JPH0241928Y2 - - Google Patents

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JPH0241928Y2
JPH0241928Y2 JP17423983U JP17423983U JPH0241928Y2 JP H0241928 Y2 JPH0241928 Y2 JP H0241928Y2 JP 17423983 U JP17423983 U JP 17423983U JP 17423983 U JP17423983 U JP 17423983U JP H0241928 Y2 JPH0241928 Y2 JP H0241928Y2
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circuit
resistor
high frequency
resistors
transistors
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Description

【考案の詳細な説明】 考案の技術分野 本考案は、混成集積回路化して良好な高周波特
性を持たせるのに好適な高周波回路に関する。
従来技術と問題点 従来、混成集積回路化された高周波増幅器とし
て第1図として示した要部回路図に見られるもの
が知られている。
図に於いて、1は信号入力端子、2は信号出力
端子、3及び4は印刷で形成されたコンデンサ、
5はマイクロ・ストリツプ・ライン、6,7,
8,9は印刷で形成された抵抗、10及び11は
バイポーラ・トランジスタ、12及び13は印刷
で形成されたコンデンサ、14,15,16はマ
イクロ・ストリツプ・ライン、17は印刷で形成
されたコンデンサ、18,19,20はマイク
ロ・ストリツプ・ラインをそれぞれ示している。
尚、コンデンサ12及び13はトランジスタ10
及び11のそれぞれのエミツタに於けるバイ・パ
ス用の役目を果たし、また、抵抗6,7,8はト
ランジスタ10及び11のベース・バイアス用で
あつてそれ等トランジスタ10及び11のベース
電圧を決定し、更にまた、抵抗9はエミツタ抵抗
であつてトランジスタ10及び11のエミツタ電
流を決定する。
この従来例に於いて、信号入力端子1に加えら
れた信号は、コンデンサ3及び4とマイクロ・ス
トリツプ・ライン5とで構成される入力マツチン
グ回路を経て、前段のトランジスタ10で増幅さ
れ、マイクロ・ストリツプ・ライン14,15,
16とコンデンサ17とで構成される段間マツチ
ング回路を経て、後段のトランジスタ11で更に
増幅され、マイクロ・ストリツプ・ライン18,
19,20で構成される出力マツチング回路を経
て信号出力端子2から取り出される。
ここで説明した高周波増幅器は高利得、広帯域
であつて、その主たる特徴を列挙すると、 (1) バイポーラ・トランジスタを用いた2段増幅
器であつて高利得であること。
(2) 大きな利得帯域幅積(Fr)を有するトラン
ジスタを使用することができるので広帯域増幅
が可能であること。
(3) 2個のトランジスタは直流的に直列接続され
ているので消費電力が少ないこと。
(4) 印刷で形成された抵抗、コンデンサ、マイク
ロ・ストリツプ・ライン等を用いているから小
型化できること。
等であり、また、広帯域増幅可能なトランジスタ
は、一般に、大きなエミツタ電流を必要とし、そ
の為、多段増幅器に於いては電源回路の負担が重
くなりがちであるが、前記従来例では、2個のト
ランジスタ10及び11を直流的に直列接続する
ことで消費電流の低減を図つている。
このように、第1図に示した従来例は、かなり
優れた性能を持つているが、未だ改良すべき点が
存存在する。
これを、次ぎに、第2図及び第3図を参照しつ
つ説明する。
第2図及び第3図は第1図に示した回路に於け
るトランジスタ10及び11のベース・バイアス
用の抵抗7及び8を設定するに際して必要である
具体的な配線パターンを例示するものであり、第
1図に関して説明した部分と同部分は同記号で指
示してある。
第2図の回路に於いては、抵抗7の一端がトラ
ンジスタ10のベースに接続され、その他端は配
線パターン21を介してトランジスタ11のベー
スに接続されている。また、抵抗8の一端はトラ
ンジスタ11のコレクタに接続され、その他端は
配線パターン22を介してトランジスタ11のベ
ースに接続されている。
このように、純回路的には第1図に見られるよ
うに表現できるとしても、実際には、第2図に見
られるように配線パターン21及び22が存在し
ている。
第3図に示した回路は、第2図に示した回路と
比較すると、抵抗7と配線パターン21の位置関
係、及び、抵抗8と配線パターン22の位置関係
がそれぞれ入れ換わつている点で相違している。
さて、第2図に示した回路では、配線パターン
21及び22がトランジスタ11のベースに接続
される為、恰も、先端開放のマイクロ・ストリツ
プ・ラインが接続されているかの如き振無を呈
し、有害なトラツプを発生させたり、また、段間
のマツチングを乱す要因になつている。
また、第3図に示した回路に於いては、第2図
に関して説明した理由と同様な理由に依り入力回
路や出力回路に有害なトラツプを発生させたり、
入力或いは出力のマツチングを乱す要因になつて
いる。
考案の目的 本考案は、配線パターンに依るトラツプの発生
やマツチング不良を防止した高周波回路を提供す
る。
考案の構成 本考案の高周波回路では、入力端に於いて信号
源インピーダンスと及び出力端に於いて負荷イン
ピーダンスとそれぞれ所要の整合を維持した混成
集積回路からなる高周波回路に於いて、前記入力
と前記出力端との間に印刷配線回路にて形成され
た接続回路と、該接続回路の入力端側に近接して
接続された高インピーダンス素子並びに該接続回
路の出力端側に近接して接続された高インピーダ
ンス素子とを備えた構成を採つている。
前記構成に見られるように高インピーダンス素
子を設けると、トランジスタにベース・バイアス
を印加する為の配線パターンは入力、段間、出力
の各マツチング回路と高周波的に分離される。
考案の実施例 第4図は本考案の第1の実施例を表す要部回路
図であり、第1図乃至第3図に関して説明した部
分と同部分は同記号で指示してある。
図に於いて、23,24,25,26はバイア
ス印加用兼アイソレーシヨン用の抵抗をそれぞれ
示している。
これ等の抵抗23乃至26と第1図乃至第3図
に見られる抵抗7及び8との間には、 (抵抗23の抵抗値)+(抵抗24の抵抗値) =抵抗7の抵抗値 また、 (抵抗25の抵抗値)+(抵抗26の抵抗値) =抵抗8の抵抗値 なる関係が存在する。
このような構成になつているので、配線パター
ン21及び22は、抵抗23乃至26に依つて、
コンデンサ3及び4とマイクロ・ストリツプ・ラ
イン5とで構成される入力マツチング回路、マイ
クロ・ストリツプ・ライン14,15,16とコ
ンデンサ17とで構成され段間マツチング回路、
マイクロ・ストリツプ・ライン18,19,20
で構成される出力マツチング回路等と高周波的に
分離され、回路上の干渉は生じない。
第5図は本考案に於ける第2の実施例を表す要
部回路図であり、第1図乃至第4図に関して説明
した部分と同部分は同記号で指示してある。
本実施例が第4図に関して説明した実施例と相
違する点は、バイアス用の抵抗とは別にアイソレ
ーシヨン用の抵抗27を設けたことである。
このようにすると、各抵抗の値を設定するにあ
たり自由度が増大することは云うまでもない。
第6図は本考案に於ける第3の実施例を表す要
部回路図であり、第1図乃至第5図に関して説明
した部分と同部分は同記号で指示してある。
図に於いて、29は印刷で形成されたエミツタ
抵抗を示している。
本実施例が第5図に関して説明した実施例と相
違する点は、アイソレーシヨン用の抵抗27に加
えて同じくアイソレーシヨン用の抵抗28を設け
たことである。
この実施例に於ける効果も基本的には第5図に
関して説明した実施例と変わりない。
考案の効果 本考案の高周波回路は、入力端に於いて信号源
インピーダンスと及び出力端に於いて負荷インピ
ーダンスとそれぞれ所要の整合を維持した混成集
積回路からなる高周波回路に於いて、前記入力端
と前記出力端との間に印刷配線回路にて形成され
た接続回路と、該接続回路の入力端側に近接して
接続された高インピーダンス素子並びに該接続回
路の出力端側に近接して接続された高インピーダ
ンス素子とを備えてなる構成を採つているので、
配線パターンは前記高インピーダンス素子に依つ
て入力、段間、出力の各マツチング回路とは高周
波的に分離された状態になつていて、該配線パタ
ーンに依るトラツプやマツチング不良等の問題は
発生しない。
また、そのような問題が発生しないことから、
配線パターンの長さに制限されることなくトラン
ジスタなどを配置することが可能であり、設計の
自由度は向上する。
尚、本考案を実施した場合、従来例に比較して
抵抗の数が多くなることは否定できないが、抵抗
は分割しただけであるから、印刷技術を適用して
抵抗を作製する場合には抵抗材料の使用量は従来
例と殆ど差がなく、また、一括して印刷すること
ができるので工数の点でも差がなく、欠点として
問題になるべきようなことではない。また、本考
案が第1図に示した従来例に関して列挙した利点
を全く同様に享受することができることは勿論で
ある。
【図面の簡単な説明】
第1図乃至第3図は従来例の要部回路図、第4
図乃至第6図は本考案のそれぞれ異なる実施例を
表す要部回路図である。 図に於いて、1は信号入力端子、2は信号出力
端子、3及び4は印刷で形成されたコンデンサ、
5はマイクロ・ストリツプ・ライン、6,7,
8,9は印刷で形成された抵抗、10及び11は
バイポーラ・トランジスタ、12及び13は印刷
で形成されたコンデンサ、14,15,16はマ
イクロ・ストリツプ・ライン、17は印刷で形成
されたコンデンサ、18,19,20はマイク
ロ・ストリツプ・ライン、21及び22は配線パ
ターン、23,24,25,26,27,28,
29は抵抗である。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 入力端に於いて信号源インピーダンスと及び出
    力端に於いて負荷インピーダンスとそれぞれ所要
    の整合を維持した混成集積回路からなる高周波回
    路に於いて、前記入力端と前記出力端との間に印
    刷配線回路にて形成された接続回路と、該接続回
    路の入力端側に近接して接続された高インピーダ
    ンス素子並びに該接続回路の出力端側に近接して
    接続された高インピーダンス素子とを備えてなる
    ことを特徴とする高周波回路。
JP17423983U 1983-11-12 1983-11-12 高周波回路 Granted JPS6082823U (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP17423983U JPS6082823U (ja) 1983-11-12 1983-11-12 高周波回路

Applications Claiming Priority (1)

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JP17423983U JPS6082823U (ja) 1983-11-12 1983-11-12 高周波回路

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Publication Number Publication Date
JPS6082823U JPS6082823U (ja) 1985-06-08
JPH0241928Y2 true JPH0241928Y2 (ja) 1990-11-08

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ID=30379373

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JP17423983U Granted JPS6082823U (ja) 1983-11-12 1983-11-12 高周波回路

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0758870B2 (ja) * 1985-10-26 1995-06-21 日本電気株式会社 低抗帰還形増幅器
JP5543790B2 (ja) * 2010-01-25 2014-07-09 住友電気工業株式会社 電子回路

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Publication number Publication date
JPS6082823U (ja) 1985-06-08

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