JPH085381A - 地磁気方位探知装置 - Google Patents
地磁気方位探知装置Info
- Publication number
- JPH085381A JPH085381A JP6142045A JP14204594A JPH085381A JP H085381 A JPH085381 A JP H085381A JP 6142045 A JP6142045 A JP 6142045A JP 14204594 A JP14204594 A JP 14204594A JP H085381 A JPH085381 A JP H085381A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- sensor
- magnetic field
- geomagnetic
- elements
- output
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Abstract
(57)【要約】
【目的】 小型化、低価格化が容易な地磁気方位センサ
を有し高精度な感度をもつ地磁気方位探知装置を提供す
る。 【構成】 地磁気方位センサ３のＭＲセンサＭ1 ，Ｍ3
またはＭＲセンサＭ2 ，Ｍ4 からの出力を、それぞれコ
ンデンサであるハイパスフィルタ（以下、単にＨＰＦと
記す。）４，５を通し直流成分であるオフセット及び温
度ドリフトを除去して交流信号のみとして交流差動増幅
器６に入力する。
を有し高精度な感度をもつ地磁気方位探知装置を提供す
る。 【構成】 地磁気方位センサ３のＭＲセンサＭ1 ，Ｍ3
またはＭＲセンサＭ2 ，Ｍ4 からの出力を、それぞれコ
ンデンサであるハイパスフィルタ（以下、単にＨＰＦと
記す。）４，５を通し直流成分であるオフセット及び温
度ドリフトを除去して交流信号のみとして交流差動増幅
器６に入力する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、磁気抵抗効果素子を用
いた地磁気方位センサを有する地磁気方位探知装置に関
するものであり、特に強磁性体コアと組み合わせて高感
度化を図った新規な地磁気方位探知装置に関するもので
ある。
いた地磁気方位センサを有する地磁気方位探知装置に関
するものであり、特に強磁性体コアと組み合わせて高感
度化を図った新規な地磁気方位探知装置に関するもので
ある。
【０００２】
【従来の技術】例えば、カラー陰極線管では、電子銃か
ら出射された電子ビームの軌道が、地磁気により曲げら
れ、蛍光面上でのビーム到達位置（ランディング）が変
化することがある。特に高精細度陰極線管においては、
ランディング余裕度が小さいために、前記ランディング
の変化（位置ずれ）が色純度の劣化等の問題を引き起こ
す。
ら出射された電子ビームの軌道が、地磁気により曲げら
れ、蛍光面上でのビーム到達位置（ランディング）が変
化することがある。特に高精細度陰極線管においては、
ランディング余裕度が小さいために、前記ランディング
の変化（位置ずれ）が色純度の劣化等の問題を引き起こ
す。
【０００３】これを補正するために、通常、ランディン
グ補正コイルが陰極線管に取り付けられており、このラ
ンディング補正コイルに地磁気の方位に応じて自動的に
ランディング補正に必要な最適電流を流すことにより、
電子ビームの軌道を制御してミスランディングを防止す
るようにしている。
グ補正コイルが陰極線管に取り付けられており、このラ
ンディング補正コイルに地磁気の方位に応じて自動的に
ランディング補正に必要な最適電流を流すことにより、
電子ビームの軌道を制御してミスランディングを防止す
るようにしている。
【０００４】したがって、前記ランディング補正に際し
ては、地磁気の方位を正確に検出する必要があり、いわ
ゆる地磁気方位センサが使用されている。あるいは、従
来から用いられてきた磁石式の方位計（磁気コンパス）
の代替として、携帯型の方位計としても地磁気方位セン
サが使用されている。
ては、地磁気の方位を正確に検出する必要があり、いわ
ゆる地磁気方位センサが使用されている。あるいは、従
来から用いられてきた磁石式の方位計（磁気コンパス）
の代替として、携帯型の方位計としても地磁気方位セン
サが使用されている。
【０００５】上述のように、地磁気方位センサは、様々
な用途に使用されるが、その代表的な構造としては、い
わゆるフラックスゲート型のものと、磁気抵抗効果型
（ＭＲ型）のものが知られている。
な用途に使用されるが、その代表的な構造としては、い
わゆるフラックスゲート型のものと、磁気抵抗効果型
（ＭＲ型）のものが知られている。
【０００６】前者は、図１５に示すように、パーマロイ
コア１０１に電気信号出力用コイル１０２と励磁用コイ
ル１０３を巻回してなるもので、地磁気を前記パーマロ
イコアで集束し、これを電気信号出力用コイル１０２に
伝えるような構造とされている。
コア１０１に電気信号出力用コイル１０２と励磁用コイ
ル１０３を巻回してなるもので、地磁気を前記パーマロ
イコアで集束し、これを電気信号出力用コイル１０２に
伝えるような構造とされている。
【０００７】そして、このフラックスゲート型の地磁気
方位センサでは、励磁コイル１０３により交流バイアス
磁界ＨB をパーマロイコア１０１中に発生させ、バイア
ス磁界が反転したときに発生するパルス状の電圧を信号
として検出する。このパルス状電圧の電圧値は、地磁気
の方位によって変化するので、地磁気センサとして利用
することができる。
方位センサでは、励磁コイル１０３により交流バイアス
磁界ＨB をパーマロイコア１０１中に発生させ、バイア
ス磁界が反転したときに発生するパルス状の電圧を信号
として検出する。このパルス状電圧の電圧値は、地磁気
の方位によって変化するので、地磁気センサとして利用
することができる。
【０００８】しかしながら、このフラックスゲート型の
地磁気方位センサは、コイルにより地磁気を電気信号に
変換するため、感度を上げるためには電気信号出力用コ
イル１０２の巻き数を多くしたり、集束効果を高めるた
めにパーマロイコア１０１の形状を大きくする必要があ
る。したがって、小型化や低価格化は難しい。
地磁気方位センサは、コイルにより地磁気を電気信号に
変換するため、感度を上げるためには電気信号出力用コ
イル１０２の巻き数を多くしたり、集束効果を高めるた
めにパーマロイコア１０１の形状を大きくする必要があ
る。したがって、小型化や低価格化は難しい。
【０００９】一方、後者（ＭＲ型）は、図１６に示すよ
うに、磁気抵抗効果素子（ＭＲセンサチップ）１１１を
形成したＭＲセンサチップ１１０を空心コイル１１２の
中に入れ、これらＭＲセンサチップ１１０に対して４５
゜方向の交流バイアス磁界Ｈ Bを印加してなるものであ
る。等価回路を図１７に示す。地磁気方位センサとして
使用する場合には、図１６に示す構造のものを空心コイ
ルの巻回方向が直交するするように１組使用する。
うに、磁気抵抗効果素子（ＭＲセンサチップ）１１１を
形成したＭＲセンサチップ１１０を空心コイル１１２の
中に入れ、これらＭＲセンサチップ１１０に対して４５
゜方向の交流バイアス磁界Ｈ Bを印加してなるものであ
る。等価回路を図１７に示す。地磁気方位センサとして
使用する場合には、図１６に示す構造のものを空心コイ
ルの巻回方向が直交するするように１組使用する。
【００１０】このＭＲ型の地磁気方位センサは、磁気抵
抗効果素子を使用しているため、フラックスゲート型の
地磁気方位センサに比べて感度が高いが、ＭＲセンサチ
ップ１１０のみで地磁気を感知しているため、０．３ガ
ウス程度の地磁気の方位を検出するには不十分である。
抗効果素子を使用しているため、フラックスゲート型の
地磁気方位センサに比べて感度が高いが、ＭＲセンサチ
ップ１１０のみで地磁気を感知しているため、０．３ガ
ウス程度の地磁気の方位を検出するには不十分である。
【００１１】また、このＭＲ型の地磁気方位センサで
は、ＭＲセンサチップ１１０に対して４５゜方向のバイ
アス磁界ＨBを加えていること、感度向上のためにＭＲ
カーブを無理に急峻なものとしていることから、ＭＲ特
性にヒステリシスを持っており、これを解消するために
信号処理用回路が複雑なものとなったり、方位精度が±
１０゜と悪い等の不都合を有する。
は、ＭＲセンサチップ１１０に対して４５゜方向のバイ
アス磁界ＨBを加えていること、感度向上のためにＭＲ
カーブを無理に急峻なものとしていることから、ＭＲ特
性にヒステリシスを持っており、これを解消するために
信号処理用回路が複雑なものとなったり、方位精度が±
１０゜と悪い等の不都合を有する。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】上述のように、従来知
られる地磁気方位センサでは、感度の点で不満を残して
おり、また小型化、低価格化も難しい。そこで本発明
は、かかる従来の実情に鑑みて提案されたもので、小型
化、低価格化が容易な地磁気方位センサを有し高精度な
感度をもつ地磁気方位探知装置を提供することを目的と
する。
られる地磁気方位センサでは、感度の点で不満を残して
おり、また小型化、低価格化も難しい。そこで本発明
は、かかる従来の実情に鑑みて提案されたもので、小型
化、低価格化が容易な地磁気方位センサを有し高精度な
感度をもつ地磁気方位探知装置を提供することを目的と
する。
【００１３】
【課題を解決するための手段】本発明の地磁気方位探知
装置の構成要素である地磁気方位センサは、地磁気を強
磁性体コアで集束することにより大きな磁束密度に変換
し、これをコア間のギャップ内に配置した磁気抵抗効果
素子（以下、ＭＲセンサと称する。）で検出するもので
ある。
装置の構成要素である地磁気方位センサは、地磁気を強
磁性体コアで集束することにより大きな磁束密度に変換
し、これをコア間のギャップ内に配置した磁気抵抗効果
素子（以下、ＭＲセンサと称する。）で検出するもので
ある。
【００１４】すなわち、上記地磁気方位センサは、地磁
気を集束する複数の強磁性体コアが所定のギャップをも
って周方向に配列されるとともに、前記ギャップにおけ
る磁界方向に対して略直交するように上記ＭＲセンサが
ギャップ内に配されることを特徴とする。
気を集束する複数の強磁性体コアが所定のギャップをも
って周方向に配列されるとともに、前記ギャップにおけ
る磁界方向に対して略直交するように上記ＭＲセンサが
ギャップ内に配されることを特徴とする。
【００１５】上記地磁気方位センサにおいては、磁気抵
抗効果素子は、互いに直交するＸ軸方向とＹ軸方向での
出力を得るため、最低でも２箇所に互いに直交するよう
に配置する。好ましくは、等角度間隔（９０゜間隔）で
４つのＭＲセンサを配置する。
抗効果素子は、互いに直交するＸ軸方向とＹ軸方向での
出力を得るため、最低でも２箇所に互いに直交するよう
に配置する。好ましくは、等角度間隔（９０゜間隔）で
４つのＭＲセンサを配置する。
【００１６】一方、強磁性体コアは、前記ＭＲセンサの
配置に応じて等角度間隔（例えば９０゜間隔）でギャッ
プを有し、且つ閉磁路を構成するように、周方向に配列
する。このとき、強磁性体コアの配列状態は、９０゜回
転させても対称となる構造とすることが好ましく、具体
的には、円環状、あるいは正方形状に配列する。
配置に応じて等角度間隔（例えば９０゜間隔）でギャッ
プを有し、且つ閉磁路を構成するように、周方向に配列
する。このとき、強磁性体コアの配列状態は、９０゜回
転させても対称となる構造とすることが好ましく、具体
的には、円環状、あるいは正方形状に配列する。
【００１７】上記強磁性体コアには、パーマロイ、珪素
鋼板、各種ソフトフェライト等、高透磁率、高飽和磁束
密度を有する軟磁性材（いわゆるソフト材）を用い、バ
イアス磁界の印加と地磁気の集束に利用する。
鋼板、各種ソフトフェライト等、高透磁率、高飽和磁束
密度を有する軟磁性材（いわゆるソフト材）を用い、バ
イアス磁界の印加と地磁気の集束に利用する。
【００１８】したがって、上記強磁性体コアには、励磁
用コイルを巻回し、それに交流バイアス電流ＩB を流す
ことによって交流バイアス磁界ＨB を発生させ、ＭＲセ
ンサを磁界感度が高く且つ直線性（リニアリティ）の良
いところで使用する。
用コイルを巻回し、それに交流バイアス電流ＩB を流す
ことによって交流バイアス磁界ＨB を発生させ、ＭＲセ
ンサを磁界感度が高く且つ直線性（リニアリティ）の良
いところで使用する。
【００１９】ただし、交流バイアス電流ＩB の電流値
は、交流バイアス磁界ＨB が強磁性体系部（強磁性体コ
アによって構成される閉磁路）の飽和磁束密度以下で透
磁率値の前後までとし、回転磁化範囲を避けるととも
に、強磁性体系部の磁化量に余裕を持たせ、地磁気の集
束にも利用する。
は、交流バイアス磁界ＨB が強磁性体系部（強磁性体コ
アによって構成される閉磁路）の飽和磁束密度以下で透
磁率値の前後までとし、回転磁化範囲を避けるととも
に、強磁性体系部の磁化量に余裕を持たせ、地磁気の集
束にも利用する。
【００２０】このとき、本発明の地磁気方位探知装置
は、上記地磁気方位センサのＭＲセンサの出力から直流
成分を除去する直流除去手段を設けて構成される。この
場合、直流除去手段を高周波成分を通過させるハイパス
フィルタとし、このハイパスフィルタの具体例としては
コンデンサを用いる。
は、上記地磁気方位センサのＭＲセンサの出力から直流
成分を除去する直流除去手段を設けて構成される。この
場合、直流除去手段を高周波成分を通過させるハイパス
フィルタとし、このハイパスフィルタの具体例としては
コンデンサを用いる。
【００２１】
【作用】本発明の地磁気方位探知装置の構成要素である
地磁気方位センサにおいて、強磁性体コアは、バイアス
磁界の磁路を構成するとともに、地磁気を集束するいわ
ゆる集束ホーンとして機能する。その結果、互いに直交
するＭＲセンサに加わる地磁気の総量は、それぞれ地磁
気とＭＲセンサのなす角度に応じて決まり、各ＭＲセン
サから強磁性体コアにより構成される閉磁路の中心を通
る地磁気線に直角に引いた線に比例する。
地磁気方位センサにおいて、強磁性体コアは、バイアス
磁界の磁路を構成するとともに、地磁気を集束するいわ
ゆる集束ホーンとして機能する。その結果、互いに直交
するＭＲセンサに加わる地磁気の総量は、それぞれ地磁
気とＭＲセンサのなす角度に応じて決まり、各ＭＲセン
サから強磁性体コアにより構成される閉磁路の中心を通
る地磁気線に直角に引いた線に比例する。
【００２２】また、ＭＲセンサを交流バイアスで使用す
るため、方位信号（低周波数）を交流信号（高周波数）
に重畳した電気信号として取り出すことになる。そし
て、上記地磁気方位センサのＭＲセンサからの出力は直
流除去手段を通して直流成分が除去されるので、ＭＲセ
ンサにより発生するオフセット及び温度ドリフト等のノ
イズ成分が取り除かれる。
るため、方位信号（低周波数）を交流信号（高周波数）
に重畳した電気信号として取り出すことになる。そし
て、上記地磁気方位センサのＭＲセンサからの出力は直
流除去手段を通して直流成分が除去されるので、ＭＲセ
ンサにより発生するオフセット及び温度ドリフト等のノ
イズ成分が取り除かれる。
【００２３】したがって、地磁気が効率的にＭＲセンサ
へ磁気信号として供給され、高出力が得られるととも
に、ＭＲセンサからの出力からノイズ成分が効率よく除
去されるために、地磁気の方位が高精度に検出されるこ
とになる。
へ磁気信号として供給され、高出力が得られるととも
に、ＭＲセンサからの出力からノイズ成分が効率よく除
去されるために、地磁気の方位が高精度に検出されるこ
とになる。
【００２４】
【実施例】以下、本発明を適用した具体的な実施例につ
いて、図面を参照しながら詳細に説明する。
いて、図面を参照しながら詳細に説明する。
【００２５】図１は、本発明を適用した地磁気方位セン
サの基本構造の一例を示すものであり、図３はこの地磁
気方位センサの等価回路を示すものである。この地磁気
方位センサは、パーマロイ等からなる４つの円弧状の強
磁性体コアＫ1 ，Ｋ2 ，Ｋ3 ，Ｋ4 を円環状に組合せ、
９０゜間隔でギャップＧ1 ，Ｇ2 ，Ｇ3 ，Ｇ4 を配する
とともに、これらギャップＧ1 ，Ｇ2 ，Ｇ3 ，Ｇ4 内に
それぞれＭＲセンサＭ1 ，Ｍ2 ，Ｍ3 ，Ｍ4 を配置して
なるものである。
サの基本構造の一例を示すものであり、図３はこの地磁
気方位センサの等価回路を示すものである。この地磁気
方位センサは、パーマロイ等からなる４つの円弧状の強
磁性体コアＫ1 ，Ｋ2 ，Ｋ3 ，Ｋ4 を円環状に組合せ、
９０゜間隔でギャップＧ1 ，Ｇ2 ，Ｇ3 ，Ｇ4 を配する
とともに、これらギャップＧ1 ，Ｇ2 ，Ｇ3 ，Ｇ4 内に
それぞれＭＲセンサＭ1 ，Ｍ2 ，Ｍ3 ，Ｍ4 を配置して
なるものである。
【００２６】前記各強磁性体コアＫ1 ，Ｋ2 ，Ｋ3 ，Ｋ
4 には、それぞれ励磁用コイルＣ1，Ｃ2 ，Ｃ3 ，Ｃ4
が巻回され、ギャップＧ1 ，Ｇ2 ，Ｇ3 ，Ｇ4 中に配置
される各ＭＲセンサＭ1 ，Ｍ2 ，Ｍ3 ，Ｍ4 に対してバ
イアス磁界ＨB を直角に印加するようになっている。な
お、各ＭＲセンサＭ1 ，Ｍ2 ，Ｍ3 ，Ｍ4 は、図２に示
すように、各ギャップＧ1 ，Ｇ2 ，Ｇ3 ，Ｇ4 上に成膜
する形で形成されており、したがって、各ＭＲセンサＭ
1 ，Ｍ2 ，Ｍ3 ，Ｍ4 の膜面に対して略平行にバイアス
磁界ＨB が印加される。
4 には、それぞれ励磁用コイルＣ1，Ｃ2 ，Ｃ3 ，Ｃ4
が巻回され、ギャップＧ1 ，Ｇ2 ，Ｇ3 ，Ｇ4 中に配置
される各ＭＲセンサＭ1 ，Ｍ2 ，Ｍ3 ，Ｍ4 に対してバ
イアス磁界ＨB を直角に印加するようになっている。な
お、各ＭＲセンサＭ1 ，Ｍ2 ，Ｍ3 ，Ｍ4 は、図２に示
すように、各ギャップＧ1 ，Ｇ2 ，Ｇ3 ，Ｇ4 上に成膜
する形で形成されており、したがって、各ＭＲセンサＭ
1 ，Ｍ2 ，Ｍ3 ，Ｍ4 の膜面に対して略平行にバイアス
磁界ＨB が印加される。
【００２７】上記ＭＲセンサＭ1 ，Ｍ2 ，Ｍ3 ，Ｍ
4 は、例えばＸ軸方向検出用の２つのＭＲセンサＭ1 ，
Ｍ3 と、これと直交するＹ軸方向検出用の２つのＭＲセ
ンサＭ2，Ｍ4 に分類される。
4 は、例えばＸ軸方向検出用の２つのＭＲセンサＭ1 ，
Ｍ3 と、これと直交するＹ軸方向検出用の２つのＭＲセ
ンサＭ2，Ｍ4 に分類される。
【００２８】地磁気検出用のＭＲセンサＭ1 ，Ｍ2 ，Ｍ
3 ，Ｍ4 には、定電位電源ＶCCが接続され、センス電流
が供給される。また、交流バイアス電流ＩB により、Ｘ
軸方向検出用のＭＲセンサＭ1 とＭＲセンサＭ3 には、
１８０゜方位の異なるバイアス磁界（ＨB 及び−ＨB ）
が印加され、同様にＹ軸方向検出用のＭＲセンサＭ2 と
ＭＲセンサＭ4 にも１８０゜方位の異なるバイアス磁界
（ＨB 及び−ＨB ）が印加される。
3 ，Ｍ4 には、定電位電源ＶCCが接続され、センス電流
が供給される。また、交流バイアス電流ＩB により、Ｘ
軸方向検出用のＭＲセンサＭ1 とＭＲセンサＭ3 には、
１８０゜方位の異なるバイアス磁界（ＨB 及び−ＨB ）
が印加され、同様にＹ軸方向検出用のＭＲセンサＭ2 と
ＭＲセンサＭ4 にも１８０゜方位の異なるバイアス磁界
（ＨB 及び−ＨB ）が印加される。
【００２９】上記構成の地磁気方位センサにおいて、Ｍ
ＲセンサＭ1 ，Ｍ2 ，Ｍ3 ，Ｍ4 は、次のような特徴を
持っている。 （１）磁界の強度により抵抗値が変化する。（磁気抵抗
効果） （２）弱い磁界を感知する能力に優れている。 （３）抵抗値変化を電気信号として取り出すことができ
る。
ＲセンサＭ1 ，Ｍ2 ，Ｍ3 ，Ｍ4 は、次のような特徴を
持っている。 （１）磁界の強度により抵抗値が変化する。（磁気抵抗
効果） （２）弱い磁界を感知する能力に優れている。 （３）抵抗値変化を電気信号として取り出すことができ
る。
【００３０】上記地磁気方位センサにおいては、この特
徴を利用して地磁気による磁気信号を電気信号に変換す
る。図４は、ＭＲセンサのＭＲ特性曲線を示すものであ
る。この図４において、横軸はＭＲセンサに垂直に加わ
る磁界の強さ、縦軸はＭＲセンサの抵抗値の変化、ある
いは出力電圧変化（ＭＲセンサに直流電流を流した場
合）である。
徴を利用して地磁気による磁気信号を電気信号に変換す
る。図４は、ＭＲセンサのＭＲ特性曲線を示すものであ
る。この図４において、横軸はＭＲセンサに垂直に加わ
る磁界の強さ、縦軸はＭＲセンサの抵抗値の変化、ある
いは出力電圧変化（ＭＲセンサに直流電流を流した場
合）である。
【００３１】ＭＲセンサの抵抗値は、磁界零で最大とな
り、大きな磁界（ＭＲセンサのパターン形状等にもよる
が１００〜２００ガウス程度）を印加したときに約３％
小さくなる。ＭＲセンサ出力のＳ／Ｎ（出力電圧振幅）
及び歪率向上のためには、図４に示すように、バイアス
磁界ＨB が必要となる。このバイアス磁界ＨB は、先に
も述べたように、強磁性体コアＫ1 ，Ｋ2 ，Ｋ3 ，Ｋ4
に励磁用コイルＣ1 ，Ｃ2 ，Ｃ3 ，Ｃ4 を巻き、これに
交流バイアス電流ＩB を流すことによって与えられる。
り、大きな磁界（ＭＲセンサのパターン形状等にもよる
が１００〜２００ガウス程度）を印加したときに約３％
小さくなる。ＭＲセンサ出力のＳ／Ｎ（出力電圧振幅）
及び歪率向上のためには、図４に示すように、バイアス
磁界ＨB が必要となる。このバイアス磁界ＨB は、先に
も述べたように、強磁性体コアＫ1 ，Ｋ2 ，Ｋ3 ，Ｋ4
に励磁用コイルＣ1 ，Ｃ2 ，Ｃ3 ，Ｃ4 を巻き、これに
交流バイアス電流ＩB を流すことによって与えられる。
【００３２】このとき、Ｘ軸方向検出用のＭＲセンサＭ
1 に印加されるバイアス磁界の方向とＭＲセンサＭ3 に
印加されるバイアス磁界の方向は、互いに１８０゜反転
している。同様に、Ｙ軸方向検出用のＭＲセンサＭ2 に
印加されるバイアス磁界の方向とＭＲセンサＭ4 に印加
されるバイアス磁界の方向も、互いに１８０゜反転して
いる。
1 に印加されるバイアス磁界の方向とＭＲセンサＭ3 に
印加されるバイアス磁界の方向は、互いに１８０゜反転
している。同様に、Ｙ軸方向検出用のＭＲセンサＭ2 に
印加されるバイアス磁界の方向とＭＲセンサＭ4 に印加
されるバイアス磁界の方向も、互いに１８０゜反転して
いる。
【００３３】ここで、地磁気信号ＨE が入ってくると、
例えばＸ軸方向検出用のＭＲセンサＭ1 及びＭ3 に加わ
る磁界の強さは以下のようになる。 ＭＲセンサＭ1 ： ＨB ＋ＨE ＭＲセンサＭ3 ： −ＨB ＋ＨE
例えばＸ軸方向検出用のＭＲセンサＭ1 及びＭ3 に加わ
る磁界の強さは以下のようになる。 ＭＲセンサＭ1 ： ＨB ＋ＨE ＭＲセンサＭ3 ： −ＨB ＋ＨE
【００３４】交流バイアス磁界を印加とすると、ＭＲセ
ンサＭ1 に印加される磁界は図４中線Ａで示すように変
化し、この磁界の変化が図４中線Ｂで示すように電圧変
化として出力される。一方、ＭＲセンサＭ3 に印加され
る磁界は図４中線Ｃで示すように変化し、この磁界の変
化が図４中線Ｄで示すように電圧変化として出力され
る。
ンサＭ1 に印加される磁界は図４中線Ａで示すように変
化し、この磁界の変化が図４中線Ｂで示すように電圧変
化として出力される。一方、ＭＲセンサＭ3 に印加され
る磁界は図４中線Ｃで示すように変化し、この磁界の変
化が図４中線Ｄで示すように電圧変化として出力され
る。
【００３５】このＭＲセンサＭ1 からの出力（線Ｂ）と
ＭＲセンサＭ3 からの出力（線Ｄ）の出力差Ｌが、差動
信号（Ｘ出力）として取り出される。Ｙ軸方向検出用の
ＭＲセンサＭ2 ，Ｍ4 についても同様であり、差動信号
（Ｙ出力）が取り出される。
ＭＲセンサＭ3 からの出力（線Ｄ）の出力差Ｌが、差動
信号（Ｘ出力）として取り出される。Ｙ軸方向検出用の
ＭＲセンサＭ2 ，Ｍ4 についても同様であり、差動信号
（Ｙ出力）が取り出される。
【００３６】これら差動信号は地磁気ＨE の方位により
変化し、それぞれＨE ｓｉｎθ、Ｈ E ｃｏｓθに比例す
る。したがって、横軸に方位θをとって出力電位をプロ
ットすると、Ｘ出力及びＹ出力は図５に示すようなもの
となる。したがって、これらＸ出力及びＹ出力から、地
磁気に対する方位θを算出することができる。
変化し、それぞれＨE ｓｉｎθ、Ｈ E ｃｏｓθに比例す
る。したがって、横軸に方位θをとって出力電位をプロ
ットすると、Ｘ出力及びＹ出力は図５に示すようなもの
となる。したがって、これらＸ出力及びＹ出力から、地
磁気に対する方位θを算出することができる。
【００３７】すなわち、Ｘ出力とＹ出力の比Ｘ／Ｙは、
これら出力がＨE ｓｉｎθ、ＨE ｃｏｓθに比例するこ
とから、ｓｉｎθ／ｃｏｓθで表わすことができる。 Ｘ／Ｙ＝ｓｉｎθ／ｃｏｓθ＝ｔａｎθ したがって、 θ＝ｔａｎ-1（Ｘ／Ｙ） （ただし、０≦θ≦１８０゜のときＸ≧０、１８０゜＜
θ＜３６０゜のときＸ＜０である。） 以上によって地磁気ＨE の方位θを知ることができる。
これら出力がＨE ｓｉｎθ、ＨE ｃｏｓθに比例するこ
とから、ｓｉｎθ／ｃｏｓθで表わすことができる。 Ｘ／Ｙ＝ｓｉｎθ／ｃｏｓθ＝ｔａｎθ したがって、 θ＝ｔａｎ-1（Ｘ／Ｙ） （ただし、０≦θ≦１８０゜のときＸ≧０、１８０゜＜
θ＜３６０゜のときＸ＜０である。） 以上によって地磁気ＨE の方位θを知ることができる。
【００３８】上述の地磁気方位センサを有する本発明の
地磁気方位探知装置の全体の構成は、図６に示す通りで
ある。すなわち、先ず発振回路１から出力された交流信
号（ここでは周波数４ｋＨｚ、タイムチャートを図７中
Ａに示す。）によりＩB 駆動回路２から地磁気方位セン
サ３の励磁用コイルＣ1 ，Ｃ2 ，Ｃ3 ，Ｃ4 に交流バイ
アス電流ＩB （タイムチャートを図７中Ｂに示す。）が
流れる。
地磁気方位探知装置の全体の構成は、図６に示す通りで
ある。すなわち、先ず発振回路１から出力された交流信
号（ここでは周波数４ｋＨｚ、タイムチャートを図７中
Ａに示す。）によりＩB 駆動回路２から地磁気方位セン
サ３の励磁用コイルＣ1 ，Ｃ2 ，Ｃ3 ，Ｃ4 に交流バイ
アス電流ＩB （タイムチャートを図７中Ｂに示す。）が
流れる。
【００３９】ところで、一対のＭＲセンサＭ1 ，Ｍ3 ま
たはＭＲセンサＭ2 ，Ｍ4 の抵抗値をそれぞれ均一な値
とすることは極めて困難であり、ＭＲセンサＭ1 ，Ｍ3
（或はＭＲセンサＭ2 ，Ｍ4 ）からの出力にオフセット
が生じる。さらにそれに加えて、ＭＲセンサＭ1 ，
Ｍ2 ，Ｍ3 ，Ｍ4 は温度依存性が高く、温度ドリフトが
発生しがちである。
たはＭＲセンサＭ2 ，Ｍ4 の抵抗値をそれぞれ均一な値
とすることは極めて困難であり、ＭＲセンサＭ1 ，Ｍ3
（或はＭＲセンサＭ2 ，Ｍ4 ）からの出力にオフセット
が生じる。さらにそれに加えて、ＭＲセンサＭ1 ，
Ｍ2 ，Ｍ3 ，Ｍ4 は温度依存性が高く、温度ドリフトが
発生しがちである。
【００４０】そこで、本実施例においては、地磁気方位
センサ３からの交流出力信号をハイパスフィルタに通す
ことにより上記オフセット及び温度ドリフトを除去す
る。
センサ３からの交流出力信号をハイパスフィルタに通す
ことにより上記オフセット及び温度ドリフトを除去す
る。
【００４１】すなわち、例えば地磁気方位センサ３のＭ
ＲセンサＭ1 ，Ｍ3 からの出力は、それぞれコンデンサ
であるハイパスフィルタ（以下、単にＨＰＦと記す。）
４，５を通り直流成分であるオフセット及び温度ドリフ
トが除去され交流信号のみとされて交流差動増幅器６に
入力する。このとき、ＨＰＦ４，５のキャパシタンス及
び交流差動増幅器６の入力抵抗によりカットオフ周波数
が決定される。
ＲセンサＭ1 ，Ｍ3 からの出力は、それぞれコンデンサ
であるハイパスフィルタ（以下、単にＨＰＦと記す。）
４，５を通り直流成分であるオフセット及び温度ドリフ
トが除去され交流信号のみとされて交流差動増幅器６に
入力する。このとき、ＨＰＦ４，５のキャパシタンス及
び交流差動増幅器６の入力抵抗によりカットオフ周波数
が決定される。
【００４２】その後、交流差動増幅器６からの出力信号
の有するオフセット及び温度ドリフトは低周波であるた
めに、コンデンサであるＨＰＦ７を介し更に同期検波回
路８を経ることにより除去することが可能であり、利
得、損失なく同期整流されて直流信号に変換される。す
なわち、ＨＰＦ７を通した出力信号（タイムチャートを
図７中Ｃに示す。）が同時に同期検波回路８に入力した
発振回路１からの交流信号に基づいて同期検波回路８に
て作製されたサンプルホールドクロック（タイムチャー
トを図７中Ｄに示す。）によりサンプルホールドされ振
幅ＶSHの信号が取り出され、直流信号に変換されて同期
検波回路８の各端子から出力（タイムチャートを図８に
示す。）される。
の有するオフセット及び温度ドリフトは低周波であるた
めに、コンデンサであるＨＰＦ７を介し更に同期検波回
路８を経ることにより除去することが可能であり、利
得、損失なく同期整流されて直流信号に変換される。す
なわち、ＨＰＦ７を通した出力信号（タイムチャートを
図７中Ｃに示す。）が同時に同期検波回路８に入力した
発振回路１からの交流信号に基づいて同期検波回路８に
て作製されたサンプルホールドクロック（タイムチャー
トを図７中Ｄに示す。）によりサンプルホールドされ振
幅ＶSHの信号が取り出され、直流信号に変換されて同期
検波回路８の各端子から出力（タイムチャートを図８に
示す。）される。
【００４３】そして、この各出力信号が直流差動増幅器
９に入力され、振幅ＶSHのＸ出力信号（タイムチャート
を図９に示す。）として出力される。同様に、地磁気方
位センサ３のＭＲセンサＭ2 ，Ｍ4 からの出力も、ＨＰ
Ｆ４，５、交流差動増幅器６、ＨＰＦ７、同期検波回路
８、及び直流差動増幅器９を経てＹ出力信号として出力
される。
９に入力され、振幅ＶSHのＸ出力信号（タイムチャート
を図９に示す。）として出力される。同様に、地磁気方
位センサ３のＭＲセンサＭ2 ，Ｍ4 からの出力も、ＨＰ
Ｆ４，５、交流差動増幅器６、ＨＰＦ７、同期検波回路
８、及び直流差動増幅器９を経てＹ出力信号として出力
される。
【００４４】ここで、上記実施例に係る地磁気方位探知
装置に対する比較例について説明する。この比較例は、
上記実施例とほぼ同様の構成を有するが、地磁気方位セ
ンサの各組のＭＲセンサＭ1 ，Ｍ3 及びＭ2 ，Ｍ4 から
の出力の差をとりＸ，Ｙ出力信号とする方式が異なる点
で相違する。なお、上記実施例と同一のものには同符号
を記して説明は省略する。）
装置に対する比較例について説明する。この比較例は、
上記実施例とほぼ同様の構成を有するが、地磁気方位セ
ンサの各組のＭＲセンサＭ1 ，Ｍ3 及びＭ2 ，Ｍ4 から
の出力の差をとりＸ，Ｙ出力信号とする方式が異なる点
で相違する。なお、上記実施例と同一のものには同符号
を記して説明は省略する。）
【００４５】すなわち、この比較例の地磁気方位探知装
置は、図１０に示すように、上記実施例と同様のＩB 駆
動回路２と及び地磁気方位センサ３と、直流差動増幅器
９とから構成され、上記実施例のようなＨＰＦ４，５等
を有しない。この場合、図１１に示すように、Ｘ，Ｙ出
力信号には、オフセット及び温度ドリフトによる余計な
直流成分ＴX ，ＴY が加わり、Ｓ／Ｎが大幅に劣化して
しまうことになる。
置は、図１０に示すように、上記実施例と同様のＩB 駆
動回路２と及び地磁気方位センサ３と、直流差動増幅器
９とから構成され、上記実施例のようなＨＰＦ４，５等
を有しない。この場合、図１１に示すように、Ｘ，Ｙ出
力信号には、オフセット及び温度ドリフトによる余計な
直流成分ＴX ，ＴY が加わり、Ｓ／Ｎが大幅に劣化して
しまうことになる。
【００４６】次に、強磁性体コアＫ1 ，Ｋ2 ，Ｋ3 ，Ｋ
4 による地磁気集束原理について説明する。
4 による地磁気集束原理について説明する。
【００４７】先ず、図１２に、フェライト、パーマロイ
等からなる強磁性体コアＫが地磁気にどのような影響を
与えるのかを模式的に図示した。強磁性体は空気中に比
べて磁気抵抗が小さいため、地磁気が吸い寄せられるよ
うに曲げられ、強磁性体コアＫ中を通って再び外へ出
る。
等からなる強磁性体コアＫが地磁気にどのような影響を
与えるのかを模式的に図示した。強磁性体は空気中に比
べて磁気抵抗が小さいため、地磁気が吸い寄せられるよ
うに曲げられ、強磁性体コアＫ中を通って再び外へ出
る。
【００４８】したがって、上記強磁性体コアＫは、地磁
気を集束し、大きな磁束密度に変換する。（実際は、地
磁気は強磁性体コアＫを磁化し、ギャップに大きな磁界
を発生する。） 図１３は、円形の強磁性体コアＫを用いた場合に地磁気
がどのように各ＭＲセンサＭ1 ，Ｍ2 ，Ｍ3 ，Ｍ4 に伝
わるのかを示したものであり、各ＭＲセンサＭ 1 ，
Ｍ2 ，Ｍ3 ，Ｍ4 に磁気信号として印加される地磁気の
総量は、各ＭＲセンサＭ1 ，Ｍ2 ，Ｍ3 ，Ｍ4 から強磁
性体コアＫの中心を通る地磁気線ＨEOに垂直に引いた線
の長さに相当する。
気を集束し、大きな磁束密度に変換する。（実際は、地
磁気は強磁性体コアＫを磁化し、ギャップに大きな磁界
を発生する。） 図１３は、円形の強磁性体コアＫを用いた場合に地磁気
がどのように各ＭＲセンサＭ1 ，Ｍ2 ，Ｍ3 ，Ｍ4 に伝
わるのかを示したものであり、各ＭＲセンサＭ 1 ，
Ｍ2 ，Ｍ3 ，Ｍ4 に磁気信号として印加される地磁気の
総量は、各ＭＲセンサＭ1 ，Ｍ2 ，Ｍ3 ，Ｍ4 から強磁
性体コアＫの中心を通る地磁気線ＨEOに垂直に引いた線
の長さに相当する。
【００４９】Ｘ軸方向検出用ＭＲセンサＭ1 ，Ｍ3 に印
加される地磁気の総量：ｒｓｉｎθ Ｙ軸方向検出用ＭＲセンサＭ2 ，Ｍ4 に印加される地磁
気の総量：ｒｃｏｓθ したがって、これら地磁気の総量に基づいて出力される
地磁気方位センサ出力（Ｘ出力，Ｙ出力）より、先の計
算式に従って地磁気ＨE の方位θが算出される。
加される地磁気の総量：ｒｓｉｎθ Ｙ軸方向検出用ＭＲセンサＭ2 ，Ｍ4 に印加される地磁
気の総量：ｒｃｏｓθ したがって、これら地磁気の総量に基づいて出力される
地磁気方位センサ出力（Ｘ出力，Ｙ出力）より、先の計
算式に従って地磁気ＨE の方位θが算出される。
【００５０】図１４に示すように強磁性体コアＫが正方
形の場合も同様であり、強磁性体コアＫの中心点を回転
中心として９０゜回転させたときに対称となる形状であ
れば、いずれの場合にも同様の出力を得ることができ
る。
形の場合も同様であり、強磁性体コアＫの中心点を回転
中心として９０゜回転させたときに対称となる形状であ
れば、いずれの場合にも同様の出力を得ることができ
る。
【００５１】以上のように、本実施例において、強磁性
体コアＫ1 ，Ｋ2 ，Ｋ3 ，Ｋ4 は、バイアス磁界の磁路
を構成するとともに、地磁気を集束するいわゆる集束ホ
ーンとして機能する。その結果、互いに直交するＭＲセ
ンサＭ1 ，Ｍ2 ，Ｍ3 ，Ｍ4 に加わる地磁気の総量は、
それぞれ地磁気とＭＲセンサＭ1 ，Ｍ2 ，Ｍ3 ，Ｍ4 の
なす角度に応じて決まり、各ＭＲセンサＭ1 ，Ｍ2 ，Ｍ
3 ，Ｍ4 から強磁性体コアＫ1 ，Ｋ2，Ｋ3 ，Ｋ4 によ
り構成される閉磁路の中心を通る地磁気線に直角に引い
た線に比例する。
体コアＫ1 ，Ｋ2 ，Ｋ3 ，Ｋ4 は、バイアス磁界の磁路
を構成するとともに、地磁気を集束するいわゆる集束ホ
ーンとして機能する。その結果、互いに直交するＭＲセ
ンサＭ1 ，Ｍ2 ，Ｍ3 ，Ｍ4 に加わる地磁気の総量は、
それぞれ地磁気とＭＲセンサＭ1 ，Ｍ2 ，Ｍ3 ，Ｍ4 の
なす角度に応じて決まり、各ＭＲセンサＭ1 ，Ｍ2 ，Ｍ
3 ，Ｍ4 から強磁性体コアＫ1 ，Ｋ2，Ｋ3 ，Ｋ4 によ
り構成される閉磁路の中心を通る地磁気線に直角に引い
た線に比例する。
【００５２】また、ＭＲセンサＭ1 ，Ｍ2 ，Ｍ3 ，Ｍ4
を交流バイアスで使用するため、方位信号（低周波数）
を交流信号（高周波数）に重畳した電気信号として取り
出すことになる。そして、上記地磁気方位センサ３のＭ
ＲセンサＭ1 ，Ｍ2 ，Ｍ3 ，Ｍ4 からの出力はＨＰＦ
４，５を通して直流成分が除去されるので、ＭＲセンサ
Ｍ1 ，Ｍ2 ，Ｍ3 ，Ｍ4 により発生するオフセット及び
温度ドリフト等のノイズ成分が取り除かれる。
を交流バイアスで使用するため、方位信号（低周波数）
を交流信号（高周波数）に重畳した電気信号として取り
出すことになる。そして、上記地磁気方位センサ３のＭ
ＲセンサＭ1 ，Ｍ2 ，Ｍ3 ，Ｍ4 からの出力はＨＰＦ
４，５を通して直流成分が除去されるので、ＭＲセンサ
Ｍ1 ，Ｍ2 ，Ｍ3 ，Ｍ4 により発生するオフセット及び
温度ドリフト等のノイズ成分が取り除かれる。
【００５３】したがって、地磁気が効率的にＭＲセンサ
Ｍ1 ，Ｍ2 ，Ｍ3 ，Ｍ4 へ磁気信号として供給され、高
出力が得られるとともに、ＭＲセンサＭ1 ，Ｍ2 ，
Ｍ3 ，Ｍ 4 からの出力からノイズ成分が効率よく除去さ
れるために、地磁気の方位が高精度に検出されることに
なる。
Ｍ1 ，Ｍ2 ，Ｍ3 ，Ｍ4 へ磁気信号として供給され、高
出力が得られるとともに、ＭＲセンサＭ1 ，Ｍ2 ，
Ｍ3 ，Ｍ 4 からの出力からノイズ成分が効率よく除去さ
れるために、地磁気の方位が高精度に検出されることに
なる。
【００５４】以上、本発明を適用した実施例について説
明してきたが、本発明がこれら実施例に限定されるわけ
ではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲で形状、材
質、寸法等、任意に変更することが可能である。
明してきたが、本発明がこれら実施例に限定されるわけ
ではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲で形状、材
質、寸法等、任意に変更することが可能である。
【００５５】
【発明の効果】以上の説明からも明かなように、本発明
によれば、小型化、低価格化が容易な地磁気方位センサ
を有し高精度な感度をもつ地磁気方位探知装置を提供す
ることが可能である。
によれば、小型化、低価格化が容易な地磁気方位センサ
を有し高精度な感度をもつ地磁気方位探知装置を提供す
ることが可能である。
【図１】本発明を適用した地磁気方位センサの一構成例
を模式的に示す平面図である。
を模式的に示す平面図である。
【図２】本発明を適用した地磁気方位センサの一構成例
を模式的に示す正面図である。
を模式的に示す正面図である。
【図３】図１に示す地磁気方位センサの等価回路を示す
回路図である。
回路図である。
【図４】ＭＲセンサの磁気抵抗効果特性を示す特性図で
ある。
ある。
【図５】出力電圧と方位の関係を示す特性図である。
【図６】本発明の地磁気方位探知装置の一構成例を模式
的に示すブロック図である。
的に示すブロック図である。
【図７】発振回路、ハイパスフィルタ等からの出力信号
のタイムチャートを示す波形図である。
のタイムチャートを示す波形図である。
【図８】同期検波回路からの出力信号のタイムチャート
を示す波形図である。
を示す波形図である。
【図９】地磁気方位センサからのＸ（Ｙ）方向の出力信
号のタイムチャートを示す波形図である。
号のタイムチャートを示す波形図である。
【図１０】比較例の地磁気方位探知装置を模式的に示す
ブロック図である。
ブロック図である。
【図１１】比較例における出力電圧と方位の関係を示す
特性図である。
特性図である。
【図１２】強磁性体コアによる地磁気の集束状態を示す
模式図である。
模式図である。
【図１３】円形コアを用いた場合に各ＭＲセンサに印加
される地磁気の総量を示す模式図である。
される地磁気の総量を示す模式図である。
【図１４】正方形コアを用いた場合に各ＭＲセンサに印
加される地磁気の総量を示す模式図である。
加される地磁気の総量を示す模式図である。
【図１５】従来のフラックスゲート型の地磁気方位セン
サの一例を示す概略平面図である。
サの一例を示す概略平面図である。
【図１６】従来のＭＲ型の地磁気方位センサの一例を示
す概略平面図である。
す概略平面図である。
【図１７】図１６に示す地磁気方位センサの等価回路図
である。
である。
Ｍ1，Ｍ2，Ｍ3，Ｍ4 ＭＲセンサ Ｋ1，Ｋ2，Ｋ3，Ｋ4 強磁性体コア Ｇ1，Ｇ2，Ｇ3，Ｇ4 ギャップ １ 発振回路 ２ ＩB 駆動回路 ３ 地磁気方位センサ ４，５，７ ハイパスフィルタ ６ 交流差動増幅器 ８ 同期検波回路 ９，１１ 直流差動増幅器
Claims (4)
- 【請求項１】 地磁気を集束する複数の強磁性体コアが
所定のギャップをもって周方向に配列され、前記ギャッ
プにおける磁界方向に対して略直交するように磁気抵抗
効果素子がギャップ内に配されるとともに、上記強磁性
体コアに励磁用コイルが巻回され、この励磁用コイルに
交流電流を供給することでギャップ内の磁気抵抗効果素
子に交流バイアス磁界が印加されてなる地磁気方位セン
サと、 上記地磁気方位センサの磁気抵抗効果素子の出力から直
流成分を除去する直流除去手段とを有することを特徴と
する地磁気方位探知装置。 - 【請求項２】 直流除去手段がハイパスフィルタである
ことを特徴とする請求項１記載の地磁気方位探知装置。 - 【請求項３】 略直交する少なくとも一対の磁気抵抗効
果素子を有することを特徴とする請求項１記載の地磁気
方位探知装置。 - 【請求項４】 強磁性体コアが軟磁気特性を有する強磁
性体よりなることを特徴とする請求項１記載の地磁気方
位探知装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6142045A JPH085381A (ja) | 1994-06-23 | 1994-06-23 | 地磁気方位探知装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6142045A JPH085381A (ja) | 1994-06-23 | 1994-06-23 | 地磁気方位探知装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH085381A true JPH085381A (ja) | 1996-01-12 |
Family
ID=15306118
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6142045A Withdrawn JPH085381A (ja) | 1994-06-23 | 1994-06-23 | 地磁気方位探知装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH085381A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100683539B1 (ko) * | 2001-07-10 | 2007-02-15 | 야마하 가부시키가이샤 | 방위 측정 기능을 가진 휴대형 전자장치, 이 장치에적합한 자기 센서, 및 이 장치에 있어서의 방위 측정 방법 |
-
1994
- 1994-06-23 JP JP6142045A patent/JPH085381A/ja not_active Withdrawn
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100683539B1 (ko) * | 2001-07-10 | 2007-02-15 | 야마하 가부시키가이샤 | 방위 측정 기능을 가진 휴대형 전자장치, 이 장치에적합한 자기 센서, 및 이 장치에 있어서의 방위 측정 방법 |
| US7197343B2 (en) | 2001-07-10 | 2007-03-27 | Yamaha Corporation | Portable electronic apparatus with azimuth measuring function, magnetic sensor suitable for the apparatus, and azimuth measuring method for the apparatus |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4918824A (en) | Electronic digital compass | |
| US4929899A (en) | Fluxgate magnetometer apparatus and adjustment method to maintain accuracy over a wide temperature range | |
| JPH07270507A (ja) | 地磁気方位センサ | |
| US5564194A (en) | Geomagnetic direction sensor | |
| JPS6035851Y2 (ja) | 方位検知装置 | |
| WO1996019819A1 (fr) | Circuit de correction magnetique et dispositif d'affichage d'images qui l'utilise | |
| JPH09102638A (ja) | 磁気センサ | |
| JPH085381A (ja) | 地磁気方位探知装置 | |
| JPH085380A (ja) | 地磁気方位センサ | |
| JPH0861955A (ja) | 地磁気方位センサ | |
| JPH0843101A (ja) | 地磁気方位センサ | |
| JPH0843102A (ja) | 三次元地磁気方位センサ | |
| JPH09145374A (ja) | 地磁気方位センサ | |
| JPH08105744A (ja) | 地磁気方位探知装置 | |
| JPH07324934A (ja) | 地磁気方位センサ | |
| JPH08233576A (ja) | 磁気センサ | |
| JP3746354B2 (ja) | 磁界検出装置 | |
| JPH07324933A (ja) | 地磁気方位センサ及びその製造方法 | |
| JPH09145376A (ja) | 地磁気方位センサ | |
| JPH09145375A (ja) | 地磁気方位センサ | |
| JPH09127221A (ja) | 地磁気方位センサ | |
| JPH0868631A (ja) | 地磁気方位センサ | |
| JPH08122422A (ja) | 可逆磁化率を利用した磁場センサ | |
| JPS599510A (ja) | 方位検出装置 | |
| JPH0942969A (ja) | 地磁気方位センサ |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20010904 |