JPH0218705A - 磁気センサ - Google Patents
磁気センサInfo
- Publication number
- JPH0218705A JPH0218705A JP16827788A JP16827788A JPH0218705A JP H0218705 A JPH0218705 A JP H0218705A JP 16827788 A JP16827788 A JP 16827788A JP 16827788 A JP16827788 A JP 16827788A JP H0218705 A JPH0218705 A JP H0218705A
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- yoke
- magnetic
- gap
- layer
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- Pending
Links
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Landscapes
- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
この発明は、磁束密度の変化を電気信号として検出する
磁気センサに関する。
磁気センサに関する。
[従来の技術J
第2図に示すのは、磁気記録媒体に記録された磁気信号
を再生する場合に用いられる磁気センサの一つであり、
磁界の変化に対応して抵抗値か変化する磁気抵抗素子(
MR素子)を用いたものの一例である。これは、非磁性
基板21の上に直線状のMR素子22を形成し、その上
に絶縁層23を形成した後、MR素子22の両側に互い
に隙間24をあけて第1のヨーク25と第2のヨーク2
6を成膜形成し、さらに、その隙間24及び両ヨーク2
5.26を覆うように非磁性体層27を成膜形成し、そ
の上を覆うように第3のヨーク28を成膜しているもの
で、第1のヨーク25と第3のヨーク28の間には非磁
性体層27によってギャップ29が形成され、第2のヨ
ーク26と第3のヨーク28は直接接合されて磁気回路
を形成している。
を再生する場合に用いられる磁気センサの一つであり、
磁界の変化に対応して抵抗値か変化する磁気抵抗素子(
MR素子)を用いたものの一例である。これは、非磁性
基板21の上に直線状のMR素子22を形成し、その上
に絶縁層23を形成した後、MR素子22の両側に互い
に隙間24をあけて第1のヨーク25と第2のヨーク2
6を成膜形成し、さらに、その隙間24及び両ヨーク2
5.26を覆うように非磁性体層27を成膜形成し、そ
の上を覆うように第3のヨーク28を成膜しているもの
で、第1のヨーク25と第3のヨーク28の間には非磁
性体層27によってギャップ29が形成され、第2のヨ
ーク26と第3のヨーク28は直接接合されて磁気回路
を形成している。
この磁気センサは、ギャップ29の面に磁気記録媒体を
摺接させ、磁束変化をヨーク25.2628によって構
成される磁気回路を介してMR素子22に導入し、電気
抵抗値の変化に変換して出力するように構成されている
。上記の各膜層は通常はスパッタリング等により順次被
膜形成されている。
摺接させ、磁束変化をヨーク25.2628によって構
成される磁気回路を介してMR素子22に導入し、電気
抵抗値の変化に変換して出力するように構成されている
。上記の各膜層は通常はスパッタリング等により順次被
膜形成されている。
「発明が解決しようとする課題]
しかしながら、上記のような従来の技術においては、ス
パッタリングやエツチングを繰り返して行うため、寸法
精度の高いものが製造できる半面、成膜及びエツチング
のための高価な装置が必要となり、設備コストが上昇す
ること、及び製造工程が複雑であるので時間がかかるこ
となどの不具合があった。特に、磁気カードなど記録波
長の長い場合のセンサとして用いるときはギャップ長さ
も長くなり、スパッタリングなどによる非磁性体層の成
膜工程に多大の時間を要していた。
パッタリングやエツチングを繰り返して行うため、寸法
精度の高いものが製造できる半面、成膜及びエツチング
のための高価な装置が必要となり、設備コストが上昇す
ること、及び製造工程が複雑であるので時間がかかるこ
となどの不具合があった。特に、磁気カードなど記録波
長の長い場合のセンサとして用いるときはギャップ長さ
も長くなり、スパッタリングなどによる非磁性体層の成
膜工程に多大の時間を要していた。
[課題を解決する丸めの手段]
上記のような課題を解決するために、この発明は、ギャ
ップを構成する非磁性体層を予め一方のヨークに一体に
重合したものである。その重合方法は、クラッド圧延、
または接着剤による接合、あるいはヨークに溝を形成し
た後これを非磁性体材料で充填するなどの方法がある。
ップを構成する非磁性体層を予め一方のヨークに一体に
重合したものである。その重合方法は、クラッド圧延、
または接着剤による接合、あるいはヨークに溝を形成し
た後これを非磁性体材料で充填するなどの方法がある。
[作用 ]
このような構成の磁気センサは、ギャップを構成する非
磁性体層を一方の磁性体層と予め一体に重合成形してお
き、これを他方の磁性体層1.:接合することにより製
造される。
磁性体層を一方の磁性体層と予め一体に重合成形してお
き、これを他方の磁性体層1.:接合することにより製
造される。
磁性体に段差を形成してギャップ側にのみ非磁性体層を
重合ずろようにし、他端側は磁性体のみとする。これに
より、一方ではギャップを構成j7、他方ではヨークど
う1.を密接させて磁気回路を構成することができる。
重合ずろようにし、他端側は磁性体のみとする。これに
より、一方ではギャップを構成j7、他方ではヨークど
う1.を密接させて磁気回路を構成することができる。
[実施例3
以下、図面を参照してこの発明の詳細な説明する。
第1図において、符号lは基板であり、非磁性体により
板状に形成されている。この基板1の端面には、上端よ
り一定の距離にMR素子2が仮7方向に延びて成膜形成
されており、その両端に素子2の電気抵抗の変化を導出
するための端子3が設けられている。そして、基板I及
びM R素子2の上にこれらを覆う絶縁被膜層4が形成
され、さらにその上に、MR素子2に沿った隙間5を有
するように第1のヨーク6及び第2のヨーク7が成膜さ
れている。
板状に形成されている。この基板1の端面には、上端よ
り一定の距離にMR素子2が仮7方向に延びて成膜形成
されており、その両端に素子2の電気抵抗の変化を導出
するための端子3が設けられている。そして、基板I及
びM R素子2の上にこれらを覆う絶縁被膜層4が形成
され、さらにその上に、MR素子2に沿った隙間5を有
するように第1のヨーク6及び第2のヨーク7が成膜さ
れている。
MR素子2としてはパーマロイなど、ヨークとしてはフ
ェライト、センダストあるいはパーマロイなどの周知の
ものが適宜採用される。
ェライト、センダストあるいはパーマロイなどの周知の
ものが適宜採用される。
一方、符号8は、ギャップ9を形成すべき非磁性体層1
0と第3のヨーク11を形成ずへき磁性体とが層状に重
ねられた構成の複合体である。この非磁性体層10とし
ては、ヨークIIの素材や複合体8の製法と関連して、
洋白などの金属、樹脂等が適宜に選ばれろ。この非磁性
体層10は第3のヨーク11において第1のヨーク6に
対向する上端側にのみ重合されており、第2のヨーク7
側においては全厚か磁性体からなっている。すなわち、
第3のヨーク11には下端側が厚くなるように段差12
が形成されており、この段差12により形成された空所
に上記非磁性体か充填されている。この複合体8の製造
方法は、非磁性体IOが金属でかつ第3のヨーク11が
パーマロイである場合のように双方ともに成形性のよい
しのであるときは、比較的大きな素材の段階で非磁性体
10とヨーク素材とを断面において段差を有するように
接合し、これを順次圧延し7ていわゆるクラット材とす
る。また、非磁性体が樹脂であり、ヨーク素材がフェラ
イトなどである場合には、所定の幅と厚さに形成したフ
ェライトの一面を研削し2て段差を形成し、その空所に
樹脂を充填すればよい。
0と第3のヨーク11を形成ずへき磁性体とが層状に重
ねられた構成の複合体である。この非磁性体層10とし
ては、ヨークIIの素材や複合体8の製法と関連して、
洋白などの金属、樹脂等が適宜に選ばれろ。この非磁性
体層10は第3のヨーク11において第1のヨーク6に
対向する上端側にのみ重合されており、第2のヨーク7
側においては全厚か磁性体からなっている。すなわち、
第3のヨーク11には下端側が厚くなるように段差12
が形成されており、この段差12により形成された空所
に上記非磁性体か充填されている。この複合体8の製造
方法は、非磁性体IOが金属でかつ第3のヨーク11が
パーマロイである場合のように双方ともに成形性のよい
しのであるときは、比較的大きな素材の段階で非磁性体
10とヨーク素材とを断面において段差を有するように
接合し、これを順次圧延し7ていわゆるクラット材とす
る。また、非磁性体が樹脂であり、ヨーク素材がフェラ
イトなどである場合には、所定の幅と厚さに形成したフ
ェライトの一面を研削し2て段差を形成し、その空所に
樹脂を充填すればよい。
このようにして製造した複合体8を、基板1の第1のヨ
ーク6及び第2のヨーク7面に接着剤等を用いて接着す
ることにより、はぼ第2図のものと同等の磁気回路構成
を持つ磁気センサが得られる。この場合、基板【と複合
体8とを直接接合すると、IVtR素子2の」―の部分
の凸部の高さだけ接着剤を充填しなければならず、その
公事2のヨーク7と第3のヨーク11の間に隙間ができ
、またギャップ9厚さも増えるか、この接着剤の厚さは
MR素子2の厚さと同程度であり、実質的には問題とな
らない。このような接合の寸法精度をさらに高めるには
、複合体8の非磁性体層lOの表面のMR素子2に該当
する位置に溝を形成した後接合を行なえばよい。
ーク6及び第2のヨーク7面に接着剤等を用いて接着す
ることにより、はぼ第2図のものと同等の磁気回路構成
を持つ磁気センサが得られる。この場合、基板【と複合
体8とを直接接合すると、IVtR素子2の」―の部分
の凸部の高さだけ接着剤を充填しなければならず、その
公事2のヨーク7と第3のヨーク11の間に隙間ができ
、またギャップ9厚さも増えるか、この接着剤の厚さは
MR素子2の厚さと同程度であり、実質的には問題とな
らない。このような接合の寸法精度をさらに高めるには
、複合体8の非磁性体層lOの表面のMR素子2に該当
する位置に溝を形成した後接合を行なえばよい。
tiお、非磁性体層IOを重合する側のヨーク11の段
差I2は、磁気効率の点で実用上問題がなければ形成し
なくてよい。
差I2は、磁気効率の点で実用上問題がなければ形成し
なくてよい。
[発明の効果]
以上詳述したように、この発明は、ギャップを構成する
非磁性体層を予め磁性体からなるヨークに一体に重合し
た構成としたので、ギャップ層を形成するための成膜工
程が不要となり、ギャップ層が厚い場合でも製造工程か
簡単で時間が短縮されるとともに製造設備も簡略化され
、製造コストを大幅に低下させることができるという優
れた効果を奏するものである。
非磁性体層を予め磁性体からなるヨークに一体に重合し
た構成としたので、ギャップ層を形成するための成膜工
程が不要となり、ギャップ層が厚い場合でも製造工程か
簡単で時間が短縮されるとともに製造設備も簡略化され
、製造コストを大幅に低下させることができるという優
れた効果を奏するものである。
第1図はこの発明の一実施例を示す斜視図、第2図は従
来例を示す斜視図である。 2・・・・・MR素子、5,6.11・・・・・・ヨー
ク、9・・・・・ギャップ。
来例を示す斜視図である。 2・・・・・MR素子、5,6.11・・・・・・ヨー
ク、9・・・・・ギャップ。
Claims (1)
- 磁性体からなるヨークが非磁性体層を挟んで接合されて
磁気ギャップを有する磁気回路を構成し、この磁気回路
中の磁束密度変化を検出する手段が付設されてなる磁気
センサにおいて、上記非磁性体層は上記ヨークの一方に
予め一体に重合されていることを特徴とする磁気センサ
。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP16827788A JPH0218705A (ja) | 1988-07-06 | 1988-07-06 | 磁気センサ |
DE19893920318 DE3920318A1 (de) | 1988-07-06 | 1989-06-21 | Magnetsensor |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP16827788A JPH0218705A (ja) | 1988-07-06 | 1988-07-06 | 磁気センサ |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0218705A true JPH0218705A (ja) | 1990-01-23 |
Family
ID=15865037
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP16827788A Pending JPH0218705A (ja) | 1988-07-06 | 1988-07-06 | 磁気センサ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0218705A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5492947A (en) * | 1994-06-23 | 1996-02-20 | Aspen Research Corporation | Barrier material comprising a thermoplastic and a compatible cyclodextrin derivative |
-
1988
- 1988-07-06 JP JP16827788A patent/JPH0218705A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5492947A (en) * | 1994-06-23 | 1996-02-20 | Aspen Research Corporation | Barrier material comprising a thermoplastic and a compatible cyclodextrin derivative |
US5505969A (en) * | 1994-06-23 | 1996-04-09 | Aspen Research Corporation | Barrier material comprising a thermoplastic and a compatible cyclodextrin derivative |
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