JPH0894728A - 磁界センサーと磁界センサーの製造方法 - Google Patents
磁界センサーと磁界センサーの製造方法Info
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- JPH0894728A JPH0894728A JP6253021A JP25302194A JPH0894728A JP H0894728 A JPH0894728 A JP H0894728A JP 6253021 A JP6253021 A JP 6253021A JP 25302194 A JP25302194 A JP 25302194A JP H0894728 A JPH0894728 A JP H0894728A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】基板に対して磁束収束用のコアの組み立てる際
に高い位置合せ精度が不要であり、低コストで精度の高
い磁界センサーを提供すること。 【構成】バルクで作成され、バイアス磁界発生用のコイ
ル３０，３２がそれぞれ巻かれた磁束を収束するための
第１の磁束収束用コア２０と第２の磁束収束用コア２４
と、第１の磁束収束用コア２０が接合された第１の薄膜
の磁束収束用コア１２と、第２の磁束収束用コア２４が
接合された第２の薄膜の磁束収束用用コア１４を有する
基板１０と、第１の薄膜の磁束収束用用コア１２と第２
の薄膜の磁束収束用用コア１４の間に形成された磁気ギ
ャップＧにおいて基板１０に形成された磁気抵抗効果素
子１６とからなる磁界センサー。
に高い位置合せ精度が不要であり、低コストで精度の高
い磁界センサーを提供すること。 【構成】バルクで作成され、バイアス磁界発生用のコイ
ル３０，３２がそれぞれ巻かれた磁束を収束するための
第１の磁束収束用コア２０と第２の磁束収束用コア２４
と、第１の磁束収束用コア２０が接合された第１の薄膜
の磁束収束用コア１２と、第２の磁束収束用コア２４が
接合された第２の薄膜の磁束収束用用コア１４を有する
基板１０と、第１の薄膜の磁束収束用用コア１２と第２
の薄膜の磁束収束用用コア１４の間に形成された磁気ギ
ャップＧにおいて基板１０に形成された磁気抵抗効果素
子１６とからなる磁界センサー。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、地磁気や金属板の欠陥
検出等非常に微小な磁束変化を検出するための磁界セン
サーの改良に関するものである。
検出等非常に微小な磁束変化を検出するための磁界セン
サーの改良に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】地磁気や金属板の欠陥検出等非常に微小
な磁束変化を検出する磁界センサーは、図２に示すよう
な構造になっている。図２において、基板１の上には磁
気抵抗効果素子２が形成されている。基板１の上には、
２つの磁束収束用のコア３，４が位置決めして接合され
るようになっている。各磁束収束用のコア３，４にはそ
れぞれバイアス磁界用のコイル５，６が巻かれている。
な磁束変化を検出する磁界センサーは、図２に示すよう
な構造になっている。図２において、基板１の上には磁
気抵抗効果素子２が形成されている。基板１の上には、
２つの磁束収束用のコア３，４が位置決めして接合され
るようになっている。各磁束収束用のコア３，４にはそ
れぞれバイアス磁界用のコイル５，６が巻かれている。
【０００３】磁束収束用のコア３，４の間には、コアの
磁気ギャップＧＯが形成される。この磁気ギャップＧＯ
の中央位置に対応して、基板１の上に磁気抵抗効果素子
２が形成されるようになっている。このような構成の従
来の磁界センサーは、必要な磁界変化の検出感度を得る
ために、バイアス磁界用のコイル５，６の巻数を１００
０ないし１００００回にしたり、磁束収束用のコア３，
４を用いている。
磁気ギャップＧＯが形成される。この磁気ギャップＧＯ
の中央位置に対応して、基板１の上に磁気抵抗効果素子
２が形成されるようになっている。このような構成の従
来の磁界センサーは、必要な磁界変化の検出感度を得る
ために、バイアス磁界用のコイル５，６の巻数を１００
０ないし１００００回にしたり、磁束収束用のコア３，
４を用いている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところが、バイアス磁
界用のコイル５，６の巻数を大きくする場合には、コイ
ルの外径が線径等で制限されて小型化に限度がある。ま
た空振コイルを採用すると、磁束の方向や位置分解能が
低い。磁束収束用のコア３，４を用いる場合には磁界変
化の検出感度は上がるのであるが、コアの磁気ギャップ
ＧＯとその間に形成された磁気抵抗効果素子２の位置ず
れによって、磁束の方向や位置精度が大きく変動する。
すなわち、磁束収束用のコア３，４を基板１に接合する
際に、磁気抵抗効果素子２に対して磁束収束用のコア
３，４の位置ずれが生じ、この位置ずれによって磁束の
方向や位置精度が大きく変動してしまう。さらに、コア
の磁気ギャップＧを小さくすることができないので、バ
イアス磁界印加の効率が悪く、消費電力が大きい。
界用のコイル５，６の巻数を大きくする場合には、コイ
ルの外径が線径等で制限されて小型化に限度がある。ま
た空振コイルを採用すると、磁束の方向や位置分解能が
低い。磁束収束用のコア３，４を用いる場合には磁界変
化の検出感度は上がるのであるが、コアの磁気ギャップ
ＧＯとその間に形成された磁気抵抗効果素子２の位置ず
れによって、磁束の方向や位置精度が大きく変動する。
すなわち、磁束収束用のコア３，４を基板１に接合する
際に、磁気抵抗効果素子２に対して磁束収束用のコア
３，４の位置ずれが生じ、この位置ずれによって磁束の
方向や位置精度が大きく変動してしまう。さらに、コア
の磁気ギャップＧを小さくすることができないので、バ
イアス磁界印加の効率が悪く、消費電力が大きい。
【０００５】そこで本発明は上記課題を解消するために
なされたものであり、基板に対して磁束収束用のコアの
組み立てる際に高い位置合せ精度が不要であり、低コス
トで精度の高い磁界センサーを提供することを目的とし
ている。
なされたものであり、基板に対して磁束収束用のコアの
組み立てる際に高い位置合せ精度が不要であり、低コス
トで精度の高い磁界センサーを提供することを目的とし
ている。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記目的は、第１の発明
にあっては、バルクで作成され、バイアス磁界発生用の
コイルが巻かれた磁束を収束するための第１の磁束収束
用コアと、バルクで作成され、バイアス磁界発生用のコ
イルが巻かれた磁束を収束するための第２の磁束収束用
コアと、前記第１の磁束収束用コアが接合された第１の
薄膜の磁束収束用コアと、前記第２の磁束収束用コアが
接合された第２の薄膜の磁束収束用コアを有する基板
と、前記第１の薄膜の磁束収束用コアと、前記第２の薄
膜の磁束収束用コアの間に形成された磁気ギャップにお
いて、前記基板に形成された磁気抵抗効果素子と、から
なる磁界センサーにより、達成される。第１の発明で
は、好ましくは前記磁気ギャップは、５μｍ以上５０μ
ｍ以下である。上記目的は、第２の発明にあっては、バ
ルク製の第１の磁束収束用コアとバルク製の第２の磁束
収束用コアにそれぞれバイアス磁界発生用のコイルを巻
くステップと、基板に対して、第１の薄膜の磁束収束用
のコアと第２の薄膜の磁束収束用のコアおよび前記第１
の薄膜の磁束収束用のコアと前記第２の薄膜の磁束収束
用のコアの磁気ギャップの位置に磁気抵抗効果素子を薄
膜形成するステップと、前記第１の薄膜の磁束収束用の
コアと前記第２の薄膜の磁束収束用のコアに、それぞれ
前記第１の磁束収束用コアと前記第２の磁束収束用コア
を接合するステップと、からなる磁界センサーの製造方
法により、達成される。
にあっては、バルクで作成され、バイアス磁界発生用の
コイルが巻かれた磁束を収束するための第１の磁束収束
用コアと、バルクで作成され、バイアス磁界発生用のコ
イルが巻かれた磁束を収束するための第２の磁束収束用
コアと、前記第１の磁束収束用コアが接合された第１の
薄膜の磁束収束用コアと、前記第２の磁束収束用コアが
接合された第２の薄膜の磁束収束用コアを有する基板
と、前記第１の薄膜の磁束収束用コアと、前記第２の薄
膜の磁束収束用コアの間に形成された磁気ギャップにお
いて、前記基板に形成された磁気抵抗効果素子と、から
なる磁界センサーにより、達成される。第１の発明で
は、好ましくは前記磁気ギャップは、５μｍ以上５０μ
ｍ以下である。上記目的は、第２の発明にあっては、バ
ルク製の第１の磁束収束用コアとバルク製の第２の磁束
収束用コアにそれぞれバイアス磁界発生用のコイルを巻
くステップと、基板に対して、第１の薄膜の磁束収束用
のコアと第２の薄膜の磁束収束用のコアおよび前記第１
の薄膜の磁束収束用のコアと前記第２の薄膜の磁束収束
用のコアの磁気ギャップの位置に磁気抵抗効果素子を薄
膜形成するステップと、前記第１の薄膜の磁束収束用の
コアと前記第２の薄膜の磁束収束用のコアに、それぞれ
前記第１の磁束収束用コアと前記第２の磁束収束用コア
を接合するステップと、からなる磁界センサーの製造方
法により、達成される。
【０００７】
【作用】上記構成によれば、第１の発明では、バルク製
の第１の磁束収束用コアと第２の磁束収束用コアのコイ
ルは、磁気抵抗効果素子に対して、バイアス磁界を与え
て、磁気変化の検出感度の良好な所で磁気抵抗効果素子
を動作させる。第１の磁束収束用コアは基板上の第１の
薄膜の磁束収束用コアに対して接合され、第２の磁束収
束用コアは基板上の第２の薄膜の磁束収束用コアに重ね
て接合されている。第１の薄膜の磁束収束用コアと第２
の薄膜の磁束収束用コアそして磁気抵抗効果素子は、基
板上に薄膜技術により高い位置精度で形成されている。
第１の発明では、好ましくは磁気ギャップの幅が５μｍ
よりも小さいと、磁気抵抗効果素子を薄膜技術により形
成する際の磁気抵抗効果素子の幅と、磁気抵抗効果素子
と第１と第２の薄膜の磁束収束用のコアとの間隔を得る
ことが難しくなる。また、磁気ギャップの幅が５０μｍ
よりも大きいと、薄膜の磁束収束用のコアの磁気変化の
検出感度が悪くなるとともに、バイアス磁界をコイルに
より与えることが難しくなる。第２の発明では、バルク
製の第１の磁束収束用コアと第２の磁束収束用コアにそ
れぞれバイアス磁界発生用のコイルを巻く。第１の薄膜
の磁束収束用のコアと第２の薄膜の磁束収束用のコアお
よび第１の薄膜の磁束収束用のコアと第２の薄膜の磁束
収束用のコアの磁気ギャップの位置に磁気抵抗効果素子
は、薄膜技術により高い位置精度で基板に対して形成す
る。第１の薄膜の磁束収束用のコアと第２の薄膜の磁束
収束用のコアに、それぞれ第１の磁束収束用コアと第２
の磁束収束用コアを接合する。このようにして、磁気回
路が形成される。
の第１の磁束収束用コアと第２の磁束収束用コアのコイ
ルは、磁気抵抗効果素子に対して、バイアス磁界を与え
て、磁気変化の検出感度の良好な所で磁気抵抗効果素子
を動作させる。第１の磁束収束用コアは基板上の第１の
薄膜の磁束収束用コアに対して接合され、第２の磁束収
束用コアは基板上の第２の薄膜の磁束収束用コアに重ね
て接合されている。第１の薄膜の磁束収束用コアと第２
の薄膜の磁束収束用コアそして磁気抵抗効果素子は、基
板上に薄膜技術により高い位置精度で形成されている。
第１の発明では、好ましくは磁気ギャップの幅が５μｍ
よりも小さいと、磁気抵抗効果素子を薄膜技術により形
成する際の磁気抵抗効果素子の幅と、磁気抵抗効果素子
と第１と第２の薄膜の磁束収束用のコアとの間隔を得る
ことが難しくなる。また、磁気ギャップの幅が５０μｍ
よりも大きいと、薄膜の磁束収束用のコアの磁気変化の
検出感度が悪くなるとともに、バイアス磁界をコイルに
より与えることが難しくなる。第２の発明では、バルク
製の第１の磁束収束用コアと第２の磁束収束用コアにそ
れぞれバイアス磁界発生用のコイルを巻く。第１の薄膜
の磁束収束用のコアと第２の薄膜の磁束収束用のコアお
よび第１の薄膜の磁束収束用のコアと第２の薄膜の磁束
収束用のコアの磁気ギャップの位置に磁気抵抗効果素子
は、薄膜技術により高い位置精度で基板に対して形成す
る。第１の薄膜の磁束収束用のコアと第２の薄膜の磁束
収束用のコアに、それぞれ第１の磁束収束用コアと第２
の磁束収束用コアを接合する。このようにして、磁気回
路が形成される。
【０００８】
【実施例】以下、本発明の好適な実施例を添付図面に基
づいて詳細に説明する。なお、以下に述べる実施例は、
本発明の好適な具体例であるから、技術的に好ましい種
々の限定が付されているが、本発明の範囲は、以下の説
明において特に本発明を限定する旨の記載がない限り、
これらの態様に限られるものではない。
づいて詳細に説明する。なお、以下に述べる実施例は、
本発明の好適な具体例であるから、技術的に好ましい種
々の限定が付されているが、本発明の範囲は、以下の説
明において特に本発明を限定する旨の記載がない限り、
これらの態様に限られるものではない。
【０００９】図１は、本発明の磁界センサーの好ましい
実施例を示している。磁界センサーは、磁気抵抗効果型
センサーともいう。図１において基板１０の一方の面
（図１においては上面）に対して、第１の薄膜の磁束収
束用のコア１２と第２の薄膜の磁束収束用のコア１４、
および磁気抵抗効果素子１６が、薄膜技術により高い位
置精度で形成されている。第１の薄膜の磁束収束用のコ
ア１２と第２の薄膜の磁束収束用のコア１４は、たとえ
ばパーマロイにより作られている。磁気抵抗効果素子１
６は、たとえばパーマロイにより作られている。薄膜の
磁束収束用のコア１２，１４の間には、コアの磁気ギャ
ップＧが形成されている。このコアの磁気ギャップＧの
好ましくは中央に、磁気抵抗効果素子１６が位置決めし
て形成されている。
実施例を示している。磁界センサーは、磁気抵抗効果型
センサーともいう。図１において基板１０の一方の面
（図１においては上面）に対して、第１の薄膜の磁束収
束用のコア１２と第２の薄膜の磁束収束用のコア１４、
および磁気抵抗効果素子１６が、薄膜技術により高い位
置精度で形成されている。第１の薄膜の磁束収束用のコ
ア１２と第２の薄膜の磁束収束用のコア１４は、たとえ
ばパーマロイにより作られている。磁気抵抗効果素子１
６は、たとえばパーマロイにより作られている。薄膜の
磁束収束用のコア１２，１４の間には、コアの磁気ギャ
ップＧが形成されている。このコアの磁気ギャップＧの
好ましくは中央に、磁気抵抗効果素子１６が位置決めし
て形成されている。
【００１０】これら薄膜の磁束収束用のコア１２，１４
および磁気抵抗効果素子１６は、薄膜技術を用いて高い
位置精度で基板１０の上面に形成されている。このよう
に薄膜技術を用いるのは、位置精度が出しやすいからで
あり、薄膜の磁束収束用のコア１２，１４間のコアの磁
気ギャップＧを正確に設定することができるとともに、
薄膜の磁束収束用のコア１２，１４を磁気抵抗効果素子
１６に対して高い位置精度で位置決めすることができる
からである。
および磁気抵抗効果素子１６は、薄膜技術を用いて高い
位置精度で基板１０の上面に形成されている。このよう
に薄膜技術を用いるのは、位置精度が出しやすいからで
あり、薄膜の磁束収束用のコア１２，１４間のコアの磁
気ギャップＧを正確に設定することができるとともに、
薄膜の磁束収束用のコア１２，１４を磁気抵抗効果素子
１６に対して高い位置精度で位置決めすることができる
からである。
【００１１】第１の薄膜の磁束収束用のコア１２の上に
は、第１の磁束収束用のコア２０が接合されている。同
様にして第２の薄膜の磁束収束用のコア１４の上には、
第２の磁束収束用のコア２４が接合されている。第１の
磁束収束用のコア２０には、バイアス磁界用のコイル３
０が所定回数巻かれている。同様にして第２の磁束収束
用のコア２４にはバイアス磁界用のコイル３２が所定回
数巻かれている。磁束収束用のコア２０，２４は、フェ
ライトのようなバルク（固まり）で形成されている。こ
のように、磁束収束用のコア２０，２４がバルクで形成
されているのは、コイル３０，３２の巻線が容易である
からである。このバイアス磁界用のコイル３０，３２
は、磁気抵抗効果素子（ＭＲ素子）１６に対して、適正
な動作点を与えるために、つまり磁気抵抗効果素子１６
が磁気変化の検出感度の最良の所で動作するように、バ
イアス磁界を与える働きをする。
は、第１の磁束収束用のコア２０が接合されている。同
様にして第２の薄膜の磁束収束用のコア１４の上には、
第２の磁束収束用のコア２４が接合されている。第１の
磁束収束用のコア２０には、バイアス磁界用のコイル３
０が所定回数巻かれている。同様にして第２の磁束収束
用のコア２４にはバイアス磁界用のコイル３２が所定回
数巻かれている。磁束収束用のコア２０，２４は、フェ
ライトのようなバルク（固まり）で形成されている。こ
のように、磁束収束用のコア２０，２４がバルクで形成
されているのは、コイル３０，３２の巻線が容易である
からである。このバイアス磁界用のコイル３０，３２
は、磁気抵抗効果素子（ＭＲ素子）１６に対して、適正
な動作点を与えるために、つまり磁気抵抗効果素子１６
が磁気変化の検出感度の最良の所で動作するように、バ
イアス磁界を与える働きをする。
【００１２】このようにして薄膜の磁束収束用のコア１
２，１４が基板１０に対して高い位置精度で薄膜技術を
用いて形成されていると共に、同様にして磁気抵抗効果
素子１６も薄膜技術を用いて高い位置精度で磁気ギャッ
プＧに対応する位置の中央に形成されている。そして、
第１の磁束収束用のコア２０が第１の薄膜の磁束収束用
のコア１２の上面に正確に位置決めして固定されている
と共に、第２の磁束収束用のコア２４が第２の薄膜の磁
束収束用のコア１４の上面に正確に位置決めして固定さ
れている。
２，１４が基板１０に対して高い位置精度で薄膜技術を
用いて形成されていると共に、同様にして磁気抵抗効果
素子１６も薄膜技術を用いて高い位置精度で磁気ギャッ
プＧに対応する位置の中央に形成されている。そして、
第１の磁束収束用のコア２０が第１の薄膜の磁束収束用
のコア１２の上面に正確に位置決めして固定されている
と共に、第２の磁束収束用のコア２４が第２の薄膜の磁
束収束用のコア１４の上面に正確に位置決めして固定さ
れている。
【００１３】次に図１に示す本発明の磁界センサーの製
造方法を説明する。磁束収束用のコア２０，２４を、た
とえばフェライトのバルクにより形成する。バイアス磁
界用のコイル３０，３２を、磁束収束用のコア２０，２
４にそれぞれ必要回数巻く。基板１０の上面に対して、
薄膜の磁束収束用のコア１２，１４を磁気ギャップＧを
形成するようにして薄膜技術により形成するとともに、
薄膜の磁束収束用のコア１２，１４の間の磁気ギャップ
Ｇに磁気抵抗効果素子１６を薄膜技術により形成する。
造方法を説明する。磁束収束用のコア２０，２４を、た
とえばフェライトのバルクにより形成する。バイアス磁
界用のコイル３０，３２を、磁束収束用のコア２０，２
４にそれぞれ必要回数巻く。基板１０の上面に対して、
薄膜の磁束収束用のコア１２，１４を磁気ギャップＧを
形成するようにして薄膜技術により形成するとともに、
薄膜の磁束収束用のコア１２，１４の間の磁気ギャップ
Ｇに磁気抵抗効果素子１６を薄膜技術により形成する。
【００１４】磁気抵抗効果素子１６と薄膜の磁束収束用
のコア１２，１４は、基板１０の同じ面（上面）に、薄
膜技術により形成する。第１の薄膜の磁束収束用のコア
１２に対して、第１の磁束収束用のコア２０を重ねて接
合し、第２の薄膜の磁束収束用のコア１４に対して、磁
束収束用のコア２４を重ねて接合することにより、磁気
回路を形成する。このように、磁界収束用のコア２０，
２４と基板１０側の薄膜の磁界収束用のコア１２，１４
を接合して組合せることにより、高感度な磁界センサー
を作ることができる。
のコア１２，１４は、基板１０の同じ面（上面）に、薄
膜技術により形成する。第１の薄膜の磁束収束用のコア
１２に対して、第１の磁束収束用のコア２０を重ねて接
合し、第２の薄膜の磁束収束用のコア１４に対して、磁
束収束用のコア２４を重ねて接合することにより、磁気
回路を形成する。このように、磁界収束用のコア２０，
２４と基板１０側の薄膜の磁界収束用のコア１２，１４
を接合して組合せることにより、高感度な磁界センサー
を作ることができる。
【００１５】ところで、コアの磁気ギャップＧの幅は、
好ましくは５μｍないし５０μｍの範囲である。磁気ギ
ャップＧの幅が５μｍよりも小さいと、磁気抵抗効果素
子１６を薄膜技術により形成する際の磁気抵抗効果素子
１６の幅と、磁気抵抗効果素子１６と薄膜の磁束収束用
のコア１２，１４との間隔を得ることが難しくなる。ま
た、磁気ギャップＧの幅が５０μｍよりも大きいと、薄
膜の磁束収束用のコア１２，１４の磁気変化の検出感度
が悪くなるとともに、バイアス磁界をコイル３０，３２
により与えることが難しくなる。磁気ギャップＧの幅
は、好ましくは機械加工ではこのギャップＧの形成が困
難であり、薄膜技術で形成するのは容易である範囲であ
る。
好ましくは５μｍないし５０μｍの範囲である。磁気ギ
ャップＧの幅が５μｍよりも小さいと、磁気抵抗効果素
子１６を薄膜技術により形成する際の磁気抵抗効果素子
１６の幅と、磁気抵抗効果素子１６と薄膜の磁束収束用
のコア１２，１４との間隔を得ることが難しくなる。ま
た、磁気ギャップＧの幅が５０μｍよりも大きいと、薄
膜の磁束収束用のコア１２，１４の磁気変化の検出感度
が悪くなるとともに、バイアス磁界をコイル３０，３２
により与えることが難しくなる。磁気ギャップＧの幅
は、好ましくは機械加工ではこのギャップＧの形成が困
難であり、薄膜技術で形成するのは容易である範囲であ
る。
【００１６】上述した実施例においては、バルクの磁界
収束用のコア２０，２４および薄膜の磁界収束用のコア
１２，１４を高い位置決め精度で接合して組立てること
ができる。従って、低コストで高い検出精度の磁界セン
サーが得られる。このバイアス磁界用のコイル３０，３
２の作製が、薄膜でコイルを形成するのに比べて、非常
に多数回の巻数を容易に行え、低消費電力となる。薄膜
の磁束収束用のコア１２，１４とバルクの磁界収束用の
コア２０，２４、そして磁気抵抗効果素子１６は、振動
や経時変化によって位置ずれしにくく、磁界の方向や位
置精度が変動するのを抑えることができる。
収束用のコア２０，２４および薄膜の磁界収束用のコア
１２，１４を高い位置決め精度で接合して組立てること
ができる。従って、低コストで高い検出精度の磁界セン
サーが得られる。このバイアス磁界用のコイル３０，３
２の作製が、薄膜でコイルを形成するのに比べて、非常
に多数回の巻数を容易に行え、低消費電力となる。薄膜
の磁束収束用のコア１２，１４とバルクの磁界収束用の
コア２０，２４、そして磁気抵抗効果素子１６は、振動
や経時変化によって位置ずれしにくく、磁界の方向や位
置精度が変動するのを抑えることができる。
【００１７】本発明は、磁気抵抗効果素子を用いた磁界
センサーの構造に関するのもである。磁界を収束するた
めのコアをバルクで形成し、バイアス磁界発生用のコイ
ルを巻く。次に、磁界検出のための薄膜コアと磁気ギャ
ップおよびその間に形成された磁気抵抗効果素子を、薄
膜技術で作製する。そして、これらのバルク製のコアと
薄膜コアを組み合わせて高感度の磁界センサーを作製す
ることができる。薄膜の磁束収束用のコア１２，１４を
用いることにより、図１のコアの磁気ギャップＧを、図
２の従来の磁気ギャップＧＯに比べて小さくすることが
でき、コイル３０，３２によるバイアス磁界印加効率を
上げて、消費電力を下げることができる。
センサーの構造に関するのもである。磁界を収束するた
めのコアをバルクで形成し、バイアス磁界発生用のコイ
ルを巻く。次に、磁界検出のための薄膜コアと磁気ギャ
ップおよびその間に形成された磁気抵抗効果素子を、薄
膜技術で作製する。そして、これらのバルク製のコアと
薄膜コアを組み合わせて高感度の磁界センサーを作製す
ることができる。薄膜の磁束収束用のコア１２，１４を
用いることにより、図１のコアの磁気ギャップＧを、図
２の従来の磁気ギャップＧＯに比べて小さくすることが
でき、コイル３０，３２によるバイアス磁界印加効率を
上げて、消費電力を下げることができる。
【００１８】たとえば、本発明の磁界センサは、たとえ
ば時計に組み込まれて方位センサーとして用いることが
できる。ところで本発明は上記実施例に限定されない。
たとえば、磁束収束用のコア２０，２４の形状や基板１
０の形状あるいは各要素の材質などは、図１の実施例に
限定されない。
ば時計に組み込まれて方位センサーとして用いることが
できる。ところで本発明は上記実施例に限定されない。
たとえば、磁束収束用のコア２０，２４の形状や基板１
０の形状あるいは各要素の材質などは、図１の実施例に
限定されない。
【００１９】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、高
い位置合せ精度が不要であり、低コストで精度が高い。
い位置合せ精度が不要であり、低コストで精度が高い。
【図１】本発明の磁界センサーの好ましい実施例を示す
図。
図。
【図２】従来の磁界センサーを示す図。
１０ 基板 １２ 第１の薄膜の磁界収束用のコア １４ 第２の薄膜の磁界収束用のコア １６ 磁気抵抗効果素子 ２０ 第１の磁界収束用のコア（バルクコア） ２４ 第２の磁界収束用のコア（バルクコア） ３０ バイアス磁界用のコイル ３２ バイアス磁界用のコイル Ｇ コアの磁気ギャップ
Claims (3)
- 【請求項１】 バルクで作成され、バイアス磁界発生用
のコイルが巻かれた磁束を収束するための第１の磁束収
束用コアと、 バルクで作成され、バイアス磁界発生用のコイルが巻か
れた磁束を収束するための第２の磁束収束用コアと、 前記第１の磁束収束用コアが接合された第１の薄膜の磁
束収束用コアと、前記第２の磁束収束用コアが接合され
た第２の薄膜の磁束収束用コアを有する基板と、 前記第１の薄膜の磁束収束用コアと、前記第２の薄膜の
磁束収束用コアの間に形成された磁気ギャップにおい
て、前記基板に形成された磁気抵抗効果素子と、からな
ることを特徴とする磁界センサー。 - 【請求項２】 前記磁気ギャップは、５μｍ以上５０μ
ｍ以下である請求項１に記載の磁界センサー。 - 【請求項３】 バルク製の第１の磁束収束用コアとバル
ク製の第２の磁束収束用コアにそれぞれバイアス磁界発
生用のコイルを巻くステップと、 基板に対して、第１の薄膜の磁束収束用のコアと第２の
薄膜の磁束収束用のコアおよび前記第１の薄膜の磁束収
束用のコアと前記第２の薄膜の磁束収束用のコアの磁気
ギャップの位置に磁気抵抗効果素子を薄膜形成するステ
ップと、 前記第１の薄膜の磁束収束用のコアと前記第２の薄膜の
磁束収束用のコアに、それぞれ前記第１の磁束収束用コ
アと前記第２の磁束収束用コアを接合するステップと、
からなることを特徴とする磁界センサーの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6253021A JPH0894728A (ja) | 1994-09-21 | 1994-09-21 | 磁界センサーと磁界センサーの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6253021A JPH0894728A (ja) | 1994-09-21 | 1994-09-21 | 磁界センサーと磁界センサーの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0894728A true JPH0894728A (ja) | 1996-04-12 |
Family
ID=17245388
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6253021A Pending JPH0894728A (ja) | 1994-09-21 | 1994-09-21 | 磁界センサーと磁界センサーの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0894728A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004533120A (ja) * | 2001-06-01 | 2004-10-28 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 第２の磁気素子に対して第１の磁気素子の磁化軸を配向する方法、センサを実現するための半製品、および、磁界を測定するためのセンサ |
| US7501808B2 (en) | 2006-08-03 | 2009-03-10 | Denso Corporation | Current sensing device |
| WO2013141124A1 (ja) * | 2012-03-23 | 2013-09-26 | 日立金属株式会社 | 磁気センサデバイス |
| EP3477322A1 (en) * | 2017-10-27 | 2019-05-01 | Melexis Technologies SA | Magnetic sensor with integrated solenoid |
-
1994
- 1994-09-21 JP JP6253021A patent/JPH0894728A/ja active Pending
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| US9891293B2 (en) | 2012-03-23 | 2018-02-13 | Hitachi Metals, Ltd. | Magnetic sensor device preventing concentration of magnetic fluxes to a magnetic sensing element |
| EP3477322A1 (en) * | 2017-10-27 | 2019-05-01 | Melexis Technologies SA | Magnetic sensor with integrated solenoid |
| CN109724630A (zh) * | 2017-10-27 | 2019-05-07 | 迈来芯电子科技有限公司 | 具有集成螺线管的磁传感器 |
| US10788546B2 (en) | 2017-10-27 | 2020-09-29 | Melexis Technologies Sa | Magnetic sensor with integrated solenoid |
| CN109724630B (zh) * | 2017-10-27 | 2021-07-23 | 迈来芯电子科技有限公司 | 具有集成螺线管的磁传感器 |
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