JPH05226942A - 中間周波増幅器 - Google Patents
中間周波増幅器Info
- Publication number
- JPH05226942A JPH05226942A JP4023501A JP2350192A JPH05226942A JP H05226942 A JPH05226942 A JP H05226942A JP 4023501 A JP4023501 A JP 4023501A JP 2350192 A JP2350192 A JP 2350192A JP H05226942 A JPH05226942 A JP H05226942A
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- JP
- Japan
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- feedback resistor
- effect transistor
- value
- impedance
- signal source
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 利得の周波数特性が平坦、あるいは使用周波
数の高域側で利得が高くなる中間周波増幅器を提供する
ことを目的とする。 【構成】 本発明の中間周波増幅器は、ソース接地され
た第１の電界効果型トランジスタと第１の帰還抵抗とで
構成される前段増幅器と、ソース接地された第２の電界
効果型トランジスタと第２の帰還抵抗とで構成される後
段増幅器とからなり、第１の電界効果型トランジスタの
ゲート端子とドレイン端子間には第１の帰還抵抗が接続
され、第２の電界効果型トランジスタのゲート端子とド
レイン端子間には第２の帰還抵抗が接続され、負荷イン
ピーダンスの値を信号源インピーダンスの値よりも小さ
くし、第１の帰還抵抗の抵抗値を信号源インピーダンス
の値の１.５倍よりも小さく、かつ負荷インピーダンス
の値の２倍よりも大きくし、第２の帰還抵抗の抵抗値を
第１の帰還抵抗の抵抗値よりも充分に大きく選ぶ、とい
う構成を備えた中間周波増幅器である。
数の高域側で利得が高くなる中間周波増幅器を提供する
ことを目的とする。 【構成】 本発明の中間周波増幅器は、ソース接地され
た第１の電界効果型トランジスタと第１の帰還抵抗とで
構成される前段増幅器と、ソース接地された第２の電界
効果型トランジスタと第２の帰還抵抗とで構成される後
段増幅器とからなり、第１の電界効果型トランジスタの
ゲート端子とドレイン端子間には第１の帰還抵抗が接続
され、第２の電界効果型トランジスタのゲート端子とド
レイン端子間には第２の帰還抵抗が接続され、負荷イン
ピーダンスの値を信号源インピーダンスの値よりも小さ
くし、第１の帰還抵抗の抵抗値を信号源インピーダンス
の値の１.５倍よりも小さく、かつ負荷インピーダンス
の値の２倍よりも大きくし、第２の帰還抵抗の抵抗値を
第１の帰還抵抗の抵抗値よりも充分に大きく選ぶ、とい
う構成を備えた中間周波増幅器である。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、衛星放送や衛星通信の
受信機に広く用いられる１ＧＨｚ帯の中間周波増幅器に
関するものである。
受信機に広く用いられる１ＧＨｚ帯の中間周波増幅器に
関するものである。
【０００２】
【従来の技術】中間周波増幅器は、衛星放送や衛星通信
関連機器などに幅広く用いられている。その増幅器に要
求される特性はその用途によって多岐にわたるが、しば
しば利得の周波数特性が使用周波数帯域で平坦か、ある
いは高域側で高いことが要求される。
関連機器などに幅広く用いられている。その増幅器に要
求される特性はその用途によって多岐にわたるが、しば
しば利得の周波数特性が使用周波数帯域で平坦か、ある
いは高域側で高いことが要求される。
【０００３】
【発明が解決しょうとする課題】しかしながら、従来の
中間周波増幅器においては周波数が高くなるにつれて利
得が減少する事が避けられないという問題点を有してい
た。
中間周波増幅器においては周波数が高くなるにつれて利
得が減少する事が避けられないという問題点を有してい
た。
【０００４】本発明は上記問題点に鑑み、利得の周波数
特性が平坦か、あるいは高域側で高くなる中間周波増幅
器を提供することを目的とする。
特性が平坦か、あるいは高域側で高くなる中間周波増幅
器を提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記問題点を解決するた
めに本発明の中間周波増幅器は、ソース接地された第１
の電界効果型トランジスタと第１の帰還抵抗とで構成さ
れる前段増幅器と、ソース接地された第２の電界効果型
トランジスタと第２の帰還抵抗とで構成される後段増幅
器とからなり、前記第１の電界効果型トランジスタのゲ
ート端子とドレイン端子間には前記第１の帰還抵抗が接
続され、前記第２の電界効果型トランジスタのゲート端
子とドレイン端子間には前記第２の帰還抵抗が接続さ
れ、信号源インピーダンスを負荷インピーダンス（通常
５０Ωあるいは７５Ω）よりも充分に大きな値とし、前
記第１の帰還抵抗の抵抗値を前記信号源インピーダンス
よりも大きくかつ前記信号源インピーダンスの２倍の値
よりも小さな値とし、前記第２の帰還抵抗の抵抗値を前
記第１の帰還抵抗の抵抗値よりも充分に大きくしたもの
である。
めに本発明の中間周波増幅器は、ソース接地された第１
の電界効果型トランジスタと第１の帰還抵抗とで構成さ
れる前段増幅器と、ソース接地された第２の電界効果型
トランジスタと第２の帰還抵抗とで構成される後段増幅
器とからなり、前記第１の電界効果型トランジスタのゲ
ート端子とドレイン端子間には前記第１の帰還抵抗が接
続され、前記第２の電界効果型トランジスタのゲート端
子とドレイン端子間には前記第２の帰還抵抗が接続さ
れ、信号源インピーダンスを負荷インピーダンス（通常
５０Ωあるいは７５Ω）よりも充分に大きな値とし、前
記第１の帰還抵抗の抵抗値を前記信号源インピーダンス
よりも大きくかつ前記信号源インピーダンスの２倍の値
よりも小さな値とし、前記第２の帰還抵抗の抵抗値を前
記第１の帰還抵抗の抵抗値よりも充分に大きくしたもの
である。
【０００６】
【作用】本発明は上記した構成によって、第１の電界効
果型トランジスタのドレイン端子からゲート端子への帰
還量を、第２の電界効果型トランジスタのドレイン端子
からゲート端子への帰還量よりも多くすることによって
利得の周波数特性を平坦か、あるいは高域側で高くなる
ようにする。
果型トランジスタのドレイン端子からゲート端子への帰
還量を、第２の電界効果型トランジスタのドレイン端子
からゲート端子への帰還量よりも多くすることによって
利得の周波数特性を平坦か、あるいは高域側で高くなる
ようにする。
【０００７】
【実施例】以下本発明の一実施例の中間周波増幅器につ
いて、図面を参照しながら説明する。
いて、図面を参照しながら説明する。
【０００８】図１は本発明の第１の実施例における中間
周波増幅器である。図１において、１は信号入力端子、
２は第１の電界効果型トランジスタ、３は第２の電界効
果型トランジスタ、４は第１の帰還抵抗、５は第２の帰
還抵抗、６，７，８，９，１０は直流阻止コンデンサ、
１１は信号出力端子、１２は信号源、１３は信号源イン
ピーダンス、１４は負荷インピーダンス（通常５０Ωあ
るいは７５Ω）である。
周波増幅器である。図１において、１は信号入力端子、
２は第１の電界効果型トランジスタ、３は第２の電界効
果型トランジスタ、４は第１の帰還抵抗、５は第２の帰
還抵抗、６，７，８，９，１０は直流阻止コンデンサ、
１１は信号出力端子、１２は信号源、１３は信号源イン
ピーダンス、１４は負荷インピーダンス（通常５０Ωあ
るいは７５Ω）である。
【０００９】第１の電界効果型トランジスタ２のソース
端子Ｓ１は接地され、第１の電界効果型トランジスタ２
のゲート端子Ｇ１とドレイン端子Ｄ１間には直流阻止コ
ンデンサ７と第１の帰還抵抗４の直列回路が接続されて
前段増幅器が構成されている。第２の電界効果型トラン
ジスタ３のソース端子Ｓ２は接地され、第２の電界効果
型トランジスタ３のゲート端子Ｇ２とドレイン端子Ｄ２
間には直流阻止コンデンサ９と第２の帰還抵抗５の直列
回路が接続されて後段増幅器が構成されている。直流阻
止コンデンサ６、直流阻止コンデンサ８、直流阻止コン
デンサ１０は第１の電界効果型トランジスタ２や第２の
電界効果型トランジスタ３に印加されるバイアス電圧を
阻止するコンデンサである。１３は中間周波増幅器の信
号源インピーダンス（インピーダンスＺＳ）で負荷イン
ピーダンス１４（インピーダンスＺＬ）よりも大きな値
に選ばれている。第１の帰還抵抗４の抵抗値は信号源イ
ンピーダンス１３の１.５倍よりも小さく、かつ負荷イ
ンピーダンスの２倍の値よりも大きな値に選ばれてい
る。第２の帰還抵抗５の抵抗値は第１の帰還抵抗４の抵
抗値よりも充分に大きく選ばれている。
端子Ｓ１は接地され、第１の電界効果型トランジスタ２
のゲート端子Ｇ１とドレイン端子Ｄ１間には直流阻止コ
ンデンサ７と第１の帰還抵抗４の直列回路が接続されて
前段増幅器が構成されている。第２の電界効果型トラン
ジスタ３のソース端子Ｓ２は接地され、第２の電界効果
型トランジスタ３のゲート端子Ｇ２とドレイン端子Ｄ２
間には直流阻止コンデンサ９と第２の帰還抵抗５の直列
回路が接続されて後段増幅器が構成されている。直流阻
止コンデンサ６、直流阻止コンデンサ８、直流阻止コン
デンサ１０は第１の電界効果型トランジスタ２や第２の
電界効果型トランジスタ３に印加されるバイアス電圧を
阻止するコンデンサである。１３は中間周波増幅器の信
号源インピーダンス（インピーダンスＺＳ）で負荷イン
ピーダンス１４（インピーダンスＺＬ）よりも大きな値
に選ばれている。第１の帰還抵抗４の抵抗値は信号源イ
ンピーダンス１３の１.５倍よりも小さく、かつ負荷イ
ンピーダンスの２倍の値よりも大きな値に選ばれてい
る。第２の帰還抵抗５の抵抗値は第１の帰還抵抗４の抵
抗値よりも充分に大きく選ばれている。
【００１０】図１に示す本発明の第１の実施例では、信
号源インピーダンスＺＳ、負荷インピーダンスＺＬ、第
１の帰還抵抗４の抵抗値、第２の帰還抵抗５の抵抗値を
上記した関係に選ぶことにより、中間周波増幅器の利得
を大きく低下させることなく、利得の周波数特性を平坦
にするか、あるいは使用周波数の高域側で利得を高くす
ることができるものである。
号源インピーダンスＺＳ、負荷インピーダンスＺＬ、第
１の帰還抵抗４の抵抗値、第２の帰還抵抗５の抵抗値を
上記した関係に選ぶことにより、中間周波増幅器の利得
を大きく低下させることなく、利得の周波数特性を平坦
にするか、あるいは使用周波数の高域側で利得を高くす
ることができるものである。
【００１１】特に、第１の帰還抵抗４の抵抗値を信号源
インピーダンスＺＳよりも大きく、かつ第１の帰還抵抗
４の抵抗値を信号源インピーダンスＺＳと負荷インピー
ダンスＺＬを加算した値ＺＳ＋ＺＬよりも小さく選ぶ
と、利得の周波数特性を平坦で高域側で利得低下のない
特性を実現することができるものである。例えば信号入
力端子１に接続される信号源インピーダンスＺＳを１５
０Ωに、第１の帰還抵抗４の抵抗値を１５０〜２００Ω
に、第２の帰還抵抗５の抵抗値を第１の帰還抵抗４の抵
抗値の２倍よりも大きくし、信号出力端子１１に接続す
る負荷のインピーダンスを５０Ωに選ぶと、１〜２ＧＨ
ｚの周波数帯域において利得の周波数特性が平坦になる
か、あるいは高域側で利得が少し高くできることが計算
シミュレーションで確認されている。
インピーダンスＺＳよりも大きく、かつ第１の帰還抵抗
４の抵抗値を信号源インピーダンスＺＳと負荷インピー
ダンスＺＬを加算した値ＺＳ＋ＺＬよりも小さく選ぶ
と、利得の周波数特性を平坦で高域側で利得低下のない
特性を実現することができるものである。例えば信号入
力端子１に接続される信号源インピーダンスＺＳを１５
０Ωに、第１の帰還抵抗４の抵抗値を１５０〜２００Ω
に、第２の帰還抵抗５の抵抗値を第１の帰還抵抗４の抵
抗値の２倍よりも大きくし、信号出力端子１１に接続す
る負荷のインピーダンスを５０Ωに選ぶと、１〜２ＧＨ
ｚの周波数帯域において利得の周波数特性が平坦になる
か、あるいは高域側で利得が少し高くできることが計算
シミュレーションで確認されている。
【００１２】図２は本発明の第２の実施例における２段
帰還増幅器である。図２において、２１は信号入力端
子、２２は第１の電界効果型トランジスタ、２３は第２
の電界効果型トランジスタ、２４は帰還抵抗、２６，２
７，２８，３０は直流阻止コンデンサ、３１は信号出力
端子、３２は信号源、３３は信号源インピーダンス、３
４は負荷インピーダンス（通常５０Ωあるいは７５Ω）
である。
帰還増幅器である。図２において、２１は信号入力端
子、２２は第１の電界効果型トランジスタ、２３は第２
の電界効果型トランジスタ、２４は帰還抵抗、２６，２
７，２８，３０は直流阻止コンデンサ、３１は信号出力
端子、３２は信号源、３３は信号源インピーダンス、３
４は負荷インピーダンス（通常５０Ωあるいは７５Ω）
である。
【００１３】第１の電界効果型トランジスタ２２のソー
ス端子Ｓ１は接地され、第１の電界効果型トランジスタ
２２のゲート端子Ｇ１とドレイン端子Ｄ１間には直流阻
止コンデンサ２７と帰還抵抗２４の直列回路が接続され
て前段増幅器が構成されている。第２の電界効果型トラ
ンジスタ２３のソース端子Ｓ２は接地され後段増幅器が
構成されている。直流阻止コンデンサ２６、直流阻止コ
ンデンサ２８、直流阻止コンデンサ３０は第１の電界効
果型トランジスタ２２や第２の電界効果型トランジスタ
２３に印加されるバイアス電圧を阻止するコンデンサで
ある。３３は中間周波増幅器の信号源インピーダンス
（インピーダンスＺＳ）で負荷インピーダンス３４（イ
ンピーダンスＺＬ）よりも大きな値に選ばれている。帰
還抵抗２４の抵抗値は信号源インピーダンス３３の１.
５倍よりも小さく、かつ負荷インピーダンスの２倍の値
よりも大きな値に選ばれている。
ス端子Ｓ１は接地され、第１の電界効果型トランジスタ
２２のゲート端子Ｇ１とドレイン端子Ｄ１間には直流阻
止コンデンサ２７と帰還抵抗２４の直列回路が接続され
て前段増幅器が構成されている。第２の電界効果型トラ
ンジスタ２３のソース端子Ｓ２は接地され後段増幅器が
構成されている。直流阻止コンデンサ２６、直流阻止コ
ンデンサ２８、直流阻止コンデンサ３０は第１の電界効
果型トランジスタ２２や第２の電界効果型トランジスタ
２３に印加されるバイアス電圧を阻止するコンデンサで
ある。３３は中間周波増幅器の信号源インピーダンス
（インピーダンスＺＳ）で負荷インピーダンス３４（イ
ンピーダンスＺＬ）よりも大きな値に選ばれている。帰
還抵抗２４の抵抗値は信号源インピーダンス３３の１.
５倍よりも小さく、かつ負荷インピーダンスの２倍の値
よりも大きな値に選ばれている。
【００１４】図２に示す本発明の第２の実施例では、信
号源インピーダンスＺＳ、負荷インピーダンスＺＬ、帰
還抵抗２４の抵抗値を上記した関係に選ぶことにより、
中間周波増幅器の利得を大きく低下させることなく、利
得の周波数特性を平坦にするか、あるいは使用周波数の
高域側で利得を高くすることができるものである。
号源インピーダンスＺＳ、負荷インピーダンスＺＬ、帰
還抵抗２４の抵抗値を上記した関係に選ぶことにより、
中間周波増幅器の利得を大きく低下させることなく、利
得の周波数特性を平坦にするか、あるいは使用周波数の
高域側で利得を高くすることができるものである。
【００１５】特に、帰還抵抗２４の抵抗値を信号源イン
ピーダンスＺＳよりも大きく、かつ帰還抵抗２４の抵抗
値を信号源インピーダンスＺＳと負荷インピーダンスＺ
Ｌを加算した値ＺＳ＋ＺＬよりも小さく選ぶと、利得の
周波数特性を平坦で高域側で利得低下のない特性を実現
することができるものである。例えば、信号入力端子２
１に接続される信号源インピーダンスＺＳを２００Ω
に、帰還抵抗２４の抵抗値を２００〜２５０Ωに、信号
出力端子３１に接続する負荷インピーダンスＺＬを５０
Ωに選ぶと、１〜２ＧＨｚの周波数帯域において利得の
周波数特性が平坦になるか、あるいは高域側で利得が少
し高くできることが計算シミュレーションで確認されて
いる。
ピーダンスＺＳよりも大きく、かつ帰還抵抗２４の抵抗
値を信号源インピーダンスＺＳと負荷インピーダンスＺ
Ｌを加算した値ＺＳ＋ＺＬよりも小さく選ぶと、利得の
周波数特性を平坦で高域側で利得低下のない特性を実現
することができるものである。例えば、信号入力端子２
１に接続される信号源インピーダンスＺＳを２００Ω
に、帰還抵抗２４の抵抗値を２００〜２５０Ωに、信号
出力端子３１に接続する負荷インピーダンスＺＬを５０
Ωに選ぶと、１〜２ＧＨｚの周波数帯域において利得の
周波数特性が平坦になるか、あるいは高域側で利得が少
し高くできることが計算シミュレーションで確認されて
いる。
【００１６】
【発明の効果】以上のように本発明の中間周波増幅器
は、ソース接地した第１の電界効果型トランジスタと第
１の帰還抵抗とからなる前段増幅器と、ソース接地した
第２の電界効果型トランジスタと第２の帰還抵抗とから
なる後段増幅器とで構成し、信号源インピーダンスを負
荷インピーダンスよりも充分に大きな値とし、第１の帰
還抵抗の抵抗値を信号源インピーダンスよりも大きくか
つ信号源インピーダンスの２倍の値よりも小さな値と
し、第２の帰還抵抗の抵抗値を第１の帰還抵抗の抵抗値
よりも充分に大きくする構成を備えることにより、中間
周波増幅器の利得を大きく低下させることなく、利得の
周波数特性を平坦にするか、あるいは使用周波数の高域
側で利得を高くすることができるものである。
は、ソース接地した第１の電界効果型トランジスタと第
１の帰還抵抗とからなる前段増幅器と、ソース接地した
第２の電界効果型トランジスタと第２の帰還抵抗とから
なる後段増幅器とで構成し、信号源インピーダンスを負
荷インピーダンスよりも充分に大きな値とし、第１の帰
還抵抗の抵抗値を信号源インピーダンスよりも大きくか
つ信号源インピーダンスの２倍の値よりも小さな値と
し、第２の帰還抵抗の抵抗値を第１の帰還抵抗の抵抗値
よりも充分に大きくする構成を備えることにより、中間
周波増幅器の利得を大きく低下させることなく、利得の
周波数特性を平坦にするか、あるいは使用周波数の高域
側で利得を高くすることができるものである。
【図１】本発明の第１の実施例における中間周波増幅器
の回路図
の回路図
【図２】本発明の第２の実施例における中間周波増幅器
の回路図
の回路図
１，２１ 信号入力端子 ２，２２ 第１の電界効果型トランジスタ ３，２３ 第２の電界効果型トランジスタ ４ 第１の帰還抵抗 ５ 第２の帰還抵抗 ６，７，８，９，１０，２６，２７，２８，３０ 直流
阻止コンデンサ １１，３１ 信号出力端子 ２４ 帰還抵抗 Ｇ１ 第１の電界効果型トランジスタのゲート端子 Ｄ１ 第１の電界効果型トランジスタのドレイン端子 Ｓ１ 第１の電界効果型トランジスタのソース端子 Ｇ２ 第２の電界効果型トランジスタのゲート端子 Ｄ２ 第２の電界効果型トランジスタのドレイン端子 Ｓ２ 第２の電界効果型トランジスタのソース端子
阻止コンデンサ １１，３１ 信号出力端子 ２４ 帰還抵抗 Ｇ１ 第１の電界効果型トランジスタのゲート端子 Ｄ１ 第１の電界効果型トランジスタのドレイン端子 Ｓ１ 第１の電界効果型トランジスタのソース端子 Ｇ２ 第２の電界効果型トランジスタのゲート端子 Ｄ２ 第２の電界効果型トランジスタのドレイン端子 Ｓ２ 第２の電界効果型トランジスタのソース端子
Claims (4)
- 【請求項１】 ソース接地された第１の電界効果型トラ
ンジスタと第１の帰還抵抗とで構成される前段増幅器
と、ソース接地された第２の電界効果型トランジスタと
第２の帰還抵抗とで構成される後段増幅器とからなり、
前記第１の電界効果型トランジスタのゲート端子とドレ
イン端子間には前記第１の帰還抵抗が接続され、前記第
２の電界効果型トランジスタのゲート端子とドレイン端
子間には前記第２の帰還抵抗が接続され、負荷インピー
ダンスの値を信号源インピーダンスの値よりも小さく
し、前記第１の帰還抵抗の抵抗値を前記信号源インピー
ダンスの値の１.５倍よりも小さく、かつ前記負荷イン
ピーダンスの値の２倍よりも大きくし、前記第２の帰還
抵抗の抵抗値を前記第１の帰還抵抗の抵抗値よりも充分
に大きく選んだことを特徴とする中間周波増幅器。 - 【請求項２】 請求項１記載の中間周波増幅器におい
て、第１の帰還抵抗の抵抗値を信号源インピーダンスの
値よりも大きく、かつ前記第１の帰還抵抗の抵抗値を前
記信号源インピーダンスの値と前記負荷インピーダンス
の値を加えたものよりも小さく選んだことを特徴とする
中間周波増幅器。 - 【請求項３】 ソース接地された第１の電界効果型トラ
ンジスタと第１の帰還抵抗とで構成される前段増幅器
と、ソース接地された第２の電界効果型トランジスタで
構成される後段増幅器とからなり、前記第１の電界効果
型トランジスタのゲート端子とドレイン端子間には前記
第１の帰還抵抗が接続され、負荷インピーダンスを信号
源インピーダンスよりも小さな値とし、前記第１の帰還
抵抗の抵抗値を前記信号源インピーダンスの１.５倍よ
りも小さくかつ前記負荷インピーダンスの２倍の値より
も大きな値に選んだことを特徴とする中間周波増幅器。 - 【請求項４】 請求項３記載の中間周波増幅器におい
て、第１の帰還抵抗の抵抗値を信号源インピーダンスの
値よりも大きく、かつ前記第１の帰還抵抗の抵抗値を前
記信号源インピーダンスの値と前記負荷インピーダンス
の値を加えたものよりも小さく選んだことを特徴とする
中間周波増幅器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4023501A JPH05226942A (ja) | 1992-02-10 | 1992-02-10 | 中間周波増幅器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4023501A JPH05226942A (ja) | 1992-02-10 | 1992-02-10 | 中間周波増幅器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05226942A true JPH05226942A (ja) | 1993-09-03 |
Family
ID=12112228
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4023501A Pending JPH05226942A (ja) | 1992-02-10 | 1992-02-10 | 中間周波増幅器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05226942A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN112286068A (zh) * | 2020-10-29 | 2021-01-29 | 广州河东科技有限公司 | 一种基于微波唤醒的智能面板及智能面板唤醒方法 |
Citations (5)
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|---|---|---|---|---|
| JPS54158424U (ja) * | 1978-04-26 | 1979-11-05 | ||
| JPS5716438U (ja) * | 1980-06-19 | 1982-01-27 | ||
| JPS5948905U (ja) * | 1982-09-22 | 1984-03-31 | 株式会社アイジ−技術研究所 | 断熱材 |
| JPS6194129U (ja) * | 1984-11-24 | 1986-06-18 | ||
| JPH0418140U (ja) * | 1990-06-05 | 1992-02-14 |
-
1992
- 1992-02-10 JP JP4023501A patent/JPH05226942A/ja active Pending
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN112286068A (zh) * | 2020-10-29 | 2021-01-29 | 广州河东科技有限公司 | 一种基于微波唤醒的智能面板及智能面板唤醒方法 |
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