JPH02196009A - 窒化ケイ素の製法およびこの方法により得られた生成物 - Google Patents
窒化ケイ素の製法およびこの方法により得られた生成物Info
- Publication number
- JPH02196009A JPH02196009A JP1317944A JP31794489A JPH02196009A JP H02196009 A JPH02196009 A JP H02196009A JP 1317944 A JP1317944 A JP 1317944A JP 31794489 A JP31794489 A JP 31794489A JP H02196009 A JPH02196009 A JP H02196009A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- nitrogen
- reaction
- silicon nitride
- silicon
- content
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 30
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 30
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 104
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 54
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 37
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 24
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 24
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 13
- 239000011863 silicon-based powder Substances 0.000 claims abstract description 13
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims abstract description 10
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract description 10
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 5
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims abstract description 5
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 17
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 6
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 6
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 claims description 3
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 claims description 3
- 239000008187 granular material Substances 0.000 description 11
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 5
- 238000005121 nitriding Methods 0.000 description 4
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 4
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 3
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 3
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012300 argon atmosphere Substances 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 238000000746 purification Methods 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical group [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UMVBXBACMIOFDO-UHFFFAOYSA-N [N].[Si] Chemical compound [N].[Si] UMVBXBACMIOFDO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 238000002386 leaching Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001092 metal group alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 150000007522 mineralic acids Chemical class 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- 238000013021 overheating Methods 0.000 description 1
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 1
- 229910021426 porous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 239000000376 reactant Substances 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- -1 silicon gold nitride Chemical class 0.000 description 1
- 239000011856 silicon-based particle Substances 0.000 description 1
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B21/00—Nitrogen; Compounds thereof
- C01B21/06—Binary compounds of nitrogen with metals, with silicon, or with boron, or with carbon, i.e. nitrides; Compounds of nitrogen with more than one metal, silicon or boron
- C01B21/068—Binary compounds of nitrogen with metals, with silicon, or with boron, or with carbon, i.e. nitrides; Compounds of nitrogen with more than one metal, silicon or boron with silicon
- C01B21/0682—Preparation by direct nitridation of silicon
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/515—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics
- C04B35/58—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics based on borides, nitrides, i.e. nitrides, oxynitrides, carbonitrides or oxycarbonitrides or silicides
- C04B35/584—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics based on borides, nitrides, i.e. nitrides, oxynitrides, carbonitrides or oxycarbonitrides or silicides based on silicon nitride
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
- C01P2004/00—Particle morphology
- C01P2004/50—Agglomerated particles
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
- C01P2006/00—Physical properties of inorganic compounds
- C01P2006/14—Pore volume
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Structural Engineering (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Ceramic Products (AREA)
- Silicon Compounds (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は窒化ケイ素の製法ならびに方法により得られた
生成物に関する。
生成物に関する。
窒化ケイ素は高いは度安定性を有する人混に使用できる
セラミック材料としてまずまず重要になってきている。
セラミック材料としてまずまず重要になってきている。
多くの使用範囲では金属または金属合金に既に取って代
わった。そこでこの材料はたとえば、強い温度負荷にさ
らされ、エンジン製造で使用される、部品で使用する。
わった。そこでこの材料はたとえば、強い温度負荷にさ
らされ、エンジン製造で使用される、部品で使用する。
また、高い温度変化安定性も有し、化学薬品の影響に対
しかなり抵抗性もあるので、化学的装置製造でも窒素ケ
イ素が有利であることがその間に示された。冶金学工業
では窒化ケイ素はスパウト、とりべ、湯出しノズルその
他の欠くことのできない成分である。
しかなり抵抗性もあるので、化学的装置製造でも窒素ケ
イ素が有利であることがその間に示された。冶金学工業
では窒化ケイ素はスパウト、とりべ、湯出しノズルその
他の欠くことのできない成分である。
窒化ケイ素から形成された対象物の特性はさらにその純
度から確定される。
度から確定される。
このような対象物の製造のために、通常高い純度もα−
相の高い配分も有する窒化ケイ素金使用する。
相の高い配分も有する窒化ケイ素金使用する。
種々の原料から出発して、窒化ケイ素に導く、多数の方
法が公知である。たとえばヨーロッパ特許出願公開第0
082343号明細書には炭素の存在で、1ろ50−1
550℃の温度での、二酸化ケイ素の窒素との反応によ
る窒化り゛イ素の製造が記載されている。ヨーロッパ特
許出願公開第0206795号明卸1−涯からα−相の
高い配分金有−する微細な窒化ケイ素の製造は公知であ
り、その際出発物質として5、Si0および炭素ならび
に場合によりケイ素粉末および/またけ窒化ケイ素を使
用し、これら全2バールより下にならない窒素雰囲気中
1400〜1800℃に加熱する。この、71i法の際
不純物の比較的高い配分が不利であり、そこで単一の生
成物の獲得のために他の精製工程が必要である。
法が公知である。たとえばヨーロッパ特許出願公開第0
082343号明細書には炭素の存在で、1ろ50−1
550℃の温度での、二酸化ケイ素の窒素との反応によ
る窒化り゛イ素の製造が記載されている。ヨーロッパ特
許出願公開第0206795号明卸1−涯からα−相の
高い配分金有−する微細な窒化ケイ素の製造は公知であ
り、その際出発物質として5、Si0および炭素ならび
に場合によりケイ素粉末および/またけ窒化ケイ素を使
用し、これら全2バールより下にならない窒素雰囲気中
1400〜1800℃に加熱する。この、71i法の際
不純物の比較的高い配分が不利であり、そこで単一の生
成物の獲得のために他の精製工程が必要である。
ヨーロッパ特許出願公開第0186497号明細14に
は150メツシユより下の粒径の微細なケイ素を場合に
より不活性ガスと混合されている窒素と1200〜14
00℃で反応させる、製法が記載されている。α−窒化
ケイ素のできるかぎり高い配分を得るために、強い発熱
反応の温度を1600〜1400’Cの範囲に調節する
ことが必要である(西ドイツ国特許出願公開第2350
031号明細書、第1ページ、第3段参照)。ヨーロッ
パ特許第0186497号明細1の方法により、金属の
り“イ木約50チが反応するまで、減圧での反応により
1200〜1400℃の畠度範囲を保持する。この方法
により高い純度のα−窒化ケイ素が!!!!造できるが
、減圧オヨび1200〜1400°c−r操作すり、
、E)反応炉の製造は高い技術的出費金必装とする。う
さらに種々のガス圧での炉の連続的操作は問題である。
は150メツシユより下の粒径の微細なケイ素を場合に
より不活性ガスと混合されている窒素と1200〜14
00℃で反応させる、製法が記載されている。α−窒化
ケイ素のできるかぎり高い配分を得るために、強い発熱
反応の温度を1600〜1400’Cの範囲に調節する
ことが必要である(西ドイツ国特許出願公開第2350
031号明細書、第1ページ、第3段参照)。ヨーロッ
パ特許第0186497号明細1の方法により、金属の
り“イ木約50チが反応するまで、減圧での反応により
1200〜1400℃の畠度範囲を保持する。この方法
により高い純度のα−窒化ケイ素が!!!!造できるが
、減圧オヨび1200〜1400°c−r操作すり、
、E)反応炉の製造は高い技術的出費金必装とする。う
さらに種々のガス圧での炉の連続的操作は問題である。
〔発明が解決1−ようとする問題点〕
従って、工業的規準でも問題な〈実施でき、その際製造
された生爪5物が多孔性の形で生じる、窒化ケイ素の製
法を開発するという課題が生じた。
された生爪5物が多孔性の形で生じる、窒化ケイ素の製
法を開発するという課題が生じた。
r問題点全解決するだめの手段〕
反応工程でケイ素粉末を常に回転させながら窒素と、1
000〜1800℃およびi、oi−1゜8バールで、
1〜39.5重量%のg素含fまで反応させることによ
りこの目的が達成されることが見出され、その際5〜2
5重蓋慢の置床含量が有利である。
000〜1800℃およびi、oi−1゜8バールで、
1〜39.5重量%のg素含fまで反応させることによ
りこの目的が達成されることが見出され、その際5〜2
5重蓋慢の置床含量が有利である。
この方法で得られた窒化ケイ素は多孔性の形で生じ、次
の特性を有する: a) 0.1 ヘ−20mmの粒径 b) 1〜s9.si量チNの窒素含量C)酸素含量
く1% d)1:9〜9:1のα:β−相比 通常その際窒化ケイ素は5〜25重量%の窒素含量およ
び1:1〜9:1のα:β−相比を有する。
の特性を有する: a) 0.1 ヘ−20mmの粒径 b) 1〜s9.si量チNの窒素含量C)酸素含量
く1% d)1:9〜9:1のα:β−相比 通常その際窒化ケイ素は5〜25重量%の窒素含量およ
び1:1〜9:1のα:β−相比を有する。
つまり、驚異的にも、場合により第2反応工程で完全に
十分窒化されている、窒化された多孔性顆粒を製造し、
これを所望の細さに細分化する場合、微細な窒化ケイ素
粉末の製造の際の困難が回避されることが見出された。
十分窒化されている、窒化された多孔性顆粒を製造し、
これを所望の細さに細分化する場合、微細な窒化ケイ素
粉末の製造の際の困難が回避されることが見出された。
多孔性窒化ケイ素の本発明による製法は、反応工程でく
500μm1有利にく20μmの粒径の微細なケイ素粉
末を1000〜1800℃および1.01〜1.8バー
ルの軽い過圧の窒素と、1〜39.5、殊に5〜25重
量%の窒素含量まで常に回転させるという方法で実施す
る。有利な実施形により部分的に窒化された生成物を第
2工程で1100〜1600℃の温度で、窒素および生
成物に対し不活性のガスから成る混合物と窒素吸収の終
了まで反応させる。
500μm1有利にく20μmの粒径の微細なケイ素粉
末を1000〜1800℃および1.01〜1.8バー
ルの軽い過圧の窒素と、1〜39.5、殊に5〜25重
量%の窒素含量まで常に回転させるという方法で実施す
る。有利な実施形により部分的に窒化された生成物を第
2工程で1100〜1600℃の温度で、窒素および生
成物に対し不活性のガスから成る混合物と窒素吸収の終
了まで反応させる。
窒素での微細なケイ素の窒化は有利に外部から加熱され
た回転管中で行い、そこで窒素は生成物の移動により常
にケイ素粒子の新たな作用面を得る。これにより反応熱
が発熱反応の結果すぐに回転管に与えられ、それにより
反応物の過熱が避けられることが保証される。取り付け
られた回転部分を有する棚炉の使用もたとえば可能であ
る。この反応工程中軽い過圧の使用により空気酸素の侵
入およびそれにより所望でない酸素含有ケイ累化合物の
形成が避けられる。
た回転管中で行い、そこで窒素は生成物の移動により常
にケイ素粒子の新たな作用面を得る。これにより反応熱
が発熱反応の結果すぐに回転管に与えられ、それにより
反応物の過熱が避けられることが保証される。取り付け
られた回転部分を有する棚炉の使用もたとえば可能であ
る。この反応工程中軽い過圧の使用により空気酸素の侵
入およびそれにより所望でない酸素含有ケイ累化合物の
形成が避けられる。
鮭い過圧の便用は反応帯域中1800℃までの温度でさ
え、特別な封止問題を生じない。回転 ?管を通るケイ素ないしは2つの反応工程で窒化ケイ累
全完全に窒化すべき場合、部分的に窒化されたケイ素の
通過速度は、出口での生成物が1〜39.5、殊に5〜
25重量%の窒素含量を有するように調節される。この
ために必要な時間は2〜60分間であり;一般に所望の
窒素吸収全達成するために20〜45分で十分である。
え、特別な封止問題を生じない。回転 ?管を通るケイ素ないしは2つの反応工程で窒化ケイ累
全完全に窒化すべき場合、部分的に窒化されたケイ素の
通過速度は、出口での生成物が1〜39.5、殊に5〜
25重量%の窒素含量を有するように調節される。この
ために必要な時間は2〜60分間であり;一般に所望の
窒素吸収全達成するために20〜45分で十分である。
生じた、主に球状の多孔性顆粒は0.1〜20mmの粒
径を有し、回転管中で行われているのと同様のガス雰囲
気下に室温に冷却される。
径を有し、回転管中で行われているのと同様のガス雰囲
気下に室温に冷却される。
反応条件(たとえば回転管の傾斜角度および回転速度)
の変化によシ顆粒の粒度帯域はより小さいかより大きい
値に移行し、それによりその多孔度および嵩密度も特定
の境界内で変化する。
の変化によシ顆粒の粒度帯域はより小さいかより大きい
値に移行し、それによりその多孔度および嵩密度も特定
の境界内で変化する。
本発明による方法の有利な実施形に相当して、ケイ素全
最初の工程で部分窒化し、その後部分窒化された顆粒を
気密な炉、有利にいわゆる室炉中の静止床中で1100
〜1600℃で完全に窒化する。有利に置床をアルゴン
との混合物中で使用し、その際窒素配分は出発生成物の
窒素含量に応じて60〜100容童俤変動する。
最初の工程で部分窒化し、その後部分窒化された顆粒を
気密な炉、有利にいわゆる室炉中の静止床中で1100
〜1600℃で完全に窒化する。有利に置床をアルゴン
との混合物中で使用し、その際窒素配分は出発生成物の
窒素含量に応じて60〜100容童俤変動する。
部分窒化された生成物の既に比較的高い窒素含量では、
より低い窒素含有を有する出発生成物の際よりもより高
い窒素配分を有するガスを使用する。窒化は時間単位当
りの窒素消費が実際ゼロに低下するまで続け、その後生
成物を完全に反応させ、39−5チまでの窒素含fjk
を達成した。このようにして得られた窒化ケイ素−顆粒
は嵩高(1oser 5chilt、tすng )であ
り;これは−緒に焼結されず、従って容易に所望の粒径
に粉砕される。
より低い窒素含有を有する出発生成物の際よりもより高
い窒素配分を有するガスを使用する。窒化は時間単位当
りの窒素消費が実際ゼロに低下するまで続け、その後生
成物を完全に反応させ、39−5チまでの窒素含fjk
を達成した。このようにして得られた窒化ケイ素−顆粒
は嵩高(1oser 5chilt、tすng )であ
り;これは−緒に焼結されず、従って容易に所望の粒径
に粉砕される。
多孔性の、主に球状の顆粒は大体において0.5〜1−
5 g/ an3の嵩密度、60〜80%の孔容量?有
し、0.1〜20mm、有利に1〜10龍の粒度で生じ
る。本発明により製造された窒化ケイ素は無機酸での浸
出による他の精製工程を必要としない。このように高純
度の窒化ケイ素の達成のだめの前提条件はもちろん相当
した純度のケイ素粉末の使用である。これは少なくとも
95 % Siの含量を有すべきである。一般に工業的
に使用可能な窒化ケイ素の製造のためには97.5sS
iを有する出発生成物で十分であυ;特別な品質のため
にはしかし99.8%Siの純度を有するケイ素金属も
使用する。
5 g/ an3の嵩密度、60〜80%の孔容量?有
し、0.1〜20mm、有利に1〜10龍の粒度で生じ
る。本発明により製造された窒化ケイ素は無機酸での浸
出による他の精製工程を必要としない。このように高純
度の窒化ケイ素の達成のだめの前提条件はもちろん相当
した純度のケイ素粉末の使用である。これは少なくとも
95 % Siの含量を有すべきである。一般に工業的
に使用可能な窒化ケイ素の製造のためには97.5sS
iを有する出発生成物で十分であυ;特別な品質のため
にはしかし99.8%Siの純度を有するケイ素金属も
使用する。
意図ちれる使用目的に相当して生成物中のα:β−相の
比を反応温度の相当する制御により影響し、1:9〜9
:1の比で変化させる。5〜25M量チの窒素含量全有
する最初の反応工程で部分窒化された生成物は通常1:
1〜9:1のα:β−比を有する。
比を反応温度の相当する制御により影響し、1:9〜9
:1の比で変化させる。5〜25M量チの窒素含量全有
する最初の反応工程で部分窒化された生成物は通常1:
1〜9:1のα:β−比を有する。
本発明により1300〜1400℃で製造される窒化ケ
イ素はα−相87チおよびβ−相16%から成る。これ
は圧縮体の製造のためにまたは高温安定成形部中の成分
として著しく好適である。
イ素はα−相87チおよびβ−相16%から成る。これ
は圧縮体の製造のためにまたは高温安定成形部中の成分
として著しく好適である。
特定の窒化ケイ素品質、たとえばβ−相のより高い配分
を有するようなもののために、第2反応工程中窒化温度
は1600℃までに高められる。
を有するようなもののために、第2反応工程中窒化温度
は1600℃までに高められる。
次の実施例につき本発明を詳述する。
例 1
く20μmの粒径および99.5%5、Siの純度のケ
イ素粉末を連続的に窒素(99,99チN)の流過する
回転管に与えた。その400aIia長さの反応帯域全
1650℃に加熱した。反応は1.1バールの窒素圧お
上ひ60分間の滞留時間で、1〜5朋の粒径および10
−12重量%の窒素含量を有する多孔性の、主に球状の
顆粒に導いた。この顆粒を、窒素/アルゴン比が反応経
過に相当して制御されている(速い反応経過の際はゆる
やかな反応経過の際よりもガス混合物中よりわずかな窒
素配分)窒累/アルゴン雰囲気全有する気密な室炉中へ
移行後、生成物音1500〜1400℃の温度で48時
間内に完全に窒化した。得られた窒化ケイ素の窒素含量
は39.5チ(理論値39.39−N)であった。顆粒
形が完全に得られ;毛管圧力法(水銀ボロゾメトリー)
により確定した多孔度は60チであった。
イ素粉末を連続的に窒素(99,99チN)の流過する
回転管に与えた。その400aIia長さの反応帯域全
1650℃に加熱した。反応は1.1バールの窒素圧お
上ひ60分間の滞留時間で、1〜5朋の粒径および10
−12重量%の窒素含量を有する多孔性の、主に球状の
顆粒に導いた。この顆粒を、窒素/アルゴン比が反応経
過に相当して制御されている(速い反応経過の際はゆる
やかな反応経過の際よりもガス混合物中よりわずかな窒
素配分)窒累/アルゴン雰囲気全有する気密な室炉中へ
移行後、生成物音1500〜1400℃の温度で48時
間内に完全に窒化した。得られた窒化ケイ素の窒素含量
は39.5チ(理論値39.39−N)であった。顆粒
形が完全に得られ;毛管圧力法(水銀ボロゾメトリー)
により確定した多孔度は60チであった。
80℃の温度の濃塩酸およびフッ化水素酸での24時間
の処理によりif変化も形状変化も生じなかった。
の処理によりif変化も形状変化も生じなかった。
得られた窒化ケイ素全振動円盤−粉砕機中で<20μm
の粒径に粉砕した。生成物の分析はSl(全体)59.
3チ Si (遊離)0.2チ N2 3 9.4 チCD、0
4 チ Fc Q。2チAt
Q。15チ02
0.6 4 チ?示した。相分性はα−8L3N435
チの配分を示し;残りの配分はβ−変態中に存在した。
の粒径に粉砕した。生成物の分析はSl(全体)59.
3チ Si (遊離)0.2チ N2 3 9.4 チCD、0
4 チ Fc Q。2チAt
Q。15チ02
0.6 4 チ?示した。相分性はα−8L3N435
チの配分を示し;残りの配分はβ−変態中に存在した。
例 2
45μmの粒径および95゜5チ5、Siの含量金有す
るケイ素粉宋音連続的に、その400朋長さの反応帯域
が1680℃の温度に保たれている、回転炉に与えた。
るケイ素粉宋音連続的に、その400朋長さの反応帯域
が1680℃の温度に保たれている、回転炉に与えた。
管の回転速度はろUpmであり、窒素圧は1゜2バール
であった。あわせて1500冨冨長さの回転管中の生成
物の滞留時間は65分間であった。部分的に窒化された
生成物は9.2チの窒素含蓄金有し、1〜・−8nmの
粒径帯域で生じ、40チの多孔度を有した(低圧ボロ/
メーターでの毛管圧方法により確定)。
であった。あわせて1500冨冨長さの回転管中の生成
物の滞留時間は65分間であった。部分的に窒化された
生成物は9.2チの窒素含蓄金有し、1〜・−8nmの
粒径帯域で生じ、40チの多孔度を有した(低圧ボロ/
メーターでの毛管圧方法により確定)。
得られた部分窒化された顆粒50ki9にばら積み状’
9 (1ockerer Schiittung )で
1600℃に加熱されだ室炉中、窒系/アルゴンー雰囲
気中で、さらに窒化し、その隙窒素対アルゴンの比はま
ず1:2であった。8時間内に炉の己度紮1650℃に
低下し、この【温度でさらに16時間放置1〜、その際
反応ガス中の窒素配分は反応進行に相互I〜で100%
N2寸で高められた。
9 (1ockerer Schiittung )で
1600℃に加熱されだ室炉中、窒系/アルゴンー雰囲
気中で、さらに窒化し、その隙窒素対アルゴンの比はま
ず1:2であった。8時間内に炉の己度紮1650℃に
低下し、この【温度でさらに16時間放置1〜、その際
反応ガス中の窒素配分は反応進行に相互I〜で100%
N2寸で高められた。
この時間後炉からゆるい多孔性の顆粒として平均68.
2%Nを有する窒化ケイ素を除去した。
2%Nを有する窒化ケイ素を除去した。
相分性は55チのα−変態含量金示し;生成物の45%
はβ−相として存在した。
はβ−相として存在した。
例 6
<20μmの粒径および99チのケイ累含量金有するケ
イ素粉末を連続的に回転炉中に供給した。回転管中では
1.1バールの窒素部分圧および1350℃の温度で純
粋な窒素雰囲気が支配した。回転管の回転数は3 Up
mであり、加熱された帯域は400itxの長さ金示し
た。回転管中の滞留時間は10分間であった。2〜5R
1!の直径範囲および6.7±072重蓋チの平均(素
3’Kk有する多孔性集積物が生じた。
イ素粉末を連続的に回転炉中に供給した。回転管中では
1.1バールの窒素部分圧および1350℃の温度で純
粋な窒素雰囲気が支配した。回転管の回転数は3 Up
mであり、加熱された帯域は400itxの長さ金示し
た。回転管中の滞留時間は10分間であった。2〜5R
1!の直径範囲および6.7±072重蓋チの平均(素
3’Kk有する多孔性集積物が生じた。
相分析は90%のα−含量を示した。
例 4
く20μmの粒径および98.5 To Siの含量を
有するケイ素粉末を連続的に回転炉に供給した。
有するケイ素粉末を連続的に回転炉に供給した。
反応帯域は400mの長さにわたって140σCの温度
を有した。管の回転速度は1.5Upmであった、窒素
部分圧は1.01バールであった。反応帯域中の生成物
の滞留時間は45分間であった。完成生成物は0.5〜
3inの粒径帯域で生じる、多孔性の顆粒であった。多
孔度は45チであった。窒素含量は39.2重f[チで
あった。
を有した。管の回転速度は1.5Upmであった、窒素
部分圧は1.01バールであった。反応帯域中の生成物
の滞留時間は45分間であった。完成生成物は0.5〜
3inの粒径帯域で生じる、多孔性の顆粒であった。多
孔度は45チであった。窒素含量は39.2重f[チで
あった。
相分析は70チのβ−変態の含′J[を示した。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、ケイ素および窒素の反応による窒化ケイ素の製法に
おいて、反応工程中でケイ素粉末を窒素と1000〜1
800℃および1.01〜1.8バールで常に回転させ
ながら、1〜39.5重量%の窒素含量まで反応させる
ことを特徴とする、窒化ケイ素の製法。 2、5〜25重量%窒素の窒素含量まで反応させる、請
求項1記載の方法。 3、反応を回転管中で実施する、請求項1記載の方法。 4、粒径<500μmのケイ素粉末を使用する、請求項
1又は2記載の方法。 5、Si含量が95〜99.8%である、ケイ素粉末を
使用する、請求項1から4までのいずれか1項記載の方
法。 6、ケイ素粉末の滞留時間が2〜60分間である、請求
項1から5までのいずれか1項記載の方法。 7、最初の反応工程でケイ素を窒素と5〜25重量%の
窒素含量までだけ反応させ、部分窒化された生成物を第
二の反応工程で1100〜1600℃で変化する組成の
窒素および不活性ガスから成る混合物と窒素吸収の終了
まで反応させる、請求項1から6までのいずれか1項記
載の方法。 8、第2反応工程を室炉中静止床で実施する、請求項7
記載の方法。 9、第2反応工程で反応ガスとして窒素およびアルゴン
の混合物を使用する、請求項7記載の方法。 10、反応ガス中の窒素配分を30〜70容量%に調節
し、反応進行に相当して窒素100容量%までに高める
、請求項9記載の方法。 11、多孔性形で生じ、次の特性: a)粒径0.1〜20mm b)窒素含量1〜39.5重量%N c)酸素含量<1% d)α:β−相の比1:1〜9:1 を有することを特徴とする、請求項1から 10までのいずれか1項記載の方法により製造された窒
化ケイ素。 12、5〜25重量%Nの窒素含量および1:1〜9:
1のα:β−比を有する、請求項1から10までのいず
れか1項記載の方法により製造された窒化ケイ素。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE3841311.6 | 1988-12-08 | ||
DE3841311 | 1988-12-08 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02196009A true JPH02196009A (ja) | 1990-08-02 |
Family
ID=6368696
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1317944A Pending JPH02196009A (ja) | 1988-12-08 | 1989-12-08 | 窒化ケイ素の製法およびこの方法により得られた生成物 |
Country Status (10)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5114693A (ja) |
EP (1) | EP0377132B1 (ja) |
JP (1) | JPH02196009A (ja) |
KR (1) | KR920001513B1 (ja) |
AT (1) | ATE106854T1 (ja) |
CA (1) | CA2003811C (ja) |
DE (1) | DE58907842D1 (ja) |
DK (1) | DK605889A (ja) |
ES (1) | ES2016068T3 (ja) |
NO (1) | NO180081C (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02255510A (ja) * | 1989-03-29 | 1990-10-16 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 低酸素高β型窒化珪素微粉末及びその製造方法 |
JP2006160548A (ja) * | 2004-12-06 | 2006-06-22 | Japan Atomic Energy Agency | 単結晶窒化ケイ素ナノシートとその製造方法 |
JP2012511490A (ja) * | 2008-12-13 | 2012-05-24 | アルツケム・トロストベルク・ゲーエムベーハー | 高純度窒化ケイ素の製造方法 |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5156830A (en) * | 1990-07-24 | 1992-10-20 | Eaton Corporation | Process for preparing an alpha-phase silicon nitride material and thereafter converting to non-densified beta-phase material |
US5665279A (en) * | 1994-09-02 | 1997-09-09 | Minnesota Mining & Manufacturing Company | Low density silicon nitride-containing beads, aggregates thereof, and method for preparing same |
DE19612926C2 (de) * | 1996-04-01 | 1999-09-30 | Fraunhofer Ges Forschung | Siliciumnitrid-Kompositpulver für thermische Beschichtungstechnologien und Verfahren zu ihrer Herstellung |
JP2002075992A (ja) * | 2000-09-01 | 2002-03-15 | Fujitsu Ltd | シリコン窒化膜の成膜方法および半導体装置の製造方法および半導体装置 |
US20040043888A1 (en) * | 2002-08-28 | 2004-03-04 | Noritake Co., Limited | Compositions and methods for making microporous ceramic materials |
KR101130298B1 (ko) * | 2009-08-24 | 2012-03-23 | 한국기계연구원 | 규소의 입도분포 조절을 이용한 반응소결 질화규소 및 그 제조방법 |
CN107285288A (zh) * | 2017-07-12 | 2017-10-24 | 深圳市东川技术研究有限公司 | 纳米氮化硅粉的制备方法 |
DE102018110731B4 (de) | 2018-05-04 | 2020-06-18 | Alzchem Trostberg Gmbh | Azotiertes Silicium-haltiges Pulver |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS49122500A (ja) * | 1973-03-27 | 1974-11-22 | ||
JPS6197110A (ja) * | 1984-10-18 | 1986-05-15 | Osaka Titanium Seizo Kk | 高α相率窒化けい素の製造方法 |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE252597C (ja) * | ||||
JPS61158804A (ja) * | 1984-12-28 | 1986-07-18 | Onoda Cement Co Ltd | 窒化けい素の製法 |
JPH03151603A (ja) * | 1989-11-08 | 1991-06-27 | Seiko Epson Corp | 磁界発生装置 |
JPH03170203A (ja) * | 1989-11-30 | 1991-07-23 | Okuma Mach Works Ltd | パルプの切粉つまり防止具並びにパイプ材加工方法 |
-
1989
- 1989-11-24 CA CA002003811A patent/CA2003811C/en not_active Expired - Lifetime
- 1989-11-30 DK DK605889A patent/DK605889A/da not_active Application Discontinuation
- 1989-12-07 AT AT89122582T patent/ATE106854T1/de not_active IP Right Cessation
- 1989-12-07 DE DE58907842T patent/DE58907842D1/de not_active Expired - Lifetime
- 1989-12-07 KR KR1019890018082A patent/KR920001513B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1989-12-07 ES ES89122582T patent/ES2016068T3/es not_active Expired - Lifetime
- 1989-12-07 NO NO894910A patent/NO180081C/no not_active IP Right Cessation
- 1989-12-07 EP EP89122582A patent/EP0377132B1/de not_active Expired - Lifetime
- 1989-12-08 JP JP1317944A patent/JPH02196009A/ja active Pending
-
1991
- 1991-05-09 US US07/666,225 patent/US5114693A/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS49122500A (ja) * | 1973-03-27 | 1974-11-22 | ||
JPS6197110A (ja) * | 1984-10-18 | 1986-05-15 | Osaka Titanium Seizo Kk | 高α相率窒化けい素の製造方法 |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02255510A (ja) * | 1989-03-29 | 1990-10-16 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 低酸素高β型窒化珪素微粉末及びその製造方法 |
JP2006160548A (ja) * | 2004-12-06 | 2006-06-22 | Japan Atomic Energy Agency | 単結晶窒化ケイ素ナノシートとその製造方法 |
JP4572382B2 (ja) * | 2004-12-06 | 2010-11-04 | 独立行政法人 日本原子力研究開発機構 | 単結晶窒化ケイ素ナノシートとその製造方法 |
JP2012511490A (ja) * | 2008-12-13 | 2012-05-24 | アルツケム・トロストベルク・ゲーエムベーハー | 高純度窒化ケイ素の製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US5114693A (en) | 1992-05-19 |
ATE106854T1 (de) | 1994-06-15 |
EP0377132A1 (de) | 1990-07-11 |
EP0377132B1 (de) | 1994-06-08 |
NO894910D0 (no) | 1989-12-07 |
DE58907842D1 (de) | 1994-07-14 |
CA2003811C (en) | 1997-01-14 |
NO894910L (no) | 1990-06-11 |
DK605889A (da) | 1990-06-09 |
NO180081C (no) | 1997-02-12 |
ES2016068T3 (es) | 1994-09-01 |
CA2003811A1 (en) | 1990-06-08 |
KR920001513B1 (ko) | 1992-02-15 |
KR900009432A (ko) | 1990-07-04 |
DK605889D0 (da) | 1989-11-30 |
NO180081B (no) | 1996-11-04 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR101656779B1 (ko) | 고순도 질화규소 제조방법 | |
CA2105776C (en) | Moving bed process for carbothermally synthesizing nonoxide ceramic powders | |
JPH02196009A (ja) | 窒化ケイ素の製法およびこの方法により得られた生成物 | |
US5166103A (en) | Method of making monotunsten carbide and mixtures of monotungsten carbide-titanium carbide powders | |
JPH04308011A (ja) | 流動床を用いたタングステン粉末の製造方法 | |
US4710369A (en) | Oxidation method for production of special aluminas from pure aluminum chloride | |
US4409193A (en) | Process for preparing cubic boron nitride | |
JP2001220126A (ja) | 結晶質合成シリカ粉体及びこれを用いたガラス成形体 | |
WO2001058806A1 (en) | Method for producing tungsten carbide | |
EP0801026B1 (en) | Process for producing synthetic quartz powder | |
JP2888275B2 (ja) | 石英粉の連続精製方法 | |
US5814573A (en) | Production of sialon | |
JPS62100403A (ja) | 高純度六方晶窒化硼素微粉末の製造方法 | |
JPS5849611A (ja) | 炭化珪素及びその製造方法 | |
JPS63147807A (ja) | 高α型窒化けい素の製造方法 | |
JPH0460049B2 (ja) | ||
JPH01226706A (ja) | 窒化ケイ素粉末の製造方法 | |
JPS62260704A (ja) | α型窒化珪素粉末の製造方法 | |
CN115520842A (zh) | 高纯氮化硅纳米粉制备技术及应用 | |
JPH0446889B2 (ja) | ||
JPS59146916A (ja) | サイアロン粉末の製造方法 | |
JPS6163510A (ja) | 複合微粉末の製造方法 | |
JPS6259049B2 (ja) | ||
JPS62252310A (ja) | 二硫化ケイ素の製法 | |
JPS62105913A (ja) | 炭化けい素微粉末の製造方法 |