JPH02118994A - Ｅｅｐｒｏｍ書き換え方法 - Google Patents
Ｅｅｐｒｏｍ書き換え方法Info
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- JPH02118994A JPH02118994A JP63268263A JP26826388A JPH02118994A JP H02118994 A JPH02118994 A JP H02118994A JP 63268263 A JP63268263 A JP 63268263A JP 26826388 A JP26826388 A JP 26826388A JP H02118994 A JPH02118994 A JP H02118994A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、電荷注入素子にパルス電圧を印加して高エネ
ルギーの電子またはホールを発生させ、フローティング
ゲートに電子またはホールを注入してデータを書き換え
るＥＥＦＲＯＭ書き換え方法に関するものである。
ルギーの電子またはホールを発生させ、フローティング
ゲートに電子またはホールを注入してデータを書き換え
るＥＥＦＲＯＭ書き換え方法に関するものである。
第２図はＥＥＦＲＯＭ素子の一例の構成を示す。
図においてｌは書き換えｒ−ト素子、２はフローティン
グゲート、３は電荷注入素子、４はフローティングケ゛
−ト制御結合容量、５は読み出し素子、６は読み出しケ
゛−ト素子、７は書き換え電圧端子、８は書き換えケ゛
−ト制御端子、９は読み出しダート制御端子、１０は書
き換えデータ端子である・、。
グゲート、３は電荷注入素子、４はフローティングケ゛
−ト制御結合容量、５は読み出し素子、６は読み出しケ
゛−ト素子、７は書き換え電圧端子、８は書き換えケ゛
−ト制御端子、９は読み出しダート制御端子、１０は書
き換えデータ端子である・、。
書き換えをする場合は、書き換えり゛−ト素子２をオン
にし、電圧端子７にパルス電圧を印加し。
にし、電圧端子７にパルス電圧を印加し。
電荷注入素子３に電流を流し、高エネルギーの電子また
はホールを発生させて、電子またはホールをフローティ
ングゲート２に注入する。
はホールを発生させて、電子またはホールをフローティ
ングゲート２に注入する。
従来は、電子またはホールを７０−テインググート２に
注入する場合の一定量の注入電荷の確保のために、印加
電圧の・ぐルス幅を長く（１０〜１００ｍＢに）設定す
る手段が採られてきた。
注入する場合の一定量の注入電荷の確保のために、印加
電圧の・ぐルス幅を長く（１０〜１００ｍＢに）設定す
る手段が採られてきた。
一方、書き換え時間ｔｌ短縮するために、電子またはホ
ールの初期電流を大きくする工夫がなされてきた。しか
し、これては、印加電圧ｖＰを大きくしたり、ダート膜
厚を薄くする方法が用いられるが、製造工程上で決定さ
れる回路全体の耐圧のために、限界があった。
ールの初期電流を大きくする工夫がなされてきた。しか
し、これては、印加電圧ｖＰを大きくしたり、ダート膜
厚を薄くする方法が用いられるが、製造工程上で決定さ
れる回路全体の耐圧のために、限界があった。
注入電流と印加電圧のパルス幅の間には次のような関係
がある。
がある。
ｉ ＝ Ａ６−Ｂｔ ・・・・・・・・・・・・・・
・（１）ｉはケ゛ Ｆ ５Ｉ０２膜を通る電子またはホ
ールの注入電流、Ａは初期電流、ｔは印加電圧の・ぐル
ス幅、Ｂは注入電荷素子３ごとに決まる定数、ｉ ｆ
ｔで積分すると注入直荷量となる。
・（１）ｉはケ゛ Ｆ ５Ｉ０２膜を通る電子またはホ
ールの注入電流、Ａは初期電流、ｔは印加電圧の・ぐル
ス幅、Ｂは注入電荷素子３ごとに決まる定数、ｉ ｆ
ｔで積分すると注入直荷量となる。
式（１）は第３図に示すような曲線になるため、従来の
１つのパルス電圧の印加によってデータを書き換える方
法は、パルス電圧印加中、時間の経過とともに電流１が
急激に減少するので、効率が悪いという問題があった。
１つのパルス電圧の印加によってデータを書き換える方
法は、パルス電圧印加中、時間の経過とともに電流１が
急激に減少するので、効率が悪いという問題があった。
本発明は上記の事情に鑑みてなされたもので、効率がよ
く、書き換え時間を短縮できる方法を提供することを目
的とする。
く、書き換え時間を短縮できる方法を提供することを目
的とする。
本発明の方法は、ゲート５ｔＯ２膜の注入電流の初期げ
−ク特性を有効に利用できるように、電荷注入素子３に
印加する・ぐルス電圧を１ ｍ３程度の幅の複数のパル
ス電圧に分割して印加する方法である。
−ク特性を有効に利用できるように、電荷注入素子３に
印加する・ぐルス電圧を１ ｍ３程度の幅の複数のパル
ス電圧に分割して印加する方法である。
第１図は本発明の方法の印加・ぐルス電圧の分割の一例
を示す。
を示す。
パルス幅をｌ ｍａ ＋周期ｉ１．５ｍ、とした例であ
る。このよう九分割することによって、注入ｒ６流の初
期ピーク特性の有効利用によって効率のよい書き換えが
できる。
る。このよう九分割することによって、注入ｒ６流の初
期ピーク特性の有効利用によって効率のよい書き換えが
できる。
例えば、初期電流２００ｐＡ、式（１）の係数Ｂ１０−
３の場合、従来の方法でパルス幅ｔ＝１０ｍｓのときの
注入電荷は ’２８４Ｘ１０−１５クーロンになるが、本発明の方法
によれば、ｌ ｉｓ幅のパルスを３回印加することで、
４１１ Ｘ １０−１５クーロンの電荷が注入できる。
３の場合、従来の方法でパルス幅ｔ＝１０ｍｓのときの
注入電荷は ’２８４Ｘ１０−１５クーロンになるが、本発明の方法
によれば、ｌ ｉｓ幅のパルスを３回印加することで、
４１１ Ｘ １０−１５クーロンの電荷が注入できる。
すなわち４μｓ（従来の方法での印加時間の４０％の時
間）の時間で従来よシ多くの電荷を注入できる。
間）の時間で従来よシ多くの電荷を注入できる。
印加・ぐルス電圧の分割は、書き換えケ゛−ト制御端子
８にパルス列信号を印加することで実現できる。
８にパルス列信号を印加することで実現できる。
以上説明したように、本発明の方法によると、注入゛Ｉ
ヨ流の初期ピーク特性の有効利用によシ、電荷注入の効
率がよくなり、岱き換えの時間を短縮できると、い、う
効果がある。
ヨ流の初期ピーク特性の有効利用によシ、電荷注入の効
率がよくなり、岱き換えの時間を短縮できると、い、う
効果がある。
第１図は本発明の方法の印加パルス直圧の分割の一例を
示す説明図、第２図はＥＥＰ ＲＯＭ素子の一例の構成
を示す説明図、第３図は注入−流と印加電圧の・やルス
幅の関係の一例金示す説明図である。 １は書き換えダート素子、２はフローティングケ゛−ト
、３は電荷注入素子、４は容量、５は読み出し素子、６
は読み出しダート素子、７は書き換え電圧端子、８は書
き換えケ゛−ト制御端子、９は読み出しケ゛−ト制御端
子、１０は書き換えデータ電子。 第１図 第２図 第３図
示す説明図、第２図はＥＥＰ ＲＯＭ素子の一例の構成
を示す説明図、第３図は注入−流と印加電圧の・やルス
幅の関係の一例金示す説明図である。 １は書き換えダート素子、２はフローティングケ゛−ト
、３は電荷注入素子、４は容量、５は読み出し素子、６
は読み出しダート素子、７は書き換え電圧端子、８は書
き換えケ゛−ト制御端子、９は読み出しケ゛−ト制御端
子、１０は書き換えデータ電子。 第１図 第２図 第３図
Claims (1)
- 電荷注入素子にパルス電圧を印加して高エネルギーの電
子またはホールを発生させ、フローティングゲートに電
子またはホールを注入してデータを書き換えるＥＥＰＲ
ＯＭ書き換え方法において、電荷注入素子に印加するパ
ルス電圧を１ｍＳ程度の幅の複数のパルス電圧に分割し
て印加することを特徴とするＥＥＰＲＯＭ書き換え方法
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63268263A JPH02118994A (ja) | 1988-10-26 | 1988-10-26 | Ｅｅｐｒｏｍ書き換え方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63268263A JPH02118994A (ja) | 1988-10-26 | 1988-10-26 | Ｅｅｐｒｏｍ書き換え方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02118994A true JPH02118994A (ja) | 1990-05-07 |
Family
ID=17456145
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63268263A Pending JPH02118994A (ja) | 1988-10-26 | 1988-10-26 | Ｅｅｐｒｏｍ書き換え方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02118994A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02193398A (ja) * | 1989-01-20 | 1990-07-31 | Toshiba Corp | 不揮発性半導体メモリ |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5727493A (en) * | 1980-07-24 | 1982-02-13 | Fujitsu Ltd | Semiconductor storage device and its write-in method |
-
1988
- 1988-10-26 JP JP63268263A patent/JPH02118994A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5727493A (en) * | 1980-07-24 | 1982-02-13 | Fujitsu Ltd | Semiconductor storage device and its write-in method |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02193398A (ja) * | 1989-01-20 | 1990-07-31 | Toshiba Corp | 不揮発性半導体メモリ |
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