JPH02205035A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPH02205035A JPH02205035A JP2488989A JP2488989A JPH02205035A JP H02205035 A JPH02205035 A JP H02205035A JP 2488989 A JP2488989 A JP 2488989A JP 2488989 A JP2488989 A JP 2488989A JP H02205035 A JPH02205035 A JP H02205035A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- emitter
- bonding
- electrode
- emitter electrode
- conduction
- Prior art date
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- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 8
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 4
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 9
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Bipolar Transistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体装置に関する。
従来、大電流を流すバイポーラトランジスタにおいては
、エミッタに金属線を複数ボンディング接続する例が多
い。
、エミッタに金属線を複数ボンディング接続する例が多
い。
第２図は従来のバイポーラトランジスタのエミッタ電極
とベース電極の平面図である、ベース領域上にベース電
ｆ！１を設け、エミッタ領域上にエミッタ電極６を設け
る。エミッタ電極６に二つのボンディング領域、すなわ
ち第１エミツタボンデイング領域４及び第２エミツタボ
ンデイング領域５を設け、２本のボンディング線により
同一の外部引出しリードに接続する。
とベース電極の平面図である、ベース領域上にベース電
ｆ！１を設け、エミッタ領域上にエミッタ電極６を設け
る。エミッタ電極６に二つのボンディング領域、すなわ
ち第１エミツタボンデイング領域４及び第２エミツタボ
ンデイング領域５を設け、２本のボンディング線により
同一の外部引出しリードに接続する。
この例において、エミッタ電極６のパターンは一つのク
ローズパターンになっている。
ローズパターンになっている。
上述した従来の電極パターンでは、ボンディング領域が
二つでも、を極パターンが一つのクローズパターンであ
るため、ボンディング工程またはボンディング以後の工
程における不良のために１本のボンディング線の導通が
不完全であった場合、正常なもう１本のボンディング線
の導通によって選別、検査等において良品となる場合が
ある、すなわち、本来は不良と判定すべきものを良品と
判定するという欠点がある。
二つでも、を極パターンが一つのクローズパターンであ
るため、ボンディング工程またはボンディング以後の工
程における不良のために１本のボンディング線の導通が
不完全であった場合、正常なもう１本のボンディング線
の導通によって選別、検査等において良品となる場合が
ある、すなわち、本来は不良と判定すべきものを良品と
判定するという欠点がある。
本発明は、半導体素子の同一電極と同−外部弓出し用リ
ードとの間が複数本の金属線で電気的に接続されている
半導体装置において、前記金属線の数と同一の数に前記
電極が分離されていることを特徴とする。
ードとの間が複数本の金属線で電気的に接続されている
半導体装置において、前記金属線の数と同一の数に前記
電極が分離されていることを特徴とする。
次に、本発明の実施例について図面を参照して説明する
。
。
第１図は本発明の一実施例の電極部分の平面図である。
本実施例におけるエミッタ電極は、各々独立したクロー
ズパターンとされた第１エミツタ電極２と第２エミツタ
電極３の２つに分離されている。
ズパターンとされた第１エミツタ電極２と第２エミツタ
電極３の２つに分離されている。
それぞれ二つのエミッタ電極にはボンティング線と接続
するだめの第１エミツタボンデイング領域４及び第２エ
ミツタボンイング領域５が設けられている。
するだめの第１エミツタボンデイング領域４及び第２エ
ミツタボンイング領域５が設けられている。
このように、エミッタ電極を各々独立した二つのクロー
ズパターンとした場合１本のボンディング線の導通が不
完全であった場合、導通の不完全となっているエミッタ
電極があると、ボンティング線の導通が不完全であるエ
ミッタ電極のエミッタ能動領域が有効に働かないため、
完全な特性不良となる。従って、選別、検査等において
不良品を良品と誤判定することがなくなる。
ズパターンとした場合１本のボンディング線の導通が不
完全であった場合、導通の不完全となっているエミッタ
電極があると、ボンティング線の導通が不完全であるエ
ミッタ電極のエミッタ能動領域が有効に働かないため、
完全な特性不良となる。従って、選別、検査等において
不良品を良品と誤判定することがなくなる。
上記実施例では第１及び第２のエミッタボンディング領
域を隅に設けたが、隅に限定される訳ではなく、中央部
分に設けても良い。
域を隅に設けたが、隅に限定される訳ではなく、中央部
分に設けても良い。
また、上記実施例は、バイポーラトランジスタを例にし
て説明したが、本発明はサイリスクやトライアック等の
他の半導体装置にも適用できる。
て説明したが、本発明はサイリスクやトライアック等の
他の半導体装置にも適用できる。
以上説明したように、本発明は、ボンディング線数と同
一数にエミッタ電極を分離したので、選別や検査等にお
いて、不良品を良品と誤判定することを防止できるとい
う効果がある。
一数にエミッタ電極を分離したので、選別や検査等にお
いて、不良品を良品と誤判定することを防止できるとい
う効果がある。
第１図は本発明の一実施例の電極部分の平面図、第２図
は従来のバイポーラトランジスタのエミッタ電極及びベ
ース電極の平面図である。 １・・・ベース電極、２・・・第１エミツタ電極、３・
・・第２エミツタ電極、４・・・第１エミツタボンデイ
ング領域、５・・・第２エミツタボンデイング領域、６
・・・エミッタ電極。
は従来のバイポーラトランジスタのエミッタ電極及びベ
ース電極の平面図である。 １・・・ベース電極、２・・・第１エミツタ電極、３・
・・第２エミツタ電極、４・・・第１エミツタボンデイ
ング領域、５・・・第２エミツタボンデイング領域、６
・・・エミッタ電極。
Claims (1)
- 半導体素子の同一電極と同一外部引出し用リードとの間
が複数本の金属線で電気的に接続されている半導体装置
において、前記金属線の数と同一の数に前記電極が分離
されていることを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2488989A JPH02205035A (ja) | 1989-02-02 | 1989-02-02 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2488989A JPH02205035A (ja) | 1989-02-02 | 1989-02-02 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02205035A true JPH02205035A (ja) | 1990-08-14 |
Family
ID=12150755
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2488989A Pending JPH02205035A (ja) | 1989-02-02 | 1989-02-02 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02205035A (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5637658A (en) * | 1979-09-05 | 1981-04-11 | Hitachi Ltd | Semiconductor device |
-
1989
- 1989-02-02 JP JP2488989A patent/JPH02205035A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5637658A (en) * | 1979-09-05 | 1981-04-11 | Hitachi Ltd | Semiconductor device |
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