JPH02206208A - 電流制御回路 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野コ この発明はバイアス電流を制御する電流制御回路に関す
るものである。

［従来の技術］ 第２図は従来の電流制御回路の回路図で、トランジスタ
Ｔｒｌのベース電圧を制御することによりトランジスタ
Ｔｒ２のエミッタ電位を変える。

ＮＰＮミラー回路（１）のダイオードと、このエミッタ
電位との間の電位差をＶｄとすると、ミラーバイアス電
流はＩ＝Ｖｄ／Ｒ３で決まる。

制御端子電圧が０のときミラー電流Ｉが０となり、制御
端子電圧が増加すればミラー電流Ｉは増加することにな
る。

第３図は従来のもう１つの電流制御回路の回路図で、第
１図のトランジスタＴｒ２のコレクタと抵抗Ｒ４の接続
をＰＮＰ電流ミラー回路（２）に置き換えたものである
。

なお、基本動作は第２図の場合と同一だが、ＰＮＰミラ
ー回路（２）の働きで、トランジスタＴｒｌ　、ダイオ
ードＤに流れる電流とトランジスタＴｒ２．抵抗Ｒａ、
ＮＰＮミラー回路（１）に流れる電流か常に等しい為、
ｖＢＥの変化は等しく制御電圧とトランジスタＴｒ２の
エミッタ電位は正確に１：１に対応して変化する為、制
御端子電位とバイアス電流はリニアに変化する。

［発明が解決しようとする課題］ 第２図の電流制御回路では端子電圧の変化により抵抗Ｒ
４の両端の電圧が変化する為、抵抗Ｒ４，ダイオードＤ
＋、　　トランジスタＴｒｔに流れる電流が変化してし
まい、ダイオードＤ＋、　　ｈランジスタＴｒ、のベー
ス、エミッタ間電位差ｖ８）：は、この電流により第４
図（ａ）に示すように指数関数的に変化する為、トラン
ジスタＴｒ２のエミッタ電位と端子電圧とはリニアに変
化せず、従って端子電位とバイアス電流はリニアに変化
しない。

さらに、端子電圧−〇の時でも同じ理由で抵抗Ｒ３の両
端にわずかな電位差が残る為、端子電圧０で微小なバイ
アス電流が流れてしまう（第４図（ｂ））という欠点が
あった。

また第３図の電流制御回路ではＰＮＰミラー回路のミラ
ー動作の為に上記の様な問題はないが、端子電圧を０に
するとトランジスタＴｒ２、ＰＮＰミラー回路共に口Ｆ
Ｆｔ、、次に端子電圧を上げてもトランジスタＴｒ２を
ＯＮさせるべくベース電流源がない為、第５図に示すよ
うにバイアス電流と端子電圧か微小電流領域で起動動作
しなくなるという欠点があった。

以上のようにトランジスタＴｒ２を起動するベース電流
は極微小なリーク電流に依存しており、特に低温時にお
いては、トランジスタＴｒ２のｈｆｅが下がる為、より
多くのベース起動電流が必要となるという問題点があっ
た。

この発明は−Ｆ記の様な問題点を解決する為になされた
もので、端子電圧が０でＩ＝０、かつバイアス電流をリ
ニアに復起させることが出来る電流制御回路を得ること
を目的とする。

［課題を解決する為の手段］ この発明に係る電流制御回路はダーリントン接続をした
ＮＰＮ　トランジスタのベースをＰＮＰミラー回路に接
続するようにしたものである。

［作用］ この発明におけるＮＰＮダーリントン回路はこの回路に
よる極微小ベース電流をＰＮＰミラー回路により常時流
出させることにより、このミラー回路が完全にＯＦＦす
ることがない様にする。

［実施例］ 以丁、この発明の一実施例を図について説明する。第１
図はこの発明の一実施例を示す電流制御回路の回路図で
ある。

図において、（１）はＮＰＮミラー回路、（２）はＰＮ
Ｐミラー回路、（３）はＮＰＮ　）−ランジスタＴｒの
ダーリントン接続回路で、Ｒ６はＰＮＰミラー回路に常
時流すアイドル電流■８を決める抵抗である。

次に動作について説明する。

なお、基本的な動作は前記第３図の従来の場合と同じで
あり、制御端子電圧とバイアス電流はリニアに変化し、
かつ端子電圧が０でＩ＝０が得られる。ここではＰＮＰ
ミラー回路（１）が完全にＯＦＦすることがない様に極
微小アイドル電流Ｉ８を流す。

ＩＢは次（１）式で示される。

ここで、Ｖａｌ：＋、Ｖａｇ２ハＮＰＮ　タ！Ｊ　’Ｊ
　ト’、／　トラ’：／　シスタＴｒのＶ８Ｅ＋Ｖ［Ｉ
Ｅ（ＰｌはＰＮＰミラー回路のＰＮＰ　ＴｒのＶＩＬ！
である。

端子電圧＝０でバイアス電流＝ＯＴｒ２→ＯＦＦ状態後
もＴｒ、が動作状態に入るに必要なベース起動電流ＩＢ
がＰＮＰミラー回路（１）を介してトランジスタＴｒ２
ベースに供給される為に、バイアス電流の微小制御領域
でもリニアな制御が可能となる。

なお、上記実施′例では制御電圧に対し微小電流領域ま
でリニアに制御可能な電流制御回路の場合について説明
したが、単なるバイアス制御回路としてだけでなく、ギ
ルバートアンプ、その他、ゲインを０から幅広く可変す
る必要のある総ての増幅器についても適用が可能である
。

［発明の効果］ 以上の様にこの発明によれば、ＰＮＰミラー回路に微小
なアイドル電流を流すＮＰＮ　トランジスタダーリント
ン回路を接続するようにしたので、端子電圧が０でバイ
アス電流がＯかつ微小バイアス電流をリニアに制御出来
ないという効果がある。

【図面の簡単な説明】

第１図はこの発明の一実施例を示す電流制御回路の回路
図、第２図、第３図は従来の電流制御回路の回路図、第
４図、第５図は第２図、第３図のそれぞれ電流、電圧特
性を示す曲線図である。 （１）−ＮＰＮミラー回路、（２）・−ＰＮＰミラー回
路、（３）・−ＮＰＮダーリントン回路。 なお、図中、同一符号は同一　または相当部分を示す。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 ＰＮＰミラー回路のダイオード側およびコレクタ側にそ
   れぞれコレクタおよびベースが接続されたＮＰＮトラン
   ジスタのエミッタがＮＰＮミラー回路のダイオード側と
   抵抗を介して接続され、 前記ＮＰＮトランジスタがダイオードを介し、前記ＰＮ
   Ｐトランジスタのエミッタに接続され、ベース電圧を制
   御することにより前記ＮＰＮミラー電流を制御する回路
   において、 前記ＰＮＰミラー回路のダイオード側にＮＰＮダーリン
   トン回路を付加したことを特徴とする電流制御回路。