JPH02190014A - 低雑音高周波増幅器

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(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

【発明の詳細な説明】（産業上の利用分野）本発明は高周波帯域のための低雑音高周波増幅器、特に
ＦＥＴを用いたＶＨＦ帯域以上のための低雑音高周波増
幅器に関するものである。

（従来技術）第２図は従来のＦＥＴ（電界効果トランジスタ）を用い
たパラボラアンテナ用高周波増幅器の回路図であって、
１〜３は夫々カスケード接続したＦＥＴ、Ｒｏは第２段
ＦＥＴ２に対する信号源インピーダンス、Ｒｏは同じく
第２段ＦＥＴ２に対する負荷抵抗を示す。

第３図は第２図の回路の第２段ＦＥＴ部分の等価回路図
であってＣ□はゲート、ソース間容量、ｆは周波数、Ｒ
，はゲート抵抗、ｇ７は相互コンダクタンス、Ｒ８はソ
ース抵抗を示す。

このような回路におけるＦＥＴのノイズフィギュア（雑
音指数）Ｆは下記のように福井の弐によって表される。

Ｆ　＝　１　＋　Ｋ　Ｃ９１ｒＬ了Ｒｓ）／ｇ、　ｆこ
＼でＫはＦＥＴ固有の係数である。

（発明が解決しようとする課題）然しなから上記のような回路においてはゲート抵抗Ｒ９
とソース抵抗Ｒ８は一般に数Ω以下とかなり小さい値で
あるが、これを第２段ＦＥＴ２と共に回路に組み込むと
、第３図に示すように上記信号源インピーダンスＲ８が
上記ゲート抵抗Ｒ。

に直列に加わり、上式より明らかなように出力の雑音を
著しく増大させこれが支配的なものとなる欠点がある。

特にノイズフィギュアＦは高周波において大きくなり、
ＶＨＦ−を月１Ｆ−◆ＳＨＦと周波数が高くなる程大き
くなり、雑音の少ない増幅器の製作は極めて困難であっ
た。

本発明は上記のような欠点を除くようにしたものである
。

（課題を解決するための手段）本発明の低雑音高周波増幅器は多段接続したＦＥＴ回路
と、前段と後段のＦＥＴ回路間に介挿したトランジスタ
のエミッタフォロア回路とより成ることを特徴とする。

（作　用）本発明の低雑音高周波増幅器においては信号源インピー
ダンスＲ０がバイポーラトランジスタのエミッタフォロ
ア回路によって著しく、例えば１００分の１に減少する
。

（実　施　例）以下図面によって本発明の詳細な説明する。

本発明においては第１図に示すように第２段ＦＥＴ２の
ドレーンと第２段ＦＥＴ２のゲート間にバイポーラトラ
ンジスタ４のエミッタフォロア回路を介挿せしめる。

本発明の低雑音高周波増幅器は−Ｊ−記のような構成で
あるから上記信号源インピーダンスＲ０はバイポーラト
ランジスタ４の電流増幅率をｈＦｌ、ｌとすればに減少し、通常ｈ□の値は５０〜１＋ｈｒｔ１００であるからＦＥＴ回路の雑音が著しく小さくなる
。

（発明の効果）上記のように本発明によれば極めて簡単な構成によりＶ
　ＨＦ帯域以上に好適な低雑音高周波増幅器を容易に得
ることが出来る。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の低雑音高周波増幅器の回路図、第２図
は従来のＦＥＴを用いた高周波増幅器の回路図、第３図
はその等価回路図である。

【特許請求の範囲】