JPH085380A - 地磁気方位センサ - Google Patents
地磁気方位センサInfo
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- JPH085380A JPH085380A JP14204494A JP14204494A JPH085380A JP H085380 A JPH085380 A JP H085380A JP 14204494 A JP14204494 A JP 14204494A JP 14204494 A JP14204494 A JP 14204494A JP H085380 A JPH085380 A JP H085380A
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- sensor
- geomagnetic
- direction sensor
- magnetic field
- sensors
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 Ｓ／Ｎに優れ実用的な感度を有し、しかも小
型化、低価格化が容易な地磁気方位センサを提供する。 【構成】 地磁気方位センサ部１の地磁気検出用のＭＲ
センサＭ1 ，Ｍ2 ，Ｍ3，Ｍ4 に、定電流源である周辺
回路部２から一定のセンス電流ＩS を供給する。また、
ＭＲセンサＭ1 ，Ｍ2 ，Ｍ3 ，Ｍ4 の各両端子のうち、
一方は共通端子とし、他方はそれぞれ出力端子とする。
型化、低価格化が容易な地磁気方位センサを提供する。 【構成】 地磁気方位センサ部１の地磁気検出用のＭＲ
センサＭ1 ，Ｍ2 ，Ｍ3，Ｍ4 に、定電流源である周辺
回路部２から一定のセンス電流ＩS を供給する。また、
ＭＲセンサＭ1 ，Ｍ2 ，Ｍ3 ，Ｍ4 の各両端子のうち、
一方は共通端子とし、他方はそれぞれ出力端子とする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、磁気抵抗効果素子を用
いた地磁気方位センサに関するものであり、特に強磁性
体コアと組み合わせて高感度化を図った新規な地磁気方
位センサに関するものである。
いた地磁気方位センサに関するものであり、特に強磁性
体コアと組み合わせて高感度化を図った新規な地磁気方
位センサに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】例えば、カラー陰極線管では、電子銃か
ら出射された電子ビームの軌道が、地磁気により曲げら
れ、蛍光面上でのビーム到達位置（ランディング）が変
化することがある。特に高精細度陰極線管においては、
ランディング余裕度が小さいために、前記ランディング
の変化（位置ずれ）が色純度の劣化等の問題を引き起こ
す。
ら出射された電子ビームの軌道が、地磁気により曲げら
れ、蛍光面上でのビーム到達位置（ランディング）が変
化することがある。特に高精細度陰極線管においては、
ランディング余裕度が小さいために、前記ランディング
の変化（位置ずれ）が色純度の劣化等の問題を引き起こ
す。
【０００３】これを補正するために、通常、ランディン
グ補正コイルが陰極線管に取り付けられており、このラ
ンディング補正コイルに地磁気の方位に応じて自動的に
ランディング補正に必要な最適電流を流すことにより、
電子ビームの軌道を制御してミスランディングを防止す
るようにしている。
グ補正コイルが陰極線管に取り付けられており、このラ
ンディング補正コイルに地磁気の方位に応じて自動的に
ランディング補正に必要な最適電流を流すことにより、
電子ビームの軌道を制御してミスランディングを防止す
るようにしている。
【０００４】したがって、前記ランディング補正に際し
ては、地磁気の方位を正確に検出する必要があり、いわ
ゆる地磁気方位センサが使用されている。あるいは、従
来から用いられてきた磁石式の方位計（磁気コンパス）
の代替として、携帯型の方位計としても地磁気方位セン
サが使用されている。
ては、地磁気の方位を正確に検出する必要があり、いわ
ゆる地磁気方位センサが使用されている。あるいは、従
来から用いられてきた磁石式の方位計（磁気コンパス）
の代替として、携帯型の方位計としても地磁気方位セン
サが使用されている。
【０００５】上述のように、地磁気方位センサは、様々
な用途に使用されるが、その代表的な構造としては、い
わゆるフラックスゲート型のものと、磁気抵抗効果型
（ＭＲ型）のものが知られている。
な用途に使用されるが、その代表的な構造としては、い
わゆるフラックスゲート型のものと、磁気抵抗効果型
（ＭＲ型）のものが知られている。
【０００６】前者は、図１３に示すように、パーマロイ
コア１０１に電気信号出力用コイル１０２と励磁用コイ
ル１０３を巻回してなるもので、地磁気を前記パーマロ
イコアで集束し、これを電気信号出力用コイル１０２に
伝えるような構造とされている。
コア１０１に電気信号出力用コイル１０２と励磁用コイ
ル１０３を巻回してなるもので、地磁気を前記パーマロ
イコアで集束し、これを電気信号出力用コイル１０２に
伝えるような構造とされている。
【０００７】そして、このフラックスゲート型の地磁気
方位センサでは、励磁コイル１０３により交流バイアス
磁界ＨB をパーマロイコア１０１中に発生させ、バイア
ス磁界が反転したときに発生するパルス状の電圧を信号
として検出する。このパルス状電圧の電圧値は、地磁気
の方位によって変化するので、地磁気センサとして利用
することができる。
方位センサでは、励磁コイル１０３により交流バイアス
磁界ＨB をパーマロイコア１０１中に発生させ、バイア
ス磁界が反転したときに発生するパルス状の電圧を信号
として検出する。このパルス状電圧の電圧値は、地磁気
の方位によって変化するので、地磁気センサとして利用
することができる。
【０００８】しかしながら、このフラックスゲート型の
地磁気方位センサは、コイルにより地磁気を電気信号に
変換するため、感度を上げるためには電気信号出力用コ
イル１０２の巻き数を多くしたり、集束効果を高めるた
めにパーマロイコア１０１の形状を大きくする必要があ
る。したがって、小型化や低価格化は難しい。
地磁気方位センサは、コイルにより地磁気を電気信号に
変換するため、感度を上げるためには電気信号出力用コ
イル１０２の巻き数を多くしたり、集束効果を高めるた
めにパーマロイコア１０１の形状を大きくする必要があ
る。したがって、小型化や低価格化は難しい。
【０００９】一方、後者（ＭＲ型）は、図１４に示すよ
うに、磁気抵抗効果素子（ＭＲセンサチップ）１１１を
形成したＭＲセンサチップ１１０を空心コイル１１２の
中に入れ、これらＭＲセンサチップ１１０に対して４５
゜方向の交流バイアス磁界Ｈ Bを印加してなるものであ
る。等価回路を図１５に示す。地磁気方位センサとして
使用する場合には、図１４に示す構造のものを空心コイ
ルの巻回方向が直交するするように１組使用する。
うに、磁気抵抗効果素子（ＭＲセンサチップ）１１１を
形成したＭＲセンサチップ１１０を空心コイル１１２の
中に入れ、これらＭＲセンサチップ１１０に対して４５
゜方向の交流バイアス磁界Ｈ Bを印加してなるものであ
る。等価回路を図１５に示す。地磁気方位センサとして
使用する場合には、図１４に示す構造のものを空心コイ
ルの巻回方向が直交するするように１組使用する。
【００１０】このＭＲ型の地磁気方位センサは、磁気抵
抗効果素子を使用しているため、フラックスゲート型の
地磁気方位センサに比べて感度が高いが、ＭＲセンサチ
ップ１１０のみで地磁気を感知しているため、０．３ガ
ウス程度の地磁気の方位を検出するには不十分である。
抗効果素子を使用しているため、フラックスゲート型の
地磁気方位センサに比べて感度が高いが、ＭＲセンサチ
ップ１１０のみで地磁気を感知しているため、０．３ガ
ウス程度の地磁気の方位を検出するには不十分である。
【００１１】また、このＭＲ型の地磁気方位センサで
は、ＭＲセンサチップ１１０に対して４５゜方向のバイ
アス磁界ＨB を加えていること、感度向上のためにＭＲ
カーブを無理に急峻なものとしていることから、ＭＲ特
性にヒステリシスを持っており、これを解消するために
信号処理用回路が複雑なものとなったり、方位精度が±
１０゜と悪い等の不都合を有する。
は、ＭＲセンサチップ１１０に対して４５゜方向のバイ
アス磁界ＨB を加えていること、感度向上のためにＭＲ
カーブを無理に急峻なものとしていることから、ＭＲ特
性にヒステリシスを持っており、これを解消するために
信号処理用回路が複雑なものとなったり、方位精度が±
１０゜と悪い等の不都合を有する。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】上述のように、従来知
られる地磁気方位センサでは、感度の点で不満を残して
おり、また小型化、低価格化も難しい。そこで本発明
は、かかる従来の実情に鑑みて提案されたもので、Ｓ／
Ｎに優れ実用的な感度を有し、しかも小型化、低価格化
が容易な地磁気方位センサを提供することを目的とす
る。
られる地磁気方位センサでは、感度の点で不満を残して
おり、また小型化、低価格化も難しい。そこで本発明
は、かかる従来の実情に鑑みて提案されたもので、Ｓ／
Ｎに優れ実用的な感度を有し、しかも小型化、低価格化
が容易な地磁気方位センサを提供することを目的とす
る。
【００１３】
【課題を解決するための手段】本発明の地磁気方位セン
サは、地磁気を強磁性体コアで集束することにより大き
な磁束密度に変換し、これをコア間のギャップ内に配置
した磁気抵抗効果素子（以下、ＭＲセンサと称する。）
で検出するものである。
サは、地磁気を強磁性体コアで集束することにより大き
な磁束密度に変換し、これをコア間のギャップ内に配置
した磁気抵抗効果素子（以下、ＭＲセンサと称する。）
で検出するものである。
【００１４】すなわち、上記地磁気方位センサは、地磁
気を集束する複数の強磁性体コアが所定のギャップをも
って周方向に配列されるとともに、前記ギャップにおけ
る磁界方向に対して略直交するように上記ＭＲセンサが
ギャップ内に配されることを特徴とする。
気を集束する複数の強磁性体コアが所定のギャップをも
って周方向に配列されるとともに、前記ギャップにおけ
る磁界方向に対して略直交するように上記ＭＲセンサが
ギャップ内に配されることを特徴とする。
【００１５】上記地磁気方位センサにおいては、磁気抵
抗効果素子は、互いに直交するＸ軸方向とＹ軸方向での
出力を得るため、最低でも２箇所に互いに直交するよう
に配置する。好ましくは、等角度間隔（９０゜間隔）で
４つのＭＲセンサを配置する。
抗効果素子は、互いに直交するＸ軸方向とＹ軸方向での
出力を得るため、最低でも２箇所に互いに直交するよう
に配置する。好ましくは、等角度間隔（９０゜間隔）で
４つのＭＲセンサを配置する。
【００１６】ここで、各磁気抵抗効果素子の端子の一方
を共通端子とし、他方をそれぞれ出力端子とする。この
場合、前記共通端子としては電圧電源や接地部位と接続
することが考えられる。
を共通端子とし、他方をそれぞれ出力端子とする。この
場合、前記共通端子としては電圧電源や接地部位と接続
することが考えられる。
【００１７】一方、強磁性体コアは、前記ＭＲセンサの
配置に応じて等角度間隔（例えば９０゜間隔）でギャッ
プを有し、且つ閉磁路を構成するように、周方向に配列
する。このとき、強磁性体コアの配列状態は、９０゜回
転させても対称となる構造とすることが好ましく、具体
的には、円環状、あるいは正方形状に配列する。
配置に応じて等角度間隔（例えば９０゜間隔）でギャッ
プを有し、且つ閉磁路を構成するように、周方向に配列
する。このとき、強磁性体コアの配列状態は、９０゜回
転させても対称となる構造とすることが好ましく、具体
的には、円環状、あるいは正方形状に配列する。
【００１８】上記強磁性体コアには、パーマロイ、珪素
鋼板、各種ソフトフェライト等、高透磁率、高飽和磁束
密度を有する軟磁性材（いわゆるソフト材）を用い、バ
イアス磁界の印加と地磁気の集束に利用する。
鋼板、各種ソフトフェライト等、高透磁率、高飽和磁束
密度を有する軟磁性材（いわゆるソフト材）を用い、バ
イアス磁界の印加と地磁気の集束に利用する。
【００１９】したがって、上記強磁性体コアには、励磁
用コイルを巻回し、それにバイアス電流ＩB を流すこと
によってバイアス磁界ＨB を発生させ、ＭＲセンサを磁
界感度が高く且つ直線性（リニアリティ）の良いところ
で使用する。なお、バイアス磁界ＨB （バイアス電流Ｉ
B ）は、交流であってもよいし、直流であってもよい。
用コイルを巻回し、それにバイアス電流ＩB を流すこと
によってバイアス磁界ＨB を発生させ、ＭＲセンサを磁
界感度が高く且つ直線性（リニアリティ）の良いところ
で使用する。なお、バイアス磁界ＨB （バイアス電流Ｉ
B ）は、交流であってもよいし、直流であってもよい。
【００２０】ただし、バイアス電流ＩB の電流値は、こ
のバイアス磁界ＨB が強磁性体系部（強磁性体コアによ
って構成される閉磁路）の飽和磁束密度以下で透磁率値
の前後までとし、回転磁化範囲を避けるとともに、強磁
性体系部の磁化量に余裕を持たせ、地磁気の集束にも利
用する。
のバイアス磁界ＨB が強磁性体系部（強磁性体コアによ
って構成される閉磁路）の飽和磁束密度以下で透磁率値
の前後までとし、回転磁化範囲を避けるとともに、強磁
性体系部の磁化量に余裕を持たせ、地磁気の集束にも利
用する。
【００２１】そして、本発明の地磁気方位センサは、磁
気抵抗効果素子に定値のセンス電流が供給され定電流駆
動とされてなることを特徴とするものである。このと
き、各磁気抵抗効果素子にセンス電流を供給する定電流
源を接続して構成する。
気抵抗効果素子に定値のセンス電流が供給され定電流駆
動とされてなることを特徴とするものである。このと
き、各磁気抵抗効果素子にセンス電流を供給する定電流
源を接続して構成する。
【００２２】
【作用】本発明の地磁気方位センサにおいて、強磁性体
コアは、バイアス磁界の磁路を構成するとともに、地磁
気を集束するいわゆる集束ホーンとして機能する。その
結果、互いに直交するＭＲセンサに加わる地磁気の総量
は、それぞれ地磁気とＭＲセンサのなす角度に応じて決
まり、各ＭＲセンサから強磁性体コアにより構成される
閉磁路の中心を通る地磁気線に直角に引いた線に比例す
る。
コアは、バイアス磁界の磁路を構成するとともに、地磁
気を集束するいわゆる集束ホーンとして機能する。その
結果、互いに直交するＭＲセンサに加わる地磁気の総量
は、それぞれ地磁気とＭＲセンサのなす角度に応じて決
まり、各ＭＲセンサから強磁性体コアにより構成される
閉磁路の中心を通る地磁気線に直角に引いた線に比例す
る。
【００２３】また、各ＭＲセンサには一定値のセンス電
流が供給されるために、各ＭＲセンサからの出力はこれ
らＭＲセンサに印加されている電源電圧の変動により影
響を受けることがない。さらに上記作動出力はＭＲセン
サの抵抗値変化量とセンス電流値により定められ、ＭＲ
センサの有する抵抗値に因らない値である。したがっ
て、ＭＲセンサの抵抗値は大きな温度依存性を有してい
るが、上記作動出力は温度変化によって変動することも
ない。
流が供給されるために、各ＭＲセンサからの出力はこれ
らＭＲセンサに印加されている電源電圧の変動により影
響を受けることがない。さらに上記作動出力はＭＲセン
サの抵抗値変化量とセンス電流値により定められ、ＭＲ
センサの有する抵抗値に因らない値である。したがっ
て、ＭＲセンサの抵抗値は大きな温度依存性を有してい
るが、上記作動出力は温度変化によって変動することも
ない。
【００２４】したがって、地磁気が効率的にＭＲセンサ
へ磁気信号として供給され、高出力が得られるととも
に、ＭＲセンサからの出力にほとんど変動が生じないた
めに、地磁気の方位が高精度に検出されることになる。
へ磁気信号として供給され、高出力が得られるととも
に、ＭＲセンサからの出力にほとんど変動が生じないた
めに、地磁気の方位が高精度に検出されることになる。
【００２５】
【実施例】以下、本発明を適用した具体的な実施例につ
いて、図面を参照しながら詳細に説明する。
いて、図面を参照しながら詳細に説明する。
【００２６】図１は、本発明を適用した地磁気方位セン
サの基本構造の一例を示すものである。この地磁気方位
センサは、パーマロイ等からなる４つの円弧状の強磁性
体コアＫ1 ，Ｋ2 ，Ｋ3 ，Ｋ4 を円環状に組合せ、９０
゜間隔でギャップＧ1 ，Ｇ2 ，Ｇ3 ，Ｇ4 を配するとと
もに、これらギャップＧ1 ，Ｇ2 ，Ｇ3 ，Ｇ4 内にそれ
ぞれＭＲセンサＭ1 ，Ｍ2 ，Ｍ3 ，Ｍ4 を配置してなる
ものである。
サの基本構造の一例を示すものである。この地磁気方位
センサは、パーマロイ等からなる４つの円弧状の強磁性
体コアＫ1 ，Ｋ2 ，Ｋ3 ，Ｋ4 を円環状に組合せ、９０
゜間隔でギャップＧ1 ，Ｇ2 ，Ｇ3 ，Ｇ4 を配するとと
もに、これらギャップＧ1 ，Ｇ2 ，Ｇ3 ，Ｇ4 内にそれ
ぞれＭＲセンサＭ1 ，Ｍ2 ，Ｍ3 ，Ｍ4 を配置してなる
ものである。
【００２７】前記各強磁性体コアＫ1 ，Ｋ2 ，Ｋ3 ，Ｋ
4 には、それぞれ励磁用コイルＣ1，Ｃ2 ，Ｃ3 ，Ｃ4
が巻回され、ギャップＧ1 ，Ｇ2 ，Ｇ3 ，Ｇ4 中に配置
される各ＭＲセンサＭ1 ，Ｍ2 ，Ｍ3 ，Ｍ4 に対してバ
イアス磁界ＨB を直角に印加するようになっている。な
お、各ＭＲセンサＭ1 ，Ｍ2 ，Ｍ3 ，Ｍ4 は、図２に示
すように、各ギャップＧ1 ，Ｇ2 ，Ｇ3 ，Ｇ4 上に成膜
する形で形成されており、したがって、各ＭＲセンサＭ
1 ，Ｍ2 ，Ｍ3 ，Ｍ4 の膜面に対して略平行にバイアス
磁界ＨB が印加される。
4 には、それぞれ励磁用コイルＣ1，Ｃ2 ，Ｃ3 ，Ｃ4
が巻回され、ギャップＧ1 ，Ｇ2 ，Ｇ3 ，Ｇ4 中に配置
される各ＭＲセンサＭ1 ，Ｍ2 ，Ｍ3 ，Ｍ4 に対してバ
イアス磁界ＨB を直角に印加するようになっている。な
お、各ＭＲセンサＭ1 ，Ｍ2 ，Ｍ3 ，Ｍ4 は、図２に示
すように、各ギャップＧ1 ，Ｇ2 ，Ｇ3 ，Ｇ4 上に成膜
する形で形成されており、したがって、各ＭＲセンサＭ
1 ，Ｍ2 ，Ｍ3 ，Ｍ4 の膜面に対して略平行にバイアス
磁界ＨB が印加される。
【００２８】上記ＭＲセンサＭ1 ，Ｍ2 ，Ｍ3 ，Ｍ
4 は、例えばＸ軸方向検出用の２つのＭＲセンサＭ1 ，
Ｍ3 と、これと直交するＹ軸方向検出用の２つのＭＲセ
ンサＭ2，Ｍ4 に分類される。
4 は、例えばＸ軸方向検出用の２つのＭＲセンサＭ1 ，
Ｍ3 と、これと直交するＹ軸方向検出用の２つのＭＲセ
ンサＭ2，Ｍ4 に分類される。
【００２９】以上の構成を有する地磁気方位センサの等
価回路は、図３または図４に示す通りである。この地磁
気方位センサはいわゆる電流駆動型のものであり、図
３，図４中、地磁気方位センサ部１の地磁気検出用のＭ
ＲセンサＭ1 ，Ｍ2 ，Ｍ3 ，Ｍ4 には、定電流源である
周辺回路部２から一定のセンス電流ＩS が供給される。
また、ＭＲセンサＭ1 ，Ｍ2 ，Ｍ3 ，Ｍ4 の各両端子の
うち、一方は共通端子（図３では接地、図４では電源電
圧ＶCC）とされ、他方はそれぞれ出力端子とされてい
る。
価回路は、図３または図４に示す通りである。この地磁
気方位センサはいわゆる電流駆動型のものであり、図
３，図４中、地磁気方位センサ部１の地磁気検出用のＭ
ＲセンサＭ1 ，Ｍ2 ，Ｍ3 ，Ｍ4 には、定電流源である
周辺回路部２から一定のセンス電流ＩS が供給される。
また、ＭＲセンサＭ1 ，Ｍ2 ，Ｍ3 ，Ｍ4 の各両端子の
うち、一方は共通端子（図３では接地、図４では電源電
圧ＶCC）とされ、他方はそれぞれ出力端子とされてい
る。
【００３０】ＭＲセンサＭ1 ，Ｍ2 ，Ｍ3 ，Ｍ4 に一定
のセンス電流ＩS を供給するものとしては、図５及び図
６に示すような回路構成が考えられる。図５に示す供給
回路は、通常のオペアンプやトランジスタ等により構成
されているものである。また、図６に示す供給回路は、
いわゆるバンドギャップ回路３とカレントミラー回路４
から構成されている。ここで、バンドギャップ回路３は
電源電圧、温度依存性のない電流源を作るものであり、
カレントミラー回路４は所定箇所に同一値のセンス電流
ＩS を供給するものである。
のセンス電流ＩS を供給するものとしては、図５及び図
６に示すような回路構成が考えられる。図５に示す供給
回路は、通常のオペアンプやトランジスタ等により構成
されているものである。また、図６に示す供給回路は、
いわゆるバンドギャップ回路３とカレントミラー回路４
から構成されている。ここで、バンドギャップ回路３は
電源電圧、温度依存性のない電流源を作るものであり、
カレントミラー回路４は所定箇所に同一値のセンス電流
ＩS を供給するものである。
【００３１】また、バイアス電流ＩB により、Ｘ軸方向
検出用のＭＲセンサＭ1 とＭＲセンサＭ3 には、１８０
゜方位の異なるバイアス磁界（ＨB 及び−ＨB ）が印加
され、同様にＹ軸方向検出用のＭＲセンサＭ2 とＭＲセ
ンサＭ4 にも１８０゜方位の異なるバイアス磁界（ＨB
及び−ＨB ）が印加される。
検出用のＭＲセンサＭ1 とＭＲセンサＭ3 には、１８０
゜方位の異なるバイアス磁界（ＨB 及び−ＨB ）が印加
され、同様にＹ軸方向検出用のＭＲセンサＭ2 とＭＲセ
ンサＭ4 にも１８０゜方位の異なるバイアス磁界（ＨB
及び−ＨB ）が印加される。
【００３２】上記構成の地磁気方位センサにおいて、Ｍ
ＲセンサＭ1 ，Ｍ2 ，Ｍ3 ，Ｍ4 は、次のような特徴を
持っている。 （１）磁界の強度により抵抗値が変化する。（磁気抵抗
効果） （２）弱い磁界を感知する能力に優れている。 （３）抵抗値変化を電気信号として取り出すことができ
る。
ＲセンサＭ1 ，Ｍ2 ，Ｍ3 ，Ｍ4 は、次のような特徴を
持っている。 （１）磁界の強度により抵抗値が変化する。（磁気抵抗
効果） （２）弱い磁界を感知する能力に優れている。 （３）抵抗値変化を電気信号として取り出すことができ
る。
【００３３】上記地磁気方位センサにおいては、この特
徴を利用して地磁気による磁気信号を電気信号に変換す
る。図７は、ＭＲセンサのＭＲ特性曲線を示すものであ
る。この図７において、横軸はＭＲセンサに垂直に加わ
る磁界の強さ、縦軸はＭＲセンサの抵抗値の変化、ある
いは出力電圧変化（ＭＲセンサに直流電流を流した場
合）である。
徴を利用して地磁気による磁気信号を電気信号に変換す
る。図７は、ＭＲセンサのＭＲ特性曲線を示すものであ
る。この図７において、横軸はＭＲセンサに垂直に加わ
る磁界の強さ、縦軸はＭＲセンサの抵抗値の変化、ある
いは出力電圧変化（ＭＲセンサに直流電流を流した場
合）である。
【００３４】ＭＲセンサの抵抗値は、磁界零で最大とな
り、大きな磁界（ＭＲセンサのパターン形状等にもよる
が１００〜２００ガウス程度）を印加したときに約３％
小さくなる。ＭＲセンサ出力のＳ／Ｎ（出力電圧振幅）
及び歪率向上のためには、図７に示すように、バイアス
磁界ＨB が必要となる。このバイアス磁界ＨB は、先に
も述べたように、強磁性体コアＫ1 ，Ｋ2 ，Ｋ3 ，Ｋ4
に励磁用コイルＣ1 ，Ｃ2 ，Ｃ3 ，Ｃ4 を巻き、これに
交流バイアス電流ＩB を流すことによって与えられる。
り、大きな磁界（ＭＲセンサのパターン形状等にもよる
が１００〜２００ガウス程度）を印加したときに約３％
小さくなる。ＭＲセンサ出力のＳ／Ｎ（出力電圧振幅）
及び歪率向上のためには、図７に示すように、バイアス
磁界ＨB が必要となる。このバイアス磁界ＨB は、先に
も述べたように、強磁性体コアＫ1 ，Ｋ2 ，Ｋ3 ，Ｋ4
に励磁用コイルＣ1 ，Ｃ2 ，Ｃ3 ，Ｃ4 を巻き、これに
交流バイアス電流ＩB を流すことによって与えられる。
【００３５】このとき、Ｘ軸方向検出用のＭＲセンサＭ
1 に印加されるバイアス磁界の方向とＭＲセンサＭ3 に
印加されるバイアス磁界の方向は、互いに１８０゜反転
している。同様に、Ｙ軸方向検出用のＭＲセンサＭ2 に
印加されるバイアス磁界の方向とＭＲセンサＭ4 に印加
されるバイアス磁界の方向も、互いに１８０゜反転して
いる。
1 に印加されるバイアス磁界の方向とＭＲセンサＭ3 に
印加されるバイアス磁界の方向は、互いに１８０゜反転
している。同様に、Ｙ軸方向検出用のＭＲセンサＭ2 に
印加されるバイアス磁界の方向とＭＲセンサＭ4 に印加
されるバイアス磁界の方向も、互いに１８０゜反転して
いる。
【００３６】ここで、地磁気信号ＨE が入ってくると、
例えばＸ軸方向検出用のＭＲセンサＭ1 及びＭ3 に加わ
る磁界の強さは以下のようになる。 ＭＲセンサＭ1 ： ＨB ＋ＨE ＭＲセンサＭ3 ： −ＨB ＋ＨE
例えばＸ軸方向検出用のＭＲセンサＭ1 及びＭ3 に加わ
る磁界の強さは以下のようになる。 ＭＲセンサＭ1 ： ＨB ＋ＨE ＭＲセンサＭ3 ： −ＨB ＋ＨE
【００３７】例えば交流バイアス磁界を印加とすると、
ＭＲセンサＭ1 に印加される磁界は図７中線Ａで示すよ
うに変化し、この磁界の変化が図７中線Ｂで示すように
電圧変化として出力される。一方、ＭＲセンサＭ3 に印
加される磁界は図７中線Ｃで示すように変化し、この磁
界の変化が図７中線Ｄで示すように電圧変化として出力
される。
ＭＲセンサＭ1 に印加される磁界は図７中線Ａで示すよ
うに変化し、この磁界の変化が図７中線Ｂで示すように
電圧変化として出力される。一方、ＭＲセンサＭ3 に印
加される磁界は図７中線Ｃで示すように変化し、この磁
界の変化が図７中線Ｄで示すように電圧変化として出力
される。
【００３８】このＭＲセンサＭ1 からの出力（線Ｂ）と
ＭＲセンサＭ3 からの出力（線Ｄ）の出力差Ｌが、差動
増幅器Ａ1 にて増幅された差動信号（Ｘ出力）として取
り出される。Ｙ軸方向検出用のＭＲセンサＭ2 ，Ｍ4 に
ついても同様であり、差動増幅器Ａ2 にて増幅された差
動信号（Ｙ出力）が取り出される。
ＭＲセンサＭ3 からの出力（線Ｄ）の出力差Ｌが、差動
増幅器Ａ1 にて増幅された差動信号（Ｘ出力）として取
り出される。Ｙ軸方向検出用のＭＲセンサＭ2 ，Ｍ4 に
ついても同様であり、差動増幅器Ａ2 にて増幅された差
動信号（Ｙ出力）が取り出される。
【００３９】すなわち、バイアス磁界ＨB の印加による
ＭＲセンサの抵抗値変化をΔＲとすると、各差動信号Ｖ
S は、ＶS ＝２ΔＲＩS となる。上記の如くセンス電流
ＩSは一定値であるので、差動信号ＶS は電源電圧ＶCC
の変動により影響を受けることがなく、さらに温度変化
によって変動することもない。
ＭＲセンサの抵抗値変化をΔＲとすると、各差動信号Ｖ
S は、ＶS ＝２ΔＲＩS となる。上記の如くセンス電流
ＩSは一定値であるので、差動信号ＶS は電源電圧ＶCC
の変動により影響を受けることがなく、さらに温度変化
によって変動することもない。
【００４０】これら差動信号は地磁気ＨE の方位により
変化し、それぞれＨE ｓｉｎθ、Ｈ E ｃｏｓθに比例す
る。したがって、横軸に方位θをとって出力電位をプロ
ットすると、Ｘ出力及びＹ出力は図８に示すようなもの
となる。したがって、これらＸ出力及びＹ出力から、地
磁気に対する方位θを算出することができる。
変化し、それぞれＨE ｓｉｎθ、Ｈ E ｃｏｓθに比例す
る。したがって、横軸に方位θをとって出力電位をプロ
ットすると、Ｘ出力及びＹ出力は図８に示すようなもの
となる。したがって、これらＸ出力及びＹ出力から、地
磁気に対する方位θを算出することができる。
【００４１】すなわち、Ｘ出力とＹ出力の比Ｘ／Ｙは、
これら出力がＨE ｓｉｎθ、ＨE ｃｏｓθに比例するこ
とから、ｓｉｎθ／ｃｏｓθで表わすことができる。 Ｘ／Ｙ＝ｓｉｎθ／ｃｏｓθ＝ｔａｎθ したがって、 θ＝ｔａｎ-1（Ｘ／Ｙ） （ただし、０≦θ≦１８０゜のときＸ≧０、１８０゜＜
θ＜３６０゜のときＸ＜０である。） 以上によって地磁気ＨE の方位θを知ることができる。
これら出力がＨE ｓｉｎθ、ＨE ｃｏｓθに比例するこ
とから、ｓｉｎθ／ｃｏｓθで表わすことができる。 Ｘ／Ｙ＝ｓｉｎθ／ｃｏｓθ＝ｔａｎθ したがって、 θ＝ｔａｎ-1（Ｘ／Ｙ） （ただし、０≦θ≦１８０゜のときＸ≧０、１８０゜＜
θ＜３６０゜のときＸ＜０である。） 以上によって地磁気ＨE の方位θを知ることができる。
【００４２】次に、強磁性体コアＫ1 ，Ｋ2 ，Ｋ3 ，Ｋ
4 による地磁気集束原理について説明する。
4 による地磁気集束原理について説明する。
【００４３】先ず、図９に、フェライト、パーマロイ等
からなる強磁性体コアＫが地磁気にどのような影響を与
えるのかを模式的に図示した。強磁性体は空気中に比べ
て磁気抵抗が小さいため、地磁気が吸い寄せられるよう
に曲げられ、強磁性体コアＫ中を通って再び外へ出る。
からなる強磁性体コアＫが地磁気にどのような影響を与
えるのかを模式的に図示した。強磁性体は空気中に比べ
て磁気抵抗が小さいため、地磁気が吸い寄せられるよう
に曲げられ、強磁性体コアＫ中を通って再び外へ出る。
【００４４】したがって、上記強磁性体コアＫは、地磁
気を集束し、大きな磁束密度に変換する。（実際は、地
磁気は強磁性体コアＫを磁化し、ギャップに大きな磁界
を発生する。） 図１０は、円形の強磁性体コアＫを用いた場合に地磁気
がどのように各ＭＲセンサＭ1 ，Ｍ2 ，Ｍ3 ，Ｍ4 に伝
わるのかを示したものであり、各ＭＲセンサＭ 1 ，
Ｍ2 ，Ｍ3 ，Ｍ4 に磁気信号として印加される地磁気の
総量は、各ＭＲセンサＭ1 ，Ｍ2 ，Ｍ3 ，Ｍ4 から強磁
性体コアＫの中心を通る地磁気線ＨEOに垂直に引いた線
の長さに相当する。
気を集束し、大きな磁束密度に変換する。（実際は、地
磁気は強磁性体コアＫを磁化し、ギャップに大きな磁界
を発生する。） 図１０は、円形の強磁性体コアＫを用いた場合に地磁気
がどのように各ＭＲセンサＭ1 ，Ｍ2 ，Ｍ3 ，Ｍ4 に伝
わるのかを示したものであり、各ＭＲセンサＭ 1 ，
Ｍ2 ，Ｍ3 ，Ｍ4 に磁気信号として印加される地磁気の
総量は、各ＭＲセンサＭ1 ，Ｍ2 ，Ｍ3 ，Ｍ4 から強磁
性体コアＫの中心を通る地磁気線ＨEOに垂直に引いた線
の長さに相当する。
【００４５】Ｘ軸方向検出用ＭＲセンサＭ1 ，Ｍ3 に印
加される地磁気の総量：ｒｓｉｎθ Ｙ軸方向検出用ＭＲセンサＭ2 ，Ｍ4 に印加される地磁
気の総量：ｒｃｏｓθ したがって、これら地磁気の総量に基づいて出力される
地磁気方位センサ出力（Ｘ出力，Ｙ出力）より、先の計
算式に従って地磁気ＨE の方位θが算出される。
加される地磁気の総量：ｒｓｉｎθ Ｙ軸方向検出用ＭＲセンサＭ2 ，Ｍ4 に印加される地磁
気の総量：ｒｃｏｓθ したがって、これら地磁気の総量に基づいて出力される
地磁気方位センサ出力（Ｘ出力，Ｙ出力）より、先の計
算式に従って地磁気ＨE の方位θが算出される。
【００４６】図１１に示すように強磁性体コアＫが正方
形の場合も同様であり、強磁性体コアＫの中心点を回転
中心として９０゜回転させたときに対称となる形状であ
れば、いずれの場合にも同様の出力を得ることができ
る。
形の場合も同様であり、強磁性体コアＫの中心点を回転
中心として９０゜回転させたときに対称となる形状であ
れば、いずれの場合にも同様の出力を得ることができ
る。
【００４７】以上のように、本実施例において、強磁性
体コアＫ1 ，Ｋ2 ，Ｋ3 ，Ｋ4 は、バイアス磁界の磁路
を構成するとともに、地磁気を集束するいわゆる集束ホ
ーンとして機能する。その結果、互いに直交するＭＲセ
ンサＭ1 ，Ｍ2 ，Ｍ3 ，Ｍ4 に加わる地磁気の総量は、
それぞれ地磁気とＭＲセンサＭ1 ，Ｍ2 ，Ｍ3 ，Ｍ4 の
なす角度に応じて決まり、各ＭＲセンサＭ1 ，Ｍ2 ，Ｍ
3 ，Ｍ4 から強磁性体コアＫ1 ，Ｋ2，Ｋ3 ，Ｋ4 によ
り構成される閉磁路の中心を通る地磁気線に直角に引い
た線に比例する。
体コアＫ1 ，Ｋ2 ，Ｋ3 ，Ｋ4 は、バイアス磁界の磁路
を構成するとともに、地磁気を集束するいわゆる集束ホ
ーンとして機能する。その結果、互いに直交するＭＲセ
ンサＭ1 ，Ｍ2 ，Ｍ3 ，Ｍ4 に加わる地磁気の総量は、
それぞれ地磁気とＭＲセンサＭ1 ，Ｍ2 ，Ｍ3 ，Ｍ4 の
なす角度に応じて決まり、各ＭＲセンサＭ1 ，Ｍ2 ，Ｍ
3 ，Ｍ4 から強磁性体コアＫ1 ，Ｋ2，Ｋ3 ，Ｋ4 によ
り構成される閉磁路の中心を通る地磁気線に直角に引い
た線に比例する。
【００４８】また、各ＭＲセンサＭ1 ，Ｍ2 ，Ｍ3 ，Ｍ
4 には一定値のセンス電流ＩS が供給されるために、Ｍ
ＲセンサＭ1 ，Ｍ3 及びＭ2 ，Ｍ4 からの作動出力ＶS
はこれらＭＲセンサＭ1 ，Ｍ2 ，Ｍ3 ，Ｍ4 に印加され
ている電源電圧ＶCCの変動により影響を受けることがな
い。さらに上記出力はＭＲセンサＭ1 ，Ｍ2 ，Ｍ3 ，Ｍ
4 の抵抗値変化量ΔＲとセンス電流ＩS の値により定め
られ、ＭＲセンサＭ1，Ｍ2 ，Ｍ3 ，Ｍ4 の有する抵抗
値に因らない値である。したがって、ＭＲセンサＭ1 ，
Ｍ2 ，Ｍ3 ，Ｍ4 の抵抗値は大きな温度依存性を有して
いるが、上記作動出力ＶS は温度変化によって変動する
こともない。
4 には一定値のセンス電流ＩS が供給されるために、Ｍ
ＲセンサＭ1 ，Ｍ3 及びＭ2 ，Ｍ4 からの作動出力ＶS
はこれらＭＲセンサＭ1 ，Ｍ2 ，Ｍ3 ，Ｍ4 に印加され
ている電源電圧ＶCCの変動により影響を受けることがな
い。さらに上記出力はＭＲセンサＭ1 ，Ｍ2 ，Ｍ3 ，Ｍ
4 の抵抗値変化量ΔＲとセンス電流ＩS の値により定め
られ、ＭＲセンサＭ1，Ｍ2 ，Ｍ3 ，Ｍ4 の有する抵抗
値に因らない値である。したがって、ＭＲセンサＭ1 ，
Ｍ2 ，Ｍ3 ，Ｍ4 の抵抗値は大きな温度依存性を有して
いるが、上記作動出力ＶS は温度変化によって変動する
こともない。
【００４９】したがって、地磁気が効率的にＭＲセンサ
Ｍ1 ，Ｍ2 ，Ｍ3 ，Ｍ4 へ磁気信号として供給され、高
出力が得られるとともに、ＭＲセンサＭ1 ，Ｍ3 及びＭ
2 ，Ｍ4 からの作動出力にほとんど変動が生じないため
に、地磁気の方位が高精度に検出されることになる。
Ｍ1 ，Ｍ2 ，Ｍ3 ，Ｍ4 へ磁気信号として供給され、高
出力が得られるとともに、ＭＲセンサＭ1 ，Ｍ3 及びＭ
2 ，Ｍ4 からの作動出力にほとんど変動が生じないため
に、地磁気の方位が高精度に検出されることになる。
【００５０】ここで、上記実施例に対する比較例につい
て説明する。この比較例の地磁気方位センサは、上記器
実施例のそれとほぼ同様の構成を有するが、いわゆる電
圧駆動型である点で異なる。なお、上記実施例と対応す
る部材等については同符号を記して説明を省略する。
て説明する。この比較例の地磁気方位センサは、上記器
実施例のそれとほぼ同様の構成を有するが、いわゆる電
圧駆動型である点で異なる。なお、上記実施例と対応す
る部材等については同符号を記して説明を省略する。
【００５１】上記比較例では、温度特性補正用の４つの
ＭＲセンサが、ギャップの外（したがって強磁性体コア
Ｋ1 ，Ｋ2 ，Ｋ3 ，Ｋ4 上）にＭＲセンサＭ1 ，Ｍ2 ，
Ｍ3，Ｍ4 に対して直交するように、すなわち強磁性体
コアＫ1 ，Ｋ2 ，Ｋ3 ，Ｋ4中の磁気信号に対して平行
になるように配置する。
ＭＲセンサが、ギャップの外（したがって強磁性体コア
Ｋ1 ，Ｋ2 ，Ｋ3 ，Ｋ4 上）にＭＲセンサＭ1 ，Ｍ2 ，
Ｍ3，Ｍ4 に対して直交するように、すなわち強磁性体
コアＫ1 ，Ｋ2 ，Ｋ3 ，Ｋ4中の磁気信号に対して平行
になるように配置する。
【００５２】この地磁気方位センサの等価回路を図１２
に示す。このように、上記地磁気方位センサはブリッジ
構造を有するいわゆる電圧駆動型のものである。このと
き、簡単のためにＭＲセンサＭ1 ，Ｍ2 ，Ｍ3 ，Ｍ4 及
び温度補正用のＭＲセンサＭ5 ，Ｍ6 ，Ｍ7 ，Ｍ8 の抵
抗値をＲB とすると、上記作動出力ＶSは、センス電流
ＩS がＩS ＝ＶCC／２ＲB であることから、 ＶS ＝ΔＲ・ＩS ＝（ΔＲ／２ＲB ）ＶCC ・・・（１） となる。
に示す。このように、上記地磁気方位センサはブリッジ
構造を有するいわゆる電圧駆動型のものである。このと
き、簡単のためにＭＲセンサＭ1 ，Ｍ2 ，Ｍ3 ，Ｍ4 及
び温度補正用のＭＲセンサＭ5 ，Ｍ6 ，Ｍ7 ，Ｍ8 の抵
抗値をＲB とすると、上記作動出力ＶSは、センス電流
ＩS がＩS ＝ＶCC／２ＲB であることから、 ＶS ＝ΔＲ・ＩS ＝（ΔＲ／２ＲB ）ＶCC ・・・（１） となる。
【００５３】（１）式において、作動出力ＶS は各ＭＲ
センサの抵抗値ＲB に依存する。抵抗値ＲB は温度依存
性が大であるために、温度変化に伴って作動出力ＶS に
変動が生じる。さらに、作動出力ＶS は電源電圧Ｖ
CC（〜２ＲB ・ＩS ）にも依存するために、この電源電
圧ＶCCの変化によっても変動が生じることになる。
センサの抵抗値ＲB に依存する。抵抗値ＲB は温度依存
性が大であるために、温度変化に伴って作動出力ＶS に
変動が生じる。さらに、作動出力ＶS は電源電圧Ｖ
CC（〜２ＲB ・ＩS ）にも依存するために、この電源電
圧ＶCCの変化によっても変動が生じることになる。
【００５４】また、上記実施例の地磁気方位センサと比
較して、上記温度補正用ＭＲセンサが設けられているた
めに、作動出力ＶS はほぼ半分程となり、端子数がほぼ
２倍となる。
較して、上記温度補正用ＭＲセンサが設けられているた
めに、作動出力ＶS はほぼ半分程となり、端子数がほぼ
２倍となる。
【００５５】このように、上記実施例に係る地磁気方位
センサは、比較例のそれと比して、大出力化や、電流電
源変動や温度変化に対する無変動化、小型化等が達成可
能となり、製品の歩留り及び信頼性の大幅な向上を図る
ことができる。
センサは、比較例のそれと比して、大出力化や、電流電
源変動や温度変化に対する無変動化、小型化等が達成可
能となり、製品の歩留り及び信頼性の大幅な向上を図る
ことができる。
【００５６】以上、本発明を適用した実施例について説
明してきたが、本発明がこれら実施例に限定されるわけ
ではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲で形状、材
質、寸法等、任意に変更することが可能である。
明してきたが、本発明がこれら実施例に限定されるわけ
ではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲で形状、材
質、寸法等、任意に変更することが可能である。
【００５７】
【発明の効果】以上の説明からも明かなように、本発明
によれば、Ｓ／Ｎに優れ実用的な感度を有し、しかも小
型化、低価格化が容易な地磁気方位センサを提供するこ
とが可能となる。
によれば、Ｓ／Ｎに優れ実用的な感度を有し、しかも小
型化、低価格化が容易な地磁気方位センサを提供するこ
とが可能となる。
【図１】本発明を適用した地磁気方位センサの一構成例
を模式的に示す平面図である。
を模式的に示す平面図である。
【図２】本発明を適用した地磁気方位センサの一構成例
を模式的に示す正面図である。
を模式的に示す正面図である。
【図３】図１に示す地磁気方位センサの等価回路の一例
を示す回路図である。
を示す回路図である。
【図４】図１に示す地磁気方位センサの等価回路の他の
例を示す回路図である。
例を示す回路図である。
【図５】オペアンプやトランジスタ等により構成された
定電流供給回路を示す回路図である。
定電流供給回路を示す回路図である。
【図６】バンドギャップ回路及びカレントミラー回路に
より構成された定電流供給回路を示す回路図である。
より構成された定電流供給回路を示す回路図である。
【図７】ＭＲセンサの磁気抵抗効果特性を示す特性図で
ある。
ある。
【図８】出力電圧と方位の関係を示す特性図である。
【図９】強磁性体コアによる地磁気の集束状態を示す模
式図である。
式図である。
【図１０】円形コアを用いた場合に各ＭＲセンサに印加
される地磁気の総量を示す模式図である。
される地磁気の総量を示す模式図である。
【図１１】正方形コアを用いた場合に各ＭＲセンサに印
加される地磁気の総量を示す模式図である。
加される地磁気の総量を示す模式図である。
【図１２】比較例の地磁気方位センサの等価回路図であ
る。
る。
【図１３】従来のフラックスゲート型の地磁気方位セン
サの一例を示す概略平面図である。
サの一例を示す概略平面図である。
【図１４】従来のＭＲ型の地磁気方位センサの一例を示
す概略平面図である。
す概略平面図である。
【図１５】図１４に示す地磁気方位センサの等価回路図
である。
である。
Ｍ1 ，Ｍ2 ，Ｍ3 ，Ｍ4 ＭＲセンサ Ｋ1 ，Ｋ2 ，Ｋ3 ，Ｋ4 強磁性体コア Ｇ1 ，Ｇ2 ，Ｇ3 ，Ｇ4 ギャップ Ｃ1 ，Ｃ2 ，Ｃ3 ，Ｃ4 励磁用コイル １ 地磁気方位センサ部 ２ 周辺回路部 ３ バンドギャップ回路 ４ カレントミラー回路
Claims (6)
- 【請求項１】 地磁気を集束する複数の強磁性体コアが
所定のギャップをもって周方向に配列され、 前記ギャップにおける磁界方向に対して略直交するよう
に磁気抵抗効果素子がギャップ内に配されるとともに、 上記磁気抵抗効果素子に一定値のセンス電流が供給され
定電流駆動とされてなることを特徴とする地磁気方位セ
ンサ。 - 【請求項２】 略直交する少なくとも一対の磁気抵抗効
果素子を有することを特徴とする請求項１記載の地磁気
方位センサ。 - 【請求項３】 各磁気抵抗効果素子の端子の一方は共通
端子とされ、他方はそれぞれ出力端子とされていること
を特徴とする請求項２記載の地磁気方位センサ。 - 【請求項４】 各磁気抵抗効果素子にセンス電流を供給
する定電流源が接続されていることを特徴とする請求項
１記載の地磁気方位センサ。 - 【請求項５】 強磁性体コアが軟磁気特性を有する強磁
性体よりなることを特徴とする請求項１記載の地磁気方
位センサ。 - 【請求項６】 強磁性体コアに励磁用コイルが巻回さ
れ、この励磁用コイルに電流を供給することでギャップ
内の磁気抵抗効果素子にバイアス磁界が印加されること
を特徴とする請求項１記載の地磁気方位センサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14204494A JPH085380A (ja) | 1994-06-23 | 1994-06-23 | 地磁気方位センサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14204494A JPH085380A (ja) | 1994-06-23 | 1994-06-23 | 地磁気方位センサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH085380A true JPH085380A (ja) | 1996-01-12 |
Family
ID=15306092
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14204494A Withdrawn JPH085380A (ja) | 1994-06-23 | 1994-06-23 | 地磁気方位センサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH085380A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8864897B2 (en) | 2009-04-30 | 2014-10-21 | Enki Technology, Inc. | Anti-reflective and anti-soiling coatings with self-cleaning properties |
| CN105408758A (zh) * | 2013-08-15 | 2016-03-16 | 德州仪器公司 | 用于提供周期性双向激励电流波形的激励电路 |
| US11092656B2 (en) | 2015-05-12 | 2021-08-17 | Texas Instruments Incorporated | Fluxgate magnetic field detection method and circuit |
-
1994
- 1994-06-23 JP JP14204494A patent/JPH085380A/ja not_active Withdrawn
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8864897B2 (en) | 2009-04-30 | 2014-10-21 | Enki Technology, Inc. | Anti-reflective and anti-soiling coatings with self-cleaning properties |
| CN105408758A (zh) * | 2013-08-15 | 2016-03-16 | 德州仪器公司 | 用于提供周期性双向激励电流波形的激励电路 |
| EP3060932A4 (en) * | 2013-08-15 | 2017-08-23 | Texas Instruments Incorporated | Excitation circuit for providing a periodic bidirectional excitation current waveform |
| US10018687B2 (en) | 2013-08-15 | 2018-07-10 | Texas Instruments Incorporated | Integrated fluxgate magnetic sensor and excitation circuitry |
| US11092656B2 (en) | 2015-05-12 | 2021-08-17 | Texas Instruments Incorporated | Fluxgate magnetic field detection method and circuit |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20010904 |