JPH0861955A - 地磁気方位センサ - Google Patents
地磁気方位センサInfo
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- JPH0861955A JPH0861955A JP6198448A JP19844894A JPH0861955A JP H0861955 A JPH0861955 A JP H0861955A JP 6198448 A JP6198448 A JP 6198448A JP 19844894 A JP19844894 A JP 19844894A JP H0861955 A JPH0861955 A JP H0861955A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 実用的な感度及び高い方位精度を有し、組み
立てが容易であってしかも小型化、低価格化の実現を可
能となる地磁気方位センサを提供する。 【構成】 薄膜チップ２上に、第１のギャップｇ1 ，ｇ
2 ，ｇ3 ，ｇ4 と第２のギャップＧ1 ，Ｇ2 ，Ｇ3 ，Ｇ
4 とが一致するように、バルクコアチップ３（すなわ
ち、各第２の強磁性体コアＫ1 ，Ｋ2 ，Ｋ3 ，Ｋ4 ）を
貼り合わせて、第２のギャップＧ1 ，Ｇ2 ，Ｇ3 ，Ｇ4
内に各ＭＲセンサＭ1 ，Ｍ2 ，Ｍ3 ，Ｍ4 が配されたか
たちとして構成する。
立てが容易であってしかも小型化、低価格化の実現を可
能となる地磁気方位センサを提供する。 【構成】 薄膜チップ２上に、第１のギャップｇ1 ，ｇ
2 ，ｇ3 ，ｇ4 と第２のギャップＧ1 ，Ｇ2 ，Ｇ3 ，Ｇ
4 とが一致するように、バルクコアチップ３（すなわ
ち、各第２の強磁性体コアＫ1 ，Ｋ2 ，Ｋ3 ，Ｋ4 ）を
貼り合わせて、第２のギャップＧ1 ，Ｇ2 ，Ｇ3 ，Ｇ4
内に各ＭＲセンサＭ1 ，Ｍ2 ，Ｍ3 ，Ｍ4 が配されたか
たちとして構成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、磁気抵抗効果素子を用
いた地磁気方位センサに関するものであり、特に強磁性
体コアと組み合わせて高感度化を図った新規な地磁気方
位センサに関するものである。
いた地磁気方位センサに関するものであり、特に強磁性
体コアと組み合わせて高感度化を図った新規な地磁気方
位センサに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】例えば、カラー陰極線管では、電子銃か
ら出射された電子ビームの軌道が、地磁気により曲げら
れ、蛍光面上でのビーム到達位置（ランディング）が変
化することがある。特に高精細度陰極線管においては、
ランディング余裕度が小さいために、前記ランディング
の変化（位置ずれ）が色純度の劣化等の問題を引き起こ
す。
ら出射された電子ビームの軌道が、地磁気により曲げら
れ、蛍光面上でのビーム到達位置（ランディング）が変
化することがある。特に高精細度陰極線管においては、
ランディング余裕度が小さいために、前記ランディング
の変化（位置ずれ）が色純度の劣化等の問題を引き起こ
す。
【０００３】これを補正するために、通常、ランディン
グ補正コイルが陰極線管に取り付けられており、このラ
ンディング補正コイルに地磁気の方位に応じて自動的に
ランディング補正に必要な最適電流を流すことにより、
電子ビームの軌道を制御してミスランディングを防止す
るようにしている。
グ補正コイルが陰極線管に取り付けられており、このラ
ンディング補正コイルに地磁気の方位に応じて自動的に
ランディング補正に必要な最適電流を流すことにより、
電子ビームの軌道を制御してミスランディングを防止す
るようにしている。
【０００４】したがって、前記ランディング補正に際し
ては、地磁気の方位を正確に検出する必要があり、いわ
ゆる地磁気方位センサが使用されている。
ては、地磁気の方位を正確に検出する必要があり、いわ
ゆる地磁気方位センサが使用されている。
【０００５】あるいは、従来から用いられてきた磁石式
の方位計（磁気コンパス）の代替として、携帯型の方位
計としても地磁気方位センサが使用されている。
の方位計（磁気コンパス）の代替として、携帯型の方位
計としても地磁気方位センサが使用されている。
【０００６】上述のように、地磁気方位センサは、様々
な用途に使用されるが、その代表的な構造としては、い
わゆるフラックスゲート型のものと、磁気抵抗効果型
（ＭＲ型）のものが知られている。
な用途に使用されるが、その代表的な構造としては、い
わゆるフラックスゲート型のものと、磁気抵抗効果型
（ＭＲ型）のものが知られている。
【０００７】前者は、図１１に示すように、パーマロイ
コア１０１に電気信号出力用コイル１０２と励磁用コイ
ル１０３を巻回してなるもので、地磁気を前記パーマロ
イコアで集束し、これを電気信号出力用コイル１０２に
伝えるような構造とされている。
コア１０１に電気信号出力用コイル１０２と励磁用コイ
ル１０３を巻回してなるもので、地磁気を前記パーマロ
イコアで集束し、これを電気信号出力用コイル１０２に
伝えるような構造とされている。
【０００８】そして、このフラックスゲート型の地磁気
方位センサでは、励磁コイル１０３により交流バイアス
磁界ＨBをパーマロイコア１０１中に発生させ、バイア
ス磁界が反転したときに発生するパルス状の電圧を信号
として検出する。このパルス状電圧の電圧値は、地磁気
の方位によって変化するので、地磁気センサとして利用
することができる。
方位センサでは、励磁コイル１０３により交流バイアス
磁界ＨBをパーマロイコア１０１中に発生させ、バイア
ス磁界が反転したときに発生するパルス状の電圧を信号
として検出する。このパルス状電圧の電圧値は、地磁気
の方位によって変化するので、地磁気センサとして利用
することができる。
【０００９】しかしながら、このフラックスゲート型の
地磁気方位センサは、コイルにより地磁気を電気信号に
変換するため、感度を上げるためには電気信号出力用コ
イル１０２の巻き数を極めて多くしたり、集束効果を高
めるためにパーマロイコア１０１の形状を大きくする必
要がある。したがって、小型化や低価格化は難しい。
地磁気方位センサは、コイルにより地磁気を電気信号に
変換するため、感度を上げるためには電気信号出力用コ
イル１０２の巻き数を極めて多くしたり、集束効果を高
めるためにパーマロイコア１０１の形状を大きくする必
要がある。したがって、小型化や低価格化は難しい。
【００１０】一方、後者（ＭＲ型）は、図１２に示すよ
うに、磁気抵抗効果素子（ＭＲセンサ）１１１を形成し
たＭＲセンサチップ１１０を空心コイル１１２の中に入
れ、これらＭＲセンサチップ１１０に対して４５゜方向
の交流バイアス磁界ＨBを印加してなるものである。等
価回路を図１３に示す。地磁気方位センサとして使用す
る場合には、図１２に示す構造のものを空心コイルの巻
回方向が直交するように１組使用する。
うに、磁気抵抗効果素子（ＭＲセンサ）１１１を形成し
たＭＲセンサチップ１１０を空心コイル１１２の中に入
れ、これらＭＲセンサチップ１１０に対して４５゜方向
の交流バイアス磁界ＨBを印加してなるものである。等
価回路を図１３に示す。地磁気方位センサとして使用す
る場合には、図１２に示す構造のものを空心コイルの巻
回方向が直交するように１組使用する。
【００１１】このＭＲ型の地磁気方位センサは、磁気抵
抗効果素子を使用しているため、フラックスゲート型の
地磁気方位センサに比べて感度が高いが、ＭＲセンサチ
ップ１１０のみで地磁気を感知しているため、０．３ガ
ウス程度の地磁気の方位を検出するには不十分である。
抗効果素子を使用しているため、フラックスゲート型の
地磁気方位センサに比べて感度が高いが、ＭＲセンサチ
ップ１１０のみで地磁気を感知しているため、０．３ガ
ウス程度の地磁気の方位を検出するには不十分である。
【００１２】また、このＭＲ型の地磁気方位センサで
は、ＭＲセンサチップ１１０に対して４５゜方向のバイ
アス磁界ＨB を加えていること、感度向上のためにＭＲ
カーブを無理に急峻なものとしていることから、ＭＲ特
性にヒステリシスを持っており、これを解消するために
信号処理用回路が複雑なものとなったり、方位精度が±
１０゜と悪い等の不都合を有する。
は、ＭＲセンサチップ１１０に対して４５゜方向のバイ
アス磁界ＨB を加えていること、感度向上のためにＭＲ
カーブを無理に急峻なものとしていることから、ＭＲ特
性にヒステリシスを持っており、これを解消するために
信号処理用回路が複雑なものとなったり、方位精度が±
１０゜と悪い等の不都合を有する。
【００１３】
【発明が解決しようとする課題】上述のように、従来知
られる地磁気方位センサでは、感度の点で不満を残して
おり、また小型化、低価格化も難しい。
られる地磁気方位センサでは、感度の点で不満を残して
おり、また小型化、低価格化も難しい。
【００１４】そこで本発明は、かかる従来の実情に鑑み
て提案されたもので、実用的な感度及び高い方位精度を
有し、小型化、低価格化が容易であり、しかも極めて容
易且つ正確に組み立てが可能である地磁気方位センサを
提供することを目的とする。
て提案されたもので、実用的な感度及び高い方位精度を
有し、小型化、低価格化が容易であり、しかも極めて容
易且つ正確に組み立てが可能である地磁気方位センサを
提供することを目的とする。
【００１５】
【課題を解決するための手段】本発明の地磁気方位セン
サは、地磁気を強磁性体コアで集束することにより大き
な磁束密度に変換し、これをコア間のギャップ内に配置
した磁気抵抗効果型素子（以下、単にＭＲセンサと記
す。）で検出するものである。
サは、地磁気を強磁性体コアで集束することにより大き
な磁束密度に変換し、これをコア間のギャップ内に配置
した磁気抵抗効果型素子（以下、単にＭＲセンサと記
す。）で検出するものである。
【００１６】本発明の対象とする地磁気方位センサは、
具体的には、基板上に地磁気を集束する強磁性体コアが
所定のギャップをもって周方向に配列されるとともに、
前記ギャップにおける磁界方向に対して略々直交するよ
うにＭＲセンサがギャップ内に配されてなるものであ
る。
具体的には、基板上に地磁気を集束する強磁性体コアが
所定のギャップをもって周方向に配列されるとともに、
前記ギャップにおける磁界方向に対して略々直交するよ
うにＭＲセンサがギャップ内に配されてなるものであ
る。
【００１７】上記地磁気方位センサは、前記強磁性体コ
アが、薄膜形成技術により成膜されてなる第１の強磁性
体コアと、この第１の強磁性体コア上に重ね合わせられ
磁路を形成する第２の強磁性体コアとからなり、前記第
１の強磁性体コアにギャップが形成されてなることを特
徴とするものである。
アが、薄膜形成技術により成膜されてなる第１の強磁性
体コアと、この第１の強磁性体コア上に重ね合わせられ
磁路を形成する第２の強磁性体コアとからなり、前記第
１の強磁性体コアにギャップが形成されてなることを特
徴とするものである。
【００１８】このとき、上記第２の強磁性体コアの少な
くとも一つに励磁用コイルを巻回し、それにバイアス電
流ＩB を流すことによってバイアス磁界ＨB を発生さ
せ、ＭＲセンサを磁界感度が高く且つ直線性（リニアリ
ティ）の良いところで使用する。なお、バイアス磁界Ｈ
B （電流ＩB ）は、交流であってもよいし、直流であっ
てもよい。
くとも一つに励磁用コイルを巻回し、それにバイアス電
流ＩB を流すことによってバイアス磁界ＨB を発生さ
せ、ＭＲセンサを磁界感度が高く且つ直線性（リニアリ
ティ）の良いところで使用する。なお、バイアス磁界Ｈ
B （電流ＩB ）は、交流であってもよいし、直流であっ
てもよい。
【００１９】上記ＭＲセンサを交流バイアスで使用した
場合、方位信号（低周波数）を交流信号（高周波数）に
重畳した電気信号として取り出すことができるため、Ｍ
Ｒセンサにより発生するオフセット及び温度ドリフト等
のノイズ成分をハイパスフィルタ（ＨＰＦ）等による回
路処理で取り除くことができ、高方位精度を得ることが
できる。
場合、方位信号（低周波数）を交流信号（高周波数）に
重畳した電気信号として取り出すことができるため、Ｍ
Ｒセンサにより発生するオフセット及び温度ドリフト等
のノイズ成分をハイパスフィルタ（ＨＰＦ）等による回
路処理で取り除くことができ、高方位精度を得ることが
できる。
【００２０】本発明においては、上記ＭＲセンサは、互
いに直交するＸ軸方向とＹ軸方向での出力を得るため、
最低でも２箇所に互いに直交するように配置する。好ま
しくは、等角度間隔（９０゜間隔）で４つのＭＲセンサ
を配置する。
いに直交するＸ軸方向とＹ軸方向での出力を得るため、
最低でも２箇所に互いに直交するように配置する。好ま
しくは、等角度間隔（９０゜間隔）で４つのＭＲセンサ
を配置する。
【００２１】一方、第１の強磁性体コアは、前記ＭＲセ
ンサの配置に応じて等角度間隔（例えば９０゜間隔）で
ギャップを有し、且つ閉磁路を構成するように、周方向
に配列する。このとき、第２の強磁性体コアの配列状態
は、９０゜回転させても対称となる構造とすることが好
ましく、具体的には、正方形状、或は円環状に配列す
る。
ンサの配置に応じて等角度間隔（例えば９０゜間隔）で
ギャップを有し、且つ閉磁路を構成するように、周方向
に配列する。このとき、第２の強磁性体コアの配列状態
は、９０゜回転させても対称となる構造とすることが好
ましく、具体的には、正方形状、或は円環状に配列す
る。
【００２２】上記第１の強磁性体コアにはパーマロイ
等、上記第２の強磁性体コアにはパーマロイ、珪素鋼
板、各種ソフトフェライト等の、高透磁率、高飽和磁束
密度を有する軟磁性材（いわゆるソフト材）を用い、バ
イアス磁界の印加と地磁気の集束に利用する。
等、上記第２の強磁性体コアにはパーマロイ、珪素鋼
板、各種ソフトフェライト等の、高透磁率、高飽和磁束
密度を有する軟磁性材（いわゆるソフト材）を用い、バ
イアス磁界の印加と地磁気の集束に利用する。
【００２３】
【作用】本発明の地磁気方位センサにおいて、第１及び
第２の強磁性体コアは、バイアス磁界の磁路を構成する
とともに、地磁気を集束するいわゆる集束ホーンとして
機能する。その結果、互いに直交するＭＲセンサに加わ
る地磁気の総量は、それぞれ地磁気とＭＲセンサのなす
角度に応じて決まり、各ＭＲセンサから第１及び第２の
強磁性体コアにより構成される閉磁路の中心を通る地磁
気線に直角に引いた線に比例する。
第２の強磁性体コアは、バイアス磁界の磁路を構成する
とともに、地磁気を集束するいわゆる集束ホーンとして
機能する。その結果、互いに直交するＭＲセンサに加わ
る地磁気の総量は、それぞれ地磁気とＭＲセンサのなす
角度に応じて決まり、各ＭＲセンサから第１及び第２の
強磁性体コアにより構成される閉磁路の中心を通る地磁
気線に直角に引いた線に比例する。
【００２４】さらに、上記地磁気方位センサにおいて
は、強磁性体コアが、薄膜形成技術により成膜されてな
る第１の強磁性体コアと、この第１の強磁性体コア上に
重ね合わせられ磁路を形成する第２の強磁性体コアとか
らなり、前記第１の強磁性体コアにギャップが形成され
た構造とされている。ここで、第２の強磁性体コアは、
第１の強磁性体コアの補助的な役割を果たし、第１の強
磁性体コアと比較して遥かに厚い膜厚を有するために地
磁気の集束効果が大幅に増大するようになる。
は、強磁性体コアが、薄膜形成技術により成膜されてな
る第１の強磁性体コアと、この第１の強磁性体コア上に
重ね合わせられ磁路を形成する第２の強磁性体コアとか
らなり、前記第１の強磁性体コアにギャップが形成され
た構造とされている。ここで、第２の強磁性体コアは、
第１の強磁性体コアの補助的な役割を果たし、第１の強
磁性体コアと比較して遥かに厚い膜厚を有するために地
磁気の集束効果が大幅に増大するようになる。
【００２５】しかもこのとき、上記ＭＲセンサの位置精
度は、第１の強磁性体コアとの位置（ギャップ内におけ
る位置）により決定される。上記ＭＲセンサ及び第１の
強磁性体コアは薄膜形成技術により成膜されるため、±
１μｍ以下の高精度でＭＲセンサと第１の強磁性体コア
との間の位置決めを行うことが可能である。したがっ
て、作製時において、上記薄膜チップに対して第２の強
磁性体コアが多少の位置ずれを起こしたとしても、上記
ＭＲセンサに印加される磁界は悪影響を受けることがな
い。
度は、第１の強磁性体コアとの位置（ギャップ内におけ
る位置）により決定される。上記ＭＲセンサ及び第１の
強磁性体コアは薄膜形成技術により成膜されるため、±
１μｍ以下の高精度でＭＲセンサと第１の強磁性体コア
との間の位置決めを行うことが可能である。したがっ
て、作製時において、上記薄膜チップに対して第２の強
磁性体コアが多少の位置ずれを起こしたとしても、上記
ＭＲセンサに印加される磁界は悪影響を受けることがな
い。
【００２６】したがって、地磁気が効率的にＭＲセンサ
へ磁気信号として供給されるとともに、高い組立精度が
要求されることなく高方位精度が得られる。
へ磁気信号として供給されるとともに、高い組立精度が
要求されることなく高方位精度が得られる。
【００２７】
【実施例】以下、本発明を適用した具体的な実施例につ
いて、図面を参照しながら詳細に説明する。
いて、図面を参照しながら詳細に説明する。
【００２８】図１は、本発明を適用した地磁気方位セン
サの基本構造の一例を示すものである。本実施例の地磁
気方位センサは、第１の強磁性体コアとＭＲセンサとが
薄膜形成技術により成膜されてなる薄膜チップ２と、第
１の強磁性体コア上に重ね合わせられ、上記第１の強磁
性体コアとともに磁路を形成する第２の強磁性体コアと
から構成されている。
サの基本構造の一例を示すものである。本実施例の地磁
気方位センサは、第１の強磁性体コアとＭＲセンサとが
薄膜形成技術により成膜されてなる薄膜チップ２と、第
１の強磁性体コア上に重ね合わせられ、上記第１の強磁
性体コアとともに磁路を形成する第２の強磁性体コアと
から構成されている。
【００２９】上記薄膜チップ２においては、図２に示す
ように、ほぼ正方形状の基板１上の対角線上における４
箇所にパーマロイ等を材料として薄膜形成技術（スパッ
タ法，蒸着法等）により第１の強磁性体コアＴ1 ，
Ｔ2 ，Ｔ3 ，Ｔ4 が膜厚１０μｍ程に成膜されている。
ように、ほぼ正方形状の基板１上の対角線上における４
箇所にパーマロイ等を材料として薄膜形成技術（スパッ
タ法，蒸着法等）により第１の強磁性体コアＴ1 ，
Ｔ2 ，Ｔ3 ，Ｔ4 が膜厚１０μｍ程に成膜されている。
【００３０】これら第１の強磁性体コアＴ1 ，Ｔ2 ，Ｔ
3 ，Ｔ4 は、一対の帯状の薄膜コアＴ1A，Ｔ1B、Ｔ2A，
Ｔ2B、Ｔ3A，Ｔ3B、Ｔ4A，Ｔ4Bより構成され、上記基板
上に９０゜間隔で設けられている。
3 ，Ｔ4 は、一対の帯状の薄膜コアＴ1A，Ｔ1B、Ｔ2A，
Ｔ2B、Ｔ3A，Ｔ3B、Ｔ4A，Ｔ4Bより構成され、上記基板
上に９０゜間隔で設けられている。
【００３１】ここで、第１の強磁性体コアＴ1 ，Ｔ2 ，
Ｔ3 ，Ｔ4 においては、各薄膜コアＴ1A，Ｔ1B、Ｔ2A，
Ｔ2B、Ｔ3A，Ｔ3B、Ｔ4A，Ｔ4Bにより所定幅のギャップ
（隙間）Ｇ1 ，Ｇ2 ，Ｇ3 ，Ｇ4 が形成されており、こ
れらギャップＧ1 ，Ｇ2 ，Ｇ3 ，Ｇ4 内にそれぞれＭＲ
センサＭ1 ，Ｍ2 ，Ｍ3 ，Ｍ4 が第１の強磁性体コアＴ
1 ，Ｔ2 ，Ｔ3 ，Ｔ4 と同様に薄膜形成技術により膜厚
０．０５μｍ程に成膜されている。
Ｔ3 ，Ｔ4 においては、各薄膜コアＴ1A，Ｔ1B、Ｔ2A，
Ｔ2B、Ｔ3A，Ｔ3B、Ｔ4A，Ｔ4Bにより所定幅のギャップ
（隙間）Ｇ1 ，Ｇ2 ，Ｇ3 ，Ｇ4 が形成されており、こ
れらギャップＧ1 ，Ｇ2 ，Ｇ3 ，Ｇ4 内にそれぞれＭＲ
センサＭ1 ，Ｍ2 ，Ｍ3 ，Ｍ4 が第１の強磁性体コアＴ
1 ，Ｔ2 ，Ｔ3 ，Ｔ4 と同様に薄膜形成技術により膜厚
０．０５μｍ程に成膜されている。
【００３２】さらに、図４（図１中、一点鎖線Ｌによる
断面図）に示すように、これらＭＲセンサＭ1 ，Ｍ2 ，
Ｍ3 ，Ｍ4 上にＳｉＯ2 等よりなる保護膜１１が膜厚３
μｍ程に成膜されてギャップＧ1 ，Ｇ2 ，Ｇ3 ，Ｇ4 内
にＭＲセンサＭ1 ，Ｍ2 ，Ｍ3 ，Ｍ4 が埋め込まれたか
たちとされて薄膜チップ２が構成されている。
断面図）に示すように、これらＭＲセンサＭ1 ，Ｍ2 ，
Ｍ3 ，Ｍ4 上にＳｉＯ2 等よりなる保護膜１１が膜厚３
μｍ程に成膜されてギャップＧ1 ，Ｇ2 ，Ｇ3 ，Ｇ4 内
にＭＲセンサＭ1 ，Ｍ2 ，Ｍ3 ，Ｍ4 が埋め込まれたか
たちとされて薄膜チップ２が構成されている。
【００３３】上記第２の強磁性体コアＫ1 ，Ｋ2 ，
Ｋ3 ，Ｋ4 は、図３に示すように、パーマロイや、珪素
鋼板、或は各種ソフトフェライト等からなる翼形状に形
成されたものである。そして、これら４つの第２の強磁
性体コアＫ1 ，Ｋ2 ，Ｋ3 ，Ｋ4は、各々９０゜間隔で
上記ギャップＧ1 ，Ｇ2 ，Ｇ3 ，Ｇ4 より幅の広い所定
の間隔Ｓ1 ，Ｓ2 ，Ｓ3 ，Ｓ4 を形成するように正方形
状に組み合される。
Ｋ3 ，Ｋ4 は、図３に示すように、パーマロイや、珪素
鋼板、或は各種ソフトフェライト等からなる翼形状に形
成されたものである。そして、これら４つの第２の強磁
性体コアＫ1 ，Ｋ2 ，Ｋ3 ，Ｋ4は、各々９０゜間隔で
上記ギャップＧ1 ，Ｇ2 ，Ｇ3 ，Ｇ4 より幅の広い所定
の間隔Ｓ1 ，Ｓ2 ，Ｓ3 ，Ｓ4 を形成するように正方形
状に組み合される。
【００３４】上記第２の強磁性体コアＫ1 ，Ｋ2 ，
Ｋ3 ，Ｋ4 の中心位置にはそれぞれ巻線部１２が形成さ
れており、各巻線部１２には各ＭＲセンサＭ1 ，Ｍ2 ，
Ｍ3 ，Ｍ4 にバイアス磁界ＨB を供給するための励磁用
コイルＣ1 ，Ｃ2 ，Ｃ3 ，Ｃ4 が巻回されている。
Ｋ3 ，Ｋ4 の中心位置にはそれぞれ巻線部１２が形成さ
れており、各巻線部１２には各ＭＲセンサＭ1 ，Ｍ2 ，
Ｍ3 ，Ｍ4 にバイアス磁界ＨB を供給するための励磁用
コイルＣ1 ，Ｃ2 ，Ｃ3 ，Ｃ4 が巻回されている。
【００３５】そして、上記の如く構成された薄膜チップ
２上に、上記第２の強磁性体コアＫ1 ，Ｋ2 ，Ｋ3 ，Ｋ
4 が貼り合わされて上記地磁気方位センサが構成されて
いる。ここで、各第２の強磁性体コアＫ1 ，Ｋ2 ，
Ｋ3 ，Ｋ4 は、それぞれ薄膜コアＴ1B，Ｔ2A、Ｔ2B，Ｔ
3A、Ｔ3B，Ｔ4A、Ｔ4B，Ｔ1A上に重ね合わせられ、上記
間隔Ｓ1 ，Ｓ2 ，Ｓ3 ，Ｓ4 をもって薄膜チップ２上に
位置している。
２上に、上記第２の強磁性体コアＫ1 ，Ｋ2 ，Ｋ3 ，Ｋ
4 が貼り合わされて上記地磁気方位センサが構成されて
いる。ここで、各第２の強磁性体コアＫ1 ，Ｋ2 ，
Ｋ3 ，Ｋ4 は、それぞれ薄膜コアＴ1B，Ｔ2A、Ｔ2B，Ｔ
3A、Ｔ3B，Ｔ4A、Ｔ4B，Ｔ1A上に重ね合わせられ、上記
間隔Ｓ1 ，Ｓ2 ，Ｓ3 ，Ｓ4 をもって薄膜チップ２上に
位置している。
【００３６】上記ＭＲセンサＭ1 ，Ｍ2 ，Ｍ3 ，Ｍ
4 は、例えばＸ軸方向検出用の２つのＭＲセンサＭ1 ，
Ｍ3 と、これと直交するＹ軸方向検出用の２つのＭＲセ
ンサＭ2，Ｍ4 に分類されており、上記基板１上には、
定電位電源ＶCCが印加する電極１５と、Ｘ軸方向及びＹ
軸方向の電極１３ａ，ｂ及び電極１４ａ，ｂとが形成さ
れている。
4 は、例えばＸ軸方向検出用の２つのＭＲセンサＭ1 ，
Ｍ3 と、これと直交するＹ軸方向検出用の２つのＭＲセ
ンサＭ2，Ｍ4 に分類されており、上記基板１上には、
定電位電源ＶCCが印加する電極１５と、Ｘ軸方向及びＹ
軸方向の電極１３ａ，ｂ及び電極１４ａ，ｂとが形成さ
れている。
【００３７】上述の構成を有する地磁気方位センサの等
価回路は、図５に示す通りである。すなわち、Ｘ軸方向
検出用の２つのＭＲセンサＭ1 ，Ｍ3 からの信号は、電
極１３ａ，ｂを通り差動アンプＡ1 よりＸ出力として出
力され、同様に、Ｙ軸方向検出用の２つのＭＲセンサＭ
2 ，Ｍ4 からの信号は、電極１４ａ，ｂを通り差動アン
プＡ2 よりＹ出力として出力される。
価回路は、図５に示す通りである。すなわち、Ｘ軸方向
検出用の２つのＭＲセンサＭ1 ，Ｍ3 からの信号は、電
極１３ａ，ｂを通り差動アンプＡ1 よりＸ出力として出
力され、同様に、Ｙ軸方向検出用の２つのＭＲセンサＭ
2 ，Ｍ4 からの信号は、電極１４ａ，ｂを通り差動アン
プＡ2 よりＹ出力として出力される。
【００３８】地磁気検出用のＭＲセンサＭ1 ，Ｍ2 ，Ｍ
3 ，Ｍ4 においては、電極１５に定電位電源ＶCCが接続
され、電極１３ａ，ｂ及び電極１４ａ，ｂにセンス電流
ＩSを供給する。
3 ，Ｍ4 においては、電極１５に定電位電源ＶCCが接続
され、電極１３ａ，ｂ及び電極１４ａ，ｂにセンス電流
ＩSを供給する。
【００３９】また、Ｘ軸方向検出用のＭＲセンサＭ1 と
ＭＲセンサＭ3 には、１８０゜方位の異なるバイアス磁
界（ＨB及び−ＨB）が印加され、同様にＹ軸方向検出用
のＭＲセンサＭ2 とＭＲセンサＭ4 にも１８０゜方位の
異なるバイアス磁界（ＨB及び−ＨB）が印加される。
ＭＲセンサＭ3 には、１８０゜方位の異なるバイアス磁
界（ＨB及び−ＨB）が印加され、同様にＹ軸方向検出用
のＭＲセンサＭ2 とＭＲセンサＭ4 にも１８０゜方位の
異なるバイアス磁界（ＨB及び−ＨB）が印加される。
【００４０】上記構成の地磁気方位センサにおいて、Ｍ
ＲセンサＭ1 ，Ｍ2 ，Ｍ3 ，Ｍ4 は、次のような特徴を
持っている。
ＲセンサＭ1 ，Ｍ2 ，Ｍ3 ，Ｍ4 は、次のような特徴を
持っている。
【００４１】（１）磁界の強度により抵抗値が変化す
る。（磁気抵抗効果） （２）弱い磁界を感知する能力に優れている。
る。（磁気抵抗効果） （２）弱い磁界を感知する能力に優れている。
【００４２】（３）抵抗値変化を電気信号として取り出
すことができる。
すことができる。
【００４３】本発明の地磁気方位センサにおいては、こ
の特徴を利用して地磁気による磁気信号を電気信号に変
換する。
の特徴を利用して地磁気による磁気信号を電気信号に変
換する。
【００４４】図６は、ＭＲセンサのＭＲ特性曲線を示す
ものである。この図６において、横軸はＭＲセンサに垂
直に加わる磁界の強さ、縦軸はＭＲセンサの抵抗値の変
化、あるいは出力電圧変化（ＭＲセンサに直流電流を流
した場合）である。
ものである。この図６において、横軸はＭＲセンサに垂
直に加わる磁界の強さ、縦軸はＭＲセンサの抵抗値の変
化、あるいは出力電圧変化（ＭＲセンサに直流電流を流
した場合）である。
【００４５】ＭＲセンサの抵抗値は、磁界零で最大とな
り、大きな磁界（ＭＲセンサのパターン形状等にもよる
が１００〜２００ガウス程度）を印加したときに約３％
小さくなる。
り、大きな磁界（ＭＲセンサのパターン形状等にもよる
が１００〜２００ガウス程度）を印加したときに約３％
小さくなる。
【００４６】ＭＲセンサ出力のＳ／Ｎ（出力電圧振幅）
及び歪率向上のためには、図６に示すように、バイアス
磁界ＨB が必要となる。このバイアス磁界ＨBは、先に
も述べたように、第２の強磁性体コアＫ1 ，Ｋ2 ，
Ｋ3 ，Ｋ4 に励磁用コイルＣ1 ，Ｃ2 ，Ｃ3 ，Ｃ4 を巻
回し、これにバイアス電流ＩB を流すことによって与え
られる。
及び歪率向上のためには、図６に示すように、バイアス
磁界ＨB が必要となる。このバイアス磁界ＨBは、先に
も述べたように、第２の強磁性体コアＫ1 ，Ｋ2 ，
Ｋ3 ，Ｋ4 に励磁用コイルＣ1 ，Ｃ2 ，Ｃ3 ，Ｃ4 を巻
回し、これにバイアス電流ＩB を流すことによって与え
られる。
【００４７】このとき、Ｘ軸方向検出用のＭＲセンサＭ
1 に印加されるバイアス磁界の方向とＭＲセンサＭ3 に
印加されるバイアス磁界の方向は、互いに１８０゜反転
している。同様に、Ｙ軸方向検出用のＭＲセンサＭ2 に
印加されるバイアス磁界の方向とＭＲセンサＭ4 に印加
されるバイアス磁界の方向も、互いに１８０゜反転して
いる。
1 に印加されるバイアス磁界の方向とＭＲセンサＭ3 に
印加されるバイアス磁界の方向は、互いに１８０゜反転
している。同様に、Ｙ軸方向検出用のＭＲセンサＭ2 に
印加されるバイアス磁界の方向とＭＲセンサＭ4 に印加
されるバイアス磁界の方向も、互いに１８０゜反転して
いる。
【００４８】ここで、地磁気信号ＨE が入ってくると、
例えばＸ軸方向検出用のＭＲセンサＭ1 及びＭ3 に加わ
る磁界の強さは以下のようになる。
例えばＸ軸方向検出用のＭＲセンサＭ1 及びＭ3 に加わ
る磁界の強さは以下のようになる。
【００４９】ＭＲセンサＭ1 ： ＨB ＋ＨE ＭＲセンサＭ3 ： −ＨB ＋ＨE 交流バイアス磁界印加とすると、ＭＲセンサＭ1 に印加
される磁界は図５中線Ａで示すように変化し、この磁界
の変化が図６中線Ｂで示すように電圧変化として出力さ
れる。一方、ＭＲセンサＭ3 に印加される磁界は図６中
線Ｃで示すように変化し、この磁界の変化が図６中線Ｄ
で示すように電圧変化として出力される。
される磁界は図５中線Ａで示すように変化し、この磁界
の変化が図６中線Ｂで示すように電圧変化として出力さ
れる。一方、ＭＲセンサＭ3 に印加される磁界は図６中
線Ｃで示すように変化し、この磁界の変化が図６中線Ｄ
で示すように電圧変化として出力される。
【００５０】このＭＲセンサＭ1 からの出力（線Ｂ）と
ＭＲセンサＭ3 からの出力（線Ｄ）の出力差Ｌが、差動
信号（Ｘ出力）として取り出される。Ｙ軸方向検出用の
ＭＲセンサＭ2 ，Ｍ4 についても同様であり、差動信号
（Ｙ出力）が取り出される。
ＭＲセンサＭ3 からの出力（線Ｄ）の出力差Ｌが、差動
信号（Ｘ出力）として取り出される。Ｙ軸方向検出用の
ＭＲセンサＭ2 ，Ｍ4 についても同様であり、差動信号
（Ｙ出力）が取り出される。
【００５１】これら差動信号は地磁気ＨE の方位により
変化し、それぞれＨE ｓｉｎθ、ＨE ｃｏｓθに比例す
る。したがって、横軸に方位θをとって出力電位をプロ
ットすると、Ｘ出力及びＹ出力は図７に示すようなもの
となる。
変化し、それぞれＨE ｓｉｎθ、ＨE ｃｏｓθに比例す
る。したがって、横軸に方位θをとって出力電位をプロ
ットすると、Ｘ出力及びＹ出力は図７に示すようなもの
となる。
【００５２】したがって、これらＸ出力及びＹ出力か
ら、地磁気に対する方位θを算出することができる。
ら、地磁気に対する方位θを算出することができる。
【００５３】すなわち、Ｘ出力とＹ出力の比Ｘ／Ｙは、
これら出力がＨE ｓｉｎθ、ＨE ｃｏｓθに比例するこ
とから、ｓｉｎθ／ｃｏｓθで表わすことができる。
これら出力がＨE ｓｉｎθ、ＨE ｃｏｓθに比例するこ
とから、ｓｉｎθ／ｃｏｓθで表わすことができる。
【００５４】Ｘ／Ｙ＝ｓｉｎθ／ｃｏｓθ＝ｔａｎθ したがって、 θ＝ｔａｎ-1（Ｘ／Ｙ） （ただし、０≦θ≦１８０゜のときＸ≧０、１８０゜＜
θ＜３６０゜のときＸ＜０である。） 以上によって地磁気ＨE の方位θを知ることができる
が、次に強磁性体コアＫ 1 ，Ｋ2 ，Ｋ3 ，Ｋ4 による地
磁気集束原理について説明する。
θ＜３６０゜のときＸ＜０である。） 以上によって地磁気ＨE の方位θを知ることができる
が、次に強磁性体コアＫ 1 ，Ｋ2 ，Ｋ3 ，Ｋ4 による地
磁気集束原理について説明する。
【００５５】先ず、図８に、フェライト、パーマロイ等
からなる強磁性体コアＫが地磁気にどのような影響を与
えるのかを模式的に図示した。
からなる強磁性体コアＫが地磁気にどのような影響を与
えるのかを模式的に図示した。
【００５６】強磁性体は空気中に比べて磁気抵抗が小さ
いため、地磁気が吸い寄せられるように曲げられ、強磁
性体コアＫ中を通って再び外へ出る。
いため、地磁気が吸い寄せられるように曲げられ、強磁
性体コアＫ中を通って再び外へ出る。
【００５７】したがって、上記強磁性体コアＫは、地磁
気を集束し、大きな磁束密度に変換する。（実際は、地
磁気は強磁性体コアＫを磁化し、ギャップに大きな磁界
を発生する。） 図９は、円形の強磁性体コアＫを用いた場合に地磁気が
どのように各ＭＲセンサＭ1 ，Ｍ2 ，Ｍ3 ，Ｍ4 に伝わ
るのかを示したものであり、各ＭＲセンサＭ1，Ｍ2 ，
Ｍ3 ，Ｍ4 に磁気信号として印加される地磁気の総量
は、各ＭＲセンサＭ1 ，Ｍ2 ，Ｍ3 ，Ｍ4 から強磁性体
コアＫの中心を通る地磁気線ＨEOに垂直に引いた線の長
さに相当する。
気を集束し、大きな磁束密度に変換する。（実際は、地
磁気は強磁性体コアＫを磁化し、ギャップに大きな磁界
を発生する。） 図９は、円形の強磁性体コアＫを用いた場合に地磁気が
どのように各ＭＲセンサＭ1 ，Ｍ2 ，Ｍ3 ，Ｍ4 に伝わ
るのかを示したものであり、各ＭＲセンサＭ1，Ｍ2 ，
Ｍ3 ，Ｍ4 に磁気信号として印加される地磁気の総量
は、各ＭＲセンサＭ1 ，Ｍ2 ，Ｍ3 ，Ｍ4 から強磁性体
コアＫの中心を通る地磁気線ＨEOに垂直に引いた線の長
さに相当する。
【００５８】Ｘ軸方向検出用ＭＲセンサＭ1，Ｍ3に印加
される地磁気の総量：ｒｓｉｎθ Ｙ軸方向検出用ＭＲセンサＭ2，Ｍ4に印加される地磁気
の総量：ｒｃｏｓθ したがって、これら地磁気の総量に基づいて出力される
地磁気方位センサ出力（Ｘ出力，Ｙ出力）より、先の計
算式に従って地磁気ＨE の方位θが算出される。
される地磁気の総量：ｒｓｉｎθ Ｙ軸方向検出用ＭＲセンサＭ2，Ｍ4に印加される地磁気
の総量：ｒｃｏｓθ したがって、これら地磁気の総量に基づいて出力される
地磁気方位センサ出力（Ｘ出力，Ｙ出力）より、先の計
算式に従って地磁気ＨE の方位θが算出される。
【００５９】図１０に示すように強磁性体コアＫが正方
形の場合も同様であり、強磁性体コアＫの中心点を回転
中心として９０゜回転させたときに対称となる形状であ
れば、いずれの場合にも同様の出力を得ることができ
る。
形の場合も同様であり、強磁性体コアＫの中心点を回転
中心として９０゜回転させたときに対称となる形状であ
れば、いずれの場合にも同様の出力を得ることができ
る。
【００６０】前述のように、励磁用コイルＣ1 ，Ｃ2 ，
Ｃ3 ，Ｃ4 のコアとして機能する第１の強磁性体コアＴ
1 ，Ｔ2 ，Ｔ3 ，Ｔ4 及び第２の強磁性体コアＫ1 ，Ｋ
2 ，Ｋ3 ，Ｋ4 を軟磁性体とし、地磁気の集束ホーンと
して使用すると、空心コイルやマグネットを使用したと
きに比べて出力が大きくなり、感度が向上する。
Ｃ3 ，Ｃ4 のコアとして機能する第１の強磁性体コアＴ
1 ，Ｔ2 ，Ｔ3 ，Ｔ4 及び第２の強磁性体コアＫ1 ，Ｋ
2 ，Ｋ3 ，Ｋ4 を軟磁性体とし、地磁気の集束ホーンと
して使用すると、空心コイルやマグネットを使用したと
きに比べて出力が大きくなり、感度が向上する。
【００６１】さらに、上記地磁気方位センサにおいて
は、第２の強磁性体コアＫ1 ，Ｋ2 ，Ｋ3 ，Ｋ4 が、第
１の強磁性体コアＴ1 ，Ｔ2 ，Ｔ3 ，Ｔ4 の補助的な役
割を果たし、第１の強磁性体コアＴ1 ，Ｔ2 ，Ｔ3 ，Ｔ
4 と比較して遥かに厚い膜厚を有するために地磁気の集
束効果が大幅に増大するようになる。
は、第２の強磁性体コアＫ1 ，Ｋ2 ，Ｋ3 ，Ｋ4 が、第
１の強磁性体コアＴ1 ，Ｔ2 ，Ｔ3 ，Ｔ4 の補助的な役
割を果たし、第１の強磁性体コアＴ1 ，Ｔ2 ，Ｔ3 ，Ｔ
4 と比較して遥かに厚い膜厚を有するために地磁気の集
束効果が大幅に増大するようになる。
【００６２】しかもこのとき、上記ＭＲセンサＭ1 ，Ｍ
2 ，Ｍ3 ，Ｍ4 の位置精度は、第１の強磁性体コア
Ｔ1 ，Ｔ2 ，Ｔ3 ，Ｔ4 との位置（ギャップＧ1 ，
Ｇ2 ，Ｇ3 ，Ｇ4 内における位置）により決定される。
上記ＭＲセンサＭ1 ，Ｍ2 ，Ｍ3 ，Ｍ4 及び第１の強磁
性体コアＴ1 ，Ｔ2 ，Ｔ3 ，Ｔ4 は薄膜形成技術により
成膜されるため、±１μｍ以下の高精度でＭＲセンサＭ
1 ，Ｍ2 ，Ｍ3 ，Ｍ4 と第１の強磁性体コアＴ1 ，
Ｔ2 ，Ｔ3 ，Ｔ4 との間の位置決めを行うことが可能で
ある。したがって、作製時において、上記薄膜チップ２
の第１の強磁性体コアＴ1 ，Ｔ2 ，Ｔ3 ，Ｔ4 に対して
第２の強磁性体コアＫ1 ，Ｋ2 ，Ｋ3 ，Ｋ4 が多少の位
置ずれを起こしたとしても、上記ＭＲセンサＭ1 ，
Ｍ2 ，Ｍ3 ，Ｍ4 に印加される磁界は悪影響を受けるこ
とがない。
2 ，Ｍ3 ，Ｍ4 の位置精度は、第１の強磁性体コア
Ｔ1 ，Ｔ2 ，Ｔ3 ，Ｔ4 との位置（ギャップＧ1 ，
Ｇ2 ，Ｇ3 ，Ｇ4 内における位置）により決定される。
上記ＭＲセンサＭ1 ，Ｍ2 ，Ｍ3 ，Ｍ4 及び第１の強磁
性体コアＴ1 ，Ｔ2 ，Ｔ3 ，Ｔ4 は薄膜形成技術により
成膜されるため、±１μｍ以下の高精度でＭＲセンサＭ
1 ，Ｍ2 ，Ｍ3 ，Ｍ4 と第１の強磁性体コアＴ1 ，
Ｔ2 ，Ｔ3 ，Ｔ4 との間の位置決めを行うことが可能で
ある。したがって、作製時において、上記薄膜チップ２
の第１の強磁性体コアＴ1 ，Ｔ2 ，Ｔ3 ，Ｔ4 に対して
第２の強磁性体コアＫ1 ，Ｋ2 ，Ｋ3 ，Ｋ4 が多少の位
置ずれを起こしたとしても、上記ＭＲセンサＭ1 ，
Ｍ2 ，Ｍ3 ，Ｍ4 に印加される磁界は悪影響を受けるこ
とがない。
【００６３】したがって、地磁気が効率的にＭＲセンサ
Ｍ1 ，Ｍ2 ，Ｍ3 ，Ｍ4 へ磁気信号として供給されると
ともに、高い組立精度が要求されることなく高方位精度
が得られる。
Ｍ1 ，Ｍ2 ，Ｍ3 ，Ｍ4 へ磁気信号として供給されると
ともに、高い組立精度が要求されることなく高方位精度
が得られる。
【００６４】また上記の如く、薄膜形成技術によれば、
ＭＲセンサＭ1 ，Ｍ2 ，Ｍ3 ，Ｍ4の位置決めを高精度
に行うことが可能であるので、ギャップＧ1 ，Ｇ2 ，Ｇ
3 ，Ｇ4 のギャップ幅を低減させて更に地磁気集束効果
を向上させることもできる。それに伴い、励磁用コイル
Ｃ1 ，Ｃ2 ，Ｃ3 ，Ｃ4 に供給するバイアス電流ＩBを
小さくすることや当該励磁用コイルＣ1 ，Ｃ2 ，Ｃ3 ，
Ｃ4 の巻数を低減させることが可能となる。
ＭＲセンサＭ1 ，Ｍ2 ，Ｍ3 ，Ｍ4の位置決めを高精度
に行うことが可能であるので、ギャップＧ1 ，Ｇ2 ，Ｇ
3 ，Ｇ4 のギャップ幅を低減させて更に地磁気集束効果
を向上させることもできる。それに伴い、励磁用コイル
Ｃ1 ，Ｃ2 ，Ｃ3 ，Ｃ4 に供給するバイアス電流ＩBを
小さくすることや当該励磁用コイルＣ1 ，Ｃ2 ，Ｃ3 ，
Ｃ4 の巻数を低減させることが可能となる。
【００６５】以上、本発明を適用した実施例について説
明してきたが、本発明がこれら実施例に限定されるわけ
ではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲で形状、材
質、寸法等、任意に変更することが可能である。
明してきたが、本発明がこれら実施例に限定されるわけ
ではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲で形状、材
質、寸法等、任意に変更することが可能である。
【００６６】
【発明の効果】以上の説明からも明かなように、本発明
に係る地磁気方位センサは、実用的な感度及び高い方位
精度を有し、組み立てが容易であってしかも小型化、低
価格化の実現が可能となる。
に係る地磁気方位センサは、実用的な感度及び高い方位
精度を有し、組み立てが容易であってしかも小型化、低
価格化の実現が可能となる。
【図１】本実施例に係る地磁気方位センサの主要部を模
式的に示す平面図である。
式的に示す平面図である。
【図２】上記地磁気方位センサの薄膜チップを模式的に
示す平面図である。
示す平面図である。
【図３】上記地磁気方位センサのバルクコアチップを模
式的に示す平面図である。
式的に示す平面図である。
【図４】上記地磁気方位センサのギャップ近傍を模式的
に示す断面図である。
に示す断面図である。
【図５】図１に示す地磁気方位センサの等価回路図であ
る。
る。
【図６】ＭＲセンサのＭＲ特性曲線を示す特性図であ
る。
る。
【図７】出力電圧と方位との関係を示す特性図である。
【図８】強磁性体コアによる地磁気の集束状態を示す模
式図である。
式図である。
【図９】円形コアを用いた場合に各ＭＲセンサのに印加
される地磁気の総量を示す模式図である。
される地磁気の総量を示す模式図である。
【図１０】正方形コアを用いた場合に各ＭＲセンサのに
印加される地磁気の総量を示す模式図である。
印加される地磁気の総量を示す模式図である。
【図１１】従来のフラックスゲート型の地磁気方位セン
サの一例を模式的に示す概略平面図である。
サの一例を模式的に示す概略平面図である。
【図１２】従来のＭＲ型の地磁気方位センサの一例を模
式的に示す概略平面図である。
式的に示す概略平面図である。
【図１３】図１２に示す地磁気方位センサの等価回路図
である。
である。
１ 基板 ２ 薄膜チップ ３ バルクコアチップ １１ 保護膜 １２ 巻線部 １３ａ，１３ｂ，１４ａ，１４ｂ，１５ 電極 Ｍ1 ，Ｍ2 ，Ｍ3 ，Ｍ4 ＭＲセンサ Ｔ1 ，Ｔ2 ，Ｔ3 ，Ｔ4 第１の強磁性体コア Ｋ1 ，Ｋ2 ，Ｋ3 ，Ｋ4 第２の強磁性体コア ｇ1 ，ｇ2 ，ｇ3 ，ｇ4 第１のギャップ Ｇ1 ，Ｇ2 ，Ｇ3 ，Ｇ4 第２のギャップ Ｃ1 ，Ｃ2 励磁用コイル
Claims (4)
- 【請求項１】 基板上に地磁気を集束する強磁性体コア
が所定のギャップをもって周方向に配列されるととも
に、前記ギャップにおける磁界方向に対して略々直交す
るように磁気抵抗効果素子がギャップ内に配されてなる
地磁気方位センサにおいて、 前記強磁性体コアが、薄膜形成技術により成膜されてな
る第１の強磁性体コアと、この第１の強磁性体コア上に
重ね合わせられ磁路を形成する第２の強磁性体コアとか
らなり、前記第１の強磁性体コアにギャップが形成され
てなることを特徴とする地磁気方位センサ。 - 【請求項２】 略直交する少なくとも一対の磁気抵抗効
果素子を有することを特徴とする請求項１記載の地磁気
方位センサ。 - 【請求項３】 第１及び第２の強磁性体コアが軟磁気特
性を有することを特徴とする請求項１記載の地磁気方位
センサ。 - 【請求項４】 電流の供給により磁気抵抗効果素子にバ
イアス磁界を印加する励磁用コイルが第２の強磁性体コ
アのうちの少なくとも一つに巻回されて設けられている
ことを特徴とする請求項１記載の地磁気方位センサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6198448A JPH0861955A (ja) | 1994-08-23 | 1994-08-23 | 地磁気方位センサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6198448A JPH0861955A (ja) | 1994-08-23 | 1994-08-23 | 地磁気方位センサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0861955A true JPH0861955A (ja) | 1996-03-08 |
Family
ID=16391272
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6198448A Withdrawn JPH0861955A (ja) | 1994-08-23 | 1994-08-23 | 地磁気方位センサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0861955A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6944937B2 (en) * | 2001-01-02 | 2005-09-20 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | Method of reducing ESD damage in thin film read heads which enables measurement of gap resistance |
| US7924534B2 (en) * | 2004-12-15 | 2011-04-12 | International Business Machines Corporation | Magnetic sensor |
| JP2015062031A (ja) * | 2009-08-17 | 2015-04-02 | ヘッドウェイテクノロジーズ インコーポレイテッド | 磁気抵抗効果センサの経年変化補正装置 |
-
1994
- 1994-08-23 JP JP6198448A patent/JPH0861955A/ja not_active Withdrawn
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6944937B2 (en) * | 2001-01-02 | 2005-09-20 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | Method of reducing ESD damage in thin film read heads which enables measurement of gap resistance |
| US7924534B2 (en) * | 2004-12-15 | 2011-04-12 | International Business Machines Corporation | Magnetic sensor |
| JP2015062031A (ja) * | 2009-08-17 | 2015-04-02 | ヘッドウェイテクノロジーズ インコーポレイテッド | 磁気抵抗効果センサの経年変化補正装置 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20011106 |