平面図、第２図は第１図に示
したＬ Ｅ Ｄアレイからマスク層及び第２絶縁層を除
去した状態のＬＥＤアレイを示す平面図、 第３図は第１図に示したアレイ中の１個のＬＥＤの構造
を示す３−３矢視部分断面図、第４図は１個のＬＥＤの
斜視図、 第５図は回転露出ドラムの表面に対向して配置されたＬ
ＥＤアレイ及びレンズによりドラム面上に投射された像
を示す立面図、 第６図はＬ Ｅ Ｄアレイを制御するためのドツト発生
システムを示すブロック線図、 第７図はストアされたドツト密度プロフィールアレイを
示す線図、 第８図は本発明のドツト発生システムに従って構成され
たスタガ補償論理の一実施例を示すブロック線図である
。
Claims (28)
- （１）ハーフトーン分解露出において用いられるための
画像値を提供するための手段を含むカラースキャナ用ド
ット発生システムであって、 ＬＥＤの多重スタガ列を有し、全体としてカラースキャ
ナの露出面に対向して取付けられ、かつその面上に結像
するために前記露出面に関して二次元座標系内を移動す
ることができるＬＥＤマイクロチップアレイと、 各メモリアドレスにおいてストアされたマイクロドット
密度値を有するアドレス可能なストアド−ドット密度プ
ロフィールアレイと、 ドット密度プロフィールアレイのアドレス値を決定する
とともに対応するマイクロドット密度を呼び出すための
ビットスライス手段と、前記呼び出されたマイクロドッ
ト密度値を画像値と比較して前記ＬＥＤアレイ上のＬＥ
Ｄが活性化されるべきか否かを判定し、かつ対応するＬ
ＥＤが活性化されるべきか否かを指示する露出データビ
ットを送出するための比較論理手段と、 前記比較論理手段から前記露出データビットを受信して
これらのビットを累算することにより、前記ＬＥＤアレ
イ上の活性化ＬＥＤ数に等しい長さを有する露出データ
語を形成するための直並列変換手段と、 前記直並列変換手段から前記露出データ語を受信し、前
記スタガＬＥＤ列の少くとも幾つかに対応するデータビ
ットに対して遅延時間を生じ、この遅延時間を前記ＬＥ
Ｄマイクロチップアレイが各スタガ列と最初のスタガ列
との間の前記露出面上の間隔を横切るに必要な時間に等
しく設定するためのスタガ補償論理手段と、前記スタガ
補償論理手段からの変調された露出データ語を受信する
とともに、このデータ語を前記ＬＥＤアレイに送出する
ための出力ビット手段と、 前記出力バッファから前記ＬＥＤアレイへの前記変調さ
れた露出データ語の遅延時間設定及び送出のための基準
時を発生するとともに、前記ＬＥＤアレイへのストロー
クパルスを発生し、かつこのドット発生システムが次の
画像値受入れのための待機状態となったことを前記カラ
ースキャナに対して告知するための画像値要求パルスを
発生するためのクロック発生手段を備えたことを特徴と
するカラースキャナ用ドット発生システム。 - （２）前記ＬＥＤマイクロチップアレイがさらに、共通
導体と電気接触した基板と、 前記基板内に組み込まれた複数のＬＥＤと、前記ＬＥＤ
を囲繞した前記基板面上に位置する第１の絶縁層と、 前記第１の絶縁層上に位置して各々前記ＬＥＤの各一つ
と電気接触し、かつ前記第１の絶縁層により前記基板か
ら電気的に絶縁された複数の電極と、 前記ＬＥＤ数と同数で各々その位置に対応して形成され
た複数の開口を有する前記電極上に位置する第２の絶縁
層と、 前記ＬＥＤと同数で各々対応する位置を有する複数のマ
スク開口を形成するように前記第２絶縁層上に設けられ
たことにより、前記電極及び前記ＬＥＤから電気的に絶
縁されたマスク層を備えたことを特徴とする請求項１記
載の ドット発生システム。 - （３）前記ＬＥＤアレイがさらに、各々少くとも６個の
等間隔配置されたＬＥＤを含む少くとも４列のＬＥＤス
タガ列からなることを特徴とする請求項２記載のドット
発生システム。 - （４）前記等間隔配置されたＬＥＤがＬＥＤ列方向にお
いて約８ミクロンの長さを有し、列横断方向において約
５ミクロンの幅を有することを特徴とする請求項３記載
のドット発生システム。 - （５）各列内の前記等間隔配置されたＬＥＤが約３６ミ
クロンの中心間隔を有するものであることを特徴とする
請求項４記載のドット発生システム。 - （６）前記スタガＬＥＤ列が相互に約９０ミクロン隔て
られていることを特徴とする請求項５記載のドット発生
システム。 - （７）ＬＥＤの第１列における前記電極がマイクロチッ
プアレイの頂上縁における接点に向かって上向きに引き
出され、ＬＥＤの第４列における前記電極がマイクロチ
ップアレイの下端縁における接点に向かって下向きに引
き出されたものであることを特徴とする請求項３記載の
ドット発生システム。 - （８）前記第２列及び第３列の各々における両端ＬＥＤ
のための電極がマイクロチップアレイの両側における接
点に向かって外向きに引き出されたものであることを特
徴とする請求項７記載のドット発生システム。 - （９）前記第２列及び第３列における前記両端電極に隣
接した中間ＬＥＤのための電極が前記マイクロチップア
レイの両側における接点に向かって前記第１及び第２Ｌ
ＥＤ列間を上向き及び外向きに引き出されたものである
ことを特徴とする請求項８記載のドット発生システム。 - （１０）前記第２列及び第３列の中央ＬＥＤのための電
極が前記マイクロチップアレイの両側における接点に向
かって前記第２及び第３ＬＥＤ列間を下向き及び外向き
に引き出されたものであることを特徴とする請求項９記
載のドット発生システム。 - （１１）前記ＬＥＤが約８ミクロンの長さと約５ミクロ
ンの幅とを有することにより１インチ当たり２８００マ
イクロドットを上回るマイクロドット分解能を得るよう
にしたことを特徴とする請求項１０記載のドット発生シ
ステム。 - （１２）前記ドット密度プロフィールアレイがさらに、
プログラマブル論理アレイを含み、前記ストアされたマ
イクロドット密度値が負の値であることを特徴とする請
求項１記載のドット発生システム。 - （１３）前記露出面がさらに回転露出ドラムの表面から
なり、前記ＬＥＤマイクロチップアレイが前記回転ドラ
ムの露出面に対向して取付けられ、かつそのドラムの軸
線に平行して移動可能となっていることにより、前記Ｌ
ＥＤマイクロチップアレイは前記直並列変換手段から前
記スタガ補償手段に伝達された前記露出データ語に応答
して前記出力バッファ手段及びクロック発生手段に駆動
されたとき、前記回転ドラム面上を前記アレイ上の活性
化ＬＥＤ数に等しいマイクロドット数を含む、前記ドラ
ム軸と実質的に平行したマイクロドットライン像におい
て照射するようにしたことを特徴とする請求項１記載の
ドット発生システム。 - （１４）前記ＬＥＤアレイが前記回転ドラムの円周を巡
る走査線方向において連続したマイクロドットラインを
露光させ、次いで前記アレイが次の走査線の露出を開始
すべくドラム面に平行して移動させられることを特徴と
する請求項１３記載のカラースキャナ。 - （１５）前記ビットスライス手段がスタートドット密度
プロフィールアレイのアドレス値にマイクロドットイン
クリメント値ｄｘ、ｄｙを加えて順次増分処理すること
により、前記アドレス値を前記ＬＥＤアレイ上の活性化
ＬＥＤ数に等しい長さのマイクロドットラインにわたっ
て行い、しかる後、前記ビットスライス手段が前記アド
レス値を１本のマイクロドットラインの最終マイクロド
ットから次のマイクロドットラインの最初のマイクロド
ットまでインクリメントするためのフライバックインク
リメント値ｆｘ、ｆｙを加え、前記ビットスライス手段
がさらに前記マイクロドットインクリメント値及び前記
フライバックインクリメント値の加算を１本の走査線の
終端に到達するまで行い、その後で前記スタートドット
密度プロフィールアドレス値に走査線のインクリメント
値を加えることにより、次の走査線の第１マイクロドッ
トラインにおける最初のマイクロドットに対応するアド
レス値をインクリメントし、前記ビットスライス手段が
前記マイクロドット、フライバック及び走査線インクリ
メント値の加算を走査露出が完了するまで行うようにし
たことを特徴とする請求項１４記載のドット発生システ
ム。 - （１６）前記比較論理手段が前記負のマイクロドット密
度と前記画像値とを加算するとともに、前記加算値がゼ
ロ以上であれば、ＬＥＤを“オン”に転ずべきことを指
示する露出データビットを送出し、前記加算値がゼロ未
満であれば、ＬＥＤを“オフ”にとどめることを指示す
る露出データビットを送出するものであることを特徴と
する請求項１１記載のドット発生システム。 - （１７）前記ＬＥＤマイクロチップアレイが４列のＬＥ
Ｄスタガ列を含むものであるこことを特徴とする請求項
１３記載のドット発生システム。 - （１８）前記スタガ補償論理手段がさらに１組のＦＩＦ
Ｏレジスタを含み、前記スタガ補償論理手段は前記ＬＥ
Ｄの第１列に対応する露出データ語ビットを遅延させる
ことなく前記出力バッファに送出するとともに、ＬＥＤ
の第２列に対応する露出データビットを第１のＦＩＦＯ
レジスタにストアし、ストアされた前記第２列のデータ
ビットは前記回転ドラムが前記ドラム面上における前記
第１列の画像と第２列の画像との間の円周間隔を横切る
ために必要とする時間長に対応する時間周期が経過した
後、前記出力バッファに送られるものであり、前記スタ
ガ補償論理手段はさらに第２のＦＩＦＯレジスタにおい
てＬＥＤの第３列の対応する露出データ語ビットをスト
アし、前記第３列のデータビットは前記回転ドラムがそ
のドラム面上の前記第１列の画像と前記第３列の画像と
の間の円周間隔を横切って進むために必要とする時間に
対応する時間周期が経過した後、前記出力バッファに伝
達されるものであり、前記スタガ補償論理手段は第３の
ＦＩＦＯ露出レジスタにおいてＬＥＤの第４列に対応す
るデータ語ビットをストアし、前記第４列のデータビッ
トは前記回転ドラムがそのドラム面上の前記第１列の画
像と第４列の画像との間の円周間隔を横切るに必要な時
間長に対応する時間周期が経過した後、前記出力バッフ
ァに送られるものであることを特徴とする請求項１７記
載のドット発生ステム。 - （１９）前記スタガ補償論理手段が前記直並列変換手段
から受信された各露出データ語をストアするとともに、
前記出力バッファ手段に対して変調された露出データ語
を送出し、前記変調されたデータ語はＬＥＤの第１列に
対応する第１列露出データビットからなり、前記第１列
露出データビットは前記直並列変換手段から受信された
直前の露出データ語からなる第１の露出語から読み出さ
れたものであり、 第２列の露出データビットはＬＥＤの第２列に対応する
ものであって、メモリにストアされた第２の露出語から
読み出され、前記第２の露出語は前記回転ドラムが前記
ドラム面上における前記第１列の画像と前記第２列の画
像との円周間隔を横切るために必要な時間に対応する時
間周期においてストアされるものであり、 第３列の露出データビットはＬＥＤの第３列に対応する
ものであって、メモリ中にストアされた第３の露出語か
ら読み出されるものであり、前記第３の露出語は前記回
転ドラムがそのドラム面上における前記第１及び第３の
ＬＥＤ列の画像間の円周間隔を横切るに必要な時間に対
応する時間周期においてストアされるものであり、 第４列の露出データビットはＬＥＤの第４列に対応する
ものであって、メモリ中にストアされた第３の露出語か
ら読み出され、前記第３の露出語は前記回転ドラムがそ
のドラム面上における前記第１及び第４のＬＥＤ列の画
像間における円周間隔を横切るに必要な時間に対応する
時間周期を通じてストアされたものであることを特徴と
する請求項１７記載のドット発生システム。 - （２０）前記ドット発生システムがさらに前記出力バッ
ファ手段を監視するためのビットスライス制御手段を含
み、これによって前記直並列変換手段の受入れ可能性を
伴う前記ビットスライス手段によるアドレスシーケンス
のタイミングを調整するようにしたものであることを特
徴とする請求項１記載のドット発生システム。 - （２１）画像値を提供するための手段を含むカラースキ
ャナにおいてハーフトーン分解像を発生する方法であっ
て、 ＬＥＤの多重スタガ列を有するＬＥＤマイクロチップア
レイを用意し、 前記ＬＥＤマイクロチップアレイを一つの露出面に対向
し、かつその露出面に関する二次元面内において移動可
能に支持し、 前記ＬＥＤマイクロチップアレイの像を前記露出面上に
投射し、 各メモリアドレスにおいてマイクロドット密度値をスト
アすることができるアドレス可能なドット密度プロフィ
ールアレイを用意し、 前記アドレス可能なドット密度プロフィールアレイをあ
る一つのドット密度プロフィールアレイアドレスによっ
て指示することによりマイクロドット密度値を復元し、 前記マイクロドット密度値を画像値と比較して前記ＬＥ
Ｄマイクロチップアレイ上の対応するＬＥＤが付勢され
るべか否かを指示する露出データビットを生成し、 前記ドット密度プロフィールアレイアドレスにマイクロ
ドット、フライバック及び走査線インクリメント値を加
えることにより前記露出面上に配置された感光シート上
に露出されるべき次のマイクロドットに対応する次の密
度値をマイクロドットライン毎、及び走査線毎の走査露
出において前進させ、 前記ＬＥＤマイクロチップアレイ上の活性化ＬＥＤの数
に等しい数の前記露出データビットを累算して露出デー
タ語を生成し、 前記露出データ語を前記ＬＥＤマイクロチップアレイの
スタガ配列を補償すべく変調し、前記ＬＥＤマイクロチ
ップアレイを前記変調された露出データ語に応答して活
性化することを特徴とするカラースキャナにおいてハー
フトーン分解像を発生するための方法。 - （２２）前記露出面がさらに回転露出ドラムの表面から
なり、前記ＬＥＤマイクロチップアレイがそのドラムの
軸に平行に移動可能であることを特徴とする請求項２１
項記載の方法。 - （２３）前記露出データ語の変調は、前記回転ドラムが
前記第１ＬＥＤ列と各スタガ列との間の円周間隔を横切
るに必要な時間に等しい各列に対応した遅延時間内にお
いて、連続したスタガ列のＬＥＤに対応する露出ビット
を遅延させることにより行うものであることを特徴とす
る請求項２２記載の方法。 - （２４）前記ＬＥＤマイクロチップアレイがさらに４列
のＬＥＤスタガ列を含むことを特徴とする請求項２２記
載の方法。 - （２５）前記変調ステップがさらに、 各露出データ語を受信された順序においてストアする段
階と、 変調された露出語を用意する段階とからな り、前記露出語が 最新に受信された露出データ語から第１の ＬＥＤ列露出データビットを読み出し、 第１の遅延時間内においてメモリ中にスト アされた第２の露出データ語から第２のＬＥＤ列露出デ
ータビットを読み出し、 第２の遅延時間内においてメモリ中にスト アされた第３の露出データ語から第３のＬＥＤ列露出デ
ータビットを読み出し、さらに、第３の遅延時間内にお
いてメモリ中にスト アされた第４の露出データ語から第４のＬＥＤ露出デー
タビットを読み出す ことにより用意されるものであることを特徴とする請求
項２４記載の方法。 - （２６）前記第１の遅延時間は前記回転ドラムがそのド
ラム面上における前記第１のＬＥＤ列の画像と前記第２
のＬＥＤ列の画像との間の円周間隔を横切るために必要
な時間に対応し、第２の遅延時間は前記回転ドラムがそ
のドラム面上における前記第１のＬＥＤ列の画像と前記
第３のＬＥＤ列の画像との間の円周間隔を横切るために
必要な時間に対応し、前記第３の遅延時間は前記回転ド
ラムがそのドラム面上における前記第１のＬＥＤ列の画
像と前記第４のＬＥＤ列の画像との間の円周間隔を横切
るに必要な時間に対応するものであることを特徴とする
請求項２５記載の方法。 - （２７）前記マイクロドット密度値が負の数であるとき
ストアされるものであり、前記比較段階がさらに、 前記マイクロドット密度値を前記画像値に加算した段階
を含み、 この場合において前記加算の結果がゼロ以上であれば、
対応するＬＥＤが活性化されるべきことを指示する露出
データビットを発生し、さらに、 前記加算結果がゼロ未満であれば、対応するＬＥＤを活
性化すべきでないことを指示する露出データビットを発
生するものであることを特徴とする請求項２１記載の方
法。 - （２８）前記マイクロドット、フライバック及び走査線
インクリメント値を加える段階がさらに、Ｎ＝マイクロ
チップアレイ上の活性化ＬＥＤ数として、前記フライバ
ックインクリメント値が前記ドット密度プロフィールア
レイのアドレスに加算される前に、前記マイクロドット
インクリメント値をスタートドット密度プロフィールア
レイのアドレスに（Ｎ−１）回順次加算し、 前記マイクロドット及びフライバックインクリメント値
を前記回転ドラム上の円周方向における走査線の終端に
達するまで順次加算し、前記走査線インクリメント値を
前記スタートドット密度プロフィールアレイアドレスに
加算して次の走査線を第１マイクロドットラインにおけ
る最初のマイクロドットに対応するドット密度プロフィ
ールアレイアドレスに到達させ、これによって次の走査
線のアドレス指定を開始させるものであることを特徴と
する請求項２１記載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US07/241,100 US4916530A (en) | 1988-09-02 | 1988-09-02 | High resolution halftone dot generator system including LED array |
| US241100 | 1999-01-29 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02210442A true JPH02210442A (ja) | 1990-08-21 |
Family
ID=22909245
Family Applications (1)
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