JP5713940B2 - ミリ波送受信モジュール - Google Patents
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Description
図1は、実施の形態1にかかるミリ波送受信モジュールの一構成例を示す図である。なお、ここでは、FM−CW(周波数変調連続波:Frequency Modulated Continuous Wave)ミリ波送受信モジュールへの適用例について説明する。
図4は、実施の形態2にかかるミリ波送受信モジュールの一構成例を示す図である。なお、実施の形態1と同一または同等の構成部には同一符号を付して、その詳細な説明は省略する。
図6は、実施の形態3にかかるミリ波送受信モジュールにおけるベースバンドアンプ回路の初段回路の構成の一例を示す図である。なお、実施の形態3にかかるミリ波送受信モジュールの構成は、実施の形態1あるいは実施の形態2にかかるミリ波送受信モジュールの構成と同一であるので、ここでは説明を省略する。
図7は、実施の形態4にかかるミリ波送受信モジュールの一構成例を示す図である。本実施の形態では、実施の形態1および実施の形態3において説明した図1に示す構成において、図7において破線で囲うベースバンドアンプ回路6−1〜6−n、チャネル切替回路23、およびA/D変換器8を1つのパッケージ内に集積化している。
図8は、実施の形態5にかかるミリ波送受信モジュールの一構成例を示す図である。本実施の形態では、実施の形態2および実施の形態3において説明した図2に示す構成において、図8において破線で囲うベースバンドアンプ回路6およびA/D変換器8を1つのパッケージ内に集積化している。
2−1〜2−n 受信アンテナ
3 方向性結合器
4 電圧制御発振器(VCO)
5,5−1〜5−n ミキサ
6,6−1〜6−n ベースバンドアンプ回路
7 ディジタルアナログ変換器(DAC)
8 アナログディジタル変換器(ADC)
9 主回路部(マイコン)
10 周囲温度モニタ
11 制御回路
12 高周波回路部
13 低周波回路部
14 送受信部
15 信号処理部
21,22,24 アンプ回路
23 チャネル切替回路(SW)
25,25−1〜25−n LNA
61 第1の反転回路
62 第2の反転回路
63 第1の非反転回路
64 第2の非反転回路
611 第1のトランジスタ
612 コレクタ抵抗(第1のトランジスタ)
613 ベース入力抵抗(第1のトランジスタ)
614 妨害波除去用コンデンサ
621 第2のトランジスタ
622 コレクタ抵抗(第2のトランジスタ)
623 エミッタ抵抗(第2のトランジスタ)
624 抵抗
631 第3のトランジスタ
632 エミッタ抵抗(第3のトランジスタ)
633 ベース入力抵抗(第3のトランジスタ)
634 コンデンサ
641 第4のトランジスタ
642 エミッタ抵抗(第4のトランジスタ)
Claims (7)
- 変調信号に基づいて周波数変調されたミリ波を送信して送信波と目標から戻ってくる受信波との周波数差に対応するビート信号を生成する高周波回路部と、該ビート信号を増幅するベースバンドアンプ回路を具備する低周波回路部と、前記変調信号を前記高周波回路部に出力して前記ビート信号を処理する信号処理部とを備えるミリ波送受信モジュールにおいて、
複数段の増幅回路を有する前記ベースバンドアンプ回路は、高電位制御電源及び低電位制御電源に接続され、
前記複数段の増幅回路の初段回路は、第1のトランジスタを具備する第1の反転回路と、第2のトランジスタを具備する第2の反転回路と、第3のトランジスタを具備する第1の非反転回路とを備え、
前記第1のトランジスタのコレクタ端子は第1のコレクタ抵抗を介して前記高電位制御電源に接続され、
前記第1のトランジスタのエミッタ端子は前記低電位制御電源に接続され、
前記第1のトランジスタのベース端子はベース抵抗を介して前記ビート信号が入力される入力端子に接続され、
前記第2のトランジスタのコレクタ端子は第2のコレクタ抵抗を介して前記高電位制御電源に接続され、
前記第2のトランジスタのエミッタ端子は第1のエミッタ抵抗を介して前記低電位制御電源に接続され、且つ前記ベース抵抗とは異なる抵抗を介して前記第1のトランジスタのベース端子に接続され、
前記第2のトランジスタのベース端子は前記第1のトランジスタのコレクタ端子に接続され、
前記第3のトランジスタのコレクタ端子は前記高電位制御電源に接続され、
前記第3のトランジスタのエミッタ端子は第2のエミッタ抵抗を介して前記低電位制御電源に接続され、
前記第3のトランジスタのベース端子は前記第2のトランジスタのコレクタ端子に接続されていることを特徴とするミリ波送受信モジュール。 - 前記初段回路は、第4のトランジスタを具備する第2の非反転回路を備え、
前記第4のトランジスタのコレクタ端子は前記高電位制御電源に接続され、
前記第4のトランジスタのエミッタ端子は第3のエミッタ抵抗を介して前記低電位制御電源に接続され、
前記第4のトランジスタのベース端子は前記第3のトランジスタのエミッタ端子に接続されていることを特徴とする請求項1に記載のミリ波送受信モジュール。 - 前記高周波回路部を構成する半導体素子は、GaAs半導体により形成されていることを特徴とする請求項1または2に記載のミリ波送受信モジュール。
- 前記初段回路は、前記第1のトランジスタのベース端子に妨害波除去用のコンデンサが接続されていることを特徴とする請求項1から3のいずれか一項に記載のミリ波送受信モジュール。
- 前記高周波回路部は、前記送信波と複数の受信アンテナにより受信した複数の前記受信波との各々の周波数差に対応する複数のビート信号を生成し、
前記ベースバンドアンプ回路は、前記複数のビート信号を各々増幅し、
前記低周波回路部は、前記複数のビート信号を切り替えて前記信号処理部に与えるチャネル切替回路を備えることを特徴とする請求項1から4のいずれか一項に記載のミリ波送受信モジュール。 - 前記高周波回路部は、複数の受信アンテナにより受信した複数の前記受信波を切り替えるチャネル切替回路を備えることを特徴とする請求項1から4のいずれか一項に記載のミリ波送受信モジュール。
- 前記信号処理部は、前記ビート信号をディジタル信号に変換するアナログディジタル変換器を備え、
少なくとも前記ベースバンドアンプ回路及び前記アナログディジタル変換器は、集積化されていることを特徴とする請求項1から6のいずれか一項に記載のミリ波送受信モジュール。
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