JP2013185932A - ミリ波送受信モジュール - Google Patents

Abstract

【課題】高周波回路部の回路規模を縮減して低コスト化を図ることが可能なミリ波送受信モジュールを得ること。
【解決手段】ベースバンドアンプ回路の初段回路を、第１のトランジスタ６１１を具備した第１の反転回路６１と、第２のトランジスタ６２１を具備した第２の反転回路６２と、第３のトランジスタ６３１を具備した第１の非反転回路６３とを備え構成することにより、低雑音増幅器としての機能を兼ね備え、低入力インピーダンス且つ高利得な特性を有するものとし、従来、高周波回路部の一構成要素としてＭＭＩＣあるいは他の構成要素を形成するＭＭＩＣの一部として組み込まれていたＬＮＡ（低雑音増幅器）を削除可能とした。
【選択図】図３

Description

本発明は、ミリ波の電波を送受信する装置で用いられるミリ波送受信モジュールに関する。

車載用ミリ波レーダは、ミリ波帯の電磁波を使用し、前方の車両との距離・速度の検知によるクルーズコントロールや衝突不可避時のドライバーへの被害軽減などの安全性対策に適用されている。このミリ波レーダは、前方に向けて放射した電波が先行車両にあたって戻ってくる受信波と送信波との差からビート周波数を求め、そのビート周波数を使って目標までの距離および相対速度を算出する。

このような車載用ミリ波レーダで用いられるミリ波送受信モジュールとしては、例えば、受信アンテナの受信信号を高周波回路部上に構成された低雑音増幅器（ＬＮＡ：Ｌｏｗ Ｎｏｉｓｅ Ａｍｐｌｉｆｉｅｒ）により低雑音増幅し、ＬＮＡから出力される受信波と電圧制御発振器（ＶＣＯ：Ｖｏｌｔａｇｅ Ｃｏｎｔｒｏｌｌｅｄ Ｏｓｃｉｌｌａｔｏｒ）から出力される送信波との周波数差の信号（ビート信号）を発生してビデオ増幅器に送るように構成されている（例えば、特許文献１）。

特開２０１０−１６９６９７号公報

上記従来技術を含め、ミリ波送受信モジュールの高周波回路部は、一般に、各構成部がヒ化ガリウム（ＧａＡｓ：Ｇａｌｌｉｕｍ Ａｒｓｅｎｉｄｅ）半導体により形成されるモノリシックマイクロ波集積回路（ＭＭＩＣ：Ｍｏｎｏｌｉｔｈｉｃ Ｍｉｃｒｏｗａｖｅ Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ）で構成されている。このＭＭＩＣは、シリコン（Ｓｉ：Ｓｉｌｉｃｏｎ）系半導体により形成されるＩＣ（以下、「Ｓｉ系ＩＣ」という）よりも高速動作が可能である半面、Ｓｉ系ＩＣよりも高価であり、ミリ波送受信モジュール全体の低コスト化の足枷となっており、その回路規模縮減が命題となっている。

本発明は、上記に鑑みてなされたものであって、高周波回路部の回路規模を縮減して低コスト化を図ることが可能なミリ波送受信モジュールを提供することを目的とする。

上述した課題を解決し、目的を達成するため、本発明にかかるミリ波送受信モジュールは、変調信号に基づいて周波数変調されたミリ波の送信波を送信すると共に、前記送信波と目標から戻ってくる受信波との周波数差に対応するビート信号を生成する高周波回路部と、前記ビート信号を増幅するベースバンドアンプ回路を具備した低周波回路部と、前記変調信号を前記高周波回路部に出力するとともに、前記ビート信号を信号処理する信号処理部とを備えるミリ波送受信モジュールにおいて、前記ベースバンドアンプ回路は、複数段の増幅回路からなり、高電位制御電源および低電位制御電源に接続されて動作し、前記複数段の増幅回路のうちの初段回路は、コレクタ端子がコレクタ抵抗を介して前記高電位電源に接続され、エミッタ端子が前記低電位制御電源に接続され、ベース端子にベース抵抗を介して前記ビート信号が入力される第１のトランジスタを具備した第１の反転回路と、コレクタ端子がコレクタ抵抗を介して前記高電位電源に接続され、エミッタ端子がエミッタ抵抗を介して低電位制御電源に接続されると共に、抵抗を介して前記第１のトランジスタのベース端子に接続され、ベース端子が前記第１のトランジスタのコレクタ端子に接続された第２のトランジスタを具備した第２の反転回路と、コレクタ端子が前記高電位電源に接続され、エミッタ端子がエミッタ抵抗を介して前記低電位制御電源に接続され、ベース端子がベース入力抵抗を介して前記第２のトランジスタのコレクタ端子に接続されると共に、コンデンサを介して前記低電位制御電源に接続された第３のトランジスタを具備した第１の非反転回路と、を備えることを特徴とする。

本発明によれば、高周波回路部の回路規模を縮減して低コスト化を図ることが可能なミリ波送受信モジュールを得ることが可能となる、という効果を奏する。

図１は、実施の形態１にかかるミリ波送受信モジュールの一構成例を示す図である。 図２は、図１に示す構成のベースとなる従来のミリ波送受信モジュールの構成を示す図である。 図３は、実施の形態１にかかるミリ波送受信モジュールにおけるベースバンドアンプ回路の初段回路の構成の一例を示す図である。 図４は、実施の形態２にかかるミリ波送受信モジュールの一構成例を示す図である。 図５は、図４に示す構成のベースとなる従来のミリ波送受信モジュールの構成を示す図である。 図６は、実施の形態３にかかるミリ波送受信モジュールにおけるベースバンドアンプ回路の初段回路の構成の一例を示す図である。 図７は、実施の形態４にかかるミリ波送受信モジュールの一構成例を示す図である。 図８は、実施の形態５にかかるミリ波送受信モジュールの一構成例を示す図である。

以下に添付図面を参照し、本発明の実施の形態にかかるミリ波送受信モジュールについて説明する。なお、以下に示す実施の形態により本発明が限定されるものではない。

実施の形態１．
図１は、実施の形態１にかかるミリ波送受信モジュールの一構成例を示す図である。なお、ここでは、ＦＭ−ＣＷ（周波数変調連続波：Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ Ｍｏｄｕｌａｔｅｄ Ｃｏｎｔｉｎｕｏｕｓ Ｗａｖｅ）ミリ波送受信モジュールへの適用例について説明する。

図１に示す実施の形態１にかかるミリ波送受信モジュールは、送信アンテナ（Ｔｘ）１と複数の受信アンテナ（Ｒｘ）２−１〜２−ｎとが接続される高周波回路部１２およびベースバンドアンプ回路６−１〜６−ｎとチャネル切替回路（ＳＷ）２３とを具備する低周波回路部１３を備える送受信部１４と、信号処理部１５とを備えている。

高周波回路部１２は、基本要素として、信号処理部１５から送信指令（三角波電圧信号）であるＶＣＯ変調電圧を受けて周波数変調された高周波信号を発生する電圧制御発振器（ＶＣＯ）４と、ＶＣＯ４が出力する高周波信号の大部分を送信アンテナ１に与え、残りをミキサ５にローカル信号として与える方向性結合器３と、受信アンテナ２−１〜２−ｎの受信信号をローカル信号によって周波数変換（ダウンコンバート）するミキサ５−１〜５−ｎとを備えている。その他、方向性結合器３と送信アンテナ１との間のアンプ回路２１、ＶＣＯ４と方向性結合器３との間のアンプ回路２２、および方向性結合器３とミキサ５−１〜５−ｎとの間のアンプ回路２４等を備えている。なお、高周波回路部１２を構成する各要素は、ＭＭＩＣで構成されている。

ベースバンドアンプ回路６−１〜６−ｎは、ミキサ５−１〜５−ｎの変換出力を増幅してチャネル切替回路２３に与える。

チャネル切替回路２３は、ベースバンドアンプ回路６−１〜６−ｎの出力を切り替えて信号処理部１５に与える。

信号処理部１５は、ＦＭ−ＣＷレーダにおける送信処理と計測処理とを主に行う主回路部（マイコン）９と、マイコン９からの送信指令（三角波電圧信号）をアナログ信号に変換し高周波回路部１２のＶＣＯ４に与えるディジタルアナログ（Ｄ／Ａ）変換器（ＤＡＣ）７と、チャネル切替回路２３からの受信信号をディジタル信号に変換しマイコン９に与えるアナログディジタル（Ａ／Ｄ）変換器（ＡＤＣ）８とを備えている。マイコン９には、周囲温度を取り込む周囲温度モニタ１０が接続されている。なお、ベースバンドアンプ回路６−１〜６−ｎ、チャネル切替回路２３、および信号処理部１５を構成する各要素は、ＭＭＩＣよりも低価格な、例えば、Ｓｉ系半導体により構成されたＩＣで構成されている。

つぎに、本実施の形態１にかかるミリ波送受信モジュールの概略動作について説明する。制御回路１１は、マイコン９の制御下において、高周波回路部１２内の各ＭＭＩＣに供給する各種の制御電圧を制御する。具体的には、高周波回路部１２内の各ＭＭＩＣは、製造ロットによってばらつきがあるので、当該モジュールの製品毎に、個々に調整して決定した制御電圧値をマイコン９内の不揮発性メモリに格納しておき、実際の運用時にマイコン９が不揮発性メモリから読み出し制御回路１１を介して高周波回路部１２内の各ＭＭＩＣに供給するようになっている。

ＶＣＯ４は、信号処理回路１５から三角波電圧信号であるＶＣＯ変調電圧を受けて、周波数が一定期間内に上昇する上昇変調信号と一定期間内に下降する下降変調信号とからなる高周波信号であるＦＭ−ＣＷ信号を発生する。このＦＭ−ＣＷ信号の大部分が方向性結合器３から送信アンテナ１に供給され、送信アンテナ１からミリ波電波（送信波）が目標物に向けて照射される。また、残りのＦＭ−ＣＷ信号はローカル信号としてミキサ５−１〜５−ｎに供給される。受信アンテナ２−１〜２−ｎに捕捉された目標物での反射波は、受信信号（受信波）としてミキサ５−１〜５−ｎに入力される。ミキサ５−１〜５−ｎは、受信アンテナ２−１〜２−ｎからの受信信号と方向性結合器３からのローカル信号とをミキシングし、両者の周波数差を周波数に持つビート信号を出力する。このビート信号は、ベースバンドアンプ回路６−１〜６−ｎにて適宜レベルに増幅され、チャネル切替回路２３にて切り替えられた後に、Ａ／Ｄ変換器８を介してマイコン９に入力される。マイコン９は、入力したビート信号における上昇変調期間での周波数と下降変調期間での周波数とから、目標物体までの距離と目標物体の移動速度とを求める。

図２は、図１に示す構成のベースとなる従来のミリ波送受信モジュールの構成を示す図である。図２に示す従来のミリ波送受信モジュールの構成では、高周波回路部１２の一構成要素として、受信アンテナ２−１〜２−ｎの受信信号を低雑音増幅するＬＮＡ２５−１〜２５−ｎを有する構成となっている。

上述したように、高周波回路部１２の各構成要素は、Ｓｉ系ＩＣよりも高価なＭＭＩＣで構成される。つまり、従来のミリ波送受信モジュールの一構成要素であるＬＮＡ２５−１〜２５−ｎも、ＭＭＩＣあるいは他の構成要素を形成するＭＭＩＣの一部として組み込まれることとなる。

本実施の形態では、図１に示すように、図２に示す従来のミリ波送受信モジュールの構成からＬＮＡ２５−１〜２５−ｎを削除することにより、高周波回路部１２の回路規模を縮減して、ミリ波送受信モジュールの低コスト化を図るものである。

図３は、実施の形態１にかかるミリ波送受信モジュールにおけるベースバンドアンプ回路の初段回路の構成の一例を示す図である。ＬＮＡを削除する際の課題としては、利得の低下に加え、雑音指数（ＮＦ：Ｎｏｉｓｅ Ｆｉｇｕｒｅ）特性の悪化が挙げられる。

ベースバンドアンプ回路は、複数段の増幅回路により構成され、これらの増幅回路は、オペアンプにより構成されるのが一般的であるが、複数段の増幅回路のトータルでのＮＦ特性を向上させるためには、初段回路のＮＦを低く抑え、且つ、利得を極力高く設定する必要がある。本実施の形態では、図３に示すように、ベースバンドアンプ回路６−１〜６−ｎの初段回路を、４つのトランジスタ素子により構成し、入力インピーダンスを１００Ω程度に抑えると共に、３０ｄＢ以上の適切な利得を持たせることにより、ベースバンドアンプ回路６−１〜６−ｎのＮＦ特性の向上を図っている。

図３に示すように、本実施の形態にかかるミリ波送受信モジュールにおけるベースバンドアンプ回路の初段回路は、コレクタ端子がコレクタ抵抗６１２を介して高電位電源（以下、「ＶＣＣ」という）に接続され、エミッタ端子が低電位制御電源（以下、「ＶＥＥ」という）に接続され、ベース端子にベース抵抗６１３を介してビート信号が入力される第１のトランジスタ６１１を具備した第１の反転回路６１と、コレクタ端子がコレクタ抵抗６２２を介してＶＣＣに接続され、エミッタ端子がエミッタ抵抗６２３を介してＶＥＥに接続されると共に、抵抗６２４を介して第１のトランジスタ６１のベース端子に接続され、ベース端子が第１のトランジスタ６１のコレクタ端子に接続された第２のトランジスタ６２１を具備した第２の反転回路６２と、コレクタ端子がＶＣＣに接続され、エミッタ端子がエミッタ抵抗６３２を介してＶＥＥに接続され、ベース端子が第２のトランジスタ６２のコレクタ端子に接続された第３のトランジスタ６３１を具備した第１の非反転回路６３と、コレクタ端子がＶＣＣに接続され、エミッタ端子がエミッタ抵抗６４２を介してＶＥＥに接続され、ベース端子が第３のトランジスタ６３１のエミッタ端子に接続された第４のトランジスタ６４１を具備した第２の非反転回路６４と、を備えている。なお、ベースバンドアンプ回路６−１〜６−ｎの後段回路には、ベースバンドアンプ回路全体に必要な利得に対して、初段回路の利得での不足分を補うための増幅回路が配置されるが、当該後段回路には低ＮＦ回路は不要であり、一般的なオペアンプ構成を適用できることは言うまでもない。

このような構成とすることにより、ベースバンドアンプ回路６−１〜６−ｎに低雑音増幅器としての機能を兼ね備え、低入力インピーダンス且つ高利得な特性を有するものとすることができ、図２に示す従来の構成から、高周波回路部１２の一構成要素としてＭＭＩＣあるいは他の構成要素を形成するＭＭＩＣの一部として組み込まれていたＬＮＡ２５−１〜２５−ｎを削除することができ、高周波回路部１２の回路規模の縮減およびミリ波送受信モジュールの低コスト化を達成することができる。

また、図２に示す従来の構成では、各受信ｃｈ毎にＬＮＡ２５−１〜２５−ｎを有するため、各受信ｃｈ間の偏差やトラッキング特性等の相対ばらつきが発生するが、図１に示す本実施の形態にかかる構成では、ベースバンドアンプ回路６−１〜６−ｎを１つのパッケージ内に集積化することにより、上述した各受信ｃｈ間の相対ばらつきを抑制することができる。

以上説明したように、実施の形態１のミリ波送受信モジュールによれば、ベースバンドアンプ回路の初段回路を、４つのトランジスタ素子により構成し、入力インピーダンスを低下させると共に高利得化を図り、ベースバンドアンプ回路のＮＦ特性の向上を図るようにしたので、ベースバンドアンプ回路に低雑音増幅器としての機能を兼ね備え、低入力インピーダンス且つ高利得な特性を有するものとすることができ、従来、高周波回路部の一構成要素としてＭＭＩＣあるいは他の構成要素を形成するＭＭＩＣの一部として組み込まれていたＬＮＡを削除することによる高周波回路部の回路規模の縮減と、これに伴うミリ波送受信モジュールの低コスト化とを実現することが可能となる。

また、ベースバンドアンプ回路を１つのパッケージ内に集積化することにより、従来の構成において各受信ｃｈ毎にＬＮＡを有することによる各受信ｃｈ間の偏差やトラッキング特性等の相対ばらつきを抑制することができる。

実施の形態２．
図４は、実施の形態２にかかるミリ波送受信モジュールの一構成例を示す図である。なお、実施の形態１と同一または同等の構成部には同一符号を付して、その詳細な説明は省略する。

図４に示す実施の形態２にかかるミリ波送受信モジュールの構成では、実施の形態１において図１を用いて説明した構成に対して、チャネル切替回路２３を受信アンテナ２−１〜２−ｎの後段に設けている点が異なっている。このため、ミキサ５およびベースバンドアンプ回路６がそれぞれ１つとなり、方向性結合器３とミキサ５との間のアンプ回路が不要となる。

図５は、図４に示す構成のベースとなる従来のミリ波送受信モジュールの構成を示す図である。図５に示す従来のミリ波送受信モジュールの構成では、高周波回路部１２の一構成要素として、チャネル切替回路２３により切り替えられた受信信号を低雑音増幅するＬＮＡ２５を有する構成となっている。

本実施の形態においても、実施の形態１と同様に、図５に示す従来のミリ波送受信モジュールの構成からＬＮＡ２５を削除した構成（図４）とするため、ベースバンドアンプ回路６の初段回路を図３に示す構成とすることにより、ベースバンドアンプ回路６のＮＦ特性の向上を図っている。

このような構成とすることにより、実施の形態１と同様に、ベースバンドアンプ回路６に低雑音増幅器としての機能を兼ね備え、低入力インピーダンス且つ高利得な特性を有するものとすることができ、図５に示す従来の構成から、高周波回路部１２の一構成要素としてＭＭＩＣあるいは他の構成要素を形成するＭＭＩＣの一部として組み込まれていたＬＮＡ２５を削除することができ、高周波回路部１２の回路規模の縮減およびミリ波送受信モジュールの低コスト化を達成することができる。

以上説明したように、実施の形態２のミリ波送受信モジュールによれば、実施の形態１と同様に、ベースバンドアンプ回路の初段回路を、４つのトランジスタ素子により構成し、入力インピーダンスを低下させると共に高利得化を図り、ベースバンドアンプ回路のＮＦ特性の向上を図るようにしたので、ベースバンドアンプ回路に低雑音増幅器としての機能を兼ね備え、低入力インピーダンス且つ高利得な特性を有するものとすることができ、従来、高周波回路部の一構成要素としてＭＭＩＣあるいは他の構成要素を形成するＭＭＩＣの一部として組み込まれていたＬＮＡを削除することによる高周波回路部の回路規模の縮減と、これに伴うミリ波送受信モジュールの低コスト化とを実現することが可能となる。

実施の形態３．
図６は、実施の形態３にかかるミリ波送受信モジュールにおけるベースバンドアンプ回路の初段回路の構成の一例を示す図である。なお、実施の形態３にかかるミリ波送受信モジュールの構成は、実施の形態１あるいは実施の形態２にかかるミリ波送受信モジュールの構成と同一であるので、ここでは説明を省略する。

図６に示すベースバンドアンプ回路の初段回路の構成では、実施の形態１において図３を用いて説明した構成に対して、ベースバンドアンプ回路の入力部である第１のトランジスタ６１のベース端子に破線で囲う妨害波除去用のコンデンサ６１４を追加した点が異なっている。

ベースバンドアンプ回路６のＮＦ特性の向上のために入力インピーダンスを低下させた場合、イミュニティ耐性の劣化が懸念される。したがって、本実施の形態では、ベースバンドアンプ回路６の初段回路の入力部である第１のトランジスタ６１のベース端子に妨害波除去用のコンデンサ６１４を追加することにより、イミュニティ耐性の向上を図り、ＮＦ特性とイミュニティ耐性とを両立させる構成としている。

以上説明したように、実施の形態３のミリ波送受信モジュールによれば、ベースバンドアンプ回路の入力部である第１のトランジスタのベース端子に妨害波除去用のコンデンサを追加することにより、イミュニティ耐性の向上を図るようにしたので、ＮＦ特性とイミュニティ耐性とを両立させることができる。

実施の形態４．
図７は、実施の形態４にかかるミリ波送受信モジュールの一構成例を示す図である。本実施の形態では、実施の形態１および実施の形態３において説明した図１に示す構成において、図７において破線で囲うベースバンドアンプ回路６−１〜６−ｎ、チャネル切替回路２３、およびＡ／Ｄ変換器８を１つのパッケージ内に集積化している。

このようにベースバンドアンプ回路６−１〜６−ｎ、チャネル切替回路２３、およびＡ／Ｄ変換器８を１つのパッケージ内に集積化することにより、図１に示す構成よりもミリ波送受信モジュールの回路面積を削減することができ、さらなる低コスト化を実現することができる。

以上説明したように、実施の形態４のミリ波送受信モジュールによれば、ベースバンドアンプ回路、チャネル切替回路、およびＡ／Ｄ変換器を１つのパッケージ内に集積化することにより、図１に示す構成よりもミリ波送受信モジュールの回路面積を削減することができ、さらなる低コスト化を実現することが可能となる。

実施の形態５．
図８は、実施の形態５にかかるミリ波送受信モジュールの一構成例を示す図である。本実施の形態では、実施の形態２および実施の形態３において説明した図２に示す構成において、図８において破線で囲うベースバンドアンプ回路６およびＡ／Ｄ変換器８を１つのパッケージ内に集積化している。

このようにベースバンドアンプ回路６およびＡ／Ｄ変換器８を１つのパッケージ内に集積化することにより、図２に示す構成よりもミリ波送受信モジュールの回路面積を削減することができ、さらなる低コスト化を実現することができる。

以上説明したように、実施の形態４のミリ波送受信モジュールによれば、ベースバンドアンプ回路およびＡ／Ｄ変換器を１つのパッケージ内に集積化することにより、図２に示す構成よりもミリ波送受信モジュールの回路面積を削減することができ、さらなる低コスト化を実現することが可能となる。

なお、上述した実施の形態では、受信アンテナを複数有する構成について説明したが、受信アンテナの数は１つであっても同様の効果が得られることは言うまでもない。

また、上述した実施の形態では、ベースバンドアンプ回路を第１および第２の反転回路と第１および第２の非反転回路とにより構成する例について説明したが、後段の増幅回路の構成やゲイン設計に応じて、第２の非反転回路のない構成とすることも可能であり、上述した実施の形態と同様の効果を得られることは言うまでもない。

また、以上の実施の形態に示した構成は、本発明の構成の一例であり、別の公知の技術と組み合わせることも可能であるし、本発明の要旨を逸脱しない範囲で、一部を省略する等、変更して構成することも可能であることは言うまでもない。

１ 送信アンテナ
２−１〜２−ｎ 受信アンテナ
３ 方向性結合器
４ 電圧制御発振器（ＶＣＯ）
５，５−１〜５−ｎ ミキサ
６，６−１〜６−ｎ ベースバンドアンプ回路
７ ディジタルアナログ変換器（ＤＡＣ）
８ アナログディジタル変換器（ＡＤＣ）
９ 主回路部（マイコン）
１０ 周囲温度モニタ
１１ 制御回路
１２ 高周波回路部
１３ 低周波回路部
１４ 送受信部
１５ 信号処理部
２１，２２，２４ アンプ回路
２３ チャネル切替回路（ＳＷ）
２５，２５−１〜２５−ｎ ＬＮＡ
６１ 第１の反転回路
６２ 第２の反転回路
６３ 第１の非反転回路
６４ 第２の非反転回路
６１１ 第１のトランジスタ
６１２ コレクタ抵抗（第１のトランジスタ）
６１３ ベース入力抵抗（第１のトランジスタ）
６１４ 妨害波除去用コンデンサ
６２１ 第２のトランジスタ
６２２ コレクタ抵抗（第２のトランジスタ）
６２３ エミッタ抵抗（第２のトランジスタ）
６２４ 抵抗
６３１ 第３のトランジスタ
６３２ エミッタ抵抗（第３のトランジスタ）
６３３ ベース入力抵抗（第３のトランジスタ）
６３４ コンデンサ
６４１ 第４のトランジスタ
６４２ エミッタ抵抗（第４のトランジスタ）

Claims (7)

1. 変調信号に基づいて周波数変調されたミリ波の送信波を送信すると共に、前記送信波と目標から戻ってくる受信波との周波数差に対応するビート信号を生成する高周波回路部と、前記ビート信号を増幅するベースバンドアンプ回路を具備した低周波回路部と、前記変調信号を前記高周波回路部に出力するとともに、前記ビート信号を信号処理する信号処理部とを備えるミリ波送受信モジュールにおいて、
   前記ベースバンドアンプ回路は、複数段の増幅回路からなり、高電位制御電源および低電位制御電源に接続されて動作し、
   前記複数段の増幅回路のうちの初段回路は、
   コレクタ端子がコレクタ抵抗を介して前記高電位電源に接続され、エミッタ端子が前記低電位制御電源に接続され、ベース端子にベース抵抗を介して前記ビート信号が入力される第１のトランジスタを具備した第１の反転回路と、
   コレクタ端子がコレクタ抵抗を介して前記高電位電源に接続され、エミッタ端子がエミッタ抵抗を介して低電位制御電源に接続されると共に、抵抗を介して前記第１のトランジスタのベース端子に接続され、ベース端子が前記第１のトランジスタのコレクタ端子に接続された第２のトランジスタを具備した第２の反転回路と、
   コレクタ端子が前記高電位電源に接続され、エミッタ端子がエミッタ抵抗を介して前記低電位制御電源に接続され、ベース端子がベース入力抵抗を介して前記第２のトランジスタのコレクタ端子に接続されると共に、コンデンサを介して前記低電位制御電源に接続された第３のトランジスタを具備した第１の非反転回路と、
   を備える
   ことを特徴とするミリ波送受信モジュール。
2. 前記初段回路は、コレクタ端子が前記高電位電源に接続され、エミッタ端子がエミッタ抵抗を介して前記低電位制御電源に接続され、ベース端子が前記第３のトランジスタのエミッタ端子に接続された第４のトランジスタを具備した第２の非反転回路をさらに備えることを特徴とする請求項１に記載のミリ波送受信モジュール。
3. 前記高周波回路部は、各構成要素がＧａＡｓ半導体により形成されたことを特徴とする請求項１または２に記載のミリ波送受信モジュール。
4. 前記ベースバンドアンプ回路の初段回路は、前記第１のトランジスタのベース端子に妨害波除去用のコンデンサが接続されたことを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載のミリ波送受信モジュール。
5. 前記高周波回路部は、前記送信波と複数の受信アンテナにより受信した複数の前記受信波とのそれぞれの周波数差に対応する複数のビート信号を生成し、
   前記ベースバンドアンプ回路は、前記複数のビート信号をそれぞれ増幅し、
   前記制御部は、
   前記複数のビート信号を切り替えて前記信号処理部に与えるチャネル切替回路を備える
   ことを特徴とする請求項１〜４のいずれか一項に記載のミリ波送受信モジュール。
6. 前記高周波回路部は、複数の受信アンテナにより受信した複数の前記受信波を切り替えるチャネル切替回路を備えることを特徴とする請求項１〜４のいずれか一項に記載のミリ波送受信モジュール。
7. 前記信号処理部は、前記ビート信号をディジタル信号に変換するアナログディジタル変換器を備え、
   少なくとも前記ベースバンドアンプ回路と前記アナログディジタル変換器とを集積化したことを特徴とする請求項１〜６のいずれか一項に記載のミリ波送受信モジュール。

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