JPH02193398A - 不揮発性半導体メモリ - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の目的〕 （産業上の利用分野） 本発明は、電気的に消去可能な不揮発性半導体メモリで
あるＥＥＦＲＯＭのプログラム電圧印加方法及び装置に
関するもので、特にフローティングゲートやＳ　ｉＯ２
（酸化シリコン）と５ｉ３Ｎ４（窒化シリコン）の界面
準位への電子の注入、引き抜きを絶縁膜を介するＰｏｖ
ｌｅｒ−Ｎｏｒｄ−ｈｅｉｍ電流により行なう場合に使
用される不揮発性半導体メモリのプログラム電圧印加方
法及び装置に関するものである。

（従来の技術） 第７図は、この種のＥ　Ｅ　Ｐ　ＲＯＭ中、ＦＬＯＴＯ
Ｘ型（ｆ’ｌｏａｔｌｎｇ−ｇａｔｅ　ｔｕｎｎｅｌ　
ｏｘｉｄｅ）ＥＥＲＯＭの一般的な構成を示したもので
ある。

即ち、ソースＳとドレイン０間の基板表面上に、絶縁膜
ＯＸを介して、コントロールゲートＣＧとフローティン
グゲートＦＧから成る積層ゲート及びセレクトゲートＳ
Ｇが設けられフローティングゲートＦＧ下の絶縁膜ＯＸ
の一部分に、フローティングゲートＦＧに対する電子の
注入／引き抜きを可能にするためのトンネル絶縁膜ＴＯ
Ｘが設けられている。

上述したような構成のＥＥＦＲＯＭのフローティングゲ
ートＦＣに対する電子の注入／引き抜きに際しての各端
子への電圧印加条件は、表１にて示される通りである。

ここで、■　はプログラム電圧と称されるものｐ で、データの読出し時の印加電圧よりも高い値（例えば
１５〜２０Ｖ程度）に設定されている。

表１において、電子注入に際しては、コントロールゲー
トＣＧ、セレクトゲー）ＳＧに対してプログラム電圧Ｖ
　を印加するとともに、ドレインＤｐ は接地とし、又、ソースＳに関しては開放とする。

一方、電子の引き抜きに際しては、セレクトゲートＳＧ
、　　ドレインＤに対してプログラム電圧ｖ、。

を印加するとともに、コントロールゲートＣＧは接地と
し、又、ソースＳに関しては開放とする。

このようにしてフローティングゲートＦＧへの電子の注
入、引き抜きを行なうことでソースＳとドレインＤとの
間のチャネルがＯＮになる閾値が可変し、この閾値の相
違によってＥＥＦＲＯＭへの書込み（“１”）、消去（
“０“）の区別を行なっている。

（発明が解決しようとする課題） ところで、上述したＥＥＦＲＯＭの電子注入及び引き抜
きに際して印加されるプログラム電圧Ｖ　の波形には、
立上りがなまった（即ち、成るｐ 傾斜を持った）台形状のパルスが用いられている。

第２図Ａは、従来使用されているプログラム電圧Ｖ　の
波形を示しており、通常、その立上がり時ｐ 間は数１０μｓ程度、パルス幅Ｗは数ｍｓ程度に設定さ
れている。

第２図Ａにて図示したような台形状のパルスがプログラ
ム電圧としてコントロールゲート電圧等に印加されると
、トンネル酸化膜ＴＯＸには、第２図Ｂにて図示するよ
うな波形の電界が生じ、またこの電界波形の斜線にて図
示した一定電界の領域において第２図Ｃにて図示するよ
うな近似的に矩形波のＦｏｗｌｃｒ−Ｎｏｒｄｈｃｉｍ
電流が流れる。このＰｏｗｌｃｒ−ＮｏｒｄｈｃｊＩＩ
ｌ電流は第２図Ａに示すコントロールゲート電圧の立上
がりの期間にほとんど流れ、コントロールゲート電圧が
プログラム電圧Ｖ　にｐ 達した時点でほぼ電子注入／引抜きが終了する。

ｒｏｗ　ｌ　ｅｒ−Ｎｏｒｄｈｅ　ｉ　ｒｅ主電流トン
ネル酸化膜ＴＯＸを流れると、流入電子が絶縁膜ＴＯＸ
中で衝突電離をし正孔を発生させる。このようにトンネ
ル酸化膜ＴＯＸ内に発生したホールの一部分は、電子と
再結合して消滅するが、残りの大部分のホールは、トン
ネル酸化膜ＴＯＸにかかっている電界によりトンネル酸
化膜ＴＯＸの外に流出する。その際、一定の確立でトン
ネル酸化膜ＴＯＸ中の捕獲準位に捕まり、ホールのまま
の状態で残るものが生ずる。このような現象をホールの
トラップといつＯ 第２図りは、第２図Ｂの斜線にて示したような一定電界
領域において第２図Ｃにて図示した矩形状の電流パルス
がトンネル酸化膜ＴＯＸを流れることによってこのトン
ネル酸化膜ＴＯＸ中に発生するホールの単位体積当りの
密度を示したものである。

第２図りにおいて、単位体積当りのホールの総数は、横
軸と曲線とによって画定される面積（ホール密度を時間
によって漬方した値）で表わされ、この面積の値にホー
ルがトラップされる確率を乗じた値が１回の電子注入／
引抜きでトラップされたホールの単位体積当りの総数と
なる。ＥＥＰＲＯ〜１に対する電子の注入、引き抜きが
実行される度に、トンネル酸化膜ＴＯＸ中にはトラップ
されたホールが蓄積され、その数がある限定を越えると
トンネル酸化膜ＴＯＸが絶縁破壊に至り、電子の注入、
引き抜きが不可能となる。この現象は、メモリセルの寿
命を決定する主たる要因となっている。

従って本発明の目的は、フローティングゲートに対する
１回の電子の注入、引き抜きにおけるトンネル酸化膜中
のホールのトラップを低減させることにより、トンネル
酸化膜が絶縁破壊に至るまでの寿命を延ばすことにある
。

〔発明の構成〕

（課題を解決するための手段） 本発明は、電荷の蓄積の有無に応じた閾値電圧の高低を
２値化情報に対応させた不揮発性半導体メモリに対して
電荷の注入／引き抜きを行なうための電圧パルスを印加
する方法において、１回分の注入又は引き抜くべき電荷
量の一部分のみを１つのパルスで注入又は引き抜けるよ
うな電圧パルスを複数個生成し、この複数個の電圧パル
スを不揮発性半導体メモリに印加することによって１回
分の電子の注入／引き抜きを行なうようにした不揮発性
半導体メモリのプログラム電圧印加方法を提供する。

また、本発明は、所定電圧を持った所定幅の矩形パルス
を生成する手段と、この手段により生成された矩形パル
スを受けてこれを複数個のパルスにチョップする手段と
、この手段によってチョップされた複数個のパルス列を
不揮発性半導体メモリのアドレス信号によって選択され
たセルに供給する手段とを有する不揮発性半導体メモリ
のプログラム電圧印加装置を提供する。

（作　用） 生成された複数個の電圧パルスが順にメモリに印加され
る。１つの電圧パルスによって注入又は引き抜かれる電
荷量は１回分の注入又は引き抜かれるべき全電荷量の一
部分であり、複数個の電圧パルスによって全電荷量の注
入／引き抜きが達成される。１つの電圧パルスによって
流れるＦｏｗｌｃｒ−Ｎｏｒｄｈｅ１ｇ＋電流のパルス
は短いため、それによりトンネル絶縁膜に生じるホール
の密度は極めて小さい。その結果、複数個の電圧パルス
によって流れる複数個のｒｏｗ　Ｉ　ｅｒ−Ｎｏｒｄｈ
ｅｉ　ｍ電流パルスによってトラップされるホールの数
は、１回の電荷注入／引き抜きによるよりも少ない。

（実施例） 以下、図面に基づき本発明の実施例について説明する。

第３図は、本発明の第１の実施例に従うＥＥＰＲＯＭの
プログラム電圧印加装置の構成を示し、たブロック図で
ある。

第３図において、昇圧回路１は、与えられた外部電圧Ｖ
　　（例えば、電源電圧５Ｖ）を所定のＸＴ プログラム電圧■　（例えば、１５〜２０Ｖ）にｐ 昇圧し、該Ｖ　の電圧を持った矩形状のパルス信ｐ 号を生成して出力する。チョッパ回路３は、制御回路５
から出力される時間制御信号によって、昇圧回路１から
出力される矩形状のパルス信号を所定幅Ｃ幅の狭い）の
Ｎ個（複数個）のパルス信号にチョップする。リミッタ
７はＮ個のリミッタが並列的に接続された構成となって
おり、これら並列的に接続されたＮ個のリミッタは各々
異なるリミット値を持っている。前記Ｎ個のリミッタに
は、これら各々のリミッタから出力されるパルス信号の
立上りに所定の傾斜を持たせるための時定数回路が組み
込まれている。リミ、、タフは、制御回路５から出力さ
れるリミッタ選択信号によって、チョッパ回路３からの
パルスの出力タイミングに同期してＮ個の並列接続され
たリミッタが順に選択的に駆動されるようになっている
。その場合、チョッパ回路３から出力された最初のパル
ス信号に対応して最も低いリミット値を持ったリミッタ
が最初に駆動され、次いで２番目に出力されたパルス信
号に対応して次に低いリミット値を持ったリミッタが２
番目に駆動され、このようにしてＮ番目に出力されたパ
ルス信号に対しては最も高いリミット値を持ったリミッ
タが最後に駆動されるようになっている。ここで最も高
いリミット値はプログラム電圧Ｖ　に設定されている。

リミッタ７ｐ のこのような動作により、リミッタ７からは第１番目の
パルスからピーク値が段階状に上昇して第Ｎ番目のパル
スでピーク値がプログラム電圧■、。

と等しくなるＮ個のパルス列が出力される。

デコーダ９は、リミッタ７から出力されたＮ個のパルス
を、外部から与えられるカラムアドレス信号によって選
択されたＥＥＦＲＯＭのワード・カラム・ラインに供給
するようになっている。

次に、この装置を用いたＥＥＰＲＯＭのプログラム電圧
印加方法について、主に第１図Ａ〜第１図りを参照しな
がら説明する。

第３図にて図示した昇圧回路１、チョッパゲート３、リ
ミッタ７を介して生成されたＮ個の段階状の電圧パルス
列は、カラムアドレス及びロウアドレスによって選択さ
れたメモリセルの表１にて示されたプログラム電圧Ｖ１
．が印加されるべき端子に印加される。このＮ個の電圧
パルス列の波形は、第１図Ａに示されている。即ち、第
１番目の電圧パルスは、そのピーク値がプログラム電圧
Ｖ　のピーク値Ｖ　よりも低い値のＶ′　に設定ｐｐ　
　　　　　　　　　ｐｐ　　　　　　　　　　　　　　
　ｐｐされており、第２番目の電圧パルスは、そのピー
ク値が第１番目の電圧パルスのピーク値ｖ′ｐ−りも少
し高目の値に設定されている。そして第Ｎ番目の電圧パ
ルスに至って始めてそのピーク値が■　となる。これら
Ｎ個の各電圧パルスの立上りｐｐ は、従来技術に従う電圧パルスの波形を示す第２図Ａと
比較対照して明らかなようにかなり急峻に設定されてい
る。

各電圧パルスのピーク値及び立上がり時間を適切に設定
することにより、各電圧パルスの立上がり期間中に第１
図Ｂに斜線で示すように従来技術に従うトンネル酸化膜
電界（第２図Ｂ斜線領域）と同一強度を持ち且つ時間的
に短いパルス幅を持った電界がトンネル酸化膜ＴＯＸに
形成され、その時に第１図Ｃに示すよう従来技術に従う
Ｆｏｗｌｃｒ−Ｎｏｒｄｈｅ１ｍ電流（第２図Ｃ）と同
一値を持ち且つ短いパルス幅を持ったＦｏｗｌｃｒ−Ｎ
ｏｒｄｈｅ１ｍ電流がトンネル酸化膜ＴＯＸに流れる。

そして、第１図Ｃに示すＮ個の短い電流パルスのパルス
幅の加算値が、第２図Ｃに示す従来技術に従う電流パル
スのパルス幅に一致するようになっている。即ち、この
実施例は、従来技術に従う単発のＰｏｖｌｅｒ−Ｎｏｒ
ｄ−ｈｅｉｍ電流パルスを時間的に分割したＮ個の短い
Ｆｏｖｌｅｒ−Ｎｏｒｄｈｅｉｍ　Ｍ原パルスによって
電子注入／引き抜きを行なうようになっている。

第１図Ｃに示す各電流パルスによってトンネル酸化膜Ｔ
ＯＸ中に生ずるホールの密度は、第１図りに示されてい
る。その各波形は、従来のホール密度を示す第２図りの
波形中の破線で示した立上がり初期の部分の波形に一致
している。トンネル酸化膜ＴＯＸ中のホールの密度は、
第２図ｐを参照して明らかなように、一定電光条件下に
おいてＦｏｗｌｃｒ−Ｎｏｒｄｈｅ１ｍ電流の流れ始め
のときは小さく、時間の経過とともに次第に大きくなっ
て行く。本実施例のようにＦｏｗｌｃｒ−Ｎｏｒｄｈｅ
ｉｓ電流パルスの時間幅を短縮すれば、常にホール密度
が小さい領域においてＰｏｗｌｅｒ−Ｎｏｒｄｈｅｌａ
＋電流が流れることになる。従って、従来のように時間
幅の長い単発の電流パルスとしてｌ’ｏｖｌｅｒ−Ｎｏ
ｒｄｈｅｉｍ　ｆＲ流を流す場合に比較して、同量のＦ
ｏｗｌｃｒ−Ｎｏｒｄｈｅ１ｍ電流量に対するホール総
数を大幅に低減させることが可能である。このことは、
第１図りのＮ個の波形の面積の和と第２図りの波形の面
積とを比較することによっても明らかである。その結果
、トラ・ノブされるホール数も大幅に低減され、メモリ
セルの寿命が大幅に延びる。

なお、本実施例では、台形波の電圧パルスをコントロー
ルゲートＣＧ、セレクトゲートＳＧ等に印加することと
して説明したが、台形波の電圧パルスに代えて三角波の
電圧パルスを印加することとしても差支えない。

第５図は、本発明の第２の実施例に従うＥＥＰＲＯＭの
プログラム電圧印加装置の構成を示したブロック図であ
る。

このプログラム電圧印加装置においては、第３図にて示
した第１の実施例に従うプログラム電圧印加装置からリ
ミッタ７が除去されている。制御回路５０は、第３図の
制御回路５に比較してずっと高速の時間制御信号をチョ
ッパ回路３０に与える。これにより、チョッパ回路３０
は昇圧回路１からの矩形パルスを高速にチョップして極
めて短い時間幅（例えば数μｓ程度）のＭ個の電圧パル
スを生成する。また、チョッパ回路３０は、チョップさ
れた各電圧パルスの立上り時間を所定の極めて急峻な値
（例えば、１μｓ程度）に設定する。

このようなＭ個の極めて短い電圧パルス列がデコーダ９
を通じて選択されたワード・カラム・ラインに出力され
る。従来技術に従う電圧パルスの立上り時間が数１０μ
ｓ程度、又パルス幅が数ｍｓ程度に設定されていること
を考慮すれば、本実施例に従う電圧パルスの立上り時間
とパルス幅とが極めて短い値に設定されていることが明
らかである。

第５図の装置によって生成されたＭ個の電圧パルス列の
波形を第４図Ａに示す。このような極めて急峻な立上が
りを持った電圧パルスを印加した場合には、第４図Ｂ、
　　Ｃにて第１パルスを例に斜線にて示すように、Ｆｏ
ｗｌｃｒ−Ｎｏｒｄｈｅ１１１電流は電圧パルスの立上
がり期間中における一定電界期間に流れるだけでなく、
電圧パルスが立上がった後の′電界低下期間中にも無硯
できない程度割合のＦｏｗｌｃｒ−Ｎｏｒｄｈｅｉｉ電
流が流れる。そして、もし、この第１パルスが第４図Ａ
に一点鎖線で示すような十分に長いパルス幅Ｗを何して
いるならば、第４図Ｃに一点鎖線で示すような波形のＰ
ｏｖｌｅｒ−Ｎｏｒｄｂｅｉｍ　　電流が流れ、その電
流量は第２図Ｃに示した従来技術に従うＰｏｗｌｅｒ−
Ｎｏｒｄｈｅ１１１電流の電流量と等しくなる。しかし
、各電圧パルスのパルス幅は第４図Ａに示したように極
めて短＜　（Ｗ’　）設定されているため、Ｆｏｗｌｃ
ｒ−Ｎｏｒｄｈｅ１ａ＋電流は・第４図Ｃ斜線領域に対
応する第４図Ｃ斜線領域の後端でカットされることにな
る。

ｆｆｉ　２　Ｉ　１＝Ｉの電圧パルスのピーク値は、前
記第１岳口の電圧パルスのピーク値と等しいＶ　に設定
ｐ されているが、これによってトンネル酸化膜ＴＯＸに生
じる電界の強度は第４図Ｂに示すように、第１パルスを
印加したときのトンネル酸化膜電界のピーク値Ｅ　　よ
りもやや低目の値となっ＋！ａＸ ている。それは、第１パルスにより注入された電子の瓜
に対応する分だけトンネル酸化膜電界の強度が低下する
からである。第２番目の電圧パルスによって流れるＦｏ
ｗｌｃｒ−Ｎｏｒｄｈｅｉｍ電流の量は、第４図Ｃを参
照して明らかなようにトンネル酸化膜電界の低下に対応
して、第１の電流パルスより大幅に減少する。

このようにして後の電圧パルスになる程、それによって
流れるＦｏｗｌｃｒ−Ｎｏｒｄｈｅ１ｍ電流の量より小
さな値となる。そして、第１呑目の電流パルスから第Ｍ
番目の電流パルスを全部足した総電流量が、パルス幅Ｗ
でピーク値がＶ　の単発の電圧パルスｐ を印加したときのＰｏｖｌｃｒ−ＮｏｒｄｈｃｌｌＱ電
流（第４図Ｃ−点鎖線）の電流量と等しい。

第４図りは、このようなＦｏｗｌｃｒ−Ｎｏｒｄｈｅｌ
＊電流パルスによりトンネル酸化膜中に生じるホール密
度を示している。もし、第４図Ａに一点鎖線で示したご
とき大きな時間幅Ｗの電圧パルスを印加したときには、
ホール密度は第４図りに一点鎖線で示されるようになる
。これに対して本実施例のように極めて短い時間幅Ｗ′
のＭ個の電圧パルスを印加したときには、第４図りに実
線で示されるようなホール密度となる。この第４図りに
て実線で示される第２パルス以降の波形は、第４図りに
て一点鎖線で示される波形中の破線で示される部分の波
形に一致している。これら２つの場合のホー小密度を比
較すれば、後者は前者よりもホール密度を小さく抑えら
れることが明らかであり、従ってトラップされるホール
数も低減され、セルの寿命が延びることが判る。

本実施例においては、前記第１の実施例と比較してトラ
ップされるホール数の減少という点ではやや劣るものの
、それでもトラップされるホール数を従来に比して大幅
に減少させることができ、そのうえ構成が複雑で且つ複
雑困難な制御を必要とするリミッタ７を除去でき、装置
の微細化を図れるという利点がある。

なお、本実施例において、台形波の電圧パルスをコント
ロールゲートＣＧ、セレクトゲートＳＧ等に印加するこ
ととして説明したが、より顕著な効果を得るために、台
形波の電圧パルスに代えて三角波の電圧パルスを印加す
ることとしてもよい。

さらに、第１図Ａ１第１図Ａに示すパルス波形の立上が
りは直線的であるが、これは単調増加するものであれば
直線的でなくてもよい。

また、第３図、第５図に示すプログラム電圧印加装置は
、ＥＥＦＲＯＭと同−ＩＣ内に形成してもよいし、ＥＥ
ＦＲＯＭとは別のＩＣとしてもよい。

第６図は、従来技術に従う単発の電圧パルスを用いて電
子の注入／引き抜きを繰り返したときのトンネル酸化膜
の耐久試験特性と、本発明の第２実施例に従う複数個の
電圧パルスを用いて電子の注入／引き抜きを繰り返した
ときの耐久試験特性とを比較した特性比較図である。

第６図を参照して明らかなように、初期の閾値ウィンド
ウ（電子の注入時と引き抜き時のコントロールゲートＣ
Ｇから見たチャネルの閾値の差）を同一として測定を始
めたにも拘らず、本発明に従うものの方が閾値ウィンド
ウの挟まり方が緩やかで、かつトンネル酸化膜破壊に至
るまでのプログラム回数が６Ｘ１０’回と従来技術に従
うプログラム回数２〜３Ｘ１０’回よりも大幅に多くな
っている。即ち、本発明に従えば、メモリセルの信頼性
の向上が図れ、かつ寿命を大幅に延ばすことが可能とな
ったことを示している。

〔発明の効果〕

以上説明したように、本発明によれば、１回分の注入又
は引き抜くべき電荷量の一部分だけを１つのパルスで注
入又は引き抜けるような電圧パルスを複数個生成し、こ
の複数個の電圧パルスによって１回分の電子の注入／引
き抜きを行なうようにしているので、１つの電圧パルス
の印加によって流れるＦｏｗｌｃｒ−Ｎｏｒｄｈｅｌｓ
電流のパルス幅は極めて短くなり、トンネル酸化膜ＴＯ
Ｘ中のホール密度を極めて小さく抑えられるため複数個
の電圧パルス印加によるホール総数も従来に比して大幅
に減少するので、１回の注入／引き抜き当りのトラップ
されたホール数が減少し、よってトンネル酸化膜が絶縁
破壊に至るまでの寿命が大幅に延びるという効果が得ら
れる。

【図面の簡単な説明】

第１図Ａ１第１図８１第１図Ｃ１第１図りは、本発明方
法の第１の実施例における印加電圧、トンネル酸化膜電
界、Ｐｏｖｌｅｒ−Ｎｏｒｄｈｅｉｍ電流及びホール発
生密度の波形図、第２図Ａ１第２図Ｂ、第２図０１第２
図りは、従来の方法における印加電圧、トンネル酸化膜
電界、ＰｏｖＩｃｒ−Ｎｏｒｄｈｅｌｔｘ　１ｊ５流及
びホール密度の波形図、第３図は、本発明の第１の実施
例に従う不揮発性半導体メモリのプログラム電圧印加装
置のブロック図、第４図Ａ、第４図８１第４図０１第４
図りは、本発明方法の第２の実施例における印加電圧、
トンネル酸化膜電界、Ｆｏｗｌｃｒ−Ｎｏｒｄｈｅ１ｍ
電流及びホール密度の波形図、第５図は、本発明の第２
の実施例に従う不揮発性１体メモリのプログラム電圧印
加装置のブロック図、第６図は、本発明の第２の実施例
に従う複数個の電圧パルスを用いて電子の注入／引き抜
きを繰り返したときのトンネル酸化膜の耐久試験特性と
、従来技術に従う単発の電圧パルスを用いて電子の注入
／引き抜きを繰り返したときのトンネル酸化膜の耐久試
験特性とを比較した特性比較図、第７図は、ＦＬＯＴＯ
Ｘ型ＥＥＰＲＯＭの一般的構成を示した断面構造図であ
る。 １・・・昇圧回路、３．３０・・・チョッパ回路、５゜ ５０・・・制御回路、 ７・・・リミッタ、 ９・・・デコー ダ。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、電荷の蓄積の有無に応じた閾値電圧の高低を２値化
   情報に対応させた不揮発性半導体メモリに対して電荷の
   注入／引き抜きを行なうための電圧パルスを印加する方
   法において、１回分の注入又は引き抜くべき電荷量の一
   部分のみを１つのパルスで注入又は引き抜けるような電
   圧パルスを複数個生成し、この複数個の電圧パルスを不
   揮発性半導体メモリに印加することによって１回分の電
   子の注入又は引き抜きを行なうようにしたことを特徴と
   する不揮発性半導体メモリのプログラム電圧印加方法。 ２、請求項１記載の方法において、前記複数個の各電圧
   パルスのピーク値を、最初のパルスから後続のパルスに
   なるに従って徐々に上昇させて行くことを特徴とするプ
   ログラム電圧印加方法。 ３、請求項１記載の方法において、前記複数個の各電圧
   パルスの立ち上がり完了後も無視でなきい程度の割合の
   Ｆｏｗｌｃｒ−Ｎｏｒｄｈｃｉｍ電流が流れるように前
   記各パルスの立ち上がりを急峻なものとすると共に、前
   記立上がり完了後に流れているＦｏｗｌｃｒ−Ｎｃｒｄ
   ｈｃｉｍ電流を途中で中断するように前記各電圧パルス
   のパルス幅を短いものとすることを特徴とするプログラ
   ム電圧印加方法。 ４、所定電圧を持った所定幅の矩形パルスを生成する手
   段と、この手段により生成され た矩形パルスを受けてこれを複数個のパルスにチョップ
   する手段と、この手段によってチョップされた複数個の
   パルス列を不揮発性半導体メモリのアドレス信号によっ
   て選択されたセルに供給する手段とを有する不揮発性半
   導体メモリのプログラム電圧印加装置。