JPS61281708A - 広帯域増幅回路 - Google Patents
広帯域増幅回路Info
- Publication number
- JPS61281708A JPS61281708A JP12271285A JP12271285A JPS61281708A JP S61281708 A JPS61281708 A JP S61281708A JP 12271285 A JP12271285 A JP 12271285A JP 12271285 A JP12271285 A JP 12271285A JP S61281708 A JPS61281708 A JP S61281708A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- stage
- fet
- amplifier circuit
- fets
- gain
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、ＦＥＴを用いた広帯域増幅回路に関するもの
である。
である。
（従来の技術）
従来、ガリウム砒素（ＧａＡｓ）を用いたＦＥＴをコン
デンサを介して三段縦続に接続し、三段目のＦＥＴのド
レインと、一段目のＦＥＴのゲート間に、抵抗器を挿入
して負帰還をかけた広帯域増幅回路は、高周波用の高利
得増幅回路として知られている。
デンサを介して三段縦続に接続し、三段目のＦＥＴのド
レインと、一段目のＦＥＴのゲート間に、抵抗器を挿入
して負帰還をかけた広帯域増幅回路は、高周波用の高利
得増幅回路として知られている。
第４図にその回路図を示す。同図において、１は一段目
、２は二段目、３は三段目のＧａＡｓＦＥＴであり、４
はゲートバイアス抵抗器、５はドレインバイアス抵抗器
、６は結合コンデンサ、７は帰還抵抗器、８は帰還容量
、９はバイパスコンデンサ、１０は信号入力端子、１１
は直流バイアス端子、１２は信号出力端子である。第５
図は、第４図に示す増幅回路の周波数特性図である。
、２は二段目、３は三段目のＧａＡｓＦＥＴであり、４
はゲートバイアス抵抗器、５はドレインバイアス抵抗器
、６は結合コンデンサ、７は帰還抵抗器、８は帰還容量
、９はバイパスコンデンサ、１０は信号入力端子、１１
は直流バイアス端子、１２は信号出力端子である。第５
図は、第４図に示す増幅回路の周波数特性図である。
（発明が解決しようとする問題点）
上記の増幅回路を低ＮＦ設計する場合、一段目ＦＥＴの
ゲート幅を広くしなければならないため、第５図に示す
ように、ＩＧＨｚ以上の高周波領域での利得の低下が著
しく、ＳＨＦ帯受信機のＩＦ増幅器等のＪｌ、ＧＨｚ以
上の高周波での応用に対しては大きな問題であった。
ゲート幅を広くしなければならないため、第５図に示す
ように、ＩＧＨｚ以上の高周波領域での利得の低下が著
しく、ＳＨＦ帯受信機のＩＦ増幅器等のＪｌ、ＧＨｚ以
上の高周波での応用に対しては大きな問題であった。
本発明の目的は、従来の欠点を解消し、高周波領域にお
いても高い利得を有する広帯域増幅回路を提供すること
である。
いても高い利得を有する広帯域増幅回路を提供すること
である。
（問題点を解決するための手段）
本発明の広帯域増幅回路は、ＦＥＴをコンデンサを介し
て三段縦続に接続し、三段目のＦＥＴのドレインと一段
目のＦＥＴのゲート間に抵抗器を挿入して負帰還をかけ
るとともに一段目と二段目のＦＥＴ間、あるいは、二段
目と三段目のＦＥＴ間にコイルを挿入したものである。
て三段縦続に接続し、三段目のＦＥＴのドレインと一段
目のＦＥＴのゲート間に抵抗器を挿入して負帰還をかけ
るとともに一段目と二段目のＦＥＴ間、あるいは、二段
目と三段目のＦＥＴ間にコイルを挿入したものである。
（作 用）
上記の構成によって、高周波領域における利得のピーキ
ングを行ない、高周波帯域においても高い利得が得られ
ることとなる。
ングを行ない、高周波帯域においても高い利得が得られ
ることとなる。
（実施例）
本発明の一実施例を第１図ないし第３図に基づいて説明
する。
する。
第１図は本発明の広帯域増幅回路の回路図である。第１
図において、第４図の従来例と同じ部分については同一
番号を付し、その説明を省略する。
図において、第４図の従来例と同じ部分については同一
番号を付し、その説明を省略する。
また本実施例では、 ＦＥＴとして、ＧａＡｓＦＥＴを
使用している。
使用している。
同図において、各ＧａＡｓＦＥＴは、低ＮＦ、低消費電
流を達成するために、それぞれ１０００μｍ、２００μ
ｍ、２００μｍのゲート幅をもったものを用いている。
流を達成するために、それぞれ１０００μｍ、２００μ
ｍ、２００μｍのゲート幅をもったものを用いている。
ゲートバイアス抵抗器４は４にΩ、ドレインバイパス抵
抗器５は１５０Ωであり、結合コンデンサ６、およびバ
イパスコンデンサ９は共に２ｐＦである。また、負帰還
回路の抵抗器７およびコンデンサ８は、それぞれ１にΩ
、１ρＦである。そして一段目のＦＥＴ １と二段目の
ＦＥＴ ２との間に５ｎＨの値を有するピーキングコイ
ル１３を挿入する。
抗器５は１５０Ωであり、結合コンデンサ６、およびバ
イパスコンデンサ９は共に２ｐＦである。また、負帰還
回路の抵抗器７およびコンデンサ８は、それぞれ１にΩ
、１ρＦである。そして一段目のＦＥＴ １と二段目の
ＦＥＴ ２との間に５ｎＨの値を有するピーキングコイ
ル１３を挿入する。
第２図は、第１図の広帯域増幅回路の周波数特性図であ
る。従来の三段負帰還増幅回路に比べて、本発明の増幅
回路においては、工ないし２ＧＨｚの −周波数領域
において、利得のピーキングが行なわれている。このた
め、３ｄＢ利得が低下する帯域として、従来の１ないし
２ＧＨｚから２．８ＧＨｙ、へ、大幅な広帯域化、すな
わち、高周波領域における高利得化が達成されている６ 第３図は、第１図の回路をＧａＡｓを用いて集積化した
場合の増幅回路の利得の周波数特性図である。
る。従来の三段負帰還増幅回路に比べて、本発明の増幅
回路においては、工ないし２ＧＨｚの −周波数領域
において、利得のピーキングが行なわれている。このた
め、３ｄＢ利得が低下する帯域として、従来の１ないし
２ＧＨｚから２．８ＧＨｙ、へ、大幅な広帯域化、すな
わち、高周波領域における高利得化が達成されている６ 第３図は、第１図の回路をＧａＡｓを用いて集積化した
場合の増幅回路の利得の周波数特性図である。
モノリシック化を行なうことにより３ｄＢ利得が低下す
る帯域が、さらに３．５ＧＨｚまで広がっている。
る帯域が、さらに３．５ＧＨｚまで広がっている。
またピーキングコイル１３の値を自由に変更することに
より、ピーキング周波数およびピーキングの大きさのコ
ントロールが可能である。
より、ピーキング周波数およびピーキングの大きさのコ
ントロールが可能である。
なお、上記実施例においては、ピーキングコイルは、一
段目ＦＥＴと二段目のＦＥＴの間に挿入されていたが、
二段目のＦＥＴと三段目のＦＥＴの間に挿入してもよい
し、両方に挿入してもよい。
段目ＦＥＴと二段目のＦＥＴの間に挿入されていたが、
二段目のＦＥＴと三段目のＦＥＴの間に挿入してもよい
し、両方に挿入してもよい。
また、上記実施例においては、三段目のＦＥＴのドレイ
ンと一段目のＦＥＴのゲート間には、帰還抵抗器とコン
デンサが直列に接続されて挿入されているが、帰還抵抗
器だけでもよい。
ンと一段目のＦＥＴのゲート間には、帰還抵抗器とコン
デンサが直列に接続されて挿入されているが、帰還抵抗
器だけでもよい。
また、上記実施例においては、ＦＥＴとして、ＧａＡｓ
ＦＥＴの場合を説明したが、Ｓｉを用いたＦＥＴでもよ
いし、他の化合物半導体を用いたＦＥＴでも差支えない
。
ＦＥＴの場合を説明したが、Ｓｉを用いたＦＥＴでもよ
いし、他の化合物半導体を用いたＦＥＴでも差支えない
。
（発明の効果）
本発明によれば、増幅回路の一段目と二段目のＦＥＴ間
、あるいは、二段目と三段目のＦＥＴ間にコイルを挿入
して、高周波領域における利得のピーキングを行なうこ
とにより、高周波帯域においても高い利得が得られ、よ
り帯域の広い広帯域増幅回路の製作が容易に可能となり
、その実用的効果は大である。
、あるいは、二段目と三段目のＦＥＴ間にコイルを挿入
して、高周波領域における利得のピーキングを行なうこ
とにより、高周波帯域においても高い利得が得られ、よ
り帯域の広い広帯域増幅回路の製作が容易に可能となり
、その実用的効果は大である。
第１図は本発明の一実施例における広帯域増幅器の回路
図、第２図は同周波数特性図、第３図は同増幅回路をＧ
ａＡｓ集積化ＩＣで構成した場合の周波数特性、第４図
は従来の三段負帰還広帯域増幅回路の回路図、第５図は
同周波数特性図である。 １ ・・・一段目ＧａＡｓＦＥＴ、 ２− 二段目
ＧａＡｓＦＥＴ、３ ・・・三段目ＧａＡｓＦＥＴ、
４ ・・・ゲートバイアス抵抗器、 ５ ・・・ ドレ
インバイアス抵抗器。 ６ ・・・結合コンデンサ、 ７・・・帰還抵抗器、８
・・・帰還容量、 ９ ・・・バイパスコンデンサ、１
０・・・信号入力端子、１１・・・直流バイアス端子、
１２・・・信号出力端子、１３・・・ピーキングコイル
。 特許出願人 松下電器産業株式会社 第１図 第２図 第３図 則液敦（Ｇ七）
図、第２図は同周波数特性図、第３図は同増幅回路をＧ
ａＡｓ集積化ＩＣで構成した場合の周波数特性、第４図
は従来の三段負帰還広帯域増幅回路の回路図、第５図は
同周波数特性図である。 １ ・・・一段目ＧａＡｓＦＥＴ、 ２− 二段目
ＧａＡｓＦＥＴ、３ ・・・三段目ＧａＡｓＦＥＴ、
４ ・・・ゲートバイアス抵抗器、 ５ ・・・ ドレ
インバイアス抵抗器。 ６ ・・・結合コンデンサ、 ７・・・帰還抵抗器、８
・・・帰還容量、 ９ ・・・バイパスコンデンサ、１
０・・・信号入力端子、１１・・・直流バイアス端子、
１２・・・信号出力端子、１３・・・ピーキングコイル
。 特許出願人 松下電器産業株式会社 第１図 第２図 第３図 則液敦（Ｇ七）
Claims (1)
- 電界効果トランジスタ（以下ＦＥＴと略す）をコンデン
サを介して三段縦続に接続し、三段目のＦＥＴのドレイ
ンと一段目のＦＥＴのゲート間に抵抗器を挿入して負帰
還をかけるとともに、一段目と二段目のＦＥＴ間、ある
いは、二段目と三段目のＦＥＴ間にコイルを挿入してな
ることを特徴とする広帯域増幅回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12271285A JPS61281708A (ja) | 1985-06-07 | 1985-06-07 | 広帯域増幅回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12271285A JPS61281708A (ja) | 1985-06-07 | 1985-06-07 | 広帯域増幅回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61281708A true JPS61281708A (ja) | 1986-12-12 |
Family
ID=14842734
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12271285A Pending JPS61281708A (ja) | 1985-06-07 | 1985-06-07 | 広帯域増幅回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61281708A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0763886A1 (en) * | 1994-05-10 | 1997-03-19 | Ikeda, Takeshi | Tuned amplifier |
| JP2013185932A (ja) * | 2012-03-07 | 2013-09-19 | Mitsubishi Electric Corp | ミリ波送受信モジュール |
-
1985
- 1985-06-07 JP JP12271285A patent/JPS61281708A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0763886A1 (en) * | 1994-05-10 | 1997-03-19 | Ikeda, Takeshi | Tuned amplifier |
| EP0763886A4 (en) * | 1994-05-10 | 1997-09-10 | Takeshi Ikeda | TUNED AMPLIFIER |
| JP2013185932A (ja) * | 2012-03-07 | 2013-09-19 | Mitsubishi Electric Corp | ミリ波送受信モジュール |
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